JP5456881B2 - α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 - Google Patents
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 160
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 142
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 52
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 34
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 34
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 25
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims description 18
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 27
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 23
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 18
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- LBDSXVIYZYSRII-IGMARMGPSA-N alpha-particle Chemical compound [4He+2] LBDSXVIYZYSRII-IGMARMGPSA-N 0.000 description 4
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- AUYOHNUMSAGWQZ-UHFFFAOYSA-L dihydroxy(oxo)tin Chemical compound O[Sn](O)=O AUYOHNUMSAGWQZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005363 electrowinning Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-OUBTZVSYSA-N lead-208 Chemical compound [208Pb] WABPQHHGFIMREM-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B25/00—Obtaining tin
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/40—Making wire or rods for soldering or welding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B3/00—Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes
- C22B3/04—Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes by leaching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
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Description
最近の半導体装置は、高密度化及び動作電圧やセルの容量が低下しているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきた。このようなことから、前記はんだ材料及び錫の高純度化の要求があり、またα線の少ない材料が求められている。
しかし、この場合、錫に添加した後で、Pbをさらに除去しなければならないという煩雑な工程が必要であり、また錫を精錬した3年後にはα線量が大きく低下した数値を示しているが、3年を経ないとこのα線量が低下した錫を使用できないというようにも理解されるので、産業的には効率が良い方法とは言えない。
しかし、このような材料の添加によっても放射線α粒子のカウント数を減少できたのは0.015cph/cm2レベルであり、今日の半導体装置用材料としては期待できるレベルには達していない。
さらに問題となるのは、添加する材料としてアルカリ金属元素、遷移金属元素、重金属元素など、半導体に混入しては好ましくない元素が用いられていることである。したがって、半導体装置組立て用材料としてはレベルが低い材料と言わざるを得ない。
これらはいずれも、放射線α粒子のカウント数の許容量が緩やかで、今日の半導体装置用材料としては期待できるレベルには達していない問題がある。
製造工程でのα線の発生は、この210Poから鉛の同位体206Pbへの壊変時と考えられたからである。しかし、実際には、製造時にPoが殆ど消失したと考えられていたのに、引き続きα線の発生が見られた。したがって、単に製造初期の段階で、高純度錫のα線カウント数を低減させるだけでは、根本的な問題の解決とは言えなかった。
1)溶解・鋳造した後の試料のα線量が0.0005cph/cm2未満であることを特徴とする錫。
2)溶解・鋳造から1週間後、3週間後、1ヵ月後、2ヵ月後、6ヵ月後及び30ヵ月後の、それぞれのα線量が0.0005cph/cm2未満であることを特徴とする錫。
3)試料の第1回目に測定したα線量が0.0002cph/cm2未満であって、そのα線量と、それから5ヶ月経過した後に測定したα線量との差が0.0003cph/cm2未満であることを特徴とする錫。
4)試料の第1回目に測定したα線量が0.0002cph/cm2未満であって、そのα線量と、それから5ヶ月経過した後に測定したα線量との差が0.0003cph/cm2未満であることを特徴とする1)又は2)記載の錫。
5)Pb含有量が0.1ppm以下であることを特徴とする1)〜4)のいずれか一項に記載の錫。
6)U,Thのそれぞれの含有量が5ppb以下であることを特徴とする1)〜3)のいずれか一項に記載の錫。
7)前記1)〜6)のいずれか一項に記載の錫を40%以上含有する錫合金。
8)純度3Nレベルの原料錫を塩酸又は硫酸で浸出した後、pH1.0以下、Sn濃度200g/L以下の電解液を用いて電解精製することを特徴とする前記1)〜6)のいずれか一項に記載の錫の製造方法。
9)Sn濃度を30〜180g/Lとして電解することを特徴とする8)記載の錫の製造方法。
10)原料錫中の鉛の同位体210Pbの量が30Bq/kg以下である原料錫を用いることを特徴とする8)又は9)記載の錫の製造方法。
半導体用Pbフリーはんだ材料はSn−Ag−Cu、Sn−Ag、Sn−Cu、Sn−Zn等が開発されており、低αの錫材料が求められているが、錫中の微量の鉛を完全に除去することは非常に困難であり、通常半導体用の錫材料には10ppmレベル以上の鉛が含有されている。
しかし、ポロニウムの同位体210Poが殆どない状態において、210Pb→210Bi→210Po→206Pbの崩壊が起こる。そして、この崩壊チェーンが平衡状態になるには約27ヶ月(2年強)を要することが分かった(図2参照)。
従って、製品製造直後はα線量が低くても問題は解決せず、時間の経過とともに徐々にα線量が高くなり、ソフトエラーが起こる危険性が高まるという問題が生ずるのである。前記約27ヶ月(2年強)は、決して短い期間ではない。
図3にPb含有量とα線量との関係を示す。この図3に示す直線は、鉛の同位体214Pb、210Pb、209Pb、208Pb、207Pb、206Pb、204Pbの割合によって上下にシフトし、鉛の同位体210Pbの割合が大きいほど上にシフトすることが分かった。すなわち、鉛の同位体210Pbの量が30Bq/kgを超えると、図3に示す直線は上方に移動する。
分析試料に混酸(硝酸・塩酸)を加えて溶解後、鉛、カルシウム担体を添加し、アンモニア水を用いて水酸化物沈殿を生成させ、錫を除去する。上澄みにアンモニア水と炭酸ナトリウムを入れ、炭酸塩沈殿を生成させる。この沈殿物を塩酸で溶解し、Srレジンカラムに通す。溶出液に硝酸を加え硫酸塩沈殿を生成した後、マウントし測定試料とする。この測定試料にアルミ板(27mg/cm2)をかぶせ、2週間以上放置後、低バックグラウンドベータ線測定装置で210Pbから生成した210Biのベータ線を6000秒間測定する。測定試料の正味計数率を求め、計数効率、化学回収率等の補正を行い210Pbの放射能濃度を算出する。なお、測定機器として、低バックグラウンドベータ線測定装置、アロカ社製LBC−471Q及びLBC−4201を用いた。また、210Pbの放射能濃度の検出下限値は、分析・測定条件(供試量、化学回収率、測定時間、計数効率等)が決定した時に、分析対象となる核種について「検出を保証できる最小の放射能値」とする。
また、鉛の同位体206Pbの存在比が少ないということは、図1に示すU崩壊チェーンの比率が相対的に小さいということであり、この系列に属する鉛の同位体210Pbも少なくなると考えられる。
具体的には、溶解・鋳造から1週間後、3週間後、1ヵ月後、2ヵ月後、6ヵ月後及び鉛の同位体206Pbへの壊変によるα線を発生させるポロニウムの同位体210Poがない状態において、210Pb→210Bi→210Po→206Pbの崩壊チェーンが平衡状態になる27ヶ月を過ぎた30ヵ月後の、それぞれのα線量が0.0005cph/cm2未満である錫を提供する。
以上については、錫から発生するα線量について述べたが、錫を含有する合金においても、同様にα線量の影響を強く受ける。α線量が少ないか又は殆ど発生しない錫以外の成分によりα線量の影響が緩和されることもあるが、少なくとも合金成分中に、錫が40%以上含有する錫合金の場合については、α線量が少ない本発明の錫を用いることが望ましいと言える。
また、電解法では、ヘキサフルオロケイ酸と酸とを混合し、これにニカワ等の添加剤を加えた電解液を用いる。しかし、錫と鉛は標準電極電位が非常に近い(錫−0.14V、鉛−0.13V)ので分離が困難であり、また、ヘキサフルオロケイ酸や添加剤のニカワ等から鉛の汚染を受けることがあり、鉛を数10ppmレベルまでしか低減できないという限界がある。
このようにして得た本願発明の高純度錫は、半導体装置のα線の影響によるソフトエラーの発生を著しく減少できるという優れた効果を有する。
なお、以下の実施例及び比較例に示す原料については、表1に示す原料錫を使用した。表1には原料錫の種類と各原料A〜Eに含まれる鉛の同位体210Pb量(単位:Bq/kg)を示す。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした。陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度30°C、電流密度7A/dm2という条件で電解を行った。
陰極に電着する錫の厚さが2mm程度になると一旦電解を停止し、陰極を電解槽から引き上げて陰極から電着錫を剥がして回収した。回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°C温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。
この試料中のPb含有量0.06ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(原料A)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は14Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は1.81ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は24.86%であった。なお、ここでの鉛の同位体206Pbの存在比とは、鉛の4つの同位体208Pb、207Pb、206Pb、204Pbにおいて、206Pbの占める割合のことをいう。以下の実施例においても、同様とする。
なお、この実施例では、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした場合であるが、この電解液条件(Sn濃度)を替え、pH:1.0、Sn濃度:30g/Lの浸出液、又pH:1.0、Sn濃度:180g/Lの浸出液を用いて電解精製しても、ほぼ同様な結果が得られた。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした。陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度30°C、電流密度1A/dm2という条件で電解を行った。
陰極に電着する錫の厚さが2mm程度になると一旦電解を停止し、陰極を電解槽から引き上げて陰極から電着錫を剥がして回収した。回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°C温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。
この試料中のPb含有量0.07ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(原料A:実施例1と同一の原料)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は14Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は1.81ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は24.86%であった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、測定試料のα線量の双方の差は0.0001cph/cm2であり、本願発明の条件を満たしていた。
なお、この実施例では、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした場合であるが、この電解液条件(Sn濃度)を替え、pH:1.0、Sn濃度:30g/Lの浸出液、又pH:1.0、Sn濃度:180g/Lの浸出液を用いて電解精製してもほぼ同様な結果が得られた。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした。
陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度30°C、電流密度1A/dm2という条件で電解を行った。
陰極に電着する錫の厚さが2mm程度になると一旦電解を停止し、陰極を電解槽から引き上げて陰極から電着錫を剥がして回収した。回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°C温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。
この試料中のPb含有量0.05ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(原料B)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は15Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は3.8ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は24.74%であった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、測定試料のα線量の双方の差は0.0001cph/cm2であり、本願発明の条件を満たしていた。
なお、この実施例では、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした場合であるが、この電解液条件(Sn濃度)を替え、pH:1.0、Sn濃度:30g/Lの浸出液、又pH:1.0、Sn濃度:180g/Lの浸出液を用いて電解精製してもほぼ同様な結果が得られた。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした。陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度30°C、電流密度7A/dm2という条件の電解を2回行った。すなわち、この工程は、1回目で回収した電着錫を溶解・鋳造して板形状にしたものを陽極板とし、再電解(第2回目の電解)を行うものである。
なお、前記電解工程においては、陰極に電着する錫の厚さが2mm程度になると一旦電解を停止し、陰極を電解槽から引き上げて陰極から電着錫を剥がして回収した。回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°C温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。
この試料中のPb含有量0.06ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(原料C)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は48±6.2Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は11.55ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は25.97%であった。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした。陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度30°C、電流密度7A/dm2という条件で電解を行った。
陰極に電着する錫の厚さが2mm程度になると一旦電解を停止し、陰極を電解槽から引き上げて陰極から電着錫を剥がして回収した。回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°C温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。
この試料中のPb含有量0.06ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(原料E)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は24Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は4.5ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は22.22%であった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、測定試料のα線量の双方の差は0.0002cph/cm2であり、本願発明の条件を満たしていた。
なお、この実施例では、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした場合であるが、この電解液条件(Sn濃度)を替え、pH:1.0、Sn濃度:30g/Lの浸出液、又pH:1.0、Sn濃度:180g/Lの浸出液を用いて電解精製してもほぼ同様な結果が得られた。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした。
陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度30°C、電流密度7A/dm2という条件の電解を行った。
陰極に電着する錫の厚さが2mm程度になると一旦電解を停止し、陰極を電解槽から引き上げて陰極から電着錫を剥がして回収した。回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°C温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。
この試料中のPb含有量0.07ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(原料D)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は60±7.2Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は12.77ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は25.06%であった。
上記試料について、溶解・鋳造から3週間後のα線量は、バックグラウンド(BG)α線量と同レベルであったが、溶解・鋳造から6ヵ月後で明らかに増加しており、本試料のα線量(バックグラウンドα線量との差)が0.02cph/cm2となり、本願発明の条件を満たしていなかった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.007cph/cm2であり、本願発明の条件を満たしていなかった。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、pH1.0、Sn濃度:80g/Lの浸出液を電解液とした。
陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度30°C、電流密度7A/dm2という条件の電解を行った。
陰極に電着する錫の厚さが2mm程度になると一旦電解を停止し、陰極を電解槽から引き上げて陰極から電着錫を剥がして回収した。回収後は陰極を電解槽に戻し、電解を再開し、これを繰り返した。回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°C温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。
この試料中のPb含有量0.09ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(原料C:実施例4と同一の原料)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は48±6.2Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は11.55ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は25.97%であった。
これは溶解・鋳造工程で、Poが昇華したため一時的にα線量が低くなったものの、精製効果が十分ではなく、Pbを多く含有し、結果として210Pbも多く含有しているために再び崩壊チェーン(210Pb→210Bi→210Po→206Pb)が構築されてα線量が増加したためと考えられる。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.007cph/cm2であり、本願発明の条件を満たしていなかった。
Pbを4ppm含有する錫を、260°Cの温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。この錫インゴットを圧延し、約1.5mmの厚さとし、310mm×310mmに切り出した。この表面積は961cm2である。これをα線測定試料とした。
この試料中のPb含有量4ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、ここで用いた原料錫(実施例3で用いた原料Bと実施例3で作製した錫とを調整した原料)において、鉛の4つの安定同位体の合計量は3.9ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は25%であった。
これは溶解・鋳造工程でPoが昇華したため一時的にα線量が低くなったものの、精製効果が十分ではなく、Pbを多く含有し、結果として210Pbも多く含有しているために再び崩壊チェーン(210Pb→210Bi→210Po→206Pb)が構築されてα線量が増加したためと考えられる。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.0004cph/cm2であり、これも本願発明の条件を満たしていなかった。
純度3Nレベルの原料錫を塩酸(または硫酸)で浸出し、ヘキサフルオロケイ酸と酸とを混合し、Sn濃度:50g/Lの浸出液を電解液とした。
陽極には原料錫を鋳込み板形状のものを、陰極にはチタン製の板を用い、電解温度20°C、電流密度1A/dm2という条件で電解を行った。
回収した電着錫を洗浄・乾燥し、260°Cの温度で溶解・鋳造し、錫インゴットとした。この錫インゴットを圧延し、約1.5mmの厚さとし、310mm×310mmに切り出した。この表面積は961cm2である。これをα線測定試料とした。
また、ここで用いた原料錫(原料A:実施例1と同一の原料)における、鉛の不安定同位体210Pbの量は14Bq/kgであった。そして、鉛の4つの安定同位体の合計量は1.81ppm、鉛の安定同位体206Pbの存在比は24.86%であった。
上記試料について、溶解・鋳造から3週間後のα線量はバックグラウンド(BG)α線量と同レベルであったが、溶解・鋳造から6ヵ月後で明らかに増加しており、本試料のα線量(バックグラウンドα線量との差)が0.0003cph/cm2となり、本願発明の条件を満たしていなかった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.0003cph/cm2であり、これも本願発明の条件を満たしていなかった。
(0.5%Cu−3%Ag−残部Snからなる錫合金)
実施例1で作製した錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販の銀及び銅を電解により高純度化し、6N−Ag及び6N−Cuとした。これらを前記錫に添加し、260°Cで溶解・鋳造し、0.5%Cu−3%Ag−残部SnからなるSn−Cu−Ag合金インゴットを製造した。
このインゴットを圧延し、約1.5mmの厚さとし、310mm×310mmに切り出した。この表面積は961cm2である。これをα線測定試料とした。
この試料中のPb含有量0.06ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.0001cph/cm2となり、本願発明の条件を満たしていた。
(3.5%Ag−残部Snからなる錫合金)
実施例1で作製した錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素である銀は、市販のAgを硝酸により溶解し、これにHClを添加してAgClを析出させ、これをさらに水素還元して5N−Agの高純度Agを得た。これを前記錫に添加し、260°Cで溶解・鋳造し、3.5%Ag−残部SnからなるSn−Ag合金インゴットを製造した。
この試料中のPb含有量0.06ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
上記試料について、溶解・鋳造から1週間後、3週間後、1ヵ月後、2ヵ月後、6ヵ月後及び鉛の同位体206Pbへの壊変によるα線を発生させるポロニウムの同位体210Poがない状態において、210Pb→210Bi→210Po→206Pbの崩壊チェーンが平衡状態になる27ヶ月を過ぎた30ヵ月後にα線量を測定した結果、α線量は最大でも0.0003cph/cm2であり、本願発明の条件を満たしていた。また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.0001cph/cm2であり、本願発明の条件を満たしていた。
(9%Zn−残部Snからなる錫合金)
実施例1で作製した錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販の亜鉛を電解により高純度化し6N−Znとした。これらを前記錫に添加し、240°Cで溶解・鋳造し、9%Zn−残部SnからなるSn−Zn合金インゴットを製造した。このインゴットを圧延し、約1.5mmの厚さとし、310mm×310mmに切り出した。この表面積は961cm2である。これをα線測定試料とした。この試料中のPb含有量0.06ppm、U含有量<5ppb、Th含有量<5ppbとなった。
(0.5%Cu−3%Ag−残部Snからなる錫合金)
実施例1で作製した錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販の3Nレベルの銀及び銅を用いた。これらを前記錫に添加し、260°Cで溶解・鋳造し、0.5%Cu−3%Ag−残部SnからなるSn−Cu−Ag合金インゴットを製造した。この試料中のPb含有量7.1ppm、U含有量10ppb、Th含有量10ppbとなった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.005cph/cm2であり、これも本願発明の条件を満たしていなかった。
これは溶解・鋳造工程でPoが昇華したため一時的にα線量が低くなったものの、Pbを多く含有し、結果として210Pbも多く含有しているために再び崩壊チェーン(210Pb→210Bi→210Po→206Pb)が構築されてα線量が増加したためと考えられる。
(3.5%Ag−残部Snからなる錫合金)
実施例1で作製した錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素である銀は、市販の3NレベルのAgを前記錫に添加し、260°Cで溶解・鋳造し、3.5%Ag−残部SnからなるSn−Ag合金インゴットを製造した。
この試料中のPb含有量5.3ppm、U含有量7ppb、Th含有量6ppbとなった。
また、同一試料について、1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の、経時変化を見た場合、α線量の差は0.002cph/cm2であり、これも本願発明の条件を満たしていなかった。
これは、溶解・鋳造工程でPoが昇華したため一時的にα線量が低くなったものの、Pbを多く含有し、結果として210Pbも多く含有しているために再び崩壊チェーン(210Pb→210Bi→210Po→206Pb)が構築されてα線量が増加したためと考えられる。
(9%Zn−残部Snからなる錫合金)
実施例1で作製した錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販の3Nレベルの亜鉛を用いた。これらを前記錫に添加し、240°Cで溶解・鋳造し、9%Zn−残部SnからなるSn−Zn合金インゴットを製造した。
この試料中のPb含有量15.1ppm、U含有量12ppb、Th含有量10ppbとなった。
これは溶解・鋳造工程でPoが昇華したため一時的にα線量が低くなったものの、Pbを多く含有し、結果として210Pbも多く含有しているために再び崩壊チェーン(210Pb→210Bi→210Po→206Pb)が構築されてα線量が増加したためと考えられる。
Claims (7)
- 鉛の同位体210Pbの量が30Bq/kg以下である純度3Nレベルの原料錫を塩酸又は硫酸で浸出した後、pH1.0以下、Sn濃度を30〜180g/Lとした電解液を用いて電解精製し、精製した錫を溶解・鋳造した後の試料のα線量を0.0005cph/cm2未満とすることを特徴とするα線量の少ない錫の製造方法。
- 溶解・鋳造した後の試料のα線量を0.0003cph/cm2未満とすることを特徴とする請求項1記載のα線量の少ない錫の製造方法。
- 溶解・鋳造した後の、1週間後、3週間後、1カ月後、2カ月後、6カ月後及び30カ月後の、それぞれの試料のα線量を0.0005cph/cm2未満とすることを特徴とする前記請求項1〜2のいずれか一項に記載のα線量の少ない錫の製造方法。
- 溶解・鋳造した後の、1週間後、3週間後、1カ月後、2カ月後、6カ月後及び30カ月後の、それぞれの試料のα線量を0.0003cph/cm2未満とすることを特徴とする前記請求項1〜2のいずれか一項に記載のα線量の少ない錫の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法により製造したα線量の少ない錫に、高純度化した金属元素を混合して溶解することを特徴とするα線量の少ない錫合金の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法により製造したα線量の少ない錫に、高純度化したAg、Cu、Znから選択した1種以上を混合して溶解し、合金化することを特徴とするα線量の少ない錫合金の製造方法。
- 1ヶ月後と6ヶ月後の5ヶ月間の経時変化を見た場合の、α線量の差を0.0001cph/cm2とすることを特徴とする請求項5〜6のいずれか一項に記載のα線量の少ない錫合金の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012505570A JP5456881B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-14 | α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010059598 | 2010-03-16 | ||
JP2010059598 | 2010-03-16 | ||
JP2012505570A JP5456881B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-14 | α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 |
PCT/JP2011/053024 WO2011114824A1 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-14 | α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013238445A Division JP2014088621A (ja) | 2010-03-16 | 2013-11-19 | α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011114824A1 JPWO2011114824A1 (ja) | 2013-06-27 |
JP5456881B2 true JP5456881B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=44648931
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012505570A Active JP5456881B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-02-14 | α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 |
JP2013238445A Pending JP2014088621A (ja) | 2010-03-16 | 2013-11-19 | α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013238445A Pending JP2014088621A (ja) | 2010-03-16 | 2013-11-19 | α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9394590B2 (ja) |
EP (1) | EP2548981B1 (ja) |
JP (2) | JP5456881B2 (ja) |
KR (1) | KR101444568B1 (ja) |
TW (1) | TWI495733B (ja) |
WO (1) | WO2011114824A1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003272790A1 (en) | 2002-10-08 | 2004-05-04 | Honeywell International Inc. | Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials |
CN101213326B (zh) * | 2005-07-01 | 2010-11-17 | 日矿金属株式会社 | 高纯度锡或锡合金及高纯度锡的制造方法 |
SG192717A1 (en) | 2011-03-07 | 2013-09-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Copper or copper alloy, bonding wire, method of producing the copper, method of producing the copper alloy, and method of producing the bonding wire. |
US8993978B2 (en) | 2012-05-04 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Method for assessing an alpha particle emission potential of A metallic material |
JP5435182B1 (ja) * | 2012-12-06 | 2014-03-05 | 千住金属工業株式会社 | Cuボール |
US9816160B2 (en) | 2013-09-19 | 2017-11-14 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Ni ball, Ni nuclear ball, solder joint, foam solder and solder paste |
US10337109B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-07-02 | Jx Nippon Minig & Metals Corporation | High purity cobalt chloride and manufacturing method therefor |
JP5590259B1 (ja) | 2014-01-28 | 2014-09-17 | 千住金属工業株式会社 | Cu核ボール、はんだペーストおよびはんだ継手 |
JP5652561B1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-01-14 | 千住金属工業株式会社 | フラックスコートボール、はんだペースト、フォームはんだ及びはんだ継手 |
JP5590260B1 (ja) * | 2014-02-04 | 2014-09-17 | 千住金属工業株式会社 | Agボール、Ag核ボール、フラックスコートAgボール、フラックスコートAg核ボール、はんだ継手、フォームはんだ、はんだペースト、Agペースト及びAg核ペースト |
JP5652560B1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-01-14 | 千住金属工業株式会社 | Cu核ボール、はんだペースト、フォームはんだ及びはんだ継手 |
WO2015118613A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 千住金属工業株式会社 | Niボール、Ni核ボール、はんだ継手、はんだペースト、およびフォームはんだ |
KR101974761B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2019-09-05 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | Cu 볼, Cu 핵 볼, 납땜 조인트, 땜납 페이스트, 폼 땜납, 및 Cu 볼 및 Cu핵 볼의 제조 방법 |
JP5534122B1 (ja) * | 2014-02-04 | 2014-06-25 | 千住金属工業株式会社 | 核ボール、はんだペースト、フォームはんだ、フラックスコート核ボールおよびはんだ継手 |
JP5996803B2 (ja) | 2014-02-20 | 2016-09-21 | Jx金属株式会社 | 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス |
US8992759B1 (en) * | 2014-02-20 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Metal refining process using mixed electrolyte |
JP6448417B2 (ja) * | 2014-10-02 | 2019-01-09 | Jx金属株式会社 | 高純度錫の製造方法、高純度錫の電解採取装置及び高純度錫 |
US20160097139A1 (en) | 2014-10-02 | 2016-04-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method For Manufacturing High Purity Tin, Electrowinning Apparatus For High Purity Tin And High Purity Tin |
US9708689B2 (en) * | 2015-04-08 | 2017-07-18 | Honeywell International Inc. | Isotope displacement refining process for producing low alpha materials |
WO2017069027A1 (ja) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Jx金属株式会社 | 高純度錫及びその製造方法 |
US9546433B1 (en) | 2015-11-24 | 2017-01-17 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
US9359687B1 (en) | 2015-11-24 | 2016-06-07 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
WO2017111146A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 堺化学工業株式会社 | 低α線量硫酸バリウム粒子とその利用とその製造方法 |
EP3428320B1 (en) * | 2016-03-09 | 2021-05-05 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity tin and method for producing same |
JP6512354B2 (ja) * | 2017-08-17 | 2019-05-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 低α線放出量の金属又は錫合金及びその製造方法 |
WO2019035446A1 (ja) * | 2017-08-17 | 2019-02-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 低α線放出量の金属及び錫合金並びにその製造方法 |
JP7314658B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2023-07-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 低α線放出量の酸化第一錫の製造方法 |
CN111118305B (zh) * | 2020-01-17 | 2020-09-18 | 东莞永安科技有限公司 | 一种低α剂量锡或低α剂量锡合金及其制备方法 |
JP6836091B1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-02-24 | 千住金属工業株式会社 | はんだ合金、はんだ粉末、ソルダペースト、はんだボール、ソルダプリフォーム及びはんだ継手 |
JP7041710B2 (ja) * | 2020-04-30 | 2022-03-24 | 千住金属工業株式会社 | 鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、Ball Grid Arrayおよびはんだ継手 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5964790A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-12 | Mitsubishi Metal Corp | 放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法 |
JPH01283398A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 錫およびその製造方法 |
JPH02228487A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 高純度錫の製造方法 |
JPH1180852A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-26 | Mitsubishi Materials Corp | 低α線量錫の製造方法 |
JP2004244711A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Harima Chem Inc | 低α線錫合金の製造方法 |
WO2007004394A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5964791A (ja) | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Mitsubishi Metal Corp | 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法 |
JP2913908B2 (ja) | 1991-06-28 | 1999-06-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 半田極細線およびその製造方法 |
JP3227851B2 (ja) | 1992-12-15 | 2001-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 低α線Pb合金はんだ材およびはんだ膜 |
JP3568676B2 (ja) | 1996-03-19 | 2004-09-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置、回路基板及び電子回路装置 |
JP3972464B2 (ja) | 1998-05-29 | 2007-09-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度錫の製造方法 |
JP2001009588A (ja) | 1999-06-25 | 2001-01-16 | Mitsubishi Materials Corp | Pb−Sn系ハンダ材 |
JP4533498B2 (ja) | 2000-03-24 | 2010-09-01 | アルバックマテリアル株式会社 | スパッタリングターゲットないし蒸着材料とその分析方法 |
JP2003193283A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Fujitsu Ltd | 電解めっき液及びその調製方法、半導体装置の製造方法ならびに放射性不純物の分析方法 |
JP4421170B2 (ja) | 2002-04-11 | 2010-02-24 | 日鉱金属株式会社 | Ni−Sn合金からなるバリヤー層を備えた回路基板 |
AU2003272790A1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-05-04 | Honeywell International Inc. | Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials |
-
2011
- 2011-02-14 WO PCT/JP2011/053024 patent/WO2011114824A1/ja active Application Filing
- 2011-02-14 JP JP2012505570A patent/JP5456881B2/ja active Active
- 2011-02-14 US US13/634,946 patent/US9394590B2/en active Active
- 2011-02-14 KR KR1020127020954A patent/KR101444568B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-14 EP EP11756014.4A patent/EP2548981B1/en active Active
- 2011-03-01 TW TW100106608A patent/TWI495733B/zh active
-
2013
- 2013-11-19 JP JP2013238445A patent/JP2014088621A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5964790A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-12 | Mitsubishi Metal Corp | 放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法 |
JPH01283398A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 錫およびその製造方法 |
JPH02228487A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 高純度錫の製造方法 |
JPH1180852A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-26 | Mitsubishi Materials Corp | 低α線量錫の製造方法 |
JP2004244711A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Harima Chem Inc | 低α線錫合金の製造方法 |
WO2007004394A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014088621A (ja) | 2014-05-15 |
EP2548981B1 (en) | 2020-09-02 |
JPWO2011114824A1 (ja) | 2013-06-27 |
KR20120106889A (ko) | 2012-09-26 |
TW201139692A (en) | 2011-11-16 |
EP2548981A1 (en) | 2013-01-23 |
US9394590B2 (en) | 2016-07-19 |
WO2011114824A1 (ja) | 2011-09-22 |
US20130028786A1 (en) | 2013-01-31 |
EP2548981A4 (en) | 2017-08-30 |
TWI495733B (zh) | 2015-08-11 |
KR101444568B1 (ko) | 2014-09-24 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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