JP4527550B2 - SiC半導体素子 - Google Patents
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- 第1導電型のSiCからなる高濃度層と、
該高濃度層上に形成され、前記高濃度層よりも不純物濃度が低い第1導電型のSiCからなる低濃度層と、
該低濃度層の表面領域に形成された第2導電型のガードリング領域と、
前記低濃度層において、前記ガードリング領域の近傍に形成された結晶欠陥領域と、
前記低濃度層および前記ガードリング領域の一部を被覆し、前記低濃度層とショットキー接合を形成している金属からなるバリアメタル膜と、
該バリアメタル膜上に形成された第1の電極膜と、
前記高濃度層において、前記低濃度層が形成された表面と対向する表面上に形成された第2の電極膜と、
を具備することを特徴とするSiC半導体素子。 - 第1導電型のSiCからなる高濃度層と、
該高濃度層上に形成され、前記高濃度層よりも不純物濃度が低い第1導電型のSiCからなる低濃度層と、
該低濃度層の表面領域に形成された第2導電型の第1領域と、
該第1領域の近傍に形成された結晶欠陥領域と、
前記第1領域の表面に形成された、第1導電型のSiCからなる第2領域と、
該第2領域上に形成された第1の電極膜と、
前記第1領域上に形成された第2の電極膜と、
前記高濃度層において、前記低濃度層が形成された表面と対向する表面上に形成された第3の電極膜と、
を具備することを特徴とするSiC半導体素子。 - 前記低濃度層の表面領域において、前記第1領域の外側に形成された第2導電型のガードリング領域を具備し、前記結晶欠陥領域は前記ガードリング領域の近傍に形成されていることを特徴とする請求項2に記載のSiC半導体素子。
- 第1導電型のSiCからなる半導体層と、
該半導体層の表面領域に形成された第2導電型のガードリング領域と、
前記半導体層において、前記ガードリング領域の近傍に形成された結晶欠陥領域と、
前記ガードリング領域に囲まれた前記半導体層の表面に形成された、第2導電型のSiCからなる第1領域と、
該第1領域の表面に形成された、第1導電型のSiCからなる第2領域と、
該第2領域上に形成された第1の電極膜と、
前記半導体層において、前記第1領域が形成された表面と対向する表面上に形成された、第2導電型のSiCからなる第3領域と、
該第3領域上に形成された第2の電極膜と、
を具備することを特徴とするSiC半導体素子。 - 前記結晶欠陥領域は、前記ガードリング領域の近傍における前記低濃度層の表面に露出していることを特徴とする請求項1または請求項3に記載のSiC半導体素子。
- 前記結晶欠陥領域は、規定耐圧に相当する逆方向電圧が印加された場合に、前記ガードリング領域から前記低濃度層へ向かって伸びる空乏層に沿って形成されていることを特徴とする請求項1または請求項3に記載のSiC半導体素子。
- 前記結晶欠陥領域は、前記ガードリング領域の近傍における前記半導体層の表面に露出していることを特徴とする請求項4に記載のSiC半導体素子。
- 前記結晶欠陥領域は、規定耐圧に相当する逆方向電圧が印加された場合に、前記ガードリング領域から前記半導体層へ向かって伸びる空乏層に沿って形成されていることを特徴とする請求項4に記載のSiC半導体素子。
- 上面から見たときに、前記ガードリング領域が環状に形成されており、
前記結晶欠陥領域が、前記環状に形成された前記ガードリング領域の内側面よりも外側の領域に形成されている
ことを特徴とする請求項1、請求項3、請求項4のいずれかの項に記載のSiC半導体素子。 - 前記結晶欠陥領域は、Arイオンの注入によって形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかの項に記載のSiC半導体素子。
- 前記結晶欠陥領域は、Alイオンの注入によって形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかの項に記載のSiC半導体素子。
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