JPS5964791A - 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法 - Google Patents
放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法Info
- Publication number
- JPS5964791A JPS5964791A JP17219182A JP17219182A JPS5964791A JP S5964791 A JPS5964791 A JP S5964791A JP 17219182 A JP17219182 A JP 17219182A JP 17219182 A JP17219182 A JP 17219182A JP S5964791 A JPS5964791 A JP S5964791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- radioactive
- anode
- count number
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
水元ψＪは各種の電子材ｔ−＋向けに適した放射性α粒
子カウント叔の低い鉛及びその１釘ぎ裏方法に関する。
子カウント叔の低い鉛及びその１釘ぎ裏方法に関する。
近年ｉＭ ｆ材料量けとしての鉛の用途が拡大しつつｈ
す、例えばＩＣは勿論のこと、大誓駄メモリー禦子であ
る６４ＫＲＡＭ等のメモリーや各、［セ超ＬＳＩ等の半
導体装置のアッセンブリーに除し、装置部材接合用のろ
う材として、特にダイボンディング用には鉛ベースの合
象が一部使用されてｈるのをはじめ、サーディーブと呼
ばれるパンケージの封止には軟化点全下げ線膨張係数を
調斃するために大量のｐｂｏ’２添調した低融点ガラス
、主としてＰｂ０−Ｂ、Ｏ，系ガラスが使用されでいる
。
す、例えばＩＣは勿論のこと、大誓駄メモリー禦子であ
る６４ＫＲＡＭ等のメモリーや各、［セ超ＬＳＩ等の半
導体装置のアッセンブリーに除し、装置部材接合用のろ
う材として、特にダイボンディング用には鉛ベースの合
象が一部使用されてｈるのをはじめ、サーディーブと呼
ばれるパンケージの封止には軟化点全下げ線膨張係数を
調斃するために大量のｐｂｏ’２添調した低融点ガラス
、主としてＰｂ０−Ｂ、Ｏ，系ガラスが使用されでいる
。
一方、従来市販されている鉛には放射性同位元素、特Ｋ
Ｕ、Ｔｈの含有量が多（、従ってα粒子のカウント数が
３〜１０ｏＣＰＨ／ｃｒｒ１ｔと高＜、この影響によっ
てメモリーのソフトエラーが惹起されるため、その用途
は限定されざるを優ず、例えばセラミックパッケージＩ
Ｃ及びＬＳＩ蓋接合用ろう材（現在８０％Ａｕ−２０１
＋ｎ ハンダが主として使用されてｈる］としてはα粒
子の杉・ｄがダイボンディングの場合よりもｉｆ ＋＆
的かつ大であるため、１ｄ頼性の点から鉛ベースのろう
材はこれ筐で用りられて−ない実状にある。
Ｕ、Ｔｈの含有量が多（、従ってα粒子のカウント数が
３〜１０ｏＣＰＨ／ｃｒｒ１ｔと高＜、この影響によっ
てメモリーのソフトエラーが惹起されるため、その用途
は限定されざるを優ず、例えばセラミックパッケージＩ
Ｃ及びＬＳＩ蓋接合用ろう材（現在８０％Ａｕ−２０１
＋ｎ ハンダが主として使用されてｈる］としてはα粒
子の杉・ｄがダイボンディングの場合よりもｉｆ ＋＆
的かつ大であるため、１ｄ頼性の点から鉛ベースのろう
材はこれ筐で用りられて−ない実状にある。
また、市販されている低融点ガラスのα粒子カウント数
をｔ調定してみると、低α低融点ガラスとぎわれでいる
ものでも、ＩｃＰＨ／ｃｍ”以上であり。
をｔ調定してみると、低α低融点ガラスとぎわれでいる
ものでも、ＩｃＰＨ／ｃｍ”以上であり。
必ずしも満足できるものでないことが判明した。
また、粗鉛（Ｐｂ品位９７．０〜９９．５％）の工業的
な直解梢裂としては従来電解液に珪弗化水素酸を用いる
所鯖ペッツ法が採用されているに過ぎなかった〇 本発明者らは以上の点を考慮し、上記の嵯子材料回げに
適する放射性α粒子カウント数が低い鉛全製造すべく、
鋭意研究を重ねた結果、４ナイン以上の品位を有する鉛
をアノードとしてスルファミン酸浴で電解梢製すること
によって目的を達成できることを見出し１水元ＥＩＩＩ
ＩＣ到達した。すなわち、本発明の要旨とするところは
、 （１）品位４ナイン以上で放射性同位元素の含有量が５
０１）ｐｂ未満であり、かつ放射性α粒子カウント数が
０．５０ＰＨ／ｃｍ”以下であること全特徴とする放射
性α粒子カウント数の低い鉛。
な直解梢裂としては従来電解液に珪弗化水素酸を用いる
所鯖ペッツ法が採用されているに過ぎなかった〇 本発明者らは以上の点を考慮し、上記の嵯子材料回げに
適する放射性α粒子カウント数が低い鉛全製造すべく、
鋭意研究を重ねた結果、４ナイン以上の品位を有する鉛
をアノードとしてスルファミン酸浴で電解梢製すること
によって目的を達成できることを見出し１水元ＥＩＩＩ
ＩＣ到達した。すなわち、本発明の要旨とするところは
、 （１）品位４ナイン以上で放射性同位元素の含有量が５
０１）ｐｂ未満であり、かつ放射性α粒子カウント数が
０．５０ＰＨ／ｃｍ”以下であること全特徴とする放射
性α粒子カウント数の低い鉛。
（２） 品ｆｉｔ ４ナイン以上の鉛をアノードとし
、Ｐｂ：３０〜１５０ ’ｉ／、１３． 、’、に７７
ミ”ＩＮ液：：３０〜１５０Ｐ／沼の液組成でガード、
１流密度＝０．５〜２、ＯＡｍｐ ／ ｄｍ”、液温１
ｚ：１５〜！５ｏ°Ｃ（７）’１５７．ｒ％条件で電解
することを特徴とする放射性α粒子カウント数の低い鉛
の製造方法、にある。
、Ｐｂ：３０〜１５０ ’ｉ／、１３． 、’、に７７
ミ”ＩＮ液：：３０〜１５０Ｐ／沼の液組成でガード、
１流密度＝０．５〜２、ＯＡｍｐ ／ ｄｍ”、液温１
ｚ：１５〜！５ｏ°Ｃ（７）’１５７．ｒ％条件で電解
することを特徴とする放射性α粒子カウント数の低い鉛
の製造方法、にある。
本発明で４解液として１吏用するスルファミン１便は放
射性同位元素をほとんど含有しなカ市販品でよ（，４ナ
イン以上の品位を有する鉛ヲアノードとし、上呂己市販
のスルファミン酸を電解液として電解梢製するごとによ
って、アノード中に言まれている放射性同位元素がシ解
梢製されて、実施例でボすように、放射性同位元素の含
有量が５０ｐｐｂ未満でかつ放射性α粒子のカウント数
が０．５ ＣＰＩ（／ｃｍ ”以下である放射性α粒そ
カウント数の低い鉛が優られる。
射性同位元素をほとんど含有しなカ市販品でよ（，４ナ
イン以上の品位を有する鉛ヲアノードとし、上呂己市販
のスルファミン酸を電解液として電解梢製するごとによ
って、アノード中に言まれている放射性同位元素がシ解
梢製されて、実施例でボすように、放射性同位元素の含
有量が５０ｐｐｂ未満でかつ放射性α粒子のカウント数
が０．５ ＣＰＩ（／ｃｍ ”以下である放射性α粒そ
カウント数の低い鉛が優られる。
本発明における電〕伜は品位４ナイン以上の鉛をアノー
ドとし、ｉ組成および寛屏粂ｒ←は次のｉｔ’ｌｌりで
ある。
ドとし、ｉ組成および寛屏粂ｒ←は次のｉｔ’ｌｌりで
ある。
液組成 ｐｂ ： ３０〜１５０Ｐ／ぷスルファミン酸
：３０〜１５０９７１−／Ｊ３Ｘ解未印 カソード電
流密度： ０．５〜２．Ｏｈｍｐ／ｄｒｎ”液温ｒ、ｗ
： １５〜５０°Ｃ 本活明のＩ Ａｈｉ例の装置系統図を図に示す。
：３０〜１５０９７１−／Ｊ３Ｘ解未印 カソード電
流密度： ０．５〜２．Ｏｈｍｐ／ｄｒｎ”液温ｒ、ｗ
： １５〜５０°Ｃ 本活明のＩ Ａｈｉ例の装置系統図を図に示す。
図において、電解槽１に品位４ナイン以上の鉛アノード
２及び不浴屏性カンード板３を挿入し、環流ボ／ブ４で
スルファミンｅ＊屏液７全熱交換器５全進してＩＡ流さ
せ、直流電源波＋！ｅ ６により通電しば解奮行うもの
である。本発明は以上のどと（、寛子材料向けのｐｂの
電解消製法として極めて有用であり、その工業的価値は
高いものである。
２及び不浴屏性カンード板３を挿入し、環流ボ／ブ４で
スルファミンｅ＊屏液７全熱交換器５全進してＩＡ流さ
せ、直流電源波＋！ｅ ６により通電しば解奮行うもの
である。本発明は以上のどと（、寛子材料向けのｐｂの
電解消製法として極めて有用であり、その工業的価値は
高いものである。
次に１本発明を実施例によってさらに具体的に説明する
。
。
実施例
Ｊ：記の電解条件でスルファミン酸浴より得られたｐｂ
ツカソード中放射性同位元素のｔｔａｙｔ及び放射性α
粒子カウント数の測定結果を実癩例１〜４として次表に
ボす。
ツカソード中放射性同位元素のｔｔａｙｔ及び放射性α
粒子カウント数の測定結果を実癩例１〜４として次表に
ボす。
なお、比収のために通常の′ｆｔ屏梢製法である珪弗化
水素酸より優られたｐｂツカソード中数値を次表に比較
例１〜４として併せ示す。
水素酸より優られたｐｂツカソード中数値を次表に比較
例１〜４として併せ示す。
Ｅ表から明らかであるように、実施例によって得られた
ｐｂカソードはアノードに比較して、放射性同位元素の
含有濃度が大幅に低ドするとともに放射性α粒子カウン
ト数も減少しており、効果が大であることが曙認した。
ｐｂカソードはアノードに比較して、放射性同位元素の
含有濃度が大幅に低ドするとともに放射性α粒子カウン
ト数も減少しており、効果が大であることが曙認した。
比較例ではアノードに比し、カソードの方が放射性同位
元素の濃度及びα粒Ｆのカウント数ともに上昇している
が、これは市販の珪弗化水素酸中には放射性同位元素、
特にＴｈの含有量が高いことによるものと考えられる。
元素の濃度及びα粒Ｆのカウント数ともに上昇している
が、これは市販の珪弗化水素酸中には放射性同位元素、
特にＴｈの含有量が高いことによるものと考えられる。
図面は本発明の１実施例の装置系統図である。
図において。
１・・Φ・電＃＋ｆ１ ５−・Ｏ熱交換器２・・・・
鉛アノード ６０・・直流電装置特許出願人 三菱金
属株式会社 代理人白 川 義 直 ５６
鉛アノード ６０・・直流電装置特許出願人 三菱金
属株式会社 代理人白 川 義 直 ５６
Claims (1)
- （１）４ナイン以上の品位金有し、放射性同位元素のざ
有産が５０ｐｐｂ未満でかつ放射性α粒子のカウント数
が０．５ ＣＰ Ｈ／ｃｍ”以ドであること１ｃ特徴と
−ｒる放射性α粒子カウント基又の低い鉛。 ｆ２１ ＋Ｉｂ 泣４ナイン以上の鉛奮アノードとし
、Ｐｂ：３０〜１５０？／看、スルファミンｄ象ｌ夜＝
３０〜１５０ｉ／ｅの７夜組成でカソード電流密度：０
．５〜２．０ｈｒｎｐ／ｄｍ”、液温度二１５〜５０°
ＣのＸ屏条件で蹴ｉ１（、すること全ｒｙか徴とする放
射性α粒子カウントＪの低い鉛の″ｔＪ１解梢製解法製 方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219182A JPS5964791A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219182A JPS5964791A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964791A true JPS5964791A (ja) | 1984-04-12 |
| JPS6247955B2 JPS6247955B2 (ja) | 1987-10-12 |
Family
ID=15937258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17219182A Granted JPS5964791A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5964791A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8993978B2 (en) | 2012-05-04 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Method for assessing an alpha particle emission potential of A metallic material |
| CN105671590A (zh) * | 2014-12-03 | 2016-06-15 | Jx日矿日石金属株式会社 | 基于氨基磺酸浴的铅的电解纯化方法 |
| US9394590B2 (en) | 2010-03-16 | 2016-07-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same |
| US9597754B2 (en) | 2011-03-07 | 2017-03-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy, bonding wire, method of producing the copper, method of producing the copper alloy, and method of producing the bonding wire |
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
| US10106904B2 (en) | 2014-12-03 | 2018-10-23 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for electrolytically refining lead in sulfamate bath |
| US10711358B2 (en) | 2014-02-20 | 2020-07-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101213326B (zh) | 2005-07-01 | 2010-11-17 | 日矿金属株式会社 | 高纯度锡或锡合金及高纯度锡的制造方法 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17219182A patent/JPS5964791A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
| US9394590B2 (en) | 2010-03-16 | 2016-07-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same |
| US9597754B2 (en) | 2011-03-07 | 2017-03-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy, bonding wire, method of producing the copper, method of producing the copper alloy, and method of producing the bonding wire |
| US8993978B2 (en) | 2012-05-04 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Method for assessing an alpha particle emission potential of A metallic material |
| US9194961B2 (en) | 2012-05-04 | 2015-11-24 | Honeywell International, Inc. | Method for assessing an alpha particle emission potential of a metallic material |
| US10711358B2 (en) | 2014-02-20 | 2020-07-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth |
| CN105671590A (zh) * | 2014-12-03 | 2016-06-15 | Jx日矿日石金属株式会社 | 基于氨基磺酸浴的铅的电解纯化方法 |
| JP2016108663A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | Ｊｘ金属株式会社 | スルファミン酸浴による鉛の電解精製方法 |
| US10106904B2 (en) | 2014-12-03 | 2018-10-23 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for electrolytically refining lead in sulfamate bath |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6247955B2 (ja) | 1987-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5456881B2 (ja) | α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 | |
| Price et al. | On the growth and properties of electrolytic whiskers | |
| JP2013185214A (ja) | α線量が少ないビスマス又はビスマス合金及びその製造方法 | |
| JPWO2012120982A1 (ja) | 銅又は銅合金、ボンディングワイヤ、銅の製造方法、銅合金の製造方法及びボンディングワイヤの製造方法 | |
| JPS5964791A (ja) | 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法 | |
| JPH02228487A (ja) | 高純度錫の製造方法 | |
| JP3528532B2 (ja) | 低α線量錫の製造方法 | |
| JPS621478B2 (ja) | ||
| JPH01283398A (ja) | 錫およびその製造方法 | |
| JP5903497B2 (ja) | 低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金 | |
| JP3325150B2 (ja) | 錫−ビスマス合金めっき用硫酸錫塩及び硫酸ビスマス塩の電解製造法 | |
| JPS6179736A (ja) | 白金族金属を回収する方法 | |
| JPS6021391A (ja) | 水性金メツキ浴 | |
| JP2590869B2 (ja) | ハンダ用メッキ液の製造方法 | |
| US2485258A (en) | Electrodepositing lead on copper from a nitrate bath | |
| JPS63307291A (ja) | 高純度銅の製造方法 | |
| JP2623267B2 (ja) | 低銀品位の高純度電気銅の製造法 | |
| JP2998623B2 (ja) | 低α線鉛の製造方法 | |
| Rauscher et al. | Effect of temperature on the Electrochemical corrosion behaviour of titanium | |
| JP4003222B2 (ja) | 鱗片状ニッケル粉末の製造方法 | |
| US2901411A (en) | Methods for preparing single phase molten baths of alkalinous chlorides, titanium chlorides, and alkalinous metals | |
| WO2015098191A1 (ja) | 低α線ビスマス及び低α線ビスマスの製造方法 | |
| Baxter et al. | A REVISION OF THE ATOMIC WEIGHT OF ZINC. THE ELECTROLYTIC DETERMINATION OF ZINC IN ZINC BROMIDE. | |
| JPS63297583A (ja) | 高純度電気銅製造方法 | |
| JPS5953358B2 (ja) | 電解法によるコバルト粉の製造法 |