JPS62164205A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62164205A JPS62164205A JP477286A JP477286A JPS62164205A JP S62164205 A JPS62164205 A JP S62164205A JP 477286 A JP477286 A JP 477286A JP 477286 A JP477286 A JP 477286A JP S62164205 A JPS62164205 A JP S62164205A
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- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- layer
- substrate
- underlayer
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体、特にコンピュータ外部メモリ装
置に用いられる固定磁気ディスクあるいはフレキシブル
ディスクに関するものである。
置に用いられる固定磁気ディスクあるいはフレキシブル
ディスクに関するものである。
近年、コンピュータの小型化や処理能力の増大化に伴い
外部メモリ装置の記憶容量を更に増大させることが要求
されてきている。この要求を満足させるためには、外部
メモリ装置に用いられるメモリディスクも更に記録密度
を増加させる必要があり、このためには記録層を形成す
る磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜
化を促進しなければならない。
外部メモリ装置の記憶容量を更に増大させることが要求
されてきている。この要求を満足させるためには、外部
メモリ装置に用いられるメモリディスクも更に記録密度
を増加させる必要があり、このためには記録層を形成す
る磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜
化を促進しなければならない。
そこで、かかる要求を満足させる１つの方法として、特
公昭５５−１４０５８号公報に示されるように、スパッ
タリング法により記録層を形成する方法が開発された。
公昭５５−１４０５８号公報に示されるように、スパッ
タリング法により記録層を形成する方法が開発された。
こり方法は、鉄あるいは鉄合金をターゲットとし反応ス
パッタリングによりディスク基板上にＦｅＪａの薄膜層
を形成し、その後これを熱酸化してγ−Ｆｅ２Ｏ３とす
るものである。
パッタリングによりディスク基板上にＦｅＪａの薄膜層
を形成し、その後これを熱酸化してγ−Ｆｅ２Ｏ３とす
るものである。
上記の磁気記録媒体においては、磁性層が酸化物である
ため飽和磁束密度が小さく記録媒体として実用に供する
ためには薄層化に限界があった。
ため飽和磁束密度が小さく記録媒体として実用に供する
ためには薄層化に限界があった。
また、２５０℃以上の熱処理過程を必要とするため、ア
ルミニウム合金上にＮ１−Ｐ下地層が形成された基板を
使用した場合、Ｎ１−Ｐ層の帯磁を招き記録特性の劣化
をもたらし安価な該基板を使用できないという不具合を
有していた。本発明は高飽和磁束密度の媒体を特殊下地
層の形成により、薄膜を磁化容易軸方向が膜面内になる
様エピタキシャル成長させ高い保磁力とヒステリシス角
形性を有することに特徴を有する。
ルミニウム合金上にＮ１−Ｐ下地層が形成された基板を
使用した場合、Ｎ１−Ｐ層の帯磁を招き記録特性の劣化
をもたらし安価な該基板を使用できないという不具合を
有していた。本発明は高飽和磁束密度の媒体を特殊下地
層の形成により、薄膜を磁化容易軸方向が膜面内になる
様エピタキシャル成長させ高い保磁力とヒステリシス角
形性を有することに特徴を有する。
従来かかる目的にはＣｒ下地膜が形成されていたが、Ｃ
ｒ下地膜は極めて活性なため雰囲気中の微量０□ガス等
により表面が酸化され、磁性膜の上記エピタキシー成長
に支障をきたし、保磁力、角形比の制御性に困難を有し
ていた。
ｒ下地膜は極めて活性なため雰囲気中の微量０□ガス等
により表面が酸化され、磁性膜の上記エピタキシー成長
に支障をきたし、保磁力、角形比の制御性に困難を有し
ていた。
ずなわち、背圧１０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空中に５−
２０ ｍＴｏｒｒのＡｒガスを流し、Ｃｒ下地膜を５０
００人スパッタした場合次の磁性膜形成に至る時間の増
大と共にＨｃが低下する傾向を有している。このため背
圧、Ａｒガス純度、下地膜形成後の磁性膜形成時間の制
御が極めて重要となり、かかるＣｒ下地による磁気ディ
スク等の製法では磁性の制御が困難であった。
２０ ｍＴｏｒｒのＡｒガスを流し、Ｃｒ下地膜を５０
００人スパッタした場合次の磁性膜形成に至る時間の増
大と共にＨｃが低下する傾向を有している。このため背
圧、Ａｒガス純度、下地膜形成後の磁性膜形成時間の制
御が極めて重要となり、かかるＣｒ下地による磁気ディ
スク等の製法では磁性の制御が困難であった。
上記従来技術の問題点を解決するために、本発明はＭｎ
、ＭｏまたはＶ下地層上にＣｏ基磁性層が形成されて成
ることを特徴とする磁気記録媒体である。
、ＭｏまたはＶ下地層上にＣｏ基磁性層が形成されて成
ることを特徴とする磁気記録媒体である。
以下本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、Ｍｎ、Ｍｏまたは■下地層上
に磁性層が形成されている。磁性層はＣｏ基合金であり
３５原子％以下のＮｉまたは２０原子％以下のＣｒ、あ
るいはＮｉおよびＣｒの総量が４５原子％以下を含んだ
組成であることが望ましい。この組成に限定した理由は
いずれの組成においても上限を超える場合ｆ、ｃ、ｃ、
相の等軸異方性構造となり、記録媒体に適切な磁気特性
が得られないという理由による。
に磁性層が形成されている。磁性層はＣｏ基合金であり
３５原子％以下のＮｉまたは２０原子％以下のＣｒ、あ
るいはＮｉおよびＣｒの総量が４５原子％以下を含んだ
組成であることが望ましい。この組成に限定した理由は
いずれの組成においても上限を超える場合ｆ、ｃ、ｃ、
相の等軸異方性構造となり、記録媒体に適切な磁気特性
が得られないという理由による。
Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地組及びＣｏ基合金磁性層は、スパッ
タリング、イオンビームスパッタリンク、真空蒸着など
のイオン工学的手段により形成される。
タリング、イオンビームスパッタリンク、真空蒸着など
のイオン工学的手段により形成される。
Ｃｏ基合金磁性層は、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ層上にこの下地層
との２次元的方位関係を満足する結晶成長、所謂エピタ
キシャル成長によりり、ｃ、ｐ、構造を有するＣｏ基合
金の磁化容易軸であるＣ軸方向が磁性面内に傾き、面内
記録媒体として適切な磁気特性を有するものと考えられ
る。Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層厚は特に限定されるものでは
なく、また、この下地層の下にさらにＳｉ＋ Ｇ ｅ
ｒ Ｔ ｉ層などを設けた場合Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉなどの
層はＭｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層の均一な結晶成長を促しその
下地層膜厚を軽減させる効果を有する。尚、Ｓ Ｌ Ｇ
ｅ、 Ｔ ｉ層もイオン工学的手段により形成される。
との２次元的方位関係を満足する結晶成長、所謂エピタ
キシャル成長によりり、ｃ、ｐ、構造を有するＣｏ基合
金の磁化容易軸であるＣ軸方向が磁性面内に傾き、面内
記録媒体として適切な磁気特性を有するものと考えられ
る。Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層厚は特に限定されるものでは
なく、また、この下地層の下にさらにＳｉ＋ Ｇ ｅ
ｒ Ｔ ｉ層などを設けた場合Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉなどの
層はＭｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層の均一な結晶成長を促しその
下地層膜厚を軽減させる効果を有する。尚、Ｓ Ｌ Ｇ
ｅ、 Ｔ ｉ層もイオン工学的手段により形成される。
〔実施例〕 １
平板マグネトロンｒ、ｆ、スパッタ装置を用い、下記条
件にて下地膜および磁性膜を形成した。
件にて下地膜および磁性膜を形成した。
初期排気圧 ＜ ３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒスパ
ッタ時Ａｒ圧 １〜８ｍＴＯｒｒ（下地層）１０〜２
０ｍＴｏｒｒ （磁性層） 投入電力 ３００Ｗ ターゲット組成 ０〜４０ａｔ％Ｎｉ１０〜２５ａ
ｔ％Ｃｒ ２Ｏ〜３０ａｔ％Ｎｉ、 １０〜２０ａｔ％Ｃｒいずれ
も残部Ｃｏ 極間隔 ６０１１ 基板温度 １００〜２００℃ 磁性層膜厚 ７００Ａ 基 板 ガラス この磁気記録媒体の磁気特性は表１に示す如くであった
。本磁性特性は第１層および第２層下地膜成形後の時間
に関係なく５０時間経過しても同様に高い磁気特性値を
示した。この点従来のＣｒ下地による方法に対し、特性
の制御性にも優っていた。
ッタ時Ａｒ圧 １〜８ｍＴＯｒｒ（下地層）１０〜２
０ｍＴｏｒｒ （磁性層） 投入電力 ３００Ｗ ターゲット組成 ０〜４０ａｔ％Ｎｉ１０〜２５ａ
ｔ％Ｃｒ ２Ｏ〜３０ａｔ％Ｎｉ、 １０〜２０ａｔ％Ｃｒいずれ
も残部Ｃｏ 極間隔 ６０１１ 基板温度 １００〜２００℃ 磁性層膜厚 ７００Ａ 基 板 ガラス この磁気記録媒体の磁気特性は表１に示す如くであった
。本磁性特性は第１層および第２層下地膜成形後の時間
に関係なく５０時間経過しても同様に高い磁気特性値を
示した。この点従来のＣｒ下地による方法に対し、特性
の制御性にも優っていた。
Ｍｎ、Ｖ等の第２層下地膜をつけず実施例１と同様の方
法で形成した薄膜は保磁力２０００ｅ程度であり（表Ｉ
Ｎｏ、１４． Ｎｏ、ｌ ５） 、磁気記録媒体として
不適であった。Ｃｏ−４０Ｎｉ、 Ｃｏ−２５Ｃｒ。
法で形成した薄膜は保磁力２０００ｅ程度であり（表Ｉ
Ｎｏ、１４． Ｎｏ、ｌ ５） 、磁気記録媒体として
不適であった。Ｃｏ−４０Ｎｉ、 Ｃｏ−２５Ｃｒ。
Ｃｏ−３ＯＮ＋−２０Ｃｒ媒体（表１１１ｋ１．３．ｈ
ｋ１．５゜隘８）においては、いずれもＣｏ組成が少（
Ｎｉ。
ｋ１．５゜隘８）においては、いずれもＣｏ組成が少（
Ｎｉ。
Ｃｒ組成が多すぎたため充分な保磁力が得られなかった
。又、Ｃｒ下地膜を０．５μｍ形成５０時間後表１と同
様な条件で同様の媒体を形成したが、Ｈｃ、は４０００
ｅ以下であり媒体に不適であった。
。又、Ｃｒ下地膜を０．５μｍ形成５０時間後表１と同
様な条件で同様の媒体を形成したが、Ｈｃ、は４０００
ｅ以下であり媒体に不適であった。
以上、本発明の磁気記録媒体はＣｏ基合金磁性層の下に
Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層を設けることにより、良好な膜面
内の磁気特性を得ることができ従来のγ−Ｆｅ２０３ス
パッタ膜より３倍以上の磁束密度を有し、一層の薄膜化
を可能とし新たな記録媒体の製造が可能となった。
Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ下地層を設けることにより、良好な膜面
内の磁気特性を得ることができ従来のγ−Ｆｅ２０３ス
パッタ膜より３倍以上の磁束密度を有し、一層の薄膜化
を可能とし新たな記録媒体の製造が可能となった。
基板をガラスに代えて安定化ＺｒＯ□（ＺｒＯ□・６Ｙ
２０３）セラミック基板、ＮｉＰメツキ処理、１１基板
、アルマイト処理Ａβ基板を使用した場合についてもガ
ラスと同様の下地層効果が認められ、表１と同様の高い
面内異方性を有する高保磁力、高磁束密度媒体が得られ
た。
２０３）セラミック基板、ＮｉＰメツキ処理、１１基板
、アルマイト処理Ａβ基板を使用した場合についてもガ
ラスと同様の下地層効果が認められ、表１と同様の高い
面内異方性を有する高保磁力、高磁束密度媒体が得られ
た。
本発明により、Ｃｒ下地膜よりも制御性の良い高い磁気
特性を有する合金面内磁気記録用媒体が得られる様にな
った。
特性を有する合金面内磁気記録用媒体が得られる様にな
った。
Claims (4)
- （１）基板上に形成された下地層および磁性層より成る
磁気記録媒体において、この下地層がＭｎ、Ｍｏまたは
Ｖより成り、磁性層はＣｏ基合金より成ることを特徴と
する磁気記録媒体。 - （２）磁性層は３５原子％以下のＮｉ、または２０原子
％以下のＣｒ、あるいはＮｉおよびＣｒの総量で４５原
子％以下含有し残部実質的にＣｏより成ることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - （３）基板上に形成された下地層および磁性層からなる
磁気記録媒体において、この下地層はＳｉ、Ｇｅ及びＴ
ｉから選ばれた少くとも一種の元素から成る第一層と、
その上の形成されたＭｎ、ＭｏあるいはＶより成る第二
層からなり、磁性層はＣｏ基合金より成ることを特徴と
する磁気記録媒体。 - （４）磁性層は３５原子％以下のＮｉ、または２０原子
％以下のＣｒ、あるいはＮｉおよびＣｒの総量で４５原
子％以下含有し、残部が実質的にＣｏより成ることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP477286A JPS62164205A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP477286A JPS62164205A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164205A true JPS62164205A (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=11593130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP477286A Pending JPS62164205A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62164205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998048413A1 (en) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Carnegie Mellon University | Manganese containing layer for magnetic recording media |
| US6432563B1 (en) | 2000-04-03 | 2002-08-13 | Carnegie Mellon University | Zinc enhanced hard disk media |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP477286A patent/JPS62164205A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998048413A1 (en) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Carnegie Mellon University | Manganese containing layer for magnetic recording media |
| US6432563B1 (en) | 2000-04-03 | 2002-08-13 | Carnegie Mellon University | Zinc enhanced hard disk media |
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