JPH01109505A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH01109505A JPH01109505A JP26796087A JP26796087A JPH01109505A JP H01109505 A JPH01109505 A JP H01109505A JP 26796087 A JP26796087 A JP 26796087A JP 26796087 A JP26796087 A JP 26796087A JP H01109505 A JPH01109505 A JP H01109505A
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- Japan
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- intermediate layer
- soft magnetic
- sendust
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はMn−Znフェライト上に軟磁気材料、例えば
Fe−/1−Si系合金(センダスト)の薄膜を形成し
た磁気ヘッドに関するものである。
Fe−/1−Si系合金(センダスト)の薄膜を形成し
た磁気ヘッドに関するものである。
〔従来の技術および発明が解決すべき問題点〕磁気記録
の高密度化のために、媒体は高抗磁力化、高磁束密度化
の方向に准み、それに対応して磁気ヘッド材料としても
、高磁束密度、よりソフトな磁性材料が望まれている。
の高密度化のために、媒体は高抗磁力化、高磁束密度化
の方向に准み、それに対応して磁気ヘッド材料としても
、高磁束密度、よりソフトな磁性材料が望まれている。
またヘッド材は狭トラツク、狭ギャップ化の加工が行な
われ、その高精度の薄膜形成技術が重要である。
われ、その高精度の薄膜形成技術が重要である。
そこで近年高抗磁ツノ媒体対応の磁気ヘッドとしてフェ
ライトのキャップつき合わせ面に飽和磁束密度の高く、
軟磁気特性の良いアモルフン・スヤセンダストが実用化
され始めている。またこれ等の磁気ヘッドは数百mの温
度で熱処理や加工されるため、その熱的安定性が問題と
なる。
ライトのキャップつき合わせ面に飽和磁束密度の高く、
軟磁気特性の良いアモルフン・スヤセンダストが実用化
され始めている。またこれ等の磁気ヘッドは数百mの温
度で熱処理や加工されるため、その熱的安定性が問題と
なる。
アモルファスは結晶化温度をすぎると、軟磁気特性が悪
くなるため、熱的に安定なセンダストが実用的である。
くなるため、熱的に安定なセンダストが実用的である。
しかしフェライトと比較してセンダストは熱膨張が大き
く、加エエ稈に大きな歪が発生して軟磁気特性の劣化や
フェライトからの剥離などが発生する。
く、加エエ稈に大きな歪が発生して軟磁気特性の劣化や
フェライトからの剥離などが発生する。
これを解決するため、フェライトとセンダストの間に中
間層を設けることが行なわれている。
間層を設けることが行なわれている。
この中間層はフェライトとの熱膨張差があまりなく、セ
ラミックスとしてのフェライトへの接合力に富むものが
望ましい。またこの中間層が非磁性層である場合はスペ
ーシングによる記録再生特性に問題が起る。したがって
この中間層も軟磁性材料であることが望ましい。
ラミックスとしてのフェライトへの接合力に富むものが
望ましい。またこの中間層が非磁性層である場合はスペ
ーシングによる記録再生特性に問題が起る。したがって
この中間層も軟磁性材料であることが望ましい。
部分的な解決策としてCrやパーマロイを中間層として
いる。しかしCrは熱膨張差による応力を緩和するが、
crは手強磁性体であるし、パーマロイは軟磁性材料で
スペーシングはなくなるが、熱応力を緩和することはで
きない。
いる。しかしCrは熱膨張差による応力を緩和するが、
crは手強磁性体であるし、パーマロイは軟磁性材料で
スペーシングはなくなるが、熱応力を緩和することはで
きない。
(問題点を解決するための手段)
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、フェライトと軟磁
性金属材料との接合に適し、フェライトとの熱膨張の差
が少なく、フェライトとの接合力に富み、軟磁気特性を
有する中間層を設けた磁気ヘッドを開発したものである
。
性金属材料との接合に適し、フェライトとの熱膨張の差
が少なく、フェライトとの接合力に富み、軟磁気特性を
有する中間層を設けた磁気ヘッドを開発したものである
。
即ち本発明は、Mn−Znフェライト上に軟磁気材料の
薄膜を形成した磁気ヘッドにおいて、Mn−Znフェラ
イト上に(Fe1−aNia )1−b T ib、但
し0.4≦a≦0.7、O≦b≦0.2(原子比)から
なる中間層を設け、その上に軟磁気材料の薄膜を形成し
たことを特徴とするもので、軟磁気材料としてはFe−
Al−Si系合金(センダスト)を用いることが望まし
い。
薄膜を形成した磁気ヘッドにおいて、Mn−Znフェラ
イト上に(Fe1−aNia )1−b T ib、但
し0.4≦a≦0.7、O≦b≦0.2(原子比)から
なる中間層を設け、その上に軟磁気材料の薄膜を形成し
たことを特徴とするもので、軟磁気材料としてはFe−
Al−Si系合金(センダスト)を用いることが望まし
い。
本発明において中間層を(Fe1−a
Nia)1−bTib、但し0.4≦a≦0.7、O≦
b≦0.2(原子比)としたのは、次の理由によるもの
である。
b≦0.2(原子比)としたのは、次の理由によるもの
である。
熱膨張の小さい合金としてインバーが知られており、こ
の合金はFe64N 136(at%)付近の組成であ
る。また軟磁性材料としては、パーマロイが知られてお
り、この合金はFe−Ni系でF e 78.s N
i 21.5 (at%)付近の組成である。そこでこ
れ等の中間組成、例えばFe4ONiso(at%)付
近では線熱膨張係数は3×10−6程度と低く、初造磁
率は3000程度と比較的に高い。そこで合金組成を(
Fe1−aNia)、但し0.4≦a≦0.1(原子比
)とすることにより、軟磁性材料で熱膨張係数をフェラ
イトとの接合に適した値とすることができる。
の合金はFe64N 136(at%)付近の組成であ
る。また軟磁性材料としては、パーマロイが知られてお
り、この合金はFe−Ni系でF e 78.s N
i 21.5 (at%)付近の組成である。そこでこ
れ等の中間組成、例えばFe4ONiso(at%)付
近では線熱膨張係数は3×10−6程度と低く、初造磁
率は3000程度と比較的に高い。そこで合金組成を(
Fe1−aNia)、但し0.4≦a≦0.1(原子比
)とすることにより、軟磁性材料で熱膨張係数をフェラ
イトとの接合に適した値とすることができる。
しかしNi量を増加すると、疑似出力は強くなるが、磁
気特性が多少低下するばかりが、熱膨張差による応力増
加により剥離しゃすくなる。
気特性が多少低下するばかりが、熱膨張差による応力増
加により剥離しゃすくなる。
Tiの添加は、メタライズにおける活性化金属法として
知られているようにフェライトとの接合力を強化するも
のである。しかしてTiは非磁性金属なので、磁気特性
を劣化させない程度に添加することが重要であり、(F
e>−aNia)1−bTib、但しO≦b≦0.2(
原子比)とする。即らTi量を増加させると接合力は強
くなるが磁気特性が劣化する。
知られているようにフェライトとの接合力を強化するも
のである。しかしてTiは非磁性金属なので、磁気特性
を劣化させない程度に添加することが重要であり、(F
e>−aNia)1−bTib、但しO≦b≦0.2(
原子比)とする。即らTi量を増加させると接合力は強
くなるが磁気特性が劣化する。
(実施例)
単結晶Mn−Znフェライトより面積10x 10m1
厚ざ2mのチップを面に垂直な方向が(110)になる
用に切出し、その一方の面を鏡面仕上げした。このチッ
プについて、RFマグネトロンスパッタにより、先ず鏡
面仕上げした面をスパッターエッチした後、中間層とし
て(Fe j−a N ia ) t−b T ib
、但し0.4≦a≦0.7、Q≦b≦0.2(原子比
)を0.1μmの厚さに被覆し、次にセンダスト(Fe
−Aj!−Si合金)を20μmの厚さに被覆した。
厚ざ2mのチップを面に垂直な方向が(110)になる
用に切出し、その一方の面を鏡面仕上げした。このチッ
プについて、RFマグネトロンスパッタにより、先ず鏡
面仕上げした面をスパッターエッチした後、中間層とし
て(Fe j−a N ia ) t−b T ib
、但し0.4≦a≦0.7、Q≦b≦0.2(原子比
)を0.1μmの厚さに被覆し、次にセンダスト(Fe
−Aj!−Si合金)を20μmの厚さに被覆した。
尚この被覆工程はクリーンなチャンバー内で行なった。
またセンダストとしては3 i 10.1゜Aj!6.
3 、 Fe残部(wt%)のいわゆる標準センダスト
を用いた。
3 、 Fe残部(wt%)のいわゆる標準センダスト
を用いた。
これ等を真空中600℃で熱処理した後、ダイジングソ
ーによる加工実験を行なった。この実験から、上記範囲
の中間層を用いたものは接合力が強く、磁気特性が優れ
ている。これに対し上記範囲よりTi量を増加させた中
間層を用いたものは、接合力が向上するも、磁気特性が
劣化し、上記範囲よりNilを増加させた中間層を用い
たものは疑似出力を多少低下するも、熱膨張差による応
力が増大し、剥離しやすくなった。
ーによる加工実験を行なった。この実験から、上記範囲
の中間層を用いたものは接合力が強く、磁気特性が優れ
ている。これに対し上記範囲よりTi量を増加させた中
間層を用いたものは、接合力が向上するも、磁気特性が
劣化し、上記範囲よりNilを増加させた中間層を用い
たものは疑似出力を多少低下するも、熱膨張差による応
力が増大し、剥離しやすくなった。
尚本実験で特に望ましい組成は(Fe65Ni4s)s
Tis (at%)付近テアリ、例エバFe54.8
. N i 44.8. Tio、s (at%)
の中間層を0.1μmの厚さに被覆したものは熱処理後
の保磁力(Ha)0.360e、飽和磁束密度(B i
) 10200 Gとなる。また熱処理後のダイシン
グソーによる加工に十分たえ、5MH2における初透磁
率は900程度であった。
Tis (at%)付近テアリ、例エバFe54.8
. N i 44.8. Tio、s (at%)
の中間層を0.1μmの厚さに被覆したものは熱処理後
の保磁力(Ha)0.360e、飽和磁束密度(B i
) 10200 Gとなる。また熱処理後のダイシン
グソーによる加工に十分たえ、5MH2における初透磁
率は900程度であった。
比較のためFe54N 136(at%)のインバー組
成の中間層を用いたところ中間層の熱膨張が非常に低い
ため、剥離やフェライトにひびが生じた。また(Fe4
oN 1oo)yoT 130(at%)の中間層を用
いたものは、Ti量が多いため接合力が強すぎ、フェラ
イトとliの反応が進み、非磁性層によるものと思われ
る疑似出力が増大した。
成の中間層を用いたところ中間層の熱膨張が非常に低い
ため、剥離やフェライトにひびが生じた。また(Fe4
oN 1oo)yoT 130(at%)の中間層を用
いたものは、Ti量が多いため接合力が強すぎ、フェラ
イトとliの反応が進み、非磁性層によるものと思われ
る疑似出力が増大した。
このように本発明によれば、600℃での高温加熱工程
においてもセンダスト膜の剥離を起すことなく、軟磁気
特性もよい磁気ヘッドを提供することができるもので、
工業上顕著な効果を奏するものである。
においてもセンダスト膜の剥離を起すことなく、軟磁気
特性もよい磁気ヘッドを提供することができるもので、
工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- (1)Mn−Znフェライト上に軟磁気材料の薄膜を形
成した磁気ヘッドにおいて、Mn−Znフェライト上に
(Fe_1_−_aNi_a)_1_−_bTi_b、
但し0.4≦a≦0.7、0≦b≦0.2(原子比)か
らなる中間層を設け、その上に軟磁気材料の薄膜を形成
したことを特徴とする磁気ヘッド。 - (2)軟磁気材料としてFe−Al−Si系合金(セン
ダスト)を用いる特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26796087A JPH01109505A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26796087A JPH01109505A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01109505A true JPH01109505A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17451985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26796087A Pending JPH01109505A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01109505A (ja) |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP26796087A patent/JPH01109505A/ja active Pending
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