JPH0237752A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0237752A JPH0237752A JP63188702A JP18870288A JPH0237752A JP H0237752 A JPH0237752 A JP H0237752A JP 63188702 A JP63188702 A JP 63188702A JP 18870288 A JP18870288 A JP 18870288A JP H0237752 A JPH0237752 A JP H0237752A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 50
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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-
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置
に関する。
に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は、第４図に示、すように
、リード４１で囲まれたアイランド４２の上に半導体素
子４３をろう材等で固着し、半導体素子４３上のボンデ
ィングバット部４４とリード４１とをボンディングクイ
ヤ４５により電気的に接続した後、モールド樹脂４６に
より封止していいた。
、リード４１で囲まれたアイランド４２の上に半導体素
子４３をろう材等で固着し、半導体素子４３上のボンデ
ィングバット部４４とリード４１とをボンディングクイ
ヤ４５により電気的に接続した後、モールド樹脂４６に
より封止していいた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置では、モールド樹
脂自体が水分を通す特性があるので、モールド樹脂中に
多くの水分が侵入している。最近よく使われるようにな
った表面実装のはんだ付けでは、高温に半導体装置をさ
らすなめ、モールド樹脂中の水分が気化し、その水蒸気
がモールド樹脂にクラックを生じさせる欠点がある。
脂自体が水分を通す特性があるので、モールド樹脂中に
多くの水分が侵入している。最近よく使われるようにな
った表面実装のはんだ付けでは、高温に半導体装置をさ
らすなめ、モールド樹脂中の水分が気化し、その水蒸気
がモールド樹脂にクラックを生じさせる欠点がある。
また、モ−ルド樹脂と半導体素子の熱ｍ張係数が異なる
ため、表面実装のはんだ付けにおける高温時に、モール
ド樹脂と半導体素子間に応力が生じ、両者の間から界面
剥離、そしてクラックか生じる欠点もある。
ため、表面実装のはんだ付けにおける高温時に、モール
ド樹脂と半導体素子間に応力が生じ、両者の間から界面
剥離、そしてクラックか生じる欠点もある。
本発明の目的は、モールド樹脂及びモールド樹脂と半導
体素子間にクラックが発生することのない半導体装置を
提供することにある。
体素子間にクラックが発生することのない半導体装置を
提供することにある。
本発明は、モールド樹脂により封止される半導体装置に
おいて、前記モールド樹脂内に埋め込まれる突起部を形
成した金属板を前記モールド樹脂の主表面である上面並
びに下面に配置し、前記金属板が前記モールド樹脂に挟
着されている。
おいて、前記モールド樹脂内に埋め込まれる突起部を形
成した金属板を前記モールド樹脂の主表面である上面並
びに下面に配置し、前記金属板が前記モールド樹脂に挟
着されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において、リード１１に囲まれたアイラ〉・ド１
２の上にろう材等で接着された半導体素子１３があり、
半導体素子１３は、ボンディングワイヤ１５で電気的に
接続される。その後、モールド樹脂１６で封入する際に
、金属板１７がモールド樹脂１６の上面部及び下面部上
に設けられ、モールド樹脂１６に挟着されている。また
、モールド樹脂１６より金属板１７が脱離しないように
ミ金属板１７には、プレスアンカによるアンカ１８が設
けられている。
２の上にろう材等で接着された半導体素子１３があり、
半導体素子１３は、ボンディングワイヤ１５で電気的に
接続される。その後、モールド樹脂１６で封入する際に
、金属板１７がモールド樹脂１６の上面部及び下面部上
に設けられ、モールド樹脂１６に挟着されている。また
、モールド樹脂１６より金属板１７が脱離しないように
ミ金属板１７には、プレスアンカによるアンカ１８が設
けられている。
第２図は本発明の製造方法の一例のプレートモールド法
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
この半導体装置の封止方法の一例としては、第２図に示
すように、プレートモールド法を用いるのが容易である
。
すように、プレートモールド法を用いるのが容易である
。
まず、モールド樹脂２６上の金属板２７をリードフレー
ム２つに連結しておく。次に、２つの上部金型Ａ、Ｂの
間及び２つの下部金型Ａ、Ｂの間に金属板２７を挿入し
た後、モールド樹脂２６を圧入して、金属板２７を固定
する。その後、金属板２７はリードフレーム２９と同じ
く一個ずつ切り離される。
ム２つに連結しておく。次に、２つの上部金型Ａ、Ｂの
間及び２つの下部金型Ａ、Ｂの間に金属板２７を挿入し
た後、モールド樹脂２６を圧入して、金属板２７を固定
する。その後、金属板２７はリードフレーム２９と同じ
く一個ずつ切り離される。
第３図は、本発明の第２の実施例の断面図である。
第２の実施例は、第３図に示すように、金属板３７とモ
ールド樹脂３６の接続部は、金属板３７の両端にアンカ
３８を設けている。
ールド樹脂３６の接続部は、金属板３７の両端にアンカ
３８を設けている。
この実施例では、金属板３７の脱離を防止するアンカ３
８が封止部の端部に位置するため、第１の実施例と比べ
て、リードフレームとのショート不良を起しに＜＜、薄
型パッケージに適している利点がある。
８が封止部の端部に位置するため、第１の実施例と比べ
て、リードフレームとのショート不良を起しに＜＜、薄
型パッケージに適している利点がある。
以上説明したように本発明は、モールド樹脂の上面及び
下面に金属板を設け、モールド樹脂に挟着することによ
り、下記に・列挙する効果がある。
下面に金属板を設け、モールド樹脂に挟着することによ
り、下記に・列挙する効果がある。
１）モールド樹脂の吸湿量を大幅に低減することができ
る。その結果、はんだ実装時のモールド樹脂のクラック
を防止し、また、保存時の耐湿性の向上も図ることがで
きる。
る。その結果、はんだ実装時のモールド樹脂のクラック
を防止し、また、保存時の耐湿性の向上も図ることがで
きる。
２）はんだ実装の際に用いる赤外線リフローにおいて、
赤外線反射効果がある。赤外線反射に−より、樹脂表面
が約２０〜３０℃温度が低下し、モールド樹脂と半導体
素子間の熱応力が暖和されるので、モールド樹脂と半導
体素子間のクラックを防止できる。
赤外線反射効果がある。赤外線反射に−より、樹脂表面
が約２０〜３０℃温度が低下し、モールド樹脂と半導体
素子間の熱応力が暖和されるので、モールド樹脂と半導
体素子間のクラックを防止できる。
３）パッケージの主表面を金属板にすることにより、モ
ールド樹脂封止の際における金型汚れを低減できる。
ールド樹脂封止の際における金型汚れを低減できる。
４）金型からの半導体装置の離型をよくするためにモー
ルド樹脂には離型剤が成分として含まれており、その離
型剤の影響で半導体装置表面への捺印性や捺印強度が低
下するが、表面を金属板することにより、それらの欠点
も解消できる。
ルド樹脂には離型剤が成分として含まれており、その離
型剤の影響で半導体装置表面への捺印性や捺印強度が低
下するが、表面を金属板することにより、それらの欠点
も解消できる。
５）パッケージ主表面を金属板にすることにより、樹脂
表面の帯電性が低減でき、半導体素子の静電破壊を防止
できる。
表面の帯電性が低減でき、半導体素子の静電破壊を防止
できる。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の製造方法の一例のプレートモールド法を説明する断
面図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４図
は従来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 １１．３１．４１・・・リード、１２，３２．４２・・
・アイランド、１３，２３．３３．４３・・・半導体素
子、１４，３４．４４・・・ボンディングバット、１５
．３５．４５・・・ボンディングワイヤ、１６゜２６゜ ６゜ ６・・・モールド樹脂、 ７゜ ２７゜ ３７・・・金属板、 １８゜ ２８゜ ３８・・・アンカ、 ・・・リードフレーム。 ／ターーーホ〕ティじクワイヤ
明の製造方法の一例のプレートモールド法を説明する断
面図、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４図
は従来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 １１．３１．４１・・・リード、１２，３２．４２・・
・アイランド、１３，２３．３３．４３・・・半導体素
子、１４，３４．４４・・・ボンディングバット、１５
．３５．４５・・・ボンディングワイヤ、１６゜２６゜ ６゜ ６・・・モールド樹脂、 ７゜ ２７゜ ３７・・・金属板、 １８゜ ２８゜ ３８・・・アンカ、 ・・・リードフレーム。 ／ターーーホ〕ティじクワイヤ
Claims (1)
- モールド樹脂により封止される半導体装置において、前
記モールド樹脂内に埋め込まれる突起部を形成した金属
板を前記モールド樹脂の主表面である上面並びに下面に
配置し、前記金属板を前記モールド樹脂に挟着したこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188702A JPH0237752A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188702A JPH0237752A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237752A true JPH0237752A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16228318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188702A Pending JPH0237752A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237752A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528457A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-18 | Gennum Corporation | Method and structure for balancing encapsulation stresses in a hybrid circuit assembly |
| WO1997042655A1 (de) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis sowie verfahren zur herstellung eines solchen trägerelementes |
| US6502926B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-01-07 | Lexmark International, Inc. | Ink jet semiconductor chip structure |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63188702A patent/JPH0237752A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528457A (en) * | 1994-12-21 | 1996-06-18 | Gennum Corporation | Method and structure for balancing encapsulation stresses in a hybrid circuit assembly |
| WO1997042655A1 (de) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis sowie verfahren zur herstellung eines solchen trägerelementes |
| US6502926B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-01-07 | Lexmark International, Inc. | Ink jet semiconductor chip structure |
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