JPS626793A - はんだペ−スト用Pb合金粉末 - Google Patents
はんだペ−スト用Pb合金粉末Info
- Publication number
- JPS626793A JPS626793A JP14597985A JP14597985A JPS626793A JP S626793 A JPS626793 A JP S626793A JP 14597985 A JP14597985 A JP 14597985A JP 14597985 A JP14597985 A JP 14597985A JP S626793 A JPS626793 A JP S626793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- radioactive
- solder
- content
- solder paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、通常のトランジスタや(Cは勿論のこと、
人容最メモリー素子である64KDRAMや256 K
’D RA Mなどのメモリー、ざらに信頼性が特に要
求される各種のLSIや超LSIなどの半導体装置の組
立てに際して、構造部材の接合に用いられているはんだ
ペーストのはんだ粉末として使用するのに適したPb合
金粉末に関するものである。
人容最メモリー素子である64KDRAMや256 K
’D RA Mなどのメモリー、ざらに信頼性が特に要
求される各種のLSIや超LSIなどの半導体装置の組
立てに際して、構造部材の接合に用いられているはんだ
ペーストのはんだ粉末として使用するのに適したPb合
金粉末に関するものである。
一般に、半導体装置の1つとして、第1図に概略縦断面
図で示されるICセラミック・パッケージが知られてい
る。
図で示されるICセラミック・パッケージが知られてい
る。
このICセラミック・パッケージは、主として所定のキ
ャビティをもったセラミックケース1と、このキャビテ
ィの底部にはんだベース]−を用いてはんだ付けされた
Siチップなどの半導体素子2と、AuあるいはA2な
どの極細線からなるボンディングワイヤ3と、セラミッ
クケース1の上面に、同様にはんだペース1〜を用いて
はんだ付けされた到着板4と、セラミックケース1には
lυだ付けされたリード材5で構成されている。
ャビティをもったセラミックケース1と、このキャビテ
ィの底部にはんだベース]−を用いてはんだ付けされた
Siチップなどの半導体素子2と、AuあるいはA2な
どの極細線からなるボンディングワイヤ3と、セラミッ
クケース1の上面に、同様にはんだペース1〜を用いて
はんだ付けされた到着板4と、セラミックケース1には
lυだ付けされたリード材5で構成されている。
このようにICセラミック・パッケージにおいては、半
導体素子のヒラミックケースのキャビティ底部へのはん
だ付け、並びに封着板のセラミックケース上面へのはん
だ付け、さらに別の構造を有するICプラスチック・パ
ッケージにおいては、半導体素子のリードフレームへの
はんだ付けに、はんだペーストが用いられている。
導体素子のヒラミックケースのキャビティ底部へのはん
だ付け、並びに封着板のセラミックケース上面へのはん
だ付け、さらに別の構造を有するICプラスチック・パ
ッケージにおいては、半導体素子のリードフレームへの
はんだ付けに、はんだペーストが用いられている。
また、このはんだペーストは、通常、基本的には、はん
だ粉末と、塗布性を付与し、かつはんだ粉末をはんだ付
はランドにはんだ付は時まで一時的に固着させるロジン
などの樹脂成分と、塗布のだめの流動性を付L′J−J
−る溶剤からなり、必要に応じてはんだ粉末やはんだ付
はランドの表面を還元し、活性化する活性剤などを含有
する場合がある。
だ粉末と、塗布性を付与し、かつはんだ粉末をはんだ付
はランドにはんだ付は時まで一時的に固着させるロジン
などの樹脂成分と、塗布のだめの流動性を付L′J−J
−る溶剤からなり、必要に応じてはんだ粉末やはんだ付
はランドの表面を還元し、活性化する活性剤などを含有
する場合がある。
従来、上記はんだペーストにおけるはんだ粉末としては
、AU粉末やAu合金粉末が用いられている。
、AU粉末やAu合金粉末が用いられている。
(発明が解決しようとする問題点〕
しかし、はんだ粉末としてのAL+粉末やAu合金粉末
は高価であるために、近年、これを安価なPb合金粉末
に代替する試みもなされたが、はんだ粉末としてpb合
金粉末を配合したはんだペーストを用いて半導体装置を
組立てた場合、実用に際して前記半導体装置にメモリー
エラーが発生し、信頼性の点で実用に供することができ
ないものであった。
は高価であるために、近年、これを安価なPb合金粉末
に代替する試みもなされたが、はんだ粉末としてpb合
金粉末を配合したはんだペーストを用いて半導体装置を
組立てた場合、実用に際して前記半導体装置にメモリー
エラーが発生し、信頼性の点で実用に供することができ
ないものであった。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、半導体
装置の組立て用はんだペーストのはんだ粉末として使用
するのに適し、かつ安価なはんだ粉末を開発すべく研究
を行なった結果、型口%で(以下%は重量%を示す)、 SnおよびInのうちの1種または2種=1〜65%。
装置の組立て用はんだペーストのはんだ粉末として使用
するのに適し、かつ安価なはんだ粉末を開発すべく研究
を行なった結果、型口%で(以下%は重量%を示す)、 SnおよびInのうちの1種または2種=1〜65%。
を含右し、さらに必要に応じて、
Ao:1〜10%。
を含右し、残りがpbと不可避不純物からなる組成を右
し、かつ不可避不純物としての放射性同位元素(D 含
ti吊ヲ50 ppb (i’ppb ハ10 ta
分(7) 1 )未満として、放射性α粒子のカウント
数を0.50PH(カウント/時)/cIi以下とした
Pb合金粉末は、AllおよびAu合金粉末に比して一
段と安価で、かつこれを半導体装置の組立て用はんだペ
ーストのはんだ粉末として使用した場合、良好なぬれ性
と接着強度を示し、かつメモリーエラーの発生がなく、
きわめて高い信頼性が得られるという知見を得たのであ
る。
し、かつ不可避不純物としての放射性同位元素(D 含
ti吊ヲ50 ppb (i’ppb ハ10 ta
分(7) 1 )未満として、放射性α粒子のカウント
数を0.50PH(カウント/時)/cIi以下とした
Pb合金粉末は、AllおよびAu合金粉末に比して一
段と安価で、かつこれを半導体装置の組立て用はんだペ
ーストのはんだ粉末として使用した場合、良好なぬれ性
と接着強度を示し、かつメモリーエラーの発生がなく、
きわめて高い信頼性が得られるという知見を得たのであ
る。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、以下に上記Pb合金粉末の成分組成を上記の通りに
限定した理由を説明する。
て、以下に上記Pb合金粉末の成分組成を上記の通りに
限定した理由を説明する。
(a)SnおJ:びIn
これらの成分には、ぬれ性を向上させ、かつ接着強度を
高める作用があるが、その含有aが1%未満では前記作
用に所望の効果が得られず、一方65%を越えて含有さ
せても前記作用により一層の向上効果が得られず、ui
性を考慮して、その含有ωを1〜65%と定めた。
高める作用があるが、その含有aが1%未満では前記作
用に所望の効果が得られず、一方65%を越えて含有さ
せても前記作用により一層の向上効果が得られず、ui
性を考慮して、その含有ωを1〜65%と定めた。
(b)A。
へ〇成分には、3nおよびつinとの共存において、さ
らに一段とぬれ性および接着強度を向上させる作用があ
るので、必要に応じて含有されるが、その含有量が1%
未満では前記作用に所望の向上効果が得られず、一方1
0%を越えて含有させてもより一層の向上効果が得られ
ず、経済性を考慮して、その含有量を1〜10%と定め
た。
らに一段とぬれ性および接着強度を向上させる作用があ
るので、必要に応じて含有されるが、その含有量が1%
未満では前記作用に所望の向上効果が得られず、一方1
0%を越えて含有させてもより一層の向上効果が得られ
ず、経済性を考慮して、その含有量を1〜10%と定め
た。
(C)不可避不純物としての放射性同位元素通常の製錬
法にて!!J 31aされたPb中には、U。
法にて!!J 31aされたPb中には、U。
Thなどの放射性同僚元素が50 ppb以上も含右し
、これは放射性α粒子のカウント数で数カラントル数1
00 CP H/ c#iに相当し、このように放射性
同位元素の含有量が高いPbを主成分とするpb合金粉
末を、半導体装置の組立て用はんだペーストに使用する
と、この放射性同位元素が原因で前記半導体装置にはメ
モリーエラーが発生するようになって信頼性のないもの
となるのであ7て、したがって、不可避不純物としての
放射性同位元素の含有σを501)l)b未満として、
放射性α粒子のカウント数を0.5CPH/cm2以下
とすることによって、前記放射性同位元素による影響を
皆無とする必要があるのである。
、これは放射性α粒子のカウント数で数カラントル数1
00 CP H/ c#iに相当し、このように放射性
同位元素の含有量が高いPbを主成分とするpb合金粉
末を、半導体装置の組立て用はんだペーストに使用する
と、この放射性同位元素が原因で前記半導体装置にはメ
モリーエラーが発生するようになって信頼性のないもの
となるのであ7て、したがって、不可避不純物としての
放射性同位元素の含有σを501)l)b未満として、
放射性α粒子のカウント数を0.5CPH/cm2以下
とすることによって、前記放射性同位元素による影響を
皆無とする必要があるのである。
つぎに、この発明のはんだペースト用Pb合金粉末を実
施例により具体的に説明する。
施例により具体的に説明する。
原材料として、通常の製錬法にて製造されたpb材、並
びにこのpb材に精製処理を施して放射性同位元素の含
有mを低減せしめた高純度pb材、さらに3n材、In
材、およびAIJ材を用意し、これら原材料を所定の割
合に配合し、溶製して、それぞれ第1表に示される成分
組成をもったpb金合金し、これを通常の粉末!34法
にて250〜300 meshの範囲内の平均粒径を有
する粉末とすることによって、本発明pb合金粉末1〜
12および比較Pb合金粉末1〜12をそれぞれ¥J造
した。
びにこのpb材に精製処理を施して放射性同位元素の含
有mを低減せしめた高純度pb材、さらに3n材、In
材、およびAIJ材を用意し、これら原材料を所定の割
合に配合し、溶製して、それぞれ第1表に示される成分
組成をもったpb金合金し、これを通常の粉末!34法
にて250〜300 meshの範囲内の平均粒径を有
する粉末とすることによって、本発明pb合金粉末1〜
12および比較Pb合金粉末1〜12をそれぞれ¥J造
した。
ついで、この結果得られた本発明pb合金粉末1〜12
および比較Pb合金粉末1〜12をそれぞれはんだ粉末
として用い、 はんだ粉末:30%。
および比較Pb合金粉末1〜12をそれぞれはんだ粉末
として用い、 はんだ粉末:30%。
軟化点:約70℃のロジン二68%。
アニリン塩酸塩:2%。
からなる配合のはんだペーストを製造し、これらのはん
だペーストを、それぞれ第1表に示されるICセラミッ
ク・パッケージにおける半導体晃子2のセラミックケー
ス1の底部へのはんだ付けに用い、はんだ付は部の放射
性α粒子のカウント数を測定すると共に、これをICに
組立て、実機に装着してメモリーエラーの有無を測定し
た。これらの結果を第1表に合せて示した。
だペーストを、それぞれ第1表に示されるICセラミッ
ク・パッケージにおける半導体晃子2のセラミックケー
ス1の底部へのはんだ付けに用い、はんだ付は部の放射
性α粒子のカウント数を測定すると共に、これをICに
組立て、実機に装着してメモリーエラーの有無を測定し
た。これらの結果を第1表に合せて示した。
第1表に示される結果から明らかなように、はんだ粉末
として本発明pb合金粉末1〜12を用いた場合には、
いずれも放射性同位元素の8@ム1が50 ppb未満
なので、放射性α粒子のカラン1へ数も0.5CPH/
cm2以下となっており、はんだ粉末が原因のメモリー
エラーの発生は全く見られなかったのに対して、いずれ
も放射性同位元素の含有量がこの発明の上限値を越えて
高い比較Pb合金粉末1〜12をはんだ粉末として用い
た場合には、放射性α粒子のカウント数が0.5CP
I−1/ ciを越えて高くなり、メモリーエラーの発
生が見られるものであった。
として本発明pb合金粉末1〜12を用いた場合には、
いずれも放射性同位元素の8@ム1が50 ppb未満
なので、放射性α粒子のカラン1へ数も0.5CPH/
cm2以下となっており、はんだ粉末が原因のメモリー
エラーの発生は全く見られなかったのに対して、いずれ
も放射性同位元素の含有量がこの発明の上限値を越えて
高い比較Pb合金粉末1〜12をはんだ粉末として用い
た場合には、放射性α粒子のカウント数が0.5CP
I−1/ ciを越えて高くなり、メモリーエラーの発
生が見られるものであった。
なお、いずれのPb合金粉末においても、すぐれたぬれ
性を示し、かつ乙い接着強度を示すものであった。
性を示し、かつ乙い接着強度を示すものであった。
上述のように、この発明のPb合金粉末は、はんだペー
ストのはんだ粉末として用いた場合に、すぐれたぬれ性
と接着強度を示し、かつ放射性α粒子のカウント数も0
.5CPH/aA以下ときわめて低いので、半導体装貿
の組立てに用いるのに適し、しかも安価である。
ストのはんだ粉末として用いた場合に、すぐれたぬれ性
と接着強度を示し、かつ放射性α粒子のカウント数も0
.5CPH/aA以下ときわめて低いので、半導体装貿
の組立てに用いるのに適し、しかも安価である。
第1図はICセラミック・パッケージの概略断面図であ
る。 1・・・セラミックケース、 2・・・半導体素子。 3・・・ボンディングワイヤ、 4・・・封着板。 5・・・リード材。
る。 1・・・セラミックケース、 2・・・半導体素子。 3・・・ボンディングワイヤ、 4・・・封着板。 5・・・リード材。
Claims (2)
- (1)SnおよびInのうちの1種または2種:1〜6
5%、 を含有し、残りがPbと不可避不純物からなる組成(以
上重量%)を有し、かつ不可避不純物としての放射性同
位元素の含有量を50ppb未満として、放射性α粒子
のカウント数を0.5CPH/cm^2以下としたこと
を特徴とする半導体装置の組立てに用いられるはんだペ
ースト用Pb合金粉末。 - (2)SnおよびInのうちの1種または2種:1〜6
5%。 を含有し、さらに、 Ag:1〜10%、 を含有し、残りがPbと不可避不純物からなる組成(以
上重量%)を右し、かつ不可避不純物としての放射性同
位元素の含有量を50ppb未満として、放射性α粒子
のカウント数を0.5CPH/cm^2以下としたこと
を特徴とする半導体装置の組立てに用いられるはんだペ
ースト用Pb合金粉末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14597985A JPS626793A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | はんだペ−スト用Pb合金粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14597985A JPS626793A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | はんだペ−スト用Pb合金粉末 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS626793A true JPS626793A (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=15397390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14597985A Pending JPS626793A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | はんだペ−スト用Pb合金粉末 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS626793A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63250485A (ja) * | 1987-04-04 | 1988-10-18 | Mitsubishi Metal Corp | ハンダ用メッキ液の製造方法 |
USRE33313E (en) * | 1987-09-21 | 1990-08-28 | Cominco Ltd. | Method for making low alpha count lead |
US6873837B1 (en) * | 1999-02-03 | 2005-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Emergency reporting system and terminal apparatus therein |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58151037A (ja) * | 1982-03-02 | 1983-09-08 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置用pb合金ろう材 |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14597985A patent/JPS626793A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58151037A (ja) * | 1982-03-02 | 1983-09-08 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置用pb合金ろう材 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63250485A (ja) * | 1987-04-04 | 1988-10-18 | Mitsubishi Metal Corp | ハンダ用メッキ液の製造方法 |
USRE33313E (en) * | 1987-09-21 | 1990-08-28 | Cominco Ltd. | Method for making low alpha count lead |
US6873837B1 (en) * | 1999-02-03 | 2005-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Emergency reporting system and terminal apparatus therein |
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