JPS60246220A - α線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方法 - Google Patents
α線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方法Info
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- JPS60246220A JPS60246220A JP59099695A JP9969584A JPS60246220A JP S60246220 A JPS60246220 A JP S60246220A JP 59099695 A JP59099695 A JP 59099695A JP 9969584 A JP9969584 A JP 9969584A JP S60246220 A JPS60246220 A JP S60246220A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
法に関するものであり、さらに詳しく述べるならば半導
体メモリ装置の・やッケージ等に用いるのに適したアル
ミナの製造方法に関するものである。
体メモリ装置の・やッケージ等に用いるのに適したアル
ミナの製造方法に関するものである。
半導体メモリ装置ではMOS )ランノスタ及びキャ″
4シ!を用いて電荷をメモリセル中にrt人、貯蔵し、
且つメモリセルから取出して電荷の有無によりO又は1
の情報を検知するMOSRAMタイゾの装置が現在主に
用いられている。このMOSRAMでは数■角のシリコ
ン基板の上に64にビットのメモリセルが構成されてお
り、今後は更に高集積化されて256にビットになる傾
向にある。これに伴なー)て1個のメモリセルが増々小
型化されるがこのことはメモリセルが偶発的に放射線粒
子の衝突を受けると1個のアルファ線粒子によりメモリ
セル中の電荷量と同程度の電荷を生じ、情報のエラ−(
ソフトエラー)を生じる危険があることを意味している
。そこで、ソフトエラーを防止するようにメモリセルの
構造を種々工夫することが半導体装置製造の分野で知ら
れている。すなわち、メモリセル・々ッケーノ材にアル
ファ線遮蔽コーティングを施すとか、あるいは半導体メ
モリ装置にエラー訂正回路を組み込むなどがそれである
が、これらはいずれもメモリ装置の製造コスi・を増大
するのみでなく、高集積化に障害をもたらす。従ってメ
モリーセルパッケージ材からのアルファ線放射量をソフ
トエラーを生じない水準に減少させることが望ましい対
策である。
4シ!を用いて電荷をメモリセル中にrt人、貯蔵し、
且つメモリセルから取出して電荷の有無によりO又は1
の情報を検知するMOSRAMタイゾの装置が現在主に
用いられている。このMOSRAMでは数■角のシリコ
ン基板の上に64にビットのメモリセルが構成されてお
り、今後は更に高集積化されて256にビットになる傾
向にある。これに伴なー)て1個のメモリセルが増々小
型化されるがこのことはメモリセルが偶発的に放射線粒
子の衝突を受けると1個のアルファ線粒子によりメモリ
セル中の電荷量と同程度の電荷を生じ、情報のエラ−(
ソフトエラー)を生じる危険があることを意味している
。そこで、ソフトエラーを防止するようにメモリセルの
構造を種々工夫することが半導体装置製造の分野で知ら
れている。すなわち、メモリセル・々ッケーノ材にアル
ファ線遮蔽コーティングを施すとか、あるいは半導体メ
モリ装置にエラー訂正回路を組み込むなどがそれである
が、これらはいずれもメモリ装置の製造コスi・を増大
するのみでなく、高集積化に障害をもたらす。従ってメ
モリーセルパッケージ材からのアルファ線放射量をソフ
トエラーを生じない水準に減少させることが望ましい対
策である。
・Pツケーノ材からのアルファ線放射はその主原料であ
るアルミナに含有される微量の放射性元素によるもので
ある。現在この用途に用いられる原料アルミナは通常0
.1カウント/cni’・hr程度のα線放射量を示す
が、前述の如き高度の集積化にともなって、・々ッケー
ジ材原料のα線放射量は実質001カウント/α2・h
r以下のものが要求されるようになった。ところがα線
放射量の測定は放射線束が少ない場合これを正確に行な
うことはなかなか困難であり、特に002〜003カウ
ント/m2・hr以下になると自然界からの放射量に影
響も加わり信頼できる測定装置として確固たるものはな
い状況にある。
るアルミナに含有される微量の放射性元素によるもので
ある。現在この用途に用いられる原料アルミナは通常0
.1カウント/cni’・hr程度のα線放射量を示す
が、前述の如き高度の集積化にともなって、・々ッケー
ジ材原料のα線放射量は実質001カウント/α2・h
r以下のものが要求されるようになった。ところがα線
放射量の測定は放射線束が少ない場合これを正確に行な
うことはなかなか困難であり、特に002〜003カウ
ント/m2・hr以下になると自然界からの放射量に影
響も加わり信頼できる測定装置として確固たるものはな
い状況にある。
したがって、半導体メモリ装置の・P2ケージ用アルミ
ナの製法を開発するに当って、先ずα線放射量を定量的
に把握する方法を定める必要があった。この点に関し、
アルミナ中に含まれる放射性元素はウラン(U)及びト
リウム(Th)である。ウラン(U)はウラン又はアク
チニウl、崩壊系列に従って、またトリウム(Th)は
トリウム崩壊系列に従って崩壊し、最終的には安定な鉛
になる。その崩壊過程において、1原f=のU は8個
のα線粒子を、また1原子のU255は7個のα線粒子
を、lリウム(Th 252 )は6個のα線粒子を放
射することは、それぞれの崩壊系列により定まっている
。この他、ウラン、トリウムの核***から生ずる放射性
元素のラノウム(Ra ) 、ゾロトアクチニウノ・(
Pa)、アクチニウム(Ac)等があるが、これらはそ
の成因からみて本発明による含有量低減の対象外である
。従って、アルミナのα線放射量を6111定しなくと
も、ウラン又はトリウムを化学的に分析すれば、ウラン
又はl・リウムのアルミナ中の含有原子数からα線粒子
の放射個数を計算することができる。なお、ウラン又は
トリウムの化学的分析精度は、中性子放射化分析による
と、10−8〜10−0−1Oまで、またウランは螢光
分光分析によると10−5〜10gr程度までの十分に
高い精度をイ5−〒−°ものである。以上のような分析
事情に基づいて、本発明者は現状のアルミナ中の05〜
1.0 ppm程度のウラン及び0025〜0.05
ppm程度のトリウム含有量に対し、ウランおよびトリ
ウムの合計含有量で約0.2 ppm以下好ましくは約
0.1 ppm以下まで低下させるとソフトエラーを防
止できるとの発想のもとに極低ウラン・トリウム含有ア
ルミナ製法の研究を行なったものである。
ナの製法を開発するに当って、先ずα線放射量を定量的
に把握する方法を定める必要があった。この点に関し、
アルミナ中に含まれる放射性元素はウラン(U)及びト
リウム(Th)である。ウラン(U)はウラン又はアク
チニウl、崩壊系列に従って、またトリウム(Th)は
トリウム崩壊系列に従って崩壊し、最終的には安定な鉛
になる。その崩壊過程において、1原f=のU は8個
のα線粒子を、また1原子のU255は7個のα線粒子
を、lリウム(Th 252 )は6個のα線粒子を放
射することは、それぞれの崩壊系列により定まっている
。この他、ウラン、トリウムの核***から生ずる放射性
元素のラノウム(Ra ) 、ゾロトアクチニウノ・(
Pa)、アクチニウム(Ac)等があるが、これらはそ
の成因からみて本発明による含有量低減の対象外である
。従って、アルミナのα線放射量を6111定しなくと
も、ウラン又はトリウムを化学的に分析すれば、ウラン
又はl・リウムのアルミナ中の含有原子数からα線粒子
の放射個数を計算することができる。なお、ウラン又は
トリウムの化学的分析精度は、中性子放射化分析による
と、10−8〜10−0−1Oまで、またウランは螢光
分光分析によると10−5〜10gr程度までの十分に
高い精度をイ5−〒−°ものである。以上のような分析
事情に基づいて、本発明者は現状のアルミナ中の05〜
1.0 ppm程度のウラン及び0025〜0.05
ppm程度のトリウム含有量に対し、ウランおよびトリ
ウムの合計含有量で約0.2 ppm以下好ましくは約
0.1 ppm以下まで低下させるとソフトエラーを防
止できるとの発想のもとに極低ウラン・トリウム含有ア
ルミナ製法の研究を行なったものである。
本発明の目的は半導体メモリ装置内で用いるのに適した
、極低放射性元素含有量のアルミナを製造する方法を提
供することにある。従来、かかるアルミナは工業的には
主としてボーキサイトを原料とする所謂・ぐイヤー法に
より製造されておりその工程を変更することにより放射
性元素を低減する方法も紹介されている。例えば特開昭
56−155016、特開昭56−164013等はア
ルミナ水和物を焼成し、αアルミナに転化する際、添加
物を加え放射性元素を揮散させたり、αアルミナを酸洗
浄することにより放射性元素を除去するもので、その効
果は大きいものの、得られるアルミナ(5) は比較的焼成度の高いものとなり、焼結活性の大き々γ
タイプのアルミナは得にくいという欠点を有する。
、極低放射性元素含有量のアルミナを製造する方法を提
供することにある。従来、かかるアルミナは工業的には
主としてボーキサイトを原料とする所謂・ぐイヤー法に
より製造されておりその工程を変更することにより放射
性元素を低減する方法も紹介されている。例えば特開昭
56−155016、特開昭56−164013等はア
ルミナ水和物を焼成し、αアルミナに転化する際、添加
物を加え放射性元素を揮散させたり、αアルミナを酸洗
浄することにより放射性元素を除去するもので、その効
果は大きいものの、得られるアルミナ(5) は比較的焼成度の高いものとなり、焼結活性の大き々γ
タイプのアルミナは得にくいという欠点を有する。
これを改良する方法としてはバイヤ一工程のブルミン酸
アルカリ液よりアルミナ水和物を晶析させる際、予め該
液中の放射性元素含有量を低減させることにより晶析物
中への混入を減少させる方法も提案されている。例えば
特開昭57−179旧9゜特開昭57−191228が
これに該当するが、これらの発明では高価且つ劇物指定
のあるパリウノ・化合物を大量に使用せねばならずその
工業的実施は甚だ困難を伴うものである。
アルカリ液よりアルミナ水和物を晶析させる際、予め該
液中の放射性元素含有量を低減させることにより晶析物
中への混入を減少させる方法も提案されている。例えば
特開昭57−179旧9゜特開昭57−191228が
これに該当するが、これらの発明では高価且つ劇物指定
のあるパリウノ・化合物を大量に使用せねばならずその
工業的実施は甚だ困難を伴うものである。
本発明者らはかかる状況に鑑み、安全口、つ確実にアル
ミナ水和物中に混入する放射性元素の量を低減させる為
、種々検討を行った結果、放射性元素の混入にはバイヤ
一工程のアルミン酸アルカリ液中に含まれる有機化合物
が非常に大きく寄与しているという甚だ意外な事実を発
見し、この知見に基づいて本発明に到達したものである
。
ミナ水和物中に混入する放射性元素の量を低減させる為
、種々検討を行った結果、放射性元素の混入にはバイヤ
一工程のアルミン酸アルカリ液中に含まれる有機化合物
が非常に大きく寄与しているという甚だ意外な事実を発
見し、この知見に基づいて本発明に到達したものである
。
即ち本発明は、7げ−キサイト鉱石を苛性ソーダ(6)
溶液と共に溶解処理し、鉱石中のアルミナ分を抽出して
アルミン酸ソーダ溶液を得、次いで該溶液を種子分解し
てアルミナ水和物を晶析分離させてアルミナ水和物また
はこれをさらに焼成してアルミナを製造する工程におい
て、−F記種子分解前のアルミン酸ソーダ溶液中に含ま
れる有機化合物を実質的に除去することを特徴とするα
線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方
法である。
アルミン酸ソーダ溶液を得、次いで該溶液を種子分解し
てアルミナ水和物を晶析分離させてアルミナ水和物また
はこれをさらに焼成してアルミナを製造する工程におい
て、−F記種子分解前のアルミン酸ソーダ溶液中に含ま
れる有機化合物を実質的に除去することを特徴とするα
線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方
法である。
通常のバイヤー法に於ては原料デーキサイド鉱石中に含
まれる有機物の一部が溶解工程に於て溶解用の苛性アル
カリ液中に溶出し、この苛性アルカリ液(アルミン酸ア
ルカリと遊離の苛性アルカリを含むバイヤー液)が工程
に循環使用されるため、原料鉱石種の差及び工場操業条
件の差により若干の変動はあるものの、おおむね上記液
中の有機化合物含有量はC換算で109/l程度に達す
る。
まれる有機物の一部が溶解工程に於て溶解用の苛性アル
カリ液中に溶出し、この苛性アルカリ液(アルミン酸ア
ルカリと遊離の苛性アルカリを含むバイヤー液)が工程
に循環使用されるため、原料鉱石種の差及び工場操業条
件の差により若干の変動はあるものの、おおむね上記液
中の有機化合物含有量はC換算で109/l程度に達す
る。
かかる液を種−f−分解してアルミナ水和物を晶析させ
ると、液中に含まれる微量の放射性元素の一部は析出物
に移行し、これは析出物の洗浄によっては除去できず、
得られたアルミナ水和物及びこれを焼成して得られるア
ルミナ中に不純物として残留する。一方、本発明者等は
高純度アルミ ウノ、金属を、試薬NaOHの水溶液に
溶解し、これにウランを初めとしたバイヤー液に含1れ
る種々の無機化合物を添加・調整して得られた合成アル
ミン酸アルカリ液を用いて種r分解法にまり晶析を行い
、得られたアルミナ水和物には放射性元素の混入が極め
て少いことを発見した。以下この点f(ついて実験例を
もって説明する。
ると、液中に含まれる微量の放射性元素の一部は析出物
に移行し、これは析出物の洗浄によっては除去できず、
得られたアルミナ水和物及びこれを焼成して得られるア
ルミナ中に不純物として残留する。一方、本発明者等は
高純度アルミ ウノ、金属を、試薬NaOHの水溶液に
溶解し、これにウランを初めとしたバイヤー液に含1れ
る種々の無機化合物を添加・調整して得られた合成アル
ミン酸アルカリ液を用いて種r分解法にまり晶析を行い
、得られたアルミナ水和物には放射性元素の混入が極め
て少いことを発見した。以下この点f(ついて実験例を
もって説明する。
表1の如き組成のバイヤ一工程液及び1−記合成アルミ
ン酸アルカリ液に種fとして平均径1μmのアルミナ水
和物を1 g/lの割合で添加し、攪t’l ?’l’
に60℃で40時間保持し、得られたアルミJ水和物中
の不純物及び(アルファ線放射量)を画定しだところ表
2の如き結果を得た。尚表1に於ける無機塩とは原料苛
Vtソーダ又はりI−−キダイ1−より混入し、アルカ
リと結合して塩を形成しているもので例えばNaC1+
NaF等があり、これらをNa01+に換算して示し
てあり、同様に有機塩も液中に溶存している有機化合物
と結合して塩を形成しているアルカリ分をNaOHに換
算して示しである。また有機化合物はCに換算して示し
た。
ン酸アルカリ液に種fとして平均径1μmのアルミナ水
和物を1 g/lの割合で添加し、攪t’l ?’l’
に60℃で40時間保持し、得られたアルミJ水和物中
の不純物及び(アルファ線放射量)を画定しだところ表
2の如き結果を得た。尚表1に於ける無機塩とは原料苛
Vtソーダ又はりI−−キダイ1−より混入し、アルカ
リと結合して塩を形成しているもので例えばNaC1+
NaF等があり、これらをNa01+に換算して示し
てあり、同様に有機塩も液中に溶存している有機化合物
と結合して塩を形成しているアルカリ分をNaOHに換
算して示しである。また有機化合物はCに換算して示し
た。
(以下余白)
(9)
(10)
(11)
表2より明らかなように放射性元素含イW l’i’f
: (α線放射量)は合成アルミン酸アルカリ液からの
析出物は極めて低い水準に下ることが認められる。
: (α線放射量)は合成アルミン酸アルカリ液からの
析出物は極めて低い水準に下ることが認められる。
この原因は明らかではないが、本発明者等は・2イヤ一
工程液と合成ブルミン酸液との間には有機化合物の存在
の有無以外に相異点がなく、しかも前者からの析出物中
には比較的多量の有機化合物が存在することから、アル
ミナ水和物の析出時に液中有機化合物が該析出物(アル
ミナ水和物)に沈着する際、放射性元素を随伴するもの
と推考した。
工程液と合成ブルミン酸液との間には有機化合物の存在
の有無以外に相異点がなく、しかも前者からの析出物中
には比較的多量の有機化合物が存在することから、アル
ミナ水和物の析出時に液中有機化合物が該析出物(アル
ミナ水和物)に沈着する際、放射性元素を随伴するもの
と推考した。
以上のごとく液中有機化合物を除去することにより、格
別液中の放射性元素含有量を低1:させなくても析出物
(アルミナ水和物)中の放射rV几素は低減しうるとい
う推定のもとに種々検討を行い、か\る推定が正しいこ
とを確認し、本発明を完成したものである。
別液中の放射性元素含有量を低1:させなくても析出物
(アルミナ水和物)中の放射rV几素は低減しうるとい
う推定のもとに種々検討を行い、か\る推定が正しいこ
とを確認し、本発明を完成したものである。
即ち本発明に於てはアルミン酸アルカリ液はアルミナ水
和物の析出に先たち含有せる有機化合物を除去する工程
を経てから析出工程に送られアルミナ水和物の析出が行
われる。この間放射Vt元素(12) は特に変化を受けず、従って析出時の液中放射性元素濃
度は本法を実施しない場合と何ら異ならないにもかかわ
らず、得られるアルミナ水和物中の放射性元素含有量は
本法を実施しない場合に比べ激減するという極めて顕著
な効果を示すことが認められた。また得られたアルミナ
水和物は適当が方法で焼成することにより、任意の焼成
度の、α線放射量の低いアルミナを得ることができる。
和物の析出に先たち含有せる有機化合物を除去する工程
を経てから析出工程に送られアルミナ水和物の析出が行
われる。この間放射Vt元素(12) は特に変化を受けず、従って析出時の液中放射性元素濃
度は本法を実施しない場合と何ら異ならないにもかかわ
らず、得られるアルミナ水和物中の放射性元素含有量は
本法を実施しない場合に比べ激減するという極めて顕著
な効果を示すことが認められた。また得られたアルミナ
水和物は適当が方法で焼成することにより、任意の焼成
度の、α線放射量の低いアルミナを得ることができる。
また未焼成のアルミナ水和物はメモリセルの樹脂・ぐ7
ケーノ材の充填材として有用である。々お、本法は・ぐ
イヤ一工程液のみならず、例えば有機化合物を含有する
バイヤー法により得られたアルミナ水和物を苛性アルカ
リに溶液に再溶解して得られた、有機化合物を含むアル
ミン酸アルカリ液にも応用できることはいうまでもない
。
ケーノ材の充填材として有用である。々お、本法は・ぐ
イヤ一工程液のみならず、例えば有機化合物を含有する
バイヤー法により得られたアルミナ水和物を苛性アルカ
リに溶液に再溶解して得られた、有機化合物を含むアル
ミン酸アルカリ液にも応用できることはいうまでもない
。
以下実施例に基づき、本発明を更に詳細に説明するが、
本発明の範囲はこれにより制限されるものではない。
本発明の範囲はこれにより制限されるものではない。
実施例 1
表3− (])の組成の・ぐイヤ一工程における赤泥分
(13) 離後のアルミン酸ナトリウム溶液101を加熱裸に減圧
下で濃縮後真空乾燥機で乾燥した。次に該乾燥物を窒素
雰囲気炉中で600℃1 hr、加熱処理を行い有機化
合物を分解させた。その処理物を今後91の水に溶解し
、表3− (2)の組成をイjし。
(13) 離後のアルミン酸ナトリウム溶液101を加熱裸に減圧
下で濃縮後真空乾燥機で乾燥した。次に該乾燥物を窒素
雰囲気炉中で600℃1 hr、加熱処理を行い有機化
合物を分解させた。その処理物を今後91の水に溶解し
、表3− (2)の組成をイjし。
かつ有機化合物の分解により生成した遊離炭素8、59
/lを含むアルミン酸ナトリウム溶液951を得た。該
溶液を真空涙過し、遊離炭素を除去して得られた清澄な
アルミン酸ナトリウム溶液に種子として平均径05μm
のアルミナ水和物を(1,5,971加え、攪拌裡に6
0℃で40時間保持し、アルミナ水和物を析出せしめた
。析出物は貞空沖過機にて濾過・洗浄を行ったのち乾燥
し、940!Jのアルミナ水和物が得られた。
/lを含むアルミン酸ナトリウム溶液951を得た。該
溶液を真空涙過し、遊離炭素を除去して得られた清澄な
アルミン酸ナトリウム溶液に種子として平均径05μm
のアルミナ水和物を(1,5,971加え、攪拌裡に6
0℃で40時間保持し、アルミナ水和物を析出せしめた
。析出物は貞空沖過機にて濾過・洗浄を行ったのち乾燥
し、940!Jのアルミナ水和物が得られた。
(以下余白)
(14)
(15)
比較例 1
実施例1で用いた表3− (1)の組成の・ζイヤーI
−程における赤泥分離後のアルばン酸す]・リウノ、溶
液101に種子として実施例1と同じモ均径05μmの
アルミナ水和物を0.59/l加え、撹拌裡に60℃で
40時間保持し、アルミナ水和物を析出せしめた。析出
物は貞空沖過機によりηj過 洗浄を行ったのち乾燥し
、885gのアルミナ水和物を得た。
−程における赤泥分離後のアルばン酸す]・リウノ、溶
液101に種子として実施例1と同じモ均径05μmの
アルミナ水和物を0.59/l加え、撹拌裡に60℃で
40時間保持し、アルミナ水和物を析出せしめた。析出
物は貞空沖過機によりηj過 洗浄を行ったのち乾燥し
、885gのアルミナ水和物を得た。
実施例 2
表4−(1)の組成のバイヤー■ニ程におけるアルミナ
水和物析出終了後のアルミン酸すl・’Jウノ・溶液1
01に対し、通常のバイヤー法により製造されタウラン
含有量0.8ppmのアルミナ水和物3.1 kgを加
えスラリー化した。しかる後このスラリーを流動培焼型
の炉に噴霧・供給し、97 (1℃で処理して有機化合
物を焼却 除去した。処理時間は1時間であった。焼成
物を表4− (2)の組成のアルミン酸ナトリウム溶液
1681に溶解後l−水で希釈し、不溶解残渣を戸別し
、表4− (3)の組成のアル(16) ミン酸ノートリウノ・溶液291を得た。
水和物析出終了後のアルミン酸すl・’Jウノ・溶液1
01に対し、通常のバイヤー法により製造されタウラン
含有量0.8ppmのアルミナ水和物3.1 kgを加
えスラリー化した。しかる後このスラリーを流動培焼型
の炉に噴霧・供給し、97 (1℃で処理して有機化合
物を焼却 除去した。処理時間は1時間であった。焼成
物を表4− (2)の組成のアルミン酸ナトリウム溶液
1681に溶解後l−水で希釈し、不溶解残渣を戸別し
、表4− (3)の組成のアル(16) ミン酸ノートリウノ・溶液291を得た。
膣液5eに種子として実施例1で作成したアルミナ水和
物を30 fj/l添加し、攪拌裡に70℃で36時間
保持し、アルミナ水和物を析出せしめた。
物を30 fj/l添加し、攪拌裡に70℃で36時間
保持し、アルミナ水和物を析出せしめた。
析出物は固液分離、洗浄後乾燥し、616gのアルミナ
水和物製品を得た。
水和物製品を得た。
(以下余白)
(17)
(18)
比較例 2
実施例2で用いた表4−(1)の組成のバイヤ一工程に
おけるアルミナ水和物析出終了後のアルミン酸す) I
Jウム液lOlに同じ〈実施例で用いた通常のバイヤー
法により製造されたウラン含有量0.8ppmのアルミ
ナ水和物1 kgを加えスラリー化し、このスラリーを
オートクレーブで140℃。
おけるアルミナ水和物析出終了後のアルミン酸す) I
Jウム液lOlに同じ〈実施例で用いた通常のバイヤー
法により製造されたウラン含有量0.8ppmのアルミ
ナ水和物1 kgを加えスラリー化し、このスラリーを
オートクレーブで140℃。
30分保持することによりアルミナ水和物を溶解させ表
4−(4)の組成のアルミン酸ナトリウム溶液を得た。
4−(4)の組成のアルミン酸ナトリウム溶液を得た。
膣液51に種子として実施例1で得られたアルミナ水和
物を30g/l添加し、攪拌裡に70℃で36時間保持
し、アルミナ水和物を析出せしめた。析出物は固液分離
、洗浄後乾燥し、586 grのアルミナ水和物製品を
得た。
物を30g/l添加し、攪拌裡に70℃で36時間保持
し、アルミナ水和物を析出せしめた。析出物は固液分離
、洗浄後乾燥し、586 grのアルミナ水和物製品を
得た。
実施例 3
バイヤー法により製造されたウラン含有量12ppm
+有機化合物含有量0.032%のアルミナ水和物3
kgを工業用45%NaOH溶液55kgに添加し−L
水1.31を加えた後煮沸し、アルミナ水和物を溶解せ
しめた。しかるのち更に上水を加え全量を1651とし
、次いでこれに試薬水酸化マグイ/ウムを4 g/lの
割合で添加し、60℃で2時間攪拌裡に保持することに
よりアルミナ水和物より随伴して混入した有機化合物を
これに吸着せしめた。
+有機化合物含有量0.032%のアルミナ水和物3
kgを工業用45%NaOH溶液55kgに添加し−L
水1.31を加えた後煮沸し、アルミナ水和物を溶解せ
しめた。しかるのち更に上水を加え全量を1651とし
、次いでこれに試薬水酸化マグイ/ウムを4 g/lの
割合で添加し、60℃で2時間攪拌裡に保持することに
よりアルミナ水和物より随伴して混入した有機化合物を
これに吸着せしめた。
その後濾過により水酸化マグネシウムを液より分離し、
表5の組成のアルミン酸すトリウム溶液を得た。膣液1
01に対し平均粒径1μmのアルミナ水和物を1 g/
lの割合で種子として添加し、50℃で48時間保持し
てアルミナ水和物を析出せしめた。析出物は固液分離・
洗浄後乾燥し、製品910gを得た。
表5の組成のアルミン酸すトリウム溶液を得た。膣液1
01に対し平均粒径1μmのアルミナ水和物を1 g/
lの割合で種子として添加し、50℃で48時間保持し
てアルミナ水和物を析出せしめた。析出物は固液分離・
洗浄後乾燥し、製品910gを得た。
(以下余白)
(21)
実施例1,2,3、比較例1.2で得られたアルミナ水
和物中のウラン含有量は表6の如くであって、いづれも
、比較例に比して本発明のh法によって得られたアルミ
ナ水和物中のウラン含有量は激減し充分目的にかなうも
のであり、このものは、メモリセルの樹脂・や、ケージ
材等の充填材として、またこれを焼成して得られるアル
ミナはメモリ集積回路用磁器材として、それぞれ好適で
ある。
和物中のウラン含有量は表6の如くであって、いづれも
、比較例に比して本発明のh法によって得られたアルミ
ナ水和物中のウラン含有量は激減し充分目的にかなうも
のであり、このものは、メモリセルの樹脂・や、ケージ
材等の充填材として、またこれを焼成して得られるアル
ミナはメモリ集積回路用磁器材として、それぞれ好適で
ある。
(以下余1℃
(22)
Claims (1)
- 1、 ボーキサイト鉱石を苛性ソーダ溶液と共に溶解処
理し、鉱石中のアルミナ分を抽出してアルミン酸ソーダ
溶液を得、次いで該溶液を種子分解してアルミナ水和物
を晶析分離させてアルミナ水和物またはこれをさらに焼
成してアルミナを製造する工程において、上記種子分解
前のアルミン酸ソーダ溶液中に含まれる有機化合物を実
質的に除去することを特徴とするα線放射量の低いアル
ミナ水和物またはアルミナの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59099695A JPS60246220A (ja) | 1984-05-19 | 1984-05-19 | α線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方法 |
PCT/JP1985/000273 WO1985005349A1 (fr) | 1984-05-19 | 1985-05-20 | Alumine pour boitiers de cellules de memoire a semi-conducteurs et son procede de production |
AU42984/85A AU570562B2 (en) | 1984-05-19 | 1985-05-20 | Alumina process for semiconductor memory cell package |
DE19853590218 DE3590218T1 (de) | 1984-05-19 | 1985-05-20 | Aluminiumoxid, das für eine Verwendung als Halbleiterspeicherzellengehäuse geeignet ist, und Verfahren zu seiner Herstellung |
CA000492910A CA1328728C (en) | 1984-05-19 | 1985-10-11 | Alumina adapted for use as semiconductor memory cell package and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59099695A JPS60246220A (ja) | 1984-05-19 | 1984-05-19 | α線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方法 |
CA000492910A CA1328728C (en) | 1984-05-19 | 1985-10-11 | Alumina adapted for use as semiconductor memory cell package and process for preparing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60246220A true JPS60246220A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=25670808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59099695A Pending JPS60246220A (ja) | 1984-05-19 | 1984-05-19 | α線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60246220A (ja) |
AU (1) | AU570562B2 (ja) |
CA (1) | CA1328728C (ja) |
DE (1) | DE3590218T1 (ja) |
WO (1) | WO1985005349A1 (ja) |
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FR2317226A1 (fr) * | 1975-07-07 | 1977-02-04 | Alcan Res & Dev | Perfectionnements a la production d'alumine |
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- 1984-05-19 JP JP59099695A patent/JPS60246220A/ja active Pending
-
1985
- 1985-05-20 DE DE19853590218 patent/DE3590218T1/de not_active Withdrawn
- 1985-05-20 WO PCT/JP1985/000273 patent/WO1985005349A1/ja active Application Filing
- 1985-05-20 AU AU42984/85A patent/AU570562B2/en not_active Ceased
- 1985-10-11 CA CA000492910A patent/CA1328728C/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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AU4298485A (en) | 1985-12-13 |
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