JP2548625B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、トランスファーモールド法によりパッケー
ジングされた半導体装置の製造方法に関する。
［従来の技術］ トランスファーモールド法によりパッケージングされ
る従来の半導体装置においては、リードフレームのダイ
パッドの各辺の寸法をマウントされる半導体チップの各
辺の寸法より0.5mm以上大きく設計し、半導体チップの
各側端面がダイパッドの各端辺より内側に位置するよう
に構成されている。これは半導体チップのボンディング
によるマウントの際の接着剤のはみ出しを考慮したため
である。
第３図及び第４図は、従来のこのような半導体装置を
製造するためにトランスファーモールド法により樹脂を
成形硬化させた状態をそれぞれ示す平面図及び立面図で
ある。ただし、第４図については、理解を容易にするた
め一部が省略して表されている。
両図において、10はリードフレーム、11はそのダイパ
ッド、12はダイパッド11上にボンディングされた半導体
チップ、13はトランスファーモールド用の樹脂成形金
型、14は金型13の樹脂注入用ゲートをそれぞれ示してい
る。金型13の内部には、パッケージ部材用の樹脂が圧入
され硬化されている。
［発明が解決しようとする課題］ 上述したごとき従来の半導体装置によると、ダイパッ
ド11の各端辺より内側に半導体チップ12の各側端面が位
置するようにボンディングが行われている。このため、
樹脂注入時に生じたボイド（気泡）15が容易に逃げるこ
とができずそのまま硬化してしまう不都合があった。特
に、樹脂注入用ゲート14の死角となる位置、即ち樹脂注
入用ゲート14の反対側の半導体チップ12の側端面12aに
ボイドは発生し易く、これがそのまま硬化されてボイド
15が形成されてしまうと、半導体装置の信頼性が低下す
る。特に透明樹脂で成型を行うCCD（電荷結合素子）等
の光学半導体装置においては、外観不良を引き起こす等
影響が大きく、歩留りが大幅に低下する。
従って本発明の目的は、トランスファーモールド法に
よりパッケージングされる際の半導体チップ側面におけ
るボイド形成を抑止することができる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上述の目的を達成する本発明の要旨は、半導体チップ
イの樹脂注入用ゲートの反対側に位置する側端面が、ダ
イパッドの上記側端面に対応する端辺より外側に突出す
る又は一致するように、半導体チップをダイパッド上に
ボンディングし、樹脂成形金型を用いて上記樹脂注入用
ゲートから熱硬化性樹脂を注入しトランスファーモール
ドすることを特徴とすることにある。
［作用］ ボイドの発生し易い位置である半導体チップの少なく
とも所定の一側端面、即ち樹脂注入用ゲートの死角とな
る位置、例えば樹脂注入用ゲートの反対側に位置する側
端面、がこの側端面に対応するダイパッドの端辺の上か
又はこれにより外側に位置されているので、発生したボ
イドは硬化する前に逃げ易く、半導体チップ側面におけ
るボイド形成を抑止することができる。
［実施例］ 以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例として、CCD等
の光学半導体装置を製造するためにトランスファーモー
ルド法により熱硬化性透明樹脂を成形硬化させた状態を
それぞれ示す平面図及び立面図である。ただし、第２図
については、理解を容易にするため一部が省略して表さ
れている。
両図において、20はリードフレーム、21はそのダイパ
ッド、22はダイパッド21上にボンディングされた半導体
チップ、23はトランスファーモールド用の樹脂成形金
型、24は金型23の透明樹脂注入用ゲートをそれぞれ示し
ている。金型23の内部には、パッケージ部材用の透明樹
脂が圧入され硬化されている。
半導体チップ22の樹脂注入用ゲート24の反対側に位置
する側端面22aが、ダイパッド21の対応する端辺21aより
外側に突出するように半導体チップ22はダイパッド21上
にボンディングされている。この側端面22aは樹脂注入
用ゲート24の死角となる位置にあるためボイドが発生し
易いが、上述のような形状とすることにより、発生した
ボイドは透明樹脂の硬化前に極めて容易に逃げることが
できる。その結果、トランスファーモールド法における
半導体チップ側面のボイド形成を確実に抑止することが
できる。ただし、半導体チップ22をダイパッド21上にボ
ンディングする際は、接着剤の量を調整してダイパッド
21の外部にはみ出さないようにする。
上述の実施例では、半導体チップ22の側端面22aがダ
イパッド21の対応する端辺21aより外側に突出している
が、この側端面22aが端辺21aの真上に位置するように構
成してもよい。また、樹脂注入用ゲート24の位置によっ
ては、樹脂注入用ゲート24の反対側に位置する側端面が
複数の側端面となることもある。しかも樹脂注入用ゲー
ト24の反対側に位置する側端面22aだけではなく、半導
体チップ22のその他の側端面も上述のごとくダイパッド
21の端辺の上か又はこれより外側に位置するように構成
してもよい。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体チ
ップの樹脂注入用ゲートの反対側に位置する側端面が、
ダイパッドの上記側端面に対応する端辺より外側に突出
する又は一致するように、半導体チップをダイパッド上
にボンディングし、樹脂成形金型を用いて上記樹脂注入
用ゲートから熱硬化性樹脂を注入しトランスファーモー
ルドするため、パッケージングされる際の半導体チップ
側面におけるボイド形成を抑止することができる。その
結果、半導体装置の信頼性の向上を図ることができ、特
に光学半導体装置においては、外観不良による歩留りを
大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の一実施例として光学半導体
装置を製造するためにトランスファーモールド法により
樹脂を成形硬化させた状態をそれぞれ示す平面図及び立
面図、第３図及び第４図は従来の半導体装置を製造する
ためにトランスファーモールド法により樹脂を成形硬化
させた状態をそれぞれ示す平面図及び立面図である。 20……リードフレーム、21……ダイパッド、21a……端
辺、22……半導体チップ、22a……側端面、23……樹脂
成形金型、24……透明樹脂注入用ゲート。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップの樹脂注入用ゲートの反対側
    に位置する側端面が、ダイパッドの上記側端面に対応す
    る端辺より外側に突出する又は一致するように、半導体
    チップをダイパッド上にボンディングし、樹脂成形金型
    を用いて上記樹脂注入用ゲートから熱硬化性樹脂を注入
    しトランスファーモールドすることを特徴とする、半導
    体装置の製造方法。
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