JP2590869B2 - ハンダ用メッキ液の製造方法 - Google Patents
ハンダ用メッキ液の製造方法Info
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- JP2590869B2 JP2590869B2 JP62083673A JP8367387A JP2590869B2 JP 2590869 B2 JP2590869 B2 JP 2590869B2 JP 62083673 A JP62083673 A JP 62083673A JP 8367387 A JP8367387 A JP 8367387A JP 2590869 B2 JP2590869 B2 JP 2590869B2
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- Japan
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- tin
- lead
- solution
- aromatic
- sulfonic acid
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業分野） 本発明は通常のICは勿論のこと、大容量メモリー素子
である256K RAM式或はそれ以上のメモリーや各種超LSI
等の半導体装置の部品、基板等にハンダ用合金をメツキ
するのに適した芳香族スルフオン酸及びその鉛塩、錫塩
を含む低α放射能のハンダ用メツキ液に関する。
である256K RAM式或はそれ以上のメモリーや各種超LSI
等の半導体装置の部品、基板等にハンダ用合金をメツキ
するのに適した芳香族スルフオン酸及びその鉛塩、錫塩
を含む低α放射能のハンダ用メツキ液に関する。
（従来技術とその問題点） 従来は鉛及び錫中のα線発生源であるU,Thを多量に含
む化合物を用いて調製したハンダ用メツキ液はメツキ後
にハンダ電着物からα線を多数発生するため、いわゆる
メモリーデバイスのソフトエラーを惹起していた。
む化合物を用いて調製したハンダ用メツキ液はメツキ後
にハンダ電着物からα線を多数発生するため、いわゆる
メモリーデバイスのソフトエラーを惹起していた。
従来技術の一例について述べる。すなわち、従来法に
よつて調製されたハンダ用メツキ液を用いて作成された
ハンダ膜中には、U,Th等の放射性同位元素が100ppb以上
も含有されており、これは放射性α粒子のカウント数と
して数CPH/cm2〜数100CPH/cm2に相当するものである。
このように、予備精製を施さない放射性同位元素の含有
量が高い鉛、錫化合物を主成分とするハンダ用メツキ液
を半導体装置組立に用いると、作成されたハンダ膜から
発する放射性α粒子がメモリーエラーの原因となり、信
頼性の乏しいものとなつていた。
よつて調製されたハンダ用メツキ液を用いて作成された
ハンダ膜中には、U,Th等の放射性同位元素が100ppb以上
も含有されており、これは放射性α粒子のカウント数と
して数CPH/cm2〜数100CPH/cm2に相当するものである。
このように、予備精製を施さない放射性同位元素の含有
量が高い鉛、錫化合物を主成分とするハンダ用メツキ液
を半導体装置組立に用いると、作成されたハンダ膜から
発する放射性α粒子がメモリーエラーの原因となり、信
頼性の乏しいものとなつていた。
本発明者らは、上記の従来技術の問題点を解決し、半
導体装置のメモリーエラーの発生を抑制するハンダ用メ
ツキ液を提供すべく研究を重ねた結果、メツキによつて
形成されたハンダ膜の主成分であるPb,Sn中に不可避不
純物として含まれている放射性同位元素のU,Th量を20pp
b未満とすると、放射性α粒子のカウント数を0.1CPH/cm
2以下に抑制できることを見出し、本発明に到達した。
導体装置のメモリーエラーの発生を抑制するハンダ用メ
ツキ液を提供すべく研究を重ねた結果、メツキによつて
形成されたハンダ膜の主成分であるPb,Sn中に不可避不
純物として含まれている放射性同位元素のU,Th量を20pp
b未満とすると、放射性α粒子のカウント数を0.1CPH/cm
2以下に抑制できることを見出し、本発明に到達した。
（発明の構成） 本発明によれば、次の一般式 （式中、R1及びR2は同一又は異なっていてもよく、それ
ぞれ水素原子、水酸基、低級アルキル基及びスルフォン
酸基よりなる群の中から選ばれる）で表わされる芳香族
スルフォン酸ならびに該芳香族スルフォン酸の鉛塩およ
び錫塩を含有するハンダ用メッキ液の製造方法であっ
て、いずれも下記〜の工程により製造された高純度
の前記芳香族スルフォン酸の鉛塩および錫塩を前記芳香
族スルフォン酸に溶解させることを特徴とする、放射性
同位元素の含有量が20ppb未満で、放射性α粒子のカウ
ント数が0.1CPH/cm2未満のハンダ用メッキ液の製造方法
が提供される。
ぞれ水素原子、水酸基、低級アルキル基及びスルフォン
酸基よりなる群の中から選ばれる）で表わされる芳香族
スルフォン酸ならびに該芳香族スルフォン酸の鉛塩およ
び錫塩を含有するハンダ用メッキ液の製造方法であっ
て、いずれも下記〜の工程により製造された高純度
の前記芳香族スルフォン酸の鉛塩および錫塩を前記芳香
族スルフォン酸に溶解させることを特徴とする、放射性
同位元素の含有量が20ppb未満で、放射性α粒子のカウ
ント数が0.1CPH/cm2未満のハンダ用メッキ液の製造方法
が提供される。
純度が99.99％以上の鉛および／または錫を高純度硝
酸水溶液に溶解し、 得られた溶液の遊離硝酸濃度を５〜10モルに調整し、 濃度調整した溶液を陰イオン交換樹脂で精製して、溶
液中のＵおよびThの含有量を低減させ、 精製した溶液に芳香族スルフォン酸を反応させた後、
中和して、放射性同位元素の含有量が20ppb未満で、放
射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2未満である高純度
の芳香族スルフォン酸の鉛塩および／または錫塩を生成
させる。
酸水溶液に溶解し、 得られた溶液の遊離硝酸濃度を５〜10モルに調整し、 濃度調整した溶液を陰イオン交換樹脂で精製して、溶
液中のＵおよびThの含有量を低減させ、 精製した溶液に芳香族スルフォン酸を反応させた後、
中和して、放射性同位元素の含有量が20ppb未満で、放
射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2未満である高純度
の芳香族スルフォン酸の鉛塩および／または錫塩を生成
させる。
次に、本発明のハンダ用メッキ液の製造方法について
詳しく説明する。
詳しく説明する。
まず、99.99％（４ナイン）以上の品位を有する鉛を
高純度の濃硝酸にて溶解し、該鉛中に含まれるU,Thの放
射性同位元素を錯陰イオンとした後、純水にて遊離硝酸
濃度を５〜10モル濃度に調整して次工程の陰イオン交換
樹脂浄液処理におけるU,Thの吸着効率を向上させ、次い
で該陰イオン交換樹脂浄液処理を行い得られたU,Th含有
量の低減した溶液に上記一般式で表わされる芳香族スル
フオン酸を加え、アルカリにて中和後、濃縮・過・分
離することにより、α線発生量の少ない芳香族スルフオ
ン酸鉛が得られる。同様に、99.99％（４ナイン）以上
の品位を有する錫を高純度の冷希硝酸にて溶解した後遊
離硝酸濃度を５〜10モル濃度に調整して次工程の陰イオ
ン交換樹脂浄液処理におけるU,Thの吸着効率を向上さ
せ、次いで該陰イオン交換樹脂浄液処理を行い得られた
U,Th含有量の低減した溶液に上記一般式で表わされる芳
香族スルフオン酸を加え、アルカリにて中和後、濃縮・
過・分離することにより、α線発生量の少ない芳香族
スルフオン酸錫が得られる。
高純度の濃硝酸にて溶解し、該鉛中に含まれるU,Thの放
射性同位元素を錯陰イオンとした後、純水にて遊離硝酸
濃度を５〜10モル濃度に調整して次工程の陰イオン交換
樹脂浄液処理におけるU,Thの吸着効率を向上させ、次い
で該陰イオン交換樹脂浄液処理を行い得られたU,Th含有
量の低減した溶液に上記一般式で表わされる芳香族スル
フオン酸を加え、アルカリにて中和後、濃縮・過・分
離することにより、α線発生量の少ない芳香族スルフオ
ン酸鉛が得られる。同様に、99.99％（４ナイン）以上
の品位を有する錫を高純度の冷希硝酸にて溶解した後遊
離硝酸濃度を５〜10モル濃度に調整して次工程の陰イオ
ン交換樹脂浄液処理におけるU,Thの吸着効率を向上さ
せ、次いで該陰イオン交換樹脂浄液処理を行い得られた
U,Th含有量の低減した溶液に上記一般式で表わされる芳
香族スルフオン酸を加え、アルカリにて中和後、濃縮・
過・分離することにより、α線発生量の少ない芳香族
スルフオン酸錫が得られる。
このようにして得られた芳香族スルフオン酸鉛、芳香
族スルフオン酸錫はいずれもU,Thの放射性同位元素の含
有量が20ppb未満であり、かつ放射性α粒子のカウント
数が0.1CPH/cm2未満である。
族スルフオン酸錫はいずれもU,Thの放射性同位元素の含
有量が20ppb未満であり、かつ放射性α粒子のカウント
数が0.1CPH/cm2未満である。
上記のα線発生量の低い芳香族スルフオン酸鉛、芳香
族スルフオン酸錫及び芳香族スルフオン酸を組成成分と
して含有する水溶液を電解液とし、低α線の放射性ハン
ダ板を陽極に、メツキを行う基板を陰極にそれぞれ接続
することにより、該基板上にα線発生量が少なく、メモ
リーエラー発生を著しく抑制するハンダ合金をメツキす
ることができる。
族スルフオン酸錫及び芳香族スルフオン酸を組成成分と
して含有する水溶液を電解液とし、低α線の放射性ハン
ダ板を陽極に、メツキを行う基板を陰極にそれぞれ接続
することにより、該基板上にα線発生量が少なく、メモ
リーエラー発生を著しく抑制するハンダ合金をメツキす
ることができる。
添付図面は本発明の一実施例の断面概略図である。図
において、１はハンダ板,2はメツキ液,3は配線基板であ
る。
において、１はハンダ板,2はメツキ液,3は配線基板であ
る。
次に本発明を実施例によつてより具体的に説明する
が、以下の実施例は本発明の範囲を限定するものではな
い。
が、以下の実施例は本発明の範囲を限定するものではな
い。
実施例１ ４ナイン以上の品位を有する鉛濃硝酸で溶解し、純水
で遊離硝酸濃度を、５モル〜10モル濃度に調整し、次い
で該溶液を陰イオン交換樹脂たとえば、ダイヤイオン
（商品名）を充填した塔を通過させ、該溶液中のU,Thを
吸着除去せしめた後、芳香族スルフォン酸としてＰ−フ
ェノールスルフォン酸を添加し、さらに苛性ソーダ，ま
たはアンモニヤ水で中和後、該溶液を濃縮し、析出した
沈殿を過・分離・乾燥することにより、芳香族スルホ
ン酸鉛を得た。同様に、４ナイン以上の品位を有する錫
を冷希硝酸に溶解し、さらに遊離硝酸濃度を、５モル〜
10モル濃度に調整し、次いで該溶液を陰イオン交換樹脂
にたとえば、ダイヤイオン（商品名）を充填した塔を通
過させ、該溶液中のU,Thを吸着除去せしめた後、芳香族
スルフォン酸としてＰ−フェノールスルフォン酸を添加
し、さらに苛性ソーダ，またはアンモニヤ水で中和後、
該溶液を濃縮し、析出した沈殿を過・分離・乾燥する
ことにより、芳香族スルフオン酸錫を得た。これら金属
塩の放射性同位元素の含有量を分析したところ、いずれ
も20ppb未満であり、またα粒子のカウント数も0.1CPH/
cm2未満であることが確認された。これら、鉛及び錫の
芳香族スルフオン酸塩をそれぞれ芳香族スルフォン酸
（Ｐ−フェノールスルフォン酸）の水溶液に溶解して、
芳香族スルフォン酸、その錫塩および鉛塩を第１表に示
す濃度で含有するハンダ用メッキ液を調製した。得られ
たメッキ液の放射性同元素の含有量および放射性α粒子
のカウント数は、それぞれ第１表に示す通りであった。
このハンダ用メッキ液を用いて、放射性同位元素含有量
20ppb未満でα粒子カウント数0.1CPH/cm2未満であるPb9
0％,Sn10％の組成のハンダ板を陽極に、基板を陰極に、
それぞれ接続し、電流密度60A/cm2としてメッキを行っ
て、基板上に89％Pb−11％Snの組成のハンダ膜を作製し
た。このハンダ膜中のＵ、Th等の放射性同位元素の含有
量は20ppb未満であり、かつ放射性α粒子のカウント数
が0.1CPH/cm2未満であることが確認された。このメッキ
液を用いて作成したメモリーはソフトエラーの発生が著
しく低下していることが確認された。
で遊離硝酸濃度を、５モル〜10モル濃度に調整し、次い
で該溶液を陰イオン交換樹脂たとえば、ダイヤイオン
（商品名）を充填した塔を通過させ、該溶液中のU,Thを
吸着除去せしめた後、芳香族スルフォン酸としてＰ−フ
ェノールスルフォン酸を添加し、さらに苛性ソーダ，ま
たはアンモニヤ水で中和後、該溶液を濃縮し、析出した
沈殿を過・分離・乾燥することにより、芳香族スルホ
ン酸鉛を得た。同様に、４ナイン以上の品位を有する錫
を冷希硝酸に溶解し、さらに遊離硝酸濃度を、５モル〜
10モル濃度に調整し、次いで該溶液を陰イオン交換樹脂
にたとえば、ダイヤイオン（商品名）を充填した塔を通
過させ、該溶液中のU,Thを吸着除去せしめた後、芳香族
スルフォン酸としてＰ−フェノールスルフォン酸を添加
し、さらに苛性ソーダ，またはアンモニヤ水で中和後、
該溶液を濃縮し、析出した沈殿を過・分離・乾燥する
ことにより、芳香族スルフオン酸錫を得た。これら金属
塩の放射性同位元素の含有量を分析したところ、いずれ
も20ppb未満であり、またα粒子のカウント数も0.1CPH/
cm2未満であることが確認された。これら、鉛及び錫の
芳香族スルフオン酸塩をそれぞれ芳香族スルフォン酸
（Ｐ−フェノールスルフォン酸）の水溶液に溶解して、
芳香族スルフォン酸、その錫塩および鉛塩を第１表に示
す濃度で含有するハンダ用メッキ液を調製した。得られ
たメッキ液の放射性同元素の含有量および放射性α粒子
のカウント数は、それぞれ第１表に示す通りであった。
このハンダ用メッキ液を用いて、放射性同位元素含有量
20ppb未満でα粒子カウント数0.1CPH/cm2未満であるPb9
0％,Sn10％の組成のハンダ板を陽極に、基板を陰極に、
それぞれ接続し、電流密度60A/cm2としてメッキを行っ
て、基板上に89％Pb−11％Snの組成のハンダ膜を作製し
た。このハンダ膜中のＵ、Th等の放射性同位元素の含有
量は20ppb未満であり、かつ放射性α粒子のカウント数
が0.1CPH/cm2未満であることが確認された。このメッキ
液を用いて作成したメモリーはソフトエラーの発生が著
しく低下していることが確認された。
実施例２ 実施例１と同様にして得た、いずれも放射性同位元素
の含有量が20ppb未満、放射性α粒子カウント数が0.1CP
H/cm2未満である芳香族スルフォン酸鉛および芳香族ス
ルフォン酸錫を芳香族スルフォン酸（Ｐ−フェノールス
ルフォン酸）の水溶液に溶解して、芳香族スルフォン
酸、その鉛塩および鉛塩を第１表に示す濃度で含有する
ハンダ用メッキ液を調製した。このメッキ液を用いて、
実施例１と同様に低α線の90％Pb−10％Snのハンダ板を
陽極に、基板を陰極にして電解を行い、基板上に89％Pb
−11％Snのハンダ膜を作製した。このハンダ膜中のＵ、
Th等の放射性同位元素の含有量は20ppb未満であり、か
つ放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2未満であるこ
とが確認された。
の含有量が20ppb未満、放射性α粒子カウント数が0.1CP
H/cm2未満である芳香族スルフォン酸鉛および芳香族ス
ルフォン酸錫を芳香族スルフォン酸（Ｐ−フェノールス
ルフォン酸）の水溶液に溶解して、芳香族スルフォン
酸、その鉛塩および鉛塩を第１表に示す濃度で含有する
ハンダ用メッキ液を調製した。このメッキ液を用いて、
実施例１と同様に低α線の90％Pb−10％Snのハンダ板を
陽極に、基板を陰極にして電解を行い、基板上に89％Pb
−11％Snのハンダ膜を作製した。このハンダ膜中のＵ、
Th等の放射性同位元素の含有量は20ppb未満であり、か
つ放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2未満であるこ
とが確認された。
なお、芳香族スルフオン酸として、Ｐ−フエノールス
ルフオン酸、ベンゼンスルフオン酸、Ｐ−トルエンスル
フオン酸を使用する実施例、及び同じくＰ−フエノール
スルフオン酸、ベンゼンスルフオン酸、Ｐ−トルエンス
ルフオン酸を使用する比較例を、第１表にそれぞれ実施
例１〜５及び比較例１〜４として併せ示す。実施例１〜
５においては、４ナイン以上の高純度の鉛、錫を硝酸に
溶解させた後、本発明の方法に従って予備精製してから
芳香族スルフォン酸と反応させたのに対し、比較例１〜
４では４ナイン以上の高純度の鉛、錫を硝酸に溶解させ
た後、何ら予備精製せずに芳香族スルフォン酸と反応さ
せたものである。
ルフオン酸、ベンゼンスルフオン酸、Ｐ−トルエンスル
フオン酸を使用する実施例、及び同じくＰ−フエノール
スルフオン酸、ベンゼンスルフオン酸、Ｐ−トルエンス
ルフオン酸を使用する比較例を、第１表にそれぞれ実施
例１〜５及び比較例１〜４として併せ示す。実施例１〜
５においては、４ナイン以上の高純度の鉛、錫を硝酸に
溶解させた後、本発明の方法に従って予備精製してから
芳香族スルフォン酸と反応させたのに対し、比較例１〜
４では４ナイン以上の高純度の鉛、錫を硝酸に溶解させ
た後、何ら予備精製せずに芳香族スルフォン酸と反応さ
せたものである。
比較例５ 純水で遊離硝酸濃度を１〜４モルに調整した以外は、
実施例１と同様に、４ナイン以上の品位を有する鉛およ
び錫を使用して、鉛および錫のＰ−フェノールスルフォ
ン酸塩を調製した。これらの鉛および錫のＰ−フェノー
ルスルフォン酸塩の放射性同位体元素の含有量はいずれ
も100〜150ppbであり、またα粒子のカウント数は1.3〜
4.9CPH/cm2であることが確認された。
実施例１と同様に、４ナイン以上の品位を有する鉛およ
び錫を使用して、鉛および錫のＰ−フェノールスルフォ
ン酸塩を調製した。これらの鉛および錫のＰ−フェノー
ルスルフォン酸塩の放射性同位体元素の含有量はいずれ
も100〜150ppbであり、またα粒子のカウント数は1.3〜
4.9CPH/cm2であることが確認された。
実施例１と同様にしてメッキ液を調製し、同様の方法
でメッキを行った。このメッキ板を用いて作成したメモ
リーではソフトエラーの発生が認められた。
でメッキを行った。このメッキ板を用いて作成したメモ
リーではソフトエラーの発生が認められた。
比較例６ 純水で遊離硝酸濃度を11〜12モルに調整した以外は、
実施例１と同様に、４ナイン以上の品位を有する鉛およ
び錫を使用して、鉛および錫のＰ−フェノールスルフォ
ン酸塩を調製した。これらの鉛および錫のＰ−フェノー
ルスルフォン酸塩の放射性同位体元素の含有量はいずれ
も150〜210ppbであり、またα粒子のカウント数は1.7〜
5.0CPH/cm2であることが確認された。
実施例１と同様に、４ナイン以上の品位を有する鉛およ
び錫を使用して、鉛および錫のＰ−フェノールスルフォ
ン酸塩を調製した。これらの鉛および錫のＰ−フェノー
ルスルフォン酸塩の放射性同位体元素の含有量はいずれ
も150〜210ppbであり、またα粒子のカウント数は1.7〜
5.0CPH/cm2であることが確認された。
実施例１と同様にしてメッキ液を調製し、同様の方法
でメッキを行った。このメッキ板を用いて作成したメモ
リーではソフトエラーの発生が認められた。
でメッキを行った。このメッキ板を用いて作成したメモ
リーではソフトエラーの発生が認められた。
（発明の効果） 本発明は以上から明らかであるように、次の構成要
件、すなわち、 （ａ） ４ナイン以上の品位を有する鉛及び錫を用いて
純度の高い硝酸で溶解する。
件、すなわち、 （ａ） ４ナイン以上の品位を有する鉛及び錫を用いて
純度の高い硝酸で溶解する。
（ｂ） 純水で遊離硝酸濃度を５〜10モル濃度に調整す
る。
る。
（ｃ） 陰イオン交換樹脂浄液処理を行う。
（ｄ） 発生α線量の低い芳香族スルフオン酸鉛，芳香
族スルフオン酸錫塩及び芳香族スルフオン酸を含む水溶
液を電解液とする。
族スルフオン酸錫塩及び芳香族スルフオン酸を含む水溶
液を電解液とする。
の組合わせからなる、放射性同位元素の含有量が20ppb
未満、かつ放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2未満
であることを特徴とする高純度のハンダ用メッキ液の製
造方法を提供するものである。本発明の方法により製造
されたハンダ用メッキ液を使用することによつてメモリ
ーエラーの発生を著しく抑制するハンダ膜を形成するこ
とができるので、大容量メモリー素子である256K RAM
式或はそれ以上のメモリーや各種超LSI等の半導体装置
の部品、基板等にハンダ用合金をメツキすることが可能
である。
未満、かつ放射性α粒子のカウント数が0.1CPH/cm2未満
であることを特徴とする高純度のハンダ用メッキ液の製
造方法を提供するものである。本発明の方法により製造
されたハンダ用メッキ液を使用することによつてメモリ
ーエラーの発生を著しく抑制するハンダ膜を形成するこ
とができるので、大容量メモリー素子である256K RAM
式或はそれ以上のメモリーや各種超LSI等の半導体装置
の部品、基板等にハンダ用合金をメツキすることが可能
である。
図面は本発明のメツキ液を収納した電解槽の断面図であ
る。図において、１はハンダ板,2はメツキ液,3は配線基
板である。
る。図において、１はハンダ板,2はメツキ液,3は配線基
板である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−227722（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−6793（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−16176（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】次の一般式 （式中、R1及びR2は同一又は異なっていてもよく、それ
ぞれ水素原子、水酸基、低級アルキル基及びスルフォン
酸基よりなる群の中から選ばれる）で表わされる芳香族
スルフォン酸ならびに該芳香族スルフォン酸の鉛塩およ
び錫塩を含有するハンダ用メッキ液の製造方法であっ
て、下記〜の工程からなることを特徴とする、放射
性同位元素の含有量が20ppb未満で、放射性α粒子のカ
ウント数が0.1CPH/cm2未満のハンダ用メッキ液の製造方
法。 純度が99.99％以上の鉛および／または錫を高純度硝
酸水溶液に溶解し、 得られた溶液の遊離硝酸濃度を５〜10モルに調整し、 濃度調整した溶液を陰イオン交換樹脂で精製して、溶
液中のＵおよびThの含有量を低減させ、 精製した溶液に芳香族スルフォン酸を反応させた後、
中和および濃縮し、析出した沈殿を分離および乾燥し
て、芳香族スルフォン酸鉛および芳香族スルフォン酸錫
を取得し、 こうして得た芳香族スルフォン酸鉛と芳香族スルフォ
ン酸錫を、前記芳香族スルフォン酸を含む水溶液に溶解
させる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083673A JP2590869B2 (ja) | 1987-04-04 | 1987-04-04 | ハンダ用メッキ液の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083673A JP2590869B2 (ja) | 1987-04-04 | 1987-04-04 | ハンダ用メッキ液の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250485A JPS63250485A (ja) | 1988-10-18 |
| JP2590869B2 true JP2590869B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=13808999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62083673A Expired - Lifetime JP2590869B2 (ja) | 1987-04-04 | 1987-04-04 | ハンダ用メッキ液の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590869B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4582294B2 (ja) * | 2004-04-02 | 2010-11-17 | 三菱マテリアル株式会社 | 鉛−スズ合金ハンダめっき液 |
| JP6009218B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2016-10-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | アルファ粒子放射体除去 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916176A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-02-13 | ||
| JPS59227722A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-12-21 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置封着用低融点ガラス用酸化鉛およびその製造方法 |
| JPS626793A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Mitsubishi Metal Corp | はんだペ−スト用Ｐｂ合金粉末 |
-
1987
- 1987-04-04 JP JP62083673A patent/JP2590869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63250485A (ja) | 1988-10-18 |
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