JP2017183496A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2017183496A5
JP2017183496A5 JP2016068212A JP2016068212A JP2017183496A5 JP 2017183496 A5 JP2017183496 A5 JP 2017183496A5 JP 2016068212 A JP2016068212 A JP 2016068212A JP 2016068212 A JP2016068212 A JP 2016068212A JP 2017183496 A5 JP2017183496 A5 JP 2017183496A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
processing apparatus
substrate processing
measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016068212A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017183496A (ja
JP6611652B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2016068212A external-priority patent/JP6611652B2/ja
Priority to JP2016068212A priority Critical patent/JP6611652B2/ja
Priority to TW111128514A priority patent/TWI843164B/zh
Priority to TW106107144A priority patent/TWI677021B/zh
Priority to TW109139098A priority patent/TWI777287B/zh
Priority to TW108129178A priority patent/TWI713105B/zh
Priority to US15/454,346 priority patent/US10128137B2/en
Priority to KR1020170029944A priority patent/KR102351528B1/ko
Priority to CN201710141991.9A priority patent/CN107275200B/zh
Priority to CN202111334272.1A priority patent/CN114188243A/zh
Publication of JP2017183496A publication Critical patent/JP2017183496A/ja
Publication of JP2017183496A5 publication Critical patent/JP2017183496A5/ja
Priority to US16/154,936 priority patent/US11018035B2/en
Publication of JP6611652B2 publication Critical patent/JP6611652B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US17/242,709 priority patent/US20210257236A1/en
Priority to KR1020220003982A priority patent/KR102534576B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

上述した課題を解決するために、本発明の基板処理装置の管理方法は、基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の周縁部の膜を除去するための処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、を備える基板処理装置の管理方法であって、前記膜の除去幅の設定値を含む基板処理レシピを取得するレシピ取得工程と、前記基板処理レシピに基づき処理された基板の周縁部を前記撮像部により撮像することにより得られた撮像画像に基づき、前記膜の除去幅を測定する測定処理工程と、前記膜の除去幅の設定値と、前記測定工程により測定された膜の測定値と、前記測定結果を得た時刻情報と、を関連付けた管理リストを作成する作成工程と、を備える。

Claims (8)

  1. 基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の周縁部の膜を除去するための処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、を備える基板処理装置の管理方法であって、
    前記膜の除去幅の設定値を含む基板処理レシピを取得するレシピ取得工程と、
    前記基板処理レシピに基づき処理された基板の周縁部を前記撮像部により撮像することにより得られた撮像画像に基づき、前記膜の除去幅を測定する測定処理工程と、
    前記膜の除去幅の設定値と、前記測定工程により測定された膜の測定値と、前記測定結果を得た時刻情報と、を関連付けた管理リストを作成する作成工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置の管理方法。
  2. 前記作成された管理リストに基づき基板処理の状態を分析する分析工程と、
    前記分析工程による分析結果に応じて、使用者に対して所定の報知を行う報知工程と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の管理方法。
  3. 前記分析工程は、前記膜の除去幅の設定値と測定値の差分が所定の閾値を超えているか否かを判断し、超えていると判断した場合に、前記報知工程は、所定の報知を行うことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置の管理方法。
  4. 前記所定の閾値として、第１閾値と前記第１閾値よりも小さい第２閾値を含み、
    前記分析工程は、前記膜の除去幅の設定値と測定値の差分が第１閾値及び第２閾値を超えているか否かを判断し、前記報知工程は、第１閾値及び第２閾値のいずれを超えているかで、報知の内容を変更することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置の管理方法。
  5. 前記測定処理工程は、前記基板の前記回転保持部に対する偏芯量の情報を測定し、
    前記作成工程は、前記管理リストに測定された偏芯量の情報を関連付け、
    前記分析工程は、前記管理リストの偏芯量が所定の閾値を越えているか否かを判断し、
    超えていると判断した場合に、前記報知工程は、所定の報知を行うことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置の管理方法。
  6. 前記報知工程は、前記作成工程において作成した管理リストに基づき測定結果の経時変化を示すグラフを作成することを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の基板処理装置の管理方法。
  7. 前記報知工程は、表示装置を用いて前記報知を視覚的に行うことを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の基板処理装置の管理方法。
  8. 基板の周縁部の膜を除去する処理を行う基板処理装置と、撮像画像に基づく測定処理を行う測定処理装置と、測定処理に関する情報を管理する情報処理装置と、前記基板処理装置を制御する制御装置と、から構成される基板処理システムであって、
    前記基板処理装置は、
    基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の周縁部に対して前記膜を除去するための処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の周縁部を撮像する撮像部と、
    を備え、
    前記測定処理装置は、
    前記膜の除去幅の設定値を含む基板処理レシピに基づき処理された基板の周縁部を撮像することにより得られた撮像画像に基づき、前記膜の除去幅を測定する制御部を備え、
    前記情報処理装置は、
    基板の識別情報と、前記膜の除去幅の設定値と、前記測定された膜の測定値と、前記測定結果を得た時刻情報と、を関連付けた管理リストを作成する制御部を備えることを特徴とする基板処理システム。
JP2016068212A 2016-03-30 2016-03-30 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム Active JP6611652B2 (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016068212A JP6611652B2 (ja) 2016-03-30 2016-03-30 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
TW111128514A TWI843164B (zh) 2016-03-30 2017-03-06 基板處理裝置及其調整方法
TW106107144A TWI677021B (zh) 2016-03-30 2017-03-06 基板處理裝置之管理方法及基板處理系統
TW109139098A TWI777287B (zh) 2016-03-30 2017-03-06 基板處理裝置及其調整方法
TW108129178A TWI713105B (zh) 2016-03-30 2017-03-06 基板處理裝置之管理方法及基板處理系統
US15/454,346 US10128137B2 (en) 2016-03-30 2017-03-09 Management method of substrate processing apparatus and substrate processing system
KR1020170029944A KR102351528B1 (ko) 2016-03-30 2017-03-09 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템
CN202111334272.1A CN114188243A (zh) 2016-03-30 2017-03-10 基板处理***和基板处理装置的管理方法
CN201710141991.9A CN107275200B (zh) 2016-03-30 2017-03-10 基板处理装置的管理方法和基板处理***
US16/154,936 US11018035B2 (en) 2016-03-30 2018-10-09 Substrate processing system
US17/242,709 US20210257236A1 (en) 2016-03-30 2021-04-28 Substrate processing system
KR1020220003982A KR102534576B1 (ko) 2016-03-30 2022-01-11 기판 처리 장치의 관리 방법, 및 기판 처리 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016068212A JP6611652B2 (ja) 2016-03-30 2016-03-30 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017183496A JP2017183496A (ja) 2017-10-05
JP2017183496A5 true JP2017183496A5 (ja) 2018-03-29
JP6611652B2 JP6611652B2 (ja) 2019-11-27

Family

ID=59960435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016068212A Active JP6611652B2 (ja) 2016-03-30 2016-03-30 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム

Country Status (5)

Country Link
US (3) US10128137B2 (ja)
JP (1) JP6611652B2 (ja)
KR (2) KR102351528B1 (ja)
CN (2) CN107275200B (ja)
TW (3) TWI713105B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
TWI746907B (zh) * 2017-12-05 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 煙霧判定方法、基板處理方法及基板處理裝置
JP7051455B2 (ja) * 2018-01-16 2022-04-11 キオクシア株式会社 パターン形成装置および半導体装置の製造方法
JP6995143B2 (ja) * 2018-02-05 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
WO2019159735A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 東京エレクトロン株式会社 加工装置
US11791182B2 (en) * 2018-04-23 2023-10-17 Tokyo Electron Limited Measuring method and measuring device
JP7119584B2 (ja) * 2018-05-29 2022-08-17 オムロン株式会社 三次元計測装置、三次元計測装置の位置表示方法およびプログラム
JP7105135B2 (ja) * 2018-08-17 2022-07-22 東京エレクトロン株式会社 処理条件補正方法及び基板処理システム
JP7134033B2 (ja) * 2018-09-06 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板状態判定装置、基板処理装置、モデル作成装置及び基板状態判定方法
JP7226949B2 (ja) * 2018-09-20 2023-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理システム
KR102211781B1 (ko) * 2018-11-23 2021-02-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 편심 검사 장치 및 방법
KR20210130200A (ko) 2019-02-28 2021-10-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP7309485B2 (ja) * 2019-07-04 2023-07-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
KR102482167B1 (ko) * 2022-04-27 2022-12-28 주식회사 솔텍크 서브 컴포넌트 모니터링 시스템 및 방법
TW202403948A (zh) * 2022-06-17 2024-01-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002357620A1 (en) * 2001-12-25 2003-07-15 Tokyo Electron Limited Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP2006140341A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
CN100550299C (zh) * 2004-11-16 2009-10-14 东京毅力科创株式会社 曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序
JP4601452B2 (ja) * 2005-02-22 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4522360B2 (ja) * 2005-12-02 2010-08-11 日東電工株式会社 半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置
JP5073962B2 (ja) * 2006-05-12 2012-11-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2008244328A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体基板の処理方法
JP5324231B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
JP2010165876A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Olympus Corp 欠陥関連付け装置、基板検査システム、および欠陥関連付け方法
TWI474143B (zh) * 2010-02-09 2015-02-21 Hitachi Int Electric Inc 基板處理系統及其資料處理方法、群管理裝置及其資料處理方法、半導體處理裝置之製造方法暨電腦可讀取記錄媒體
JP2012146774A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Sharp Corp 基板検査システム、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
JP2012206020A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法および塗布装置
JP5841389B2 (ja) * 2011-09-29 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
TWI550686B (zh) * 2011-11-04 2016-09-21 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體
KR101829676B1 (ko) * 2011-12-29 2018-02-20 삼성전자주식회사 웨이퍼 열 처리 방법
JP5729326B2 (ja) * 2012-02-14 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6204344B2 (ja) * 2012-02-23 2017-09-27 株式会社日立国際電気 基板処理システム、管理装置、及び表示方法
JP5835188B2 (ja) * 2012-11-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP6044428B2 (ja) * 2013-04-04 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
JPWO2015011829A1 (ja) * 2013-07-26 2017-03-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2015115486A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 液供給装置
JP6215059B2 (ja) * 2014-01-10 2017-10-18 株式会社ディスコ マーク検出方法
JP2015153903A (ja) * 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6069578B2 (ja) * 2014-02-24 2017-02-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
KR20150103578A (ko) * 2014-03-03 2015-09-11 삼성전자주식회사 공정 관리 시스템 및 장치
JP6462620B2 (ja) * 2016-03-29 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6680040B2 (ja) * 2016-03-30 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JP6537992B2 (ja) * 2016-03-30 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
KR102162187B1 (ko) * 2018-08-31 2020-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017183496A5 (ja)
JP2016143157A5 (ja)
JP2015142181A5 (ja)
JP2017212592A5 (ja)
JP2017037413A5 (ja)
JP2010134649A5 (ja)
JP2013074461A5 (ja)
JP2016136683A5 (ja)
JP2017224023A5 (ja)
JP2016201522A5 (ja)
JP2015103104A5 (ja)
JP2018173812A5 (ja)
JP2015009476A5 (ja)
JP2013113805A5 (ja)
JP2013254480A5 (ja)
JP2015216631A5 (ja)
JP2017091496A5 (ja)
JP2018023048A5 (ja)
JP2016136111A5 (ja) 形状エラー判定装置、判定結果画像生成装置、及び形状エラー判定方法
JP2018055529A5 (ja) 情報処理システム、情報処理装置、その制御方法及びプログラム、貼付物
JP2015195811A5 (ja)
JP2016009451A5 (ja)
JP2013225844A5 (ja)
JP2013219608A5 (ja)
JP2016065785A5 (ja)