JPH01242748A - 耐熱性非晶質合金 - Google Patents
耐熱性非晶質合金Info
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- JPH01242748A JPH01242748A JP63068844A JP6884488A JPH01242748A JP H01242748 A JPH01242748 A JP H01242748A JP 63068844 A JP63068844 A JP 63068844A JP 6884488 A JP6884488 A JP 6884488A JP H01242748 A JPH01242748 A JP H01242748A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は各種の磁気ヘッド等に用いられる金属−金属系
非晶質合金に係り、特に、熱的安定性に優れ、軟磁気特
性に浸れたものに関する。
非晶質合金に係り、特に、熱的安定性に優れ、軟磁気特
性に浸れたものに関する。
「従来の技術−１
金属−金属系の非晶質合金は、非金属を有する従来の金
属−半金属系の非晶質合金に比較して、結晶化温度が高
く、また、耐食性にら優れ、更に、特定の成分のものは
、磁歪ら小さく、軟磁気特性にも優れたものであるため
、ガラスボンディング等の熱履歴を経る磁気ヘッド用の
材料として用いられている。
属−半金属系の非晶質合金に比較して、結晶化温度が高
く、また、耐食性にら優れ、更に、特定の成分のものは
、磁歪ら小さく、軟磁気特性にも優れたものであるため
、ガラスボンディング等の熱履歴を経る磁気ヘッド用の
材料として用いられている。
ここで一般に、磁気ヘッド用の非晶質合金に要求される
条件は以下に記載する条件である。
条件は以下に記載する条件である。
■磁歪（λＳ）が０であること。あるいはえＳ＝０であ
ること。。
ること。。
■飽和磁束密度（Ｂ ｓ）が大きいこと。
■結晶化温度（Ｔ ｘ）が高いこと。
■耐熱性が高いこと。
■キュリー温度（Ｔｃ）＜結晶化温度（ＴＸ）の関係を
満たすこと。
満たすこと。
これらの各条件において、まず、■の条件について検討
すると、磁歪の大きさは極めて重要な条件であって、例
えば、薄膜磁気ヘッドを製逍するためにフェライト基板
などに非晶質合金薄、番を、成殺した場合、磁歪の大き
さにより生じる応力によって非晶質合金薄膜に磁気異方
性が誘起される。ま几、ガラスボンディング等の熱応力
によっても磁気異方性か誘起されて耐熱性の劣化の領置
となるために、λＳ＝ＯあるいはえＳ＝Ｏの組成を得る
ことが重要である。なお、高性能の磁気ヘッドを得るに
めには、磁歪の絶対値を５ｘｌｏ−７程度以下までの低
磁歪に抑える必要かある。
すると、磁歪の大きさは極めて重要な条件であって、例
えば、薄膜磁気ヘッドを製逍するためにフェライト基板
などに非晶質合金薄、番を、成殺した場合、磁歪の大き
さにより生じる応力によって非晶質合金薄膜に磁気異方
性が誘起される。ま几、ガラスボンディング等の熱応力
によっても磁気異方性か誘起されて耐熱性の劣化の領置
となるために、λＳ＝ＯあるいはえＳ＝Ｏの組成を得る
ことが重要である。なお、高性能の磁気ヘッドを得るに
めには、磁歪の絶対値を５ｘｌｏ−７程度以下までの低
磁歪に抑える必要かある。
よｆ：、前記の６条件において、■の条件と■〜、わの
条件は全く相反する条件である。即ち、飽和磁束密度は
大きいことが望まれるか、飽和磁束密度を増大すると結
晶化温度が低下し、耐熱性が低下４゛る。しかも、飽和
磁束密度が増大すると、結晶化温度（Ｔ ｘ）とキュリ
ー温度（Ｔ ｃ）が逆転してＴｃ ＜ ’Ｉ’ Ｘの関
係が保てなくなるために、磁気異方性を解消する目的で
行うキュリー温間以上の熱処理か実施困難になる問題が
ある。更に、磁気ヘッドの噴産性という而から検討する
と、Ｔｃ＜ＴＸの関係が成り立たなくなった場合に熱処
理を行うとすれば、磁界中で焼鈍を行うことが必要にな
るために、磁場発生装置等の大規模な設備が必要になる
とともに処理ｆｎが限られて生産性が低下してしまう問
題がある。
条件は全く相反する条件である。即ち、飽和磁束密度は
大きいことが望まれるか、飽和磁束密度を増大すると結
晶化温度が低下し、耐熱性が低下４゛る。しかも、飽和
磁束密度が増大すると、結晶化温度（Ｔ ｘ）とキュリ
ー温度（Ｔ ｃ）が逆転してＴｃ ＜ ’Ｉ’ Ｘの関
係が保てなくなるために、磁気異方性を解消する目的で
行うキュリー温間以上の熱処理か実施困難になる問題が
ある。更に、磁気ヘッドの噴産性という而から検討する
と、Ｔｃ＜ＴＸの関係が成り立たなくなった場合に熱処
理を行うとすれば、磁界中で焼鈍を行うことが必要にな
るために、磁場発生装置等の大規模な設備が必要になる
とともに処理ｆｎが限られて生産性が低下してしまう問
題がある。
従って非晶質合金において前記のようにＴｃ＜ＴＸの関
係が成立するならば、無磁場焼鈍が実現でき、ガラスボ
ンディングと同時に焼鈍ら行うことができる。
係が成立するならば、無磁場焼鈍が実現でき、ガラスボ
ンディングと同時に焼鈍ら行うことができる。
そこで従来、これらの条件を満たしうる合金として、Ｃ
ｏ−Ｎ ｂ−Ｚ ｒ系の非晶質合金が知られており、こ
の系の合金において安定して熱処理を行える温度は４８
０〜５００℃程度であることが知ろれている。
ｏ−Ｎ ｂ−Ｚ ｒ系の非晶質合金が知られており、こ
の系の合金において安定して熱処理を行える温度は４８
０〜５００℃程度であることが知ろれている。
［発明が解決しようとする課題」
ところで、ガラスボンディングを行って磁気ヘッドを製
造する場合、処理温度を高く設定した方が磁気ヘッドの
信頼性を向上できることが知られいるが、前述のＣｏ−
Ｎ ｂ−Ｚ ｒ系の非晶質合金の場合のような４８０〜
５００℃程度の処理温度で行うガラスボンディングは、
現在のところ、はなはた信頼性に欠け、腐食などの問題
を生じ易いものであり、このようなガラスボンディング
で得られる磁気ヘッドの信頼性もまた不十分なものであ
った。
造する場合、処理温度を高く設定した方が磁気ヘッドの
信頼性を向上できることが知られいるが、前述のＣｏ−
Ｎ ｂ−Ｚ ｒ系の非晶質合金の場合のような４８０〜
５００℃程度の処理温度で行うガラスボンディングは、
現在のところ、はなはた信頼性に欠け、腐食などの問題
を生じ易いものであり、このようなガラスボンディング
で得られる磁気ヘッドの信頼性もまた不十分なものであ
った。
なお、最近に至り、非晶質合金を用いる磁気ヘット用な
どのガラスボンディング材として、低融点カラスが開発
され、比較的低温度での接着が可能にｊよなってきてい
るが、この低融点ガラスを用い１こガラスホンディング
は未だ信頼性に欠ける問題がある。
どのガラスボンディング材として、低融点カラスが開発
され、比較的低温度での接着が可能にｊよなってきてい
るが、この低融点ガラスを用い１こガラスホンディング
は未だ信頼性に欠ける問題がある。
本発明は、前記課題を解決するためになされた乙ので、
熱的安定性に優れ、良好な軟磁気特性を灯し、ｆＴ１産
性に富み、５００℃を超える熱処理が可能な耐熱性非晶
質合金を提供することを目的とする。
熱的安定性に優れ、良好な軟磁気特性を灯し、ｆＴ１産
性に富み、５００℃を超える熱処理が可能な耐熱性非晶
質合金を提供することを目的とする。
ニー課題を解決するための手段」
本発明の非晶質合金は、ＣＯとＴａとＨｆからなろ欽Ｂ
性非晶質３元合金であって、 ＣＯＸ Ｔ ａｙ ）ｆ ｒｚで示される組成を有し、
組成比ｘ 、ｙ 、ｚを原子％で ８１％〈Ｘ〈８５％ ８％＜ ｙ ＜ ｌ ３％ ５％＜Ｚ＜ Ｉ ０％ １ ＜ ｙ ／ ｚ ＜ ２ 、５ （ただしＸ＋ｙ＋Ｚ＝＋００％） とすることを課題解決の手段としたものである。
性非晶質３元合金であって、 ＣＯＸ Ｔ ａｙ ）ｆ ｒｚで示される組成を有し、
組成比ｘ 、ｙ 、ｚを原子％で ８１％〈Ｘ〈８５％ ８％＜ ｙ ＜ ｌ ３％ ５％＜Ｚ＜ Ｉ ０％ １ ＜ ｙ ／ ｚ ＜ ２ 、５ （ただしＸ＋ｙ＋Ｚ＝＋００％） とすることを課題解決の手段としたものである。
これらの元素の内、Ｔａは非晶質化元素であり、Ｇ ｏ
−Ｔ ａ系合金の負磁歪をＨｒで解消し、磁歪零を実現
することができる。
−Ｔ ａ系合金の負磁歪をＨｒで解消し、磁歪零を実現
することができる。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
入力電力２００Ｗの高周波スパッタリング装置に、４イ
ンチ径のＧ ｏ−Ｔ ａ−Ｈｒ系合金ターゲットをセッ
トするとともに、５ Ｘ Ｉ ０−３ＴｏｒｒのＡｒガ
ス圧下でスパッタリングを行うことによって、基板上に
厚さ５μｍ程度ｏ：）Ｇ ｏ−Ｔ ａ−Ｉｉ ｆ系非晶
質合金薄膜を形成する。このような工程により形成され
る薄膜の組成を種々変更したちのを試料として用意し、
これらの試料を用いて後述する種々の試験を行った。
ンチ径のＧ ｏ−Ｔ ａ−Ｈｒ系合金ターゲットをセッ
トするとともに、５ Ｘ Ｉ ０−３ＴｏｒｒのＡｒガ
ス圧下でスパッタリングを行うことによって、基板上に
厚さ５μｍ程度ｏ：）Ｇ ｏ−Ｔ ａ−Ｉｉ ｆ系非晶
質合金薄膜を形成する。このような工程により形成され
る薄膜の組成を種々変更したちのを試料として用意し、
これらの試料を用いて後述する種々の試験を行った。
第１図はＣｏ−Ｔ ａｉ−１ｒ系の非晶質合金におｉ）
る零磁歪、低磁歪領域を示すもので、斜線で示した領域
は良好な磁気特性を示す範囲である。この頌域は、Ｃｏ
含Ｆｉ’ｆｆｔ８１〜８５％、Ｔａ含有量８〜１３％、
Ｉ−１ｆ含有量５〜１０％の領域である。
る零磁歪、低磁歪領域を示すもので、斜線で示した領域
は良好な磁気特性を示す範囲である。この頌域は、Ｃｏ
含Ｆｉ’ｆｆｔ８１〜８５％、Ｔａ含有量８〜１３％、
Ｉ−１ｆ含有量５〜１０％の領域である。
Ｃｏ含有量は飽和磁束密度で限定され、飽和磁束；ｑ度
で６０００Ｇ以上を得ろためには。Ｃｏ含有量を８１％
以上にする必要があり、また、キュリー温度（Ｔｃ）＜
結晶化温度（Ｔｘ）の関係を満たずには、Ｃｏ含有量を
８５％以下にする必要がある。
で６０００Ｇ以上を得ろためには。Ｃｏ含有量を８１％
以上にする必要があり、また、キュリー温度（Ｔｃ）＜
結晶化温度（Ｔｘ）の関係を満たずには、Ｃｏ含有量を
８５％以下にする必要がある。
また、磁歪界はＴ ａ／ ｔｒ ｒで示される比率で依
存性があるとともに、磁歪界はＣｏ含有量の依存性もあ
り、低Ｃｏ含有量になるとＴ ａ／ Ｉ（ｆの値が２か
ら１へ変化する傾向がある。更に、第１図に１点鎖線で
示したのがλＳ＝Ｏの組成であり、斜線で示す領域か磁
歪（λＳ）の絶対値で５ｘｌｏ−７以下の領域である。
存性があるとともに、磁歪界はＣｏ含有量の依存性もあ
り、低Ｃｏ含有量になるとＴ ａ／ Ｉ（ｆの値が２か
ら１へ変化する傾向がある。更に、第１図に１点鎖線で
示したのがλＳ＝Ｏの組成であり、斜線で示す領域か磁
歪（λＳ）の絶対値で５ｘｌｏ−７以下の領域である。
第２図は、Ｃｏ−Ｔ ａ−１１ｆ系の合金１こおける飽
和磁束密度（Ｂ ｓ）とキュリー温度（Ｔ ｃ）と結晶
化温度ＣＴＸ）の組成依存性を示した。
和磁束密度（Ｂ ｓ）とキュリー温度（Ｔ ｃ）と結晶
化温度ＣＴＸ）の組成依存性を示した。
第２図から明らかなように、ＣＯ濃度が８１％以上でＢ
ｓか６０００Ｇ以上となるとともに、Ｇ。
ｓか６０００Ｇ以上となるとともに、Ｇ。
含有量が８５％でＢｓが９０００Ｇとなり、しかもこの
濃度でＴｃ＝Ｔｘとなる。
濃度でＴｃ＝Ｔｘとなる。
従ってＴｃ＜Ｔｘの関係は、Ｃｏの濃度８５％以下（Ｂ
ｓ＝９０００Ｇ以下）で実現することが可能であり、そ
の場合無磁場焼鈍が可能となることが明らかである。即
ちＣｏｆｉ度に関し、８１〜８５％の範囲が好ましいこ
とが判明した。
ｓ＝９０００Ｇ以下）で実現することが可能であり、そ
の場合無磁場焼鈍が可能となることが明らかである。即
ちＣｏｆｉ度に関し、８１〜８５％の範囲が好ましいこ
とが判明した。
第３図は、Ｃｏ−Ｔ ａ−Ｈｆ系合金のＢ−Ｔカーブの
組成依存性を示す。第３図において、■で示す曲線は、
Ｃ０８４Ｔ ａ＋ｏ、３Ｈｒ５．７で示される本発明の
組成を有する非晶質合金薄膜（Ｂｓユ８０００Ｇ）の磁
化の温度変化を示すとともに、■で示す曲線は、Ｃ０８
？Ｔ ａｓＨ「４で示される本発明外の組成を有する非
晶質合金薄膜（Ｂｓ＝ＩＩＯ００Ｇ）の磁化の温度変化
を示す。
組成依存性を示す。第３図において、■で示す曲線は、
Ｃ０８４Ｔ ａ＋ｏ、３Ｈｒ５．７で示される本発明の
組成を有する非晶質合金薄膜（Ｂｓユ８０００Ｇ）の磁
化の温度変化を示すとともに、■で示す曲線は、Ｃ０８
？Ｔ ａｓＨ「４で示される本発明外の組成を有する非
晶質合金薄膜（Ｂｓ＝ＩＩＯ００Ｇ）の磁化の温度変化
を示す。
■の曲線で示される非晶質合金薄膜の場合Ｔｃ。
＜Ｔ＜Ｔｘ、の温度で焼鈍を行えば、磁気穴方性の誘起
を防止しつつ高い透磁率を得ることができる。
を防止しつつ高い透磁率を得ることができる。
また、■の曲線で示される非晶質合金薄膜の場合、Ｔｘ
、＜Ｔｃ、となり、Ｔｘｔ以下のある温度で焼鈍を行っ
ても、Ｔａｘ以上であるため、磁気異方性が残り、透磁
率は低い状態のままである。なお、一般に、ＴＸ＜ＴＣ
の場合は、磁界中焼鈍を行うことにより高い透磁率を得
ることが可能であることが知られており、例えば、回転
磁界中焼鈍により磁気異方性を防止することができるが
、高価で大規模な磁場発生装置が必要で処理数も限られ
るために生産性が低下する。
、＜Ｔｃ、となり、Ｔｘｔ以下のある温度で焼鈍を行っ
ても、Ｔａｘ以上であるため、磁気異方性が残り、透磁
率は低い状態のままである。なお、一般に、ＴＸ＜ＴＣ
の場合は、磁界中焼鈍を行うことにより高い透磁率を得
ることが可能であることが知られており、例えば、回転
磁界中焼鈍により磁気異方性を防止することができるが
、高価で大規模な磁場発生装置が必要で処理数も限られ
るために生産性が低下する。
第４図は、本発明組成（ＣＯ［１４Ｔ ａ＋ｏ、Ｊ４
ｆｓ、ｔ）のＧ ｏ−Ｔ ａ−Ｈｆ系の非晶質合金と従
来のＣｏ−Ｎ ｂ−Ｚ ｒ系の非晶質合金（ＣＱ＆？、
５Ｎ ｂ、３Ｚ ｒ＜、５＞の同一飽和磁束密度（８０
００Ｇ）における耐熱性の比較結果を示す。
ｆｓ、ｔ）のＧ ｏ−Ｔ ａ−Ｈｆ系の非晶質合金と従
来のＣｏ−Ｎ ｂ−Ｚ ｒ系の非晶質合金（ＣＱ＆？、
５Ｎ ｂ、３Ｚ ｒ＜、５＞の同一飽和磁束密度（８０
００Ｇ）における耐熱性の比較結果を示す。
従来例のＣｏ−Ｎ ｂ−Ｚ ｒ系の非晶質合金は、透磁
率（μ）と保磁力（Ｈｃ）の劣化の様子から、耐熱温度
が５００℃付近であるのに対し、本発明組成のＣｏ−Ｔ
ａ−１（ｆ系の非晶質合金では５・１０Ｔ程度の高い
耐熱性を示すことが判明した。
率（μ）と保磁力（Ｈｃ）の劣化の様子から、耐熱温度
が５００℃付近であるのに対し、本発明組成のＣｏ−Ｔ
ａ−１（ｆ系の非晶質合金では５・１０Ｔ程度の高い
耐熱性を示すことが判明した。
第５図は、Ｃｏ−Ｔ ａ−Ｈｒ系の非晶質合金の透磁率
と耐熱性の比較結果を示す。第５図において■で示す曲
線は、ＣＯａ＋Ｔａｚｌ−１ｆ’８で示す組成の非晶質
合金（Ｂｓ二６０００Ｇ）の特性であって、■で示す曲
線は、Ｃ０１１４Ｔ ａ＋ｏ、３Ｉ−（「ｓ、７で示ず
組成の非晶質合金（Ｂｓ＝ ８０００ Ｇ）の特性であ
り、■で示す曲線はＣｏｓ５Ｔ ａ＋ｏＨｆｓで示す組
成の非晶質合金（Ｂｓ＝９０００ Ｇ）の特性であり、
■で示す曲線はＣｏａ。Ｔ ａｓＨｆ’ｔで示す非晶質
合金（Ｂｓ＝ｌ１０００Ｇ）の特性を示す。
と耐熱性の比較結果を示す。第５図において■で示す曲
線は、ＣＯａ＋Ｔａｚｌ−１ｆ’８で示す組成の非晶質
合金（Ｂｓ二６０００Ｇ）の特性であって、■で示す曲
線は、Ｃ０１１４Ｔ ａ＋ｏ、３Ｉ−（「ｓ、７で示ず
組成の非晶質合金（Ｂｓ＝ ８０００ Ｇ）の特性であ
り、■で示す曲線はＣｏｓ５Ｔ ａ＋ｏＨｆｓで示す組
成の非晶質合金（Ｂｓ＝９０００ Ｇ）の特性であり、
■で示す曲線はＣｏａ。Ｔ ａｓＨｆ’ｔで示す非晶質
合金（Ｂｓ＝ｌ１０００Ｇ）の特性を示す。
第５図に示す■、■、■の曲線はいずれら本発明の組成
を有する非晶質合金の特性を示すものであり、焼鈍によ
って透ｍ率を向上できることが明らかである。これに対
し、■の曲線で示す本発明外の組成の非晶質合金は透磁
率の向上効果が望めｔい。
を有する非晶質合金の特性を示すものであり、焼鈍によ
って透ｍ率を向上できることが明らかである。これに対
し、■の曲線で示す本発明外の組成の非晶質合金は透磁
率の向上効果が望めｔい。
第６図はＧ ｏ−Ｔ ａ−Ｈｆ系の非晶質合金の保磁力
と耐熱性の比較結果を示す。第６図に示す■〜■の各試
料は第５図に示す試料と同等の組成を打オる非晶質合金
である。
と耐熱性の比較結果を示す。第６図に示す■〜■の各試
料は第５図に示す試料と同等の組成を打オる非晶質合金
である。
第６図に示す結果から明らかなように、本発明の組成の
非晶質合金■、■、■はいずれら５２０°Ｃ程度まての
耐熱性を示し、従来の非晶質合金に比較して耐熱性に優
れていることが明らかである。
非晶質合金■、■、■はいずれら５２０°Ｃ程度まての
耐熱性を示し、従来の非晶質合金に比較して耐熱性に優
れていることが明らかである。
このため本発明組成の非晶質合金で磁気ヘッドを製造す
る場合、５００℃を越える温度でガラスボンディングを
行うことができ、ガラスボンディングの信頼性が向上す
るととらに、耐食性が向上することが明らかである。な
お、ガラスボンディングの温度を向上できるので、ガラ
スボンディングに用いるガラスの選択幅が広がる効果が
ある。
る場合、５００℃を越える温度でガラスボンディングを
行うことができ、ガラスボンディングの信頼性が向上す
るととらに、耐食性が向上することが明らかである。な
お、ガラスボンディングの温度を向上できるので、ガラ
スボンディングに用いるガラスの選択幅が広がる効果が
ある。
「発明の効果」
以上説明したように本発明の非晶質合金は、従来のこの
種の合金に比較して耐熱性が向上したので、高耐熱性の
磁気ヘッド用の非晶質合金薄膜を得ろことが可能になり
、従来より高い温度でガラスボンディングが可能になる
効果がある。従って本発明の非晶質合金を用いて磁気ヘ
ッドを形成するとガラスボンディングが従来より高い温
度で可能になり、磁気ヘッドの信頼性を向上させること
かできる。また、無磁場中における焼鈍で磁気特性を向
上できるので、ガラスボンディングの工程と熱処理工程
を兼ねることができ、磁気ヘッドの製造工程の簡略化を
なしえ、量産性を高めることかできる効果がある。
種の合金に比較して耐熱性が向上したので、高耐熱性の
磁気ヘッド用の非晶質合金薄膜を得ろことが可能になり
、従来より高い温度でガラスボンディングが可能になる
効果がある。従って本発明の非晶質合金を用いて磁気ヘ
ッドを形成するとガラスボンディングが従来より高い温
度で可能になり、磁気ヘッドの信頼性を向上させること
かできる。また、無磁場中における焼鈍で磁気特性を向
上できるので、ガラスボンディングの工程と熱処理工程
を兼ねることができ、磁気ヘッドの製造工程の簡略化を
なしえ、量産性を高めることかできる効果がある。
第１図はＧｏとＴａと１−１ ｆの組成比と良好な＠気
持性の関係を総合的に示す略３角組成図、第２図ないし
第６図は、本発明の非晶質合金の試験結果を示すもので
、第２図は飽和磁束密度および結晶化温度およびキュリ
ー温度に対するＣＯａ度の関係を示す線図、第３図は飽
和磁束密度と温度の関係を示す線図、第４図は透磁率と
保磁力に対する焼鈍温度の関係を示す線図、第５図は透
磁率に対する焼鈍温度の関係を示す線図、第６図は保磁
力に対する焼鈍温度の関係を示す線図である。
持性の関係を総合的に示す略３角組成図、第２図ないし
第６図は、本発明の非晶質合金の試験結果を示すもので
、第２図は飽和磁束密度および結晶化温度およびキュリ
ー温度に対するＣＯａ度の関係を示す線図、第３図は飽
和磁束密度と温度の関係を示す線図、第４図は透磁率と
保磁力に対する焼鈍温度の関係を示す線図、第５図は透
磁率に対する焼鈍温度の関係を示す線図、第６図は保磁
力に対する焼鈍温度の関係を示す線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｏ＿ｘＴａ＿ｙＨｆ＿ｚで示される組成を有し、組成
比ｘ，ｙ，ｚを原子％で ８１％＜ｘ＜８５％ ８％＜ｙ＜１３％ ５％＜ｚ＜１０％ １＜ｙ／ｚ＜２．５ （ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％） の範囲としてなることを特徴とする耐熱性非晶質合金。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068844A JP2548769B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 耐熱性非晶質合金 |
| KR1019890001238A KR920004682B1 (ko) | 1988-03-23 | 1989-02-02 | 내열성 비정질합금 |
| US07/307,859 US4936929A (en) | 1988-03-23 | 1989-02-07 | Refractory amorphous Co-Ta-Hf alloy |
| GB8906211A GB2216544B (en) | 1988-03-23 | 1989-03-17 | Refractory amorphous alloys |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068844A JP2548769B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 耐熱性非晶質合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242748A true JPH01242748A (ja) | 1989-09-27 |
| JP2548769B2 JP2548769B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=13385402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068844A Expired - Lifetime JP2548769B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 耐熱性非晶質合金 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4936929A (ja) |
| JP (1) | JP2548769B2 (ja) |
| KR (1) | KR920004682B1 (ja) |
| GB (1) | GB2216544B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0665662A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-08 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943837A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-12 | Hitachi Ltd | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
| JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2832731A1 (de) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Vacuumschmelze Gmbh | Magnetkern aus einer weichmagnetischen amorphen legierung |
| US4578728A (en) * | 1981-12-09 | 1986-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| JPS6021504A (ja) * | 1983-07-16 | 1985-02-02 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性材料 |
| JPS6021508A (ja) * | 1983-07-16 | 1985-02-02 | Alps Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS61142520A (ja) * | 1985-12-13 | 1986-06-30 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068844A patent/JP2548769B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-02 KR KR1019890001238A patent/KR920004682B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-02-07 US US07/307,859 patent/US4936929A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-17 GB GB8906211A patent/GB2216544B/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943837A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-12 | Hitachi Ltd | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
| JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0665662A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-08 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2216544A (en) | 1989-10-11 |
| GB8906211D0 (en) | 1989-05-04 |
| JP2548769B2 (ja) | 1996-10-30 |
| KR890014768A (ko) | 1989-10-25 |
| KR920004682B1 (ko) | 1992-06-13 |
| GB2216544B (en) | 1991-04-17 |
| US4936929A (en) | 1990-06-26 |
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Legal Events
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