JP2548769B2 - 耐熱性非晶質合金 - Google Patents
耐熱性非晶質合金Info
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は各種の磁気ヘッド等に用いられる金属−金属
系非晶質合金に係り、特に、熱的安定性に優れ、軟磁気
特性に優れたものに関する。
系非晶質合金に係り、特に、熱的安定性に優れ、軟磁気
特性に優れたものに関する。
「従来の技術」 金属−金属系の非晶質合金は、非金属を有する従来の
金属−半金属系の非晶質合金に比較して、結晶化温度が
高く、また、耐食性にも優れ、更に、特定の成分のもの
は、磁歪も小さく、軟磁気特性にも優れたものであるた
め、ガラスボンディング等の熱履歴を経る磁気ヘッド用
の材料として用いられている。
金属−半金属系の非晶質合金に比較して、結晶化温度が
高く、また、耐食性にも優れ、更に、特定の成分のもの
は、磁歪も小さく、軟磁気特性にも優れたものであるた
め、ガラスボンディング等の熱履歴を経る磁気ヘッド用
の材料として用いられている。
ここで一般に、磁気ヘッド用の非晶質合金に要求され
る条件は以下に記載する条件である。
る条件は以下に記載する条件である。
磁歪（λｓ）が０であること。あるいはλｓ０であ
ること。
ること。
飽和磁束密度（Bs）が大きいこと。
結晶化温度（Tx）が高いこと。
耐熱性が高いこと。
キュリー温度（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を満た
すこと。
すこと。
これらの各条件において、まず、の条件について検
討すると、磁歪の大きさは極めて重要な条件であって、
例えば、薄膜磁気ヘッドを製造するためにフェライト基
板などに非晶質合金薄膜を成膜した場合、磁歪の大きさ
により生じる応力によって非晶質合金薄膜に磁気異方性
が誘起される。また、ガラスボンディング等の熱応力に
よっても磁気異方性が誘起されて耐熱性の劣化の原因と
なるために、λｓ＝０あるいはλｓ０の組成を得るこ
とが重要である。なお、高性能の磁気ヘッドを得るため
には、磁歪の絶対値を５×10-7程度以下までの低磁歪に
抑える必要がある。
討すると、磁歪の大きさは極めて重要な条件であって、
例えば、薄膜磁気ヘッドを製造するためにフェライト基
板などに非晶質合金薄膜を成膜した場合、磁歪の大きさ
により生じる応力によって非晶質合金薄膜に磁気異方性
が誘起される。また、ガラスボンディング等の熱応力に
よっても磁気異方性が誘起されて耐熱性の劣化の原因と
なるために、λｓ＝０あるいはλｓ０の組成を得るこ
とが重要である。なお、高性能の磁気ヘッドを得るため
には、磁歪の絶対値を５×10-7程度以下までの低磁歪に
抑える必要がある。
また、前記の各条件において、の条件と〜の条
件は全く相反する条件である。即ち、飽和磁束密度は大
きいことが望まれるが、飽和磁束密度を増大すると結晶
化温度が低下し、耐熱性が低下する。しかも、飽和磁束
密度が増大すると、結晶化温度（Tx）とキュリー温度
（Tc）が逆転してTc＜Txの関係が保てなくなるために、
磁気異方性を解消する目的で行うキュリー温度以上の熱
処理が実施困難になる問題がある。更に、磁気ヘッドの
量産性という面から検討すると、Tc＜Txの関係が成り立
たなくなった場合に熱処理を行うとすれば、磁界中で焼
鈍を行うことが必要になるために、磁場発生装置等の大
規模な設備が必要になるとともに処理量が限られて生産
性が低下してしまう問題がある。
件は全く相反する条件である。即ち、飽和磁束密度は大
きいことが望まれるが、飽和磁束密度を増大すると結晶
化温度が低下し、耐熱性が低下する。しかも、飽和磁束
密度が増大すると、結晶化温度（Tx）とキュリー温度
（Tc）が逆転してTc＜Txの関係が保てなくなるために、
磁気異方性を解消する目的で行うキュリー温度以上の熱
処理が実施困難になる問題がある。更に、磁気ヘッドの
量産性という面から検討すると、Tc＜Txの関係が成り立
たなくなった場合に熱処理を行うとすれば、磁界中で焼
鈍を行うことが必要になるために、磁場発生装置等の大
規模な設備が必要になるとともに処理量が限られて生産
性が低下してしまう問題がある。
従って非晶質合金において前記のようにTc＜Txの関係
が成立するならば、無磁場焼鈍が実現でき、ガラスボン
ディングと同時に焼鈍も行うことができる。
が成立するならば、無磁場焼鈍が実現でき、ガラスボン
ディングと同時に焼鈍も行うことができる。
そこで従来、これらの条件を満たしうる合金として、
Co−Nb−Zr系の非晶質合金が知られており、この系の合
金において安定して熱処理を行える温度は480〜500℃程
度であることが知られている。
Co−Nb−Zr系の非晶質合金が知られており、この系の合
金において安定して熱処理を行える温度は480〜500℃程
度であることが知られている。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、ガラスボンディングを行って磁気ヘッドを
製造する場合、処理温度を高く設定した方が磁気ヘッド
の信頼性を向上できることが知られているが、前述のCo
−Nb−Zr系の非晶質合金の場合のような480〜500℃程度
の処理温度で行うガラスボンディングは、現在のとこ
ろ、はなはだ信頼性に欠け、腐食などの問題を生じ易い
ものであり、このようなガラスボンディングで得られる
磁気ヘッドの信頼性もまた不十分なものであった。な
お、最近に至り、非晶質合金を用いる磁気ヘッド用など
のガラスボンディング材として、低融点ガラスが開発さ
れ、比較的低温度での接着が可能にはなってきている
が、この低融点ガラスを用いたガラスボンディングは未
だ信頼性に欠ける問題がある。
製造する場合、処理温度を高く設定した方が磁気ヘッド
の信頼性を向上できることが知られているが、前述のCo
−Nb−Zr系の非晶質合金の場合のような480〜500℃程度
の処理温度で行うガラスボンディングは、現在のとこ
ろ、はなはだ信頼性に欠け、腐食などの問題を生じ易い
ものであり、このようなガラスボンディングで得られる
磁気ヘッドの信頼性もまた不十分なものであった。な
お、最近に至り、非晶質合金を用いる磁気ヘッド用など
のガラスボンディング材として、低融点ガラスが開発さ
れ、比較的低温度での接着が可能にはなってきている
が、この低融点ガラスを用いたガラスボンディングは未
だ信頼性に欠ける問題がある。
本発明は、前記課題を解決するためになされたもの
で、熱的安定性に優れ、良好な軟磁気特性を有し、量産
性に富み、500℃を超える熱処理が可能な耐熱性非晶質
合金を提供することを目的とする。
で、熱的安定性に優れ、良好な軟磁気特性を有し、量産
性に富み、500℃を超える熱処理が可能な耐熱性非晶質
合金を提供することを目的とする。
「課題を解決するための手段」 本発明の非晶質合金は、CoとTaとHfからなる軟磁性非
晶質３元合金であって、 CoxTayHfzで示される組成を有し、 組成比x,y,zを原子％で 80％＜ｘ＜83％ ８％＜ｙ＜13％ ５％＜ｚ＜10％ １＜y/z＜2.5 （ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝100％） とし、キュリー温度（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を
満足してなることを課題解決の手段としたものである。
晶質３元合金であって、 CoxTayHfzで示される組成を有し、 組成比x,y,zを原子％で 80％＜ｘ＜83％ ８％＜ｙ＜13％ ５％＜ｚ＜10％ １＜y/z＜2.5 （ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝100％） とし、キュリー温度（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を
満足してなることを課題解決の手段としたものである。
「作用」 これらの元素の内、Taは非晶質化元素であり、Co−Ta
系合金の負磁歪をHfの添加で解消し、磁歪０または磁歪
の絶対値で５×10-7以下を実現することができる。ま
た、Coを81〜83原子％、Taを８〜13原子％、Hfを５〜10
原子％の範囲で含有させることにより、キュリー温度
（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を確実に満足させるこ
とができ、高い飽和磁束密度も同時に実現できる。これ
によって、高い飽和磁束密度を有し、特別な磁場処理条
件でなくとも無磁場熱処理が可能になる量産性の高い耐
熱性非晶質合金が提供される。
系合金の負磁歪をHfの添加で解消し、磁歪０または磁歪
の絶対値で５×10-7以下を実現することができる。ま
た、Coを81〜83原子％、Taを８〜13原子％、Hfを５〜10
原子％の範囲で含有させることにより、キュリー温度
（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を確実に満足させるこ
とができ、高い飽和磁束密度も同時に実現できる。これ
によって、高い飽和磁束密度を有し、特別な磁場処理条
件でなくとも無磁場熱処理が可能になる量産性の高い耐
熱性非晶質合金が提供される。
「実施例」 以下に本発明を更に詳細に説明する。
入力電力200Wの高周波スパッタリング装置に、４イン
チ径のCo−Ta−Hf系合金ターゲットをセットするととも
に、５×10-3TorrのArガス圧下でスパッタリングを行う
ことによって、基板上に厚さ５μｍ程度のCo−Ta−Hf系
非晶質合金薄膜を形成する。このような工程により形成
される薄膜の組成を種々変更したものを試料として用意
し、これらの試料を用いて後述する種々の試験を行っ
た。
チ径のCo−Ta−Hf系合金ターゲットをセットするととも
に、５×10-3TorrのArガス圧下でスパッタリングを行う
ことによって、基板上に厚さ５μｍ程度のCo−Ta−Hf系
非晶質合金薄膜を形成する。このような工程により形成
される薄膜の組成を種々変更したものを試料として用意
し、これらの試料を用いて後述する種々の試験を行っ
た。
第１図はCo−Ta−Hf系の非晶質合金における零磁歪、
低磁歪領域を示すもので、斜線で示した領域は良好な磁
気特性を示す範囲である。この領域は、Co含有量81〜85
％、Ta含有量８〜13％、Hf含有量５〜10％の領域であ
る。
低磁歪領域を示すもので、斜線で示した領域は良好な磁
気特性を示す範囲である。この領域は、Co含有量81〜85
％、Ta含有量８〜13％、Hf含有量５〜10％の領域であ
る。
Co含有量は飽和磁束密度で限定され、飽和磁束密度で
6000G以上を得るためには。Co含有量を81％以上にする
必要があり、また、キュリー温度（Tc）＜結晶化温度
（Tx）の関係を満たすには、Co含有量を85％以下にする
必要がある。また、磁歪零はTa/Hfで示される比率で依
存性があるとともに、磁歪零はCo含有量の依存性もあ
り、低Co含有量になるとTa/Hfの値が２から１へ変化す
る傾向がある。更に、第１図に１点鎖線で示したのがλ
ｓ＝０の組成であり、斜線で示す領域が指歪（λｓ）の
絶対値で５×10-7以下の領域である。
6000G以上を得るためには。Co含有量を81％以上にする
必要があり、また、キュリー温度（Tc）＜結晶化温度
（Tx）の関係を満たすには、Co含有量を85％以下にする
必要がある。また、磁歪零はTa/Hfで示される比率で依
存性があるとともに、磁歪零はCo含有量の依存性もあ
り、低Co含有量になるとTa/Hfの値が２から１へ変化す
る傾向がある。更に、第１図に１点鎖線で示したのがλ
ｓ＝０の組成であり、斜線で示す領域が指歪（λｓ）の
絶対値で５×10-7以下の領域である。
第２図は、Co−Ta−Hf系の合金における飽和磁束密度
（Bs）とキュリー温度（Tc）と結晶化温度（Tx）の組成
依存性を示した。
（Bs）とキュリー温度（Tc）と結晶化温度（Tx）の組成
依存性を示した。
第２図から明らかなように、Co濃度が81％以上でBsが
6000G以上となるとともに、Co含有量が85％でBsが9000G
となり、しかもこの濃度でTcTxとなる。
6000G以上となるとともに、Co含有量が85％でBsが9000G
となり、しかもこの濃度でTcTxとなる。
従ってTc＜Txの関係は、Coの濃度85％以下（Bs9000
G以下）で実現することが可能であり、その場合無磁場
焼鈍が可能となることが明らかである。即ちCo濃度に関
し、81〜85％の範囲が好ましいことが判明した。
G以下）で実現することが可能であり、その場合無磁場
焼鈍が可能となることが明らかである。即ちCo濃度に関
し、81〜85％の範囲が好ましいことが判明した。
第３図は、Co−Ta−Hf系合金のＢ−Ｔカーブの組成依
存性を示す。第３図において、で示す曲線は、Co84Ta
10.3Hf5.7で示される本発明組成範囲に近い組成を有す
る非晶質合金薄膜（Bs8000G）の磁化の温度変化を示
すとともに、で示す曲線は、Co87Ta9Hf4で示される本
発明外の組成を有する非晶質合金薄膜（Bs11000G）の
磁化の温度変化を示す。
存性を示す。第３図において、で示す曲線は、Co84Ta
10.3Hf5.7で示される本発明組成範囲に近い組成を有す
る非晶質合金薄膜（Bs8000G）の磁化の温度変化を示
すとともに、で示す曲線は、Co87Ta9Hf4で示される本
発明外の組成を有する非晶質合金薄膜（Bs11000G）の
磁化の温度変化を示す。
の曲線で示される非晶質合金薄膜の場合Tc1＜Ｔ＜T
x1の温度で焼鈍を行えば、磁気異方性の誘起を防止しつ
つ高い透磁率を得ることができる。また、の曲線で示
される非晶質合金薄膜の場合、Tx2＜Tc2となり、Tx2以
下のある温度で焼鈍を行っても、Tc2以上であるため、
磁気異方性が残り、透磁率は低い状態のままである。な
お、一般に、Tx＜Tcの場合は、磁界中焼鈍を行うことに
より高い透磁率を得ることが可能であることが知られて
おり、例えば、回転磁界中焼鈍により磁気異方性を防止
することができるが、高価で大規模な磁場発生装置が必
要で処理数も限られるために生産性が低下する。
x1の温度で焼鈍を行えば、磁気異方性の誘起を防止しつ
つ高い透磁率を得ることができる。また、の曲線で示
される非晶質合金薄膜の場合、Tx2＜Tc2となり、Tx2以
下のある温度で焼鈍を行っても、Tc2以上であるため、
磁気異方性が残り、透磁率は低い状態のままである。な
お、一般に、Tx＜Tcの場合は、磁界中焼鈍を行うことに
より高い透磁率を得ることが可能であることが知られて
おり、例えば、回転磁界中焼鈍により磁気異方性を防止
することができるが、高価で大規模な磁場発生装置が必
要で処理数も限られるために生産性が低下する。
第４図は、本発明組成範囲に近い組成（Co84Ta10.3Hf
5.7）のCo−Ta−Hf系の非晶質合金と従来のCo−Nb−Zr
系の非晶質合金（Co87.5Nb13Zr4.5）の同一飽和磁束密
度（8000G）における耐熱性の比較結果を示す。
5.7）のCo−Ta−Hf系の非晶質合金と従来のCo−Nb−Zr
系の非晶質合金（Co87.5Nb13Zr4.5）の同一飽和磁束密
度（8000G）における耐熱性の比較結果を示す。
従来例のCo−Nb−Zr系の非晶質合金は、透磁率（μ）
と保磁力（Hc）の劣化の様子から、耐熱温度が500℃付
近であるのに対し、本発明組成に近い組成のCo−Ta−Hf
系の非晶質合金では540℃程度の高い耐熱性を示すこと
が判明した。
と保磁力（Hc）の劣化の様子から、耐熱温度が500℃付
近であるのに対し、本発明組成に近い組成のCo−Ta−Hf
系の非晶質合金では540℃程度の高い耐熱性を示すこと
が判明した。
第５図は、Co−Ta−Hf系の非晶質合金の透磁率と耐熱
性の比較結果を示す。第５図においてで示す曲線は、
Co81Ta11Hf8で示す組成の非晶質合金（Bs6000G）の特
性であって、で示す曲線は、Co84Ta10.3Hf5.7で示す
組成の非晶質合金（Bs8000G）の特性であり、で示
す曲線はCo85Ta10Hf5で示す組成の非晶質合金（Bs900
0G）の特性であり、で示す曲線はCo87Ta9Hf4で示す非
晶質合金（Bs11000G）の特性を示す。
性の比較結果を示す。第５図においてで示す曲線は、
Co81Ta11Hf8で示す組成の非晶質合金（Bs6000G）の特
性であって、で示す曲線は、Co84Ta10.3Hf5.7で示す
組成の非晶質合金（Bs8000G）の特性であり、で示
す曲線はCo85Ta10Hf5で示す組成の非晶質合金（Bs900
0G）の特性であり、で示す曲線はCo87Ta9Hf4で示す非
晶質合金（Bs11000G）の特性を示す。
第５図に示すの曲線は本発明の組成を有する非晶質
合金の特性を示すものであり、焼鈍によって透磁率を向
上できることが明らかである。これに対し、の曲線で
示す本発明外の組成の非晶質合金は透磁率の向上効果が
望めない。また、，の曲線で示す本発明外の組成の
非晶質合金は、透磁率向上効果は認められるものの、そ
の向上割合はの曲線で示す本発明の非晶質合金よりも
少ないことが明らかである。
合金の特性を示すものであり、焼鈍によって透磁率を向
上できることが明らかである。これに対し、の曲線で
示す本発明外の組成の非晶質合金は透磁率の向上効果が
望めない。また、，の曲線で示す本発明外の組成の
非晶質合金は、透磁率向上効果は認められるものの、そ
の向上割合はの曲線で示す本発明の非晶質合金よりも
少ないことが明らかである。
第６図はCo−Ta−Hf系の非晶質合金の保磁力と耐熱性
の比較結果を示す。第６図に示す〜の各試料は第５
に示す試料と同等の組成を有する非晶質合金である。
の比較結果を示す。第６図に示す〜の各試料は第５
に示す試料と同等の組成を有する非晶質合金である。
第６図に示す結果から明らかなように、本発明の組成
の非晶質合金は560℃程度までの耐熱性を示し、従来
の非晶質合金に比較して耐熱性に優れていることが明ら
かである。
の非晶質合金は560℃程度までの耐熱性を示し、従来
の非晶質合金に比較して耐熱性に優れていることが明ら
かである。
このため本発明組成の非晶質合金で磁気ヘッドを製造
する場合、500℃を越える温度でガラスボンディングを
行うことができ、ガラスボンディングの信頼性が向上す
るとともに、耐食性が向上することが明らかである。な
お、ガラスボンディングの温度を向上できるので、ガラ
スボンディングに用いるガラスの選択幅が広がる効果が
ある。
する場合、500℃を越える温度でガラスボンディングを
行うことができ、ガラスボンディングの信頼性が向上す
るとともに、耐食性が向上することが明らかである。な
お、ガラスボンディングの温度を向上できるので、ガラ
スボンディングに用いるガラスの選択幅が広がる効果が
ある。
「発明の効果」 以上説明したように本発明の非晶質合金は、従来のこ
の種の合金に比較して耐熱性が向上したので、高耐熱性
の磁気ヘッド用の非晶質合金薄膜を得ることが可能にな
り、従来より高い温度でガラスボンディングが可能にな
る効果がある。従って本発明の非晶質合金を用いて磁気
ヘッドを形成するとガラスボンディングが従来より高い
温度で可能になり、磁気ヘッドの信頼性を向上させるこ
とができる。また、Coを81〜83原子％、Taを８〜13原子
％、Hfを５〜10原子％の特定の範囲で含有させることに
より、キュリー温度（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を
確実に満足させることができ、これにより、無磁場中に
おける焼鈍で磁気特性を向上できるので、ガラスボンデ
ィングの工程と熱処理工程を兼ねることができ、磁気ヘ
ッドの製造工程の簡略化をなしえ、量産性を高めること
ができる効果がある。更にまた、本発明の組成とするこ
とにより、磁歪を低くすることができ、磁歪が０あるい
は絶対値で５×10-7以下の非晶質合金が得られる。
の種の合金に比較して耐熱性が向上したので、高耐熱性
の磁気ヘッド用の非晶質合金薄膜を得ることが可能にな
り、従来より高い温度でガラスボンディングが可能にな
る効果がある。従って本発明の非晶質合金を用いて磁気
ヘッドを形成するとガラスボンディングが従来より高い
温度で可能になり、磁気ヘッドの信頼性を向上させるこ
とができる。また、Coを81〜83原子％、Taを８〜13原子
％、Hfを５〜10原子％の特定の範囲で含有させることに
より、キュリー温度（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を
確実に満足させることができ、これにより、無磁場中に
おける焼鈍で磁気特性を向上できるので、ガラスボンデ
ィングの工程と熱処理工程を兼ねることができ、磁気ヘ
ッドの製造工程の簡略化をなしえ、量産性を高めること
ができる効果がある。更にまた、本発明の組成とするこ
とにより、磁歪を低くすることができ、磁歪が０あるい
は絶対値で５×10-7以下の非晶質合金が得られる。
第１図はCoとTaとHfの組成比と良好な磁気特性の関係を
総合的に示す略３角組成図、第２図ないし第６図は、本
発明の非晶質合金の試験結果を示すもので、第２図は飽
和磁束密度および結晶化温度およびキュリー温度に対す
るCo濃度の関係を示す線図、第３図は飽和磁束密度と温
度の関係を示す線図、第４図は透磁率と保磁力に対する
飽和温度の関係を示す線図、第５図は透磁率に対する焼
鈍温度の関係を示す線図、第６図は保磁力に対する焼鈍
温度の関係を示す線図である。
総合的に示す略３角組成図、第２図ないし第６図は、本
発明の非晶質合金の試験結果を示すもので、第２図は飽
和磁束密度および結晶化温度およびキュリー温度に対す
るCo濃度の関係を示す線図、第３図は飽和磁束密度と温
度の関係を示す線図、第４図は透磁率と保磁力に対する
飽和温度の関係を示す線図、第５図は透磁率に対する焼
鈍温度の関係を示す線図、第６図は保磁力に対する焼鈍
温度の関係を示す線図である。
Claims (1)
- 【請求項１】CoxTayHfzで示される組成を有し、組成比
x,y,zを原子％で 81％＜ｘ＜83％ ８％＜ｙ＜13％ ５％＜ｚ＜10％ １＜y/z＜2.5 （ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝100％）の範囲としてなり、キュ
リー温度（Tc）＜結晶化温度（Tx）の関係を満足してな
ることを特徴とする耐熱性非晶質合金。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068844A JP2548769B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 耐熱性非晶質合金 |
| KR1019890001238A KR920004682B1 (ko) | 1988-03-23 | 1989-02-02 | 내열성 비정질합금 |
| US07/307,859 US4936929A (en) | 1988-03-23 | 1989-02-07 | Refractory amorphous Co-Ta-Hf alloy |
| GB8906211A GB2216544B (en) | 1988-03-23 | 1989-03-17 | Refractory amorphous alloys |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068844A JP2548769B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 耐熱性非晶質合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242748A JPH01242748A (ja) | 1989-09-27 |
| JP2548769B2 true JP2548769B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=13385402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068844A Expired - Lifetime JP2548769B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 耐熱性非晶質合金 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4936929A (ja) |
| JP (1) | JP2548769B2 (ja) |
| KR (1) | KR920004682B1 (ja) |
| GB (1) | GB2216544B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0665662A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-08 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943837A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-12 | Hitachi Ltd | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
| JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2832731A1 (de) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Vacuumschmelze Gmbh | Magnetkern aus einer weichmagnetischen amorphen legierung |
| US4578728A (en) * | 1981-12-09 | 1986-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| JPS6021508A (ja) * | 1983-07-16 | 1985-02-02 | Alps Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6021504A (ja) * | 1983-07-16 | 1985-02-02 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性材料 |
| JPS61142520A (ja) * | 1985-12-13 | 1986-06-30 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068844A patent/JP2548769B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-02 KR KR1019890001238A patent/KR920004682B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-02-07 US US07/307,859 patent/US4936929A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-17 GB GB8906211A patent/GB2216544B/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943837A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-12 | Hitachi Ltd | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
| JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2216544B (en) | 1991-04-17 |
| US4936929A (en) | 1990-06-26 |
| GB8906211D0 (en) | 1989-05-04 |
| JPH01242748A (ja) | 1989-09-27 |
| KR890014768A (ko) | 1989-10-25 |
| KR920004682B1 (ko) | 1992-06-13 |
| GB2216544A (en) | 1989-10-11 |
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Legal Events
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