JPS6216553B2 - - Google Patents
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- JPS6216553B2 JPS6216553B2 JP54097295A JP9729579A JPS6216553B2 JP S6216553 B2 JPS6216553 B2 JP S6216553B2 JP 54097295 A JP54097295 A JP 54097295A JP 9729579 A JP9729579 A JP 9729579A JP S6216553 B2 JPS6216553 B2 JP S6216553B2
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- lead
- package
- hole
- resin molded
- resin
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はモールド型電子装置に関するものであ
る。
る。
モールド型半導体素子においては、ペレツトを
封入している樹脂モールドパツケージを、その内
部でペレツトに電気的に接続されているリードが
貫通して外部に導出される。この種の半導体素子
ではモールド工程後のリード成形時のストレス
や、リードとモールド樹脂との間の熱膨張係数の
差に基づいてリード貫通部にすき間が生じ易く、
これが耐湿性を損う原因となるのでその対策が望
まれていた。
封入している樹脂モールドパツケージを、その内
部でペレツトに電気的に接続されているリードが
貫通して外部に導出される。この種の半導体素子
ではモールド工程後のリード成形時のストレス
や、リードとモールド樹脂との間の熱膨張係数の
差に基づいてリード貫通部にすき間が生じ易く、
これが耐湿性を損う原因となるのでその対策が望
まれていた。
従来、耐湿性向上という考えからなされたもの
であつて、「リードフレームの、樹脂に植設され
る部分に、少なくとも、一ケ所、一端が開放され
た長細孔を形成したことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置用リードフレーム」が実開昭51−
21562号公報（昭和51年２月17日公開）によつて
開示されている。しかし、かかる公報に開示のリ
ードフレームにおいて、切欠部が露見（公報第４
図参照）しているようなものにあつては、リード
幅方向の曲げ応力に対して開放端をもつリード側
がピンルーズを起こしやすい欠点がある。そし
て、それにともなつて開放端をもたないリード側
に大きなストレスが加わり、そのリードと樹脂と
の境界面にすき間ができやすく、その境界面から
水分の浸入が起こる。この結果、耐湿性の改善は
不充分なものである。
であつて、「リードフレームの、樹脂に植設され
る部分に、少なくとも、一ケ所、一端が開放され
た長細孔を形成したことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置用リードフレーム」が実開昭51−
21562号公報（昭和51年２月17日公開）によつて
開示されている。しかし、かかる公報に開示のリ
ードフレームにおいて、切欠部が露見（公報第４
図参照）しているようなものにあつては、リード
幅方向の曲げ応力に対して開放端をもつリード側
がピンルーズを起こしやすい欠点がある。そし
て、それにともなつて開放端をもたないリード側
に大きなストレスが加わり、そのリードと樹脂と
の境界面にすき間ができやすく、その境界面から
水分の浸入が起こる。この結果、耐湿性の改善は
不充分なものである。
本発明の目的は、耐湿性向上をはかつた新規な
モールド型電子装置を提供することにある。
モールド型電子装置を提供することにある。
本発明の基本的な構成は、半導体ペレツトを封
入している樹脂モールドパツケージおよび一部が
該パツケージ内に封入されかつ該パツケージの側
面部より外部に導出してなるリードを有する樹脂
モールド型半導体装置であつて、上記外部に導出
するリードは幅広リード部分と狭い幅の先端リー
ド部分とよりなつており、上記リードの一部には
樹脂モールドパツケージの内外にまたがつて該部
のリード内周辺が閉ループをなす貫通孔が設けら
れてなり、上記外部導出リードは幅広リード部分
で折り曲げられてなることを特徴とする。
入している樹脂モールドパツケージおよび一部が
該パツケージ内に封入されかつ該パツケージの側
面部より外部に導出してなるリードを有する樹脂
モールド型半導体装置であつて、上記外部に導出
するリードは幅広リード部分と狭い幅の先端リー
ド部分とよりなつており、上記リードの一部には
樹脂モールドパツケージの内外にまたがつて該部
のリード内周辺が閉ループをなす貫通孔が設けら
れてなり、上記外部導出リードは幅広リード部分
で折り曲げられてなることを特徴とする。
図は本発明の一実施例を示すものである。１は
内部に図示していないペレツトを封入している樹
脂モールドパツケージであつて、その側面を貫通
して複数本のリード２が導出されている。図示さ
れていないが、リード２はそれぞれパツケージ１
内でペレツトに設けられた電極に電気的に接続さ
れている。外部に導出するリード２は、図より明
らかな如くW1の幅をもつ幅広リード部２ａとそ
のリード部分２ａに連接しそのリード部分２ａよ
りも狭い幅W2をもつ先端リード部分２ｂとより
なつており、そして幅広リード部２ａにおいて下
方向へ折り曲げられている。特に、図示モールド
型半導体装置の特徴は、リード２にあけられた孔
３にある。この孔３は、図から明らかなように幅
広リード部分において貫通して設けられており、
孔３を構成するリード内周辺ｌは閉ループをなし
ているものである。そして、この貫通孔３は、パ
ツケージ１の外表面の内外にまたがつてあけられ
ている。
内部に図示していないペレツトを封入している樹
脂モールドパツケージであつて、その側面を貫通
して複数本のリード２が導出されている。図示さ
れていないが、リード２はそれぞれパツケージ１
内でペレツトに設けられた電極に電気的に接続さ
れている。外部に導出するリード２は、図より明
らかな如くW1の幅をもつ幅広リード部２ａとそ
のリード部分２ａに連接しそのリード部分２ａよ
りも狭い幅W2をもつ先端リード部分２ｂとより
なつており、そして幅広リード部２ａにおいて下
方向へ折り曲げられている。特に、図示モールド
型半導体装置の特徴は、リード２にあけられた孔
３にある。この孔３は、図から明らかなように幅
広リード部分において貫通して設けられており、
孔３を構成するリード内周辺ｌは閉ループをなし
ているものである。そして、この貫通孔３は、パ
ツケージ１の外表面の内外にまたがつてあけられ
ている。
リード２にこのような孔３を設けると、モール
ド樹脂が孔にくいついて自己締付力が増大される
と共に、リード２の樹脂貫通部の断面積が減少す
るため、パツケージ１の外表面部分におけるパツ
ケージ１とリード２との間のすき間を大幅に減少
させることができ、このことは実験的、統計的に
も確かめられた。しかも、本発明の孔３は前述し
た実開昭51−21562号公報に開示されている一端
が開放された長細孔と全く異なる閉ループ貫通孔
であるために幅広リード部分でリード折り曲げが
なされてもピンルーズが起こりにくい。また、リ
ード幅方向の曲げ応力に対しても極めて強くピン
ルーズが起こりにくい。
ド樹脂が孔にくいついて自己締付力が増大される
と共に、リード２の樹脂貫通部の断面積が減少す
るため、パツケージ１の外表面部分におけるパツ
ケージ１とリード２との間のすき間を大幅に減少
させることができ、このことは実験的、統計的に
も確かめられた。しかも、本発明の孔３は前述し
た実開昭51−21562号公報に開示されている一端
が開放された長細孔と全く異なる閉ループ貫通孔
であるために幅広リード部分でリード折り曲げが
なされてもピンルーズが起こりにくい。また、リ
ード幅方向の曲げ応力に対しても極めて強くピン
ルーズが起こりにくい。
従つて、本発明によれば、かかるすき間からの
湿気の浸入を極めて少なくさせることができ、耐
湿信頼度の向上を達成できる。また、本発明によ
れば、図面から明らかなようにリード折り曲げは
貫通孔３より離間した位置での幅広リード部分で
なされているために、その部分でのリード折れ強
度が大である。
湿気の浸入を極めて少なくさせることができ、耐
湿信頼度の向上を達成できる。また、本発明によ
れば、図面から明らかなようにリード折り曲げは
貫通孔３より離間した位置での幅広リード部分で
なされているために、その部分でのリード折れ強
度が大である。
そしてさらに、本発明によれば、貫通孔を樹脂
モールドパツケージ内に完全に埋め込むものでは
ないためパツケージの小型化がはかれる。
モールドパツケージ内に完全に埋め込むものでは
ないためパツケージの小型化がはかれる。
上記実施例では四角形の孔をあけるものを示し
たが、本発明はそれらに限られることなく、円
形、楕円形など、適宜の形状でよい。また上記実
施例では半導体素子について説明したが、この技
術はそれ以外の一般の樹脂モールドされた電子装
置にも適用できることは言うまでもない。
たが、本発明はそれらに限られることなく、円
形、楕円形など、適宜の形状でよい。また上記実
施例では半導体素子について説明したが、この技
術はそれ以外の一般の樹脂モールドされた電子装
置にも適用できることは言うまでもない。
図は本発明の一実施例を示す要部の斜視図であ
る。 １…樹脂モールドパツケージ、２…リード、３
…孔。
る。 １…樹脂モールドパツケージ、２…リード、３
…孔。
Claims (1)
- １ 半導体ペレツトを封入している樹脂モールド
パツケージおよび一部が該パツケージ内に封入さ
れかつ該パツケージの側面部より外部に導出して
なるリードを有する樹脂モールド型半導体装置で
あつて、上記外部に導出するリードは幅広リード
部分と狭い幅の先端リード部分とよりなつてお
り、上記リードの一部には樹脂モールドパツケー
ジの内外にまたがつて該部のリード内周辺が閉ル
ープをなす貫通孔が設けられてなり、上記外部導
出リードは幅広リード部分で折り曲げられてなる
ことを特徴とする樹脂モールド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9729579A JPS5623765A (en) | 1979-08-01 | 1979-08-01 | Molded type electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9729579A JPS5623765A (en) | 1979-08-01 | 1979-08-01 | Molded type electronic device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2866688A Division JPS63211659A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5623765A JPS5623765A (en) | 1981-03-06 |
| JPS6216553B2 true JPS6216553B2 (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=14188499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9729579A Granted JPS5623765A (en) | 1979-08-01 | 1979-08-01 | Molded type electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5623765A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845681A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-16 | Toshiba Corp | メモリシステム |
| JPS5842246A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS59119751A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS59103446U (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-12 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JPS59147448A (ja) * | 1983-02-12 | 1984-08-23 | Fujitsu Ltd | 半導体素子搭載用リ−ドフレ−ムおよびこれを用いて製造される半導体装置とその製造方法 |
| JPS6350136U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| JP3533159B2 (ja) | 2000-08-31 | 2004-05-31 | Ｎｅｃ化合物デバイス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4152814B2 (ja) | 2003-01-17 | 2008-09-17 | 株式会社ショーワ | リリーフ弁 |
| JP5948693B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-07-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | パッケージ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5356545U (ja) * | 1976-10-15 | 1978-05-15 |
-
1979
- 1979-08-01 JP JP9729579A patent/JPS5623765A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5623765A (en) | 1981-03-06 |
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