JPS5943837A - 高飽和磁束密度非晶質合金 - Google Patents
高飽和磁束密度非晶質合金Info
- Publication number
- JPS5943837A JPS5943837A JP57153897A JP15389782A JPS5943837A JP S5943837 A JPS5943837 A JP S5943837A JP 57153897 A JP57153897 A JP 57153897A JP 15389782 A JP15389782 A JP 15389782A JP S5943837 A JPS5943837 A JP S5943837A
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- Japan
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- flux density
- magnetic flux
- saturation magnetic
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- amorphous alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気コア材料に係り、特に高??1度磁気記録
の磁気ヘッド材料に好適な高飽和磁束密度非晶質合金に
関する。
の磁気ヘッド材料に好適な高飽和磁束密度非晶質合金に
関する。
非晶質磁性合金の優れた軟磁気特性を利用して、磁歪が
ほぼ零の合金系は磁気ヘッド、あるいはトランス等の磁
気コアとしての応用が試みられている。しかし、これら
磁気コア材の最適材料として従来報告されているCo−
Fe−8i−B系、あるいはCo−N−Zr系(N=C
r、Mo、W。
ほぼ零の合金系は磁気ヘッド、あるいはトランス等の磁
気コアとしての応用が試みられている。しかし、これら
磁気コア材の最適材料として従来報告されているCo−
Fe−8i−B系、あるいはCo−N−Zr系(N=C
r、Mo、W。
■)非晶質合金は飽和磁束密度がセンダストより高い1
0kG以上になると結晶化温度が400C以下になp熱
安定性が悪くなったり、非晶質作製が困難になる等の問
題があった。
0kG以上になると結晶化温度が400C以下になp熱
安定性が悪くなったり、非晶質作製が困難になる等の問
題があった。
本発明の目的は飽和磁束密度がセンダストよりも大きく
、高い結晶化温度を有し、熱安定性に優れ、かつ磁歪が
極めて小さい高飽和磁束密度非晶質磁性合金を提供する
ことにある。
、高い結晶化温度を有し、熱安定性に優れ、かつ磁歪が
極めて小さい高飽和磁束密度非晶質磁性合金を提供する
ことにある。
上記目的を達成するための本発明の一つの+Jtt成は
、組成式がCoaTbMcNdで示され、IllがY。
、組成式がCoaTbMcNdで示され、IllがY。
Ti、Hf、Ta、及び、Wからなる元素群゛から選ば
れた少なくとも1 fifiの元素、MがNb、及び、
Bからなる元素群から選ばれる一種の元素、NがF e
+ Ni+ M n + Cr + M o HW +
V + R’ HRh、In、Ge、Sn、sb、B
i、Be。
れた少なくとも1 fifiの元素、MがNb、及び、
Bからなる元素群から選ばれる一種の元素、NがF e
+ Ni+ M n + Cr + M o HW +
V + R’ HRh、In、Ge、Sn、sb、B
i、Be。
Se、及び、Siからなる元素群のうらから選ばれた少
なくとも一種の元素からなシ、上記al b。
なくとも一種の元素からなシ、上記al b。
C9及び、dの原子数パーセントが、
81≦a≦95.5≦b≦15゜
0.5≦C≦12.0≦d(5の範囲で表わされ、且つ
、a+b十〇+d−100の非晶質合金を呈する。
、a+b十〇+d−100の非晶質合金を呈する。
以下、本発明に至った経過を混えて、本発明の詳細な説
明する。
明する。
本発明者等は金属−金属系非晶質合金で高い結晶化温度
が得られ、しかも低い磁歪の値がCO基合金で得られる
ことに着目し、組成がCoに富む側で共晶点を形成する
元素群を組み合わせた三元系以上の合金系で、これ壕で
の問題を解決した商い飽和磁束密度を有した磁歪の小さ
い磁気コア材料を得ることを考案し完成した。
が得られ、しかも低い磁歪の値がCO基合金で得られる
ことに着目し、組成がCoに富む側で共晶点を形成する
元素群を組み合わせた三元系以上の合金系で、これ壕で
の問題を解決した商い飽和磁束密度を有した磁歪の小さ
い磁気コア材料を得ることを考案し完成した。
近年磁気記録では高保磁力のメタルテープ・蒸着テープ
あるいはCo−Cr垂直膜の出現によシ、従来材のセン
ダストの特性を凌駕する磁歪零の高飽和磁束密度・高透
磁率材の開発が強く望まれている。本発明者等は、CO
に富んだ組成でCOと共晶点を形成するZr、Ti、H
f、Ta、Y。
あるいはCo−Cr垂直膜の出現によシ、従来材のセン
ダストの特性を凌駕する磁歪零の高飽和磁束密度・高透
磁率材の開発が強く望まれている。本発明者等は、CO
に富んだ組成でCOと共晶点を形成するZr、Ti、H
f、Ta、Y。
W、Nb、1%u、8n、B i、3b、MO,In。
、13e、se、B、S を等の元素?:2棟以上組み
合わせた三元系以上の合金組成では二元系よりも非晶質
化が容易になり、また二元系で得られる飽和磁束密度の
限界値を越えた磁歪の小さい高飽和磁束密度非晶質合金
が得られることを見い出した。
合わせた三元系以上の合金組成では二元系よりも非晶質
化が容易になり、また二元系で得られる飽和磁束密度の
限界値を越えた磁歪の小さい高飽和磁束密度非晶質合金
が得られることを見い出した。
例えばCo−Ti2元系ではスパッタ法で非晶質化可能
なTi量は約14原子パーセントであるのに対して、T
iをBあるいはZrで置換するとIll i 嗣9原子
パーセントでも通常のロールを用いた超烏冷法で容易に
非晶質化出来、飽和磁束密度もBtあるいはZriの増
加とともに単調に増加する。
なTi量は約14原子パーセントであるのに対して、T
iをBあるいはZrで置換するとIll i 嗣9原子
パーセントでも通常のロールを用いた超烏冷法で容易に
非晶質化出来、飽和磁束密度もBtあるいはZriの増
加とともに単調に増加する。
またC 081’l N blo x、非晶質合金(X
=Ta。
=Ta。
Ti、Hf、Zr、Si、Y、B、Ni )における添
加元素Xによる飽和磁束密度の変化を調べると第1図に
示した飽和磁束密度特性が得られ、元系T a<T i
<Hf <z r<s i<Y<N i<Bの111に
飽和磁束密度が高いことがわかる。さらにc oA、
z r、n R3非晶質合金(R=Ta、Ti。
加元素Xによる飽和磁束密度の変化を調べると第1図に
示した飽和磁束密度特性が得られ、元系T a<T i
<Hf <z r<s i<Y<N i<Bの111に
飽和磁束密度が高いことがわかる。さらにc oA、
z r、n R3非晶質合金(R=Ta、Ti。
Nb、S i、y、AtI B)の添加元素Rによる飽
和磁束密度の変化を調べるとTa<Na<Ti<S i
<At<Y<Bの順に飽和磁束密度が高いことから、
前記第1図の結果と合わせて、ガラス化元素ではTa<
Nb<Ti<Hf<Zr<Si<At<Y<Hの順に飽
和磁束密度を高めることが分った。それゆえCOとの二
元系で十M++ガラス化元素の順序の左側の元素を右側
の元素で置きかえることによりさらに高飽和磁、束密度
がaられることを見い出した。また前述したように絹h
V式N項のF e + M n + N t T Cr
+ M O+ V T Ru+Rh、13eを添加す
ることにより磁歪を零に調整し、耐食性、耐摩耗性、結
晶化温度等の11j口二をtユかることが出来る。
和磁束密度の変化を調べるとTa<Na<Ti<S i
<At<Y<Bの順に飽和磁束密度が高いことから、
前記第1図の結果と合わせて、ガラス化元素ではTa<
Nb<Ti<Hf<Zr<Si<At<Y<Hの順に飽
和磁束密度を高めることが分った。それゆえCOとの二
元系で十M++ガラス化元素の順序の左側の元素を右側
の元素で置きかえることによりさらに高飽和磁、束密度
がaられることを見い出した。また前述したように絹h
V式N項のF e + M n + N t T Cr
+ M O+ V T Ru+Rh、13eを添加す
ることにより磁歪を零に調整し、耐食性、耐摩耗性、結
晶化温度等の11j口二をtユかることが出来る。
ここで飽和磁束密度’zlokG以」ニにするにdCO
量を81原子パ一セント以上にする必要があl)、Co
量が95原子パーセントを赫えると、スパッタ法、ロー
ル法等の超急冷で非晶質化が困難になるのでCo量はそ
れ以下にすることが望ましい。また前記組成式T項のガ
ラス化元素のY。
量を81原子パ一セント以上にする必要があl)、Co
量が95原子パーセントを赫えると、スパッタ法、ロー
ル法等の超急冷で非晶質化が困難になるのでCo量はそ
れ以下にすることが望ましい。また前記組成式T項のガ
ラス化元素のY。
Ti、Hf、Ta、W等の量は非晶質化可能な最少成葉
として5原子パ一セント以上にする必要があシ、15原
子パーセントを越える量を含むと飽和磁束密度が著しく
低下するのでそれ以下にすることが望ましい。組成式M
項におけるB量は少量添刀■で非晶質化を著しく促進さ
−ぎるが、余り多く添加すると結晶化温度が著しく低下
し、熱安定性が悪くなる。また、N ’) 尾も多く含
むと飽和磁束密度が10kG以下になってしまうので、
上記B。
として5原子パ一セント以上にする必要があシ、15原
子パーセントを越える量を含むと飽和磁束密度が著しく
低下するのでそれ以下にすることが望ましい。組成式M
項におけるB量は少量添刀■で非晶質化を著しく促進さ
−ぎるが、余り多く添加すると結晶化温度が著しく低下
し、熱安定性が悪くなる。また、N ’) 尾も多く含
むと飽和磁束密度が10kG以下になってしまうので、
上記B。
Nb[は0.5以上12原子パーセントを越えない鰯に
するのが好ましい。組成式N項に示した他の添〃口元素
&i磁歪零の調整、耐食性、 i+it摩耗性を向上す
るのに必要であるが5原子バ一セ/ト以上添加すると磁
歪が±5X10”’以上と大きくなるため5原子パ一セ
ント未満にする必要がある。
するのが好ましい。組成式N項に示した他の添〃口元素
&i磁歪零の調整、耐食性、 i+it摩耗性を向上す
るのに必要であるが5原子バ一セ/ト以上添加すると磁
歪が±5X10”’以上と大きくなるため5原子パ一セ
ント未満にする必要がある。
これら本発明の構成に示した組成式の非晶質合金はすべ
てキュリ一温度が結晶化温度よりも高いが回転磁場中に
しける熱処理により、約5倍以上の初期透磁率の向上ケ
はかることに成功した。このようにして得られたt4’
rJ記非晶質ば金は高温加湿の耐食試験でもほとんど腐
食せずセンダスト以上の高耐食性を示し、摩耗もセンダ
ストと同等以上の高耐摩耗性を示す。ま7λ結結晶化度
もすべて400C以上と高く、旨い熱安冗性を示すこと
から、高保磁力テープ用の磁気ヘッド材料に適している
。以下実施例を用いて詳述する。
てキュリ一温度が結晶化温度よりも高いが回転磁場中に
しける熱処理により、約5倍以上の初期透磁率の向上ケ
はかることに成功した。このようにして得られたt4’
rJ記非晶質ば金は高温加湿の耐食試験でもほとんど腐
食せずセンダスト以上の高耐食性を示し、摩耗もセンダ
ストと同等以上の高耐摩耗性を示す。ま7λ結結晶化度
もすべて400C以上と高く、旨い熱安冗性を示すこと
から、高保磁力テープ用の磁気ヘッド材料に適している
。以下実施例を用いて詳述する。
実施例I
C0ss 〜aoTM+o 〜+y (TM=Nb、
Y、Si。
Y、Si。
Zr、Tit ’l’a、 B、Hf、W、Ni、Oe
。
。
Mn、Fe)合金を溶製し、この溶湯を人気中あるいは
真空中で内径30cmの銅製あ冬いれ1鉄製ロールを用
いた単ロール法で超急冷し幅1〜10mm。
真空中で内径30cmの銅製あ冬いれ1鉄製ロールを用
いた単ロール法で超急冷し幅1〜10mm。
厚さ10〜25μmのリボン状非晶質台金を作製した。
第1表にこうして得た代表的な非晶仙1合金の飽和磁束
密度と結晶化篇度を示す。ここで得た非晶質合金の磁歪
の値はすべて一2X1n”’〜+2X10”の範囲内の
小さな値を示した。
密度と結晶化篇度を示す。ここで得た非晶質合金の磁歪
の値はすべて一2X1n”’〜+2X10”の範囲内の
小さな値を示した。
第1表
実施例2
cOA61’Jbloy4 、 C0aaTilOZr
4 。
4 。
Co、、Nb、H,、、Co83Ti、1B、 非晶
質合金(幅10mm、厚さ12〜20μm)を銅製ロー
ルを用いた片ロール法でs 10−2mmHg以下の
真空中で作製した。作製した非晶質合金リボンから径6
陥の円板を機械的に打ち抜き、この円板試料を直流磁場
中で磁場方向と円板面が平行になるように配置して回転
させるがら400rで熱処理した。
質合金(幅10mm、厚さ12〜20μm)を銅製ロー
ルを用いた片ロール法でs 10−2mmHg以下の
真空中で作製した。作製した非晶質合金リボンから径6
陥の円板を機械的に打ち抜き、この円板試料を直流磁場
中で磁場方向と円板面が平行になるように配置して回転
させるがら400rで熱処理した。
この回転磁場中熱処理での外部磁場、試別回転数および
昇温冷却速度ならびに焼鈍時間はそれぞれ10 kG、
720rpm、20C/−,20分と一定した。熱処理
後、円板から内径3mm、外径5面のリングを打ち抜き
、透磁率、保磁力等の磁気特性を測定した。その結果、
上記非晶質合金の熱処理後の初期透磁率μ1(lkl(
z)は7000以上5保磁力は20m0e以下の軟磁気
特性を得た。
昇温冷却速度ならびに焼鈍時間はそれぞれ10 kG、
720rpm、20C/−,20分と一定した。熱処理
後、円板から内径3mm、外径5面のリングを打ち抜き
、透磁率、保磁力等の磁気特性を測定した。その結果、
上記非晶質合金の熱処理後の初期透磁率μ1(lkl(
z)は7000以上5保磁力は20m0e以下の軟磁気
特性を得た。
以上詳述したことから明らかなように、本発明の非晶質
合金は高い結晶化温度と高飽和磁束密度で優れた軟磁気
特性を示すことがら、高保磁カテ−プに対応する磁気ヘ
ッド材料として特に最適であることがわかった。なお本
発明の非晶質合金はスペッタ法、蒸着法でも同様に作製
でき同じ効果が得られた。周知の製法を用いればよいの
で、詳a説明は省略する。
合金は高い結晶化温度と高飽和磁束密度で優れた軟磁気
特性を示すことがら、高保磁カテ−プに対応する磁気ヘ
ッド材料として特に最適であることがわかった。なお本
発明の非晶質合金はスペッタ法、蒸着法でも同様に作製
でき同じ効果が得られた。周知の製法を用いればよいの
で、詳a説明は省略する。
以上詳述した様に、本発明はCoを基調とし、Y+ T
’ + Hf* q+at及びWなる元素群の中から少
なくとも一種、又は二種を配して非晶質合金を構成する
ので、飽411(a束密度の高い、且つ、熱安定性の優
れ、磁歪の小さい磁気ヘッド等が得られる点、工業的利
益大なるものである。
’ + Hf* q+at及びWなる元素群の中から少
なくとも一種、又は二種を配して非晶質合金を構成する
ので、飽411(a束密度の高い、且つ、熱安定性の優
れ、磁歪の小さい磁気ヘッド等が得られる点、工業的利
益大なるものである。
第1図は本発明を説明するための非晶質合金での添加元
素に対する飽和磁束密度の変化を示す特′fJ 1
図 丑 zyY B N右 Si H5及■頁の続き 0発 明 者 斉藤法利 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 藤原英夫 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 工藤實弘 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
素に対する飽和磁束密度の変化を示す特′fJ 1
図 丑 zyY B N右 Si H5及■頁の続き 0発 明 者 斉藤法利 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 藤原英夫 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 工藤實弘 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、組成式がCoaTbMcNdで示され、TがYlT
i、Hf、Ta、Wからなる元素群から選ばれた少なく
とも1種の元素、MがNb、Hの元素群から選ばれた一
種の元素、NがFe、Ni。 Mn、Cr、Mo、W、V、Ru、Rh、In。 Qe、 Sn、 Sb、 )3i、 、13e、 Se
、 Siからなる元素群のうらから選ばれた少なくとも
一種の元素からなり、上記a、b、c、dは原子数ツバ
−セントを表わし、81≦a≦95,5≦b≦15.0
.5≦C≦12.0≦d(5でa+ b + c +
d = 100を満足し、飽和磁束密度が10kG以上
、磁歪が一5X10−’〜+5×10′″6の優位的に
非晶質であることをも徴とする高飽和磁束密度非晶質合
金。 之 組成式がC0aTf′で示され、T′がY。 ri、 Hr、 Ta、wからなる群のうらから選ばれ
た少なくとも2種以上の元素からなυ、81≦a≦95
,5≦f≦19で、a + f =100を満足し、飽
和磁束密度が10kG以上、磁歪が+2X10−’〜−
2X10−’ の優位的に非晶質であることを特徴とす
る高飽和磁束密度非晶質合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57153897A JPS5943837A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57153897A JPS5943837A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5943837A true JPS5943837A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15572495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57153897A Pending JPS5943837A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高飽和磁束密度非晶質合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5943837A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136444A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-06 | Sony Corp | 非晶質磁性合金 |
JPS59179749A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Toshiba Corp | 磁気ヘツド用非晶質合金 |
JPS59179748A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Toshiba Corp | 磁気ヘツド用非晶質合金 |
JPS60135546A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-18 | Seiko Epson Corp | 非晶質軟磁性合金 |
JPS6164844A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Sony Corp | 軟磁性非晶質合金 |
JPS6320429A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱安定性高磁束密度非晶質合金 |
JPS6436740A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Kazuaki Fukamichi | Amorphous alloy and its production |
JPH01242748A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Alps Electric Co Ltd | 耐熱性非晶質合金 |
CN104451467A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-25 | 郑州大学 | 一种钴基块体非晶合金及其制备方法 |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57153897A patent/JPS5943837A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2548769B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1996-10-30 | アルプス電気株式会社 | 耐熱性非晶質合金 |
CN104451467A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-25 | 郑州大学 | 一种钴基块体非晶合金及其制备方法 |
CN104451467B (zh) * | 2014-12-15 | 2016-04-27 | 郑州大学 | 一种钴基块体非晶合金及其制备方法 |
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