KR20210130200A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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KR20210130200A
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테츠로 시라사카
나오토 나카무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치는, 기판의 표면에 있어서의 피막의 형성과 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 성막 처리부와, 기판의 표면의 상태를 나타내는 표면 정보를 취득하는 표면 검사부와, 성막 처리부 및 표면 검사부를 제어하는 제어부를 구비한다. 제어부는, 기판의 표면에 피막을 성막 처리부에 의해 형성시키는 것과, 피막의 주연 부분을 성막 처리부에 의해 제거시키는 것과, 주연 부분이 제거된 피막을 포함하는 기판의 표면의 상태를 나타내는 표면 정보를 표면 검사부에 취득시키고, 당해 표면 정보에 기초하여 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것과, 주연 부분이 제거된 피막을 성막 처리부에 의해 박리시키는 것을 포함하는 조절 처리와, 기판의 표면에 피막을 성막 처리부에 의해 형성시키는 것과, 조절 처리에 있어서 조절된 제거 폭으로 주연 부분을 성막 처리부에 의해 제거시키는 것을 포함하는 프로세스 처리를 실행한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 원형의 기판을 수평으로 유지하고 나서, 연직축 둘레로 회전시키기 위한 기판 유지부와, 이 기판 유지부에 의해 회전하는 기판의 주연부의 막을 제거하기 위하여, 당해 주연부에 약액을 공급하기 위한 약액 노즐을 구비하는 액 처리 장치가 개시되어 있다. 이 액 처리 장치는, 기판의 주연을 둘레 방향으로 등분한 복수의 촬상 영역을 촬상하여 얻어진 촬상 결과에 기초하여, 기판 유지부의 회전 중심과 기판의 중심과의 어긋남량의 산출을 행하는 판단부를 구비하고 있다.
일본특허공개공보 2013-168429호
본 개시는, 피막의 주연 부분에 있어서의 제거 폭 조절에 이용된 기판을 유효하게 이용할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 표면에 있어서의 피막의 형성과 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 성막 처리부와, 기판의 표면의 상태를 나타내는 표면 정보를 취득하는 표면 검사부와, 성막 처리부 및 표면 검사부를 제어하는 제어부를 구비한다. 제어부는, 기판의 표면에 피막을 성막 처리부에 의해 형성시키는 것과, 피막의 주연 부분을 성막 처리부에 의해 제거시키는 것과, 주연 부분이 제거된 피막을 포함하는 기판의 표면의 상태를 나타내는 표면 정보를 표면 검사부에 취득시키고, 상기 표면 정보에 기초하여 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것과, 주연 부분이 제거된 피막을 성막 처리부에 의해 박리시키는 것을 포함하는 조절 처리와, 기판의 표면에 피막을 성막 처리부에 의해 형성시키는 것과, 조절 처리에 있어서 조절된 제거 폭으로 주연 부분을 성막 처리부에 의해 제거시키는 것을 포함하는 프로세스 처리를 실행한다.
본 개시에 따르면, 피막의 주연 부분에 있어서의 제거 폭 조절에 이용된 기판을 유효하게 이용할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공된다.
도 1은 기판 처리 시스템의 개략 구성을 예시하는 모식도이다.
도 2는 도포 현상 장치의 측면에서 본 내부 구성을 예시하는 모식도이다.
도 3은 도포 현상 장치의 상면에서 본 내부 구성을 예시하는 모식도이다.
도 4는 도포 유닛의 구성을 예시하는 모식도이다.
도 5는 검사 유닛의 구성을 예시하는 모식도이다.
도 6은 제어 장치의 기능 구성을 예시하는 블록도이다.
도 7은 제어 장치의 하드웨어 구성을 예시하는 블록도이다.
도 8은 조절 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 9는 조건 설정 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 10은 동작 조건의 보정 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 11의 (a) ~ 도 11의 (c)는 조절 처리 순서에 있어서의 기판 표면의 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 12의 (a) ~ 도 12의 (c)는 조절 처리 순서에 있어서의 기판 표면의 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 13은 조절 처리 순서에 있어서 산출되는 제거 폭을 설명하기 위한 도이다.
이하, 각종 예시적 실시 형태에 대하여 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향으로 한다.
[기판 처리 시스템]
기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상인 기판은, 예를 들면 반도체의 웨이퍼(W)이다. 웨이퍼(W)는 원형으로 형성되어 있다. 웨이퍼(W)의 주연(Wc)에는, 당해 웨이퍼(W)의 방향을 나타내기 위한 홈부인 노치가 형성되어 있어도 된다. 감광성 피막은, 예를 들면 레지스트막이다.
기판 처리 시스템(1)은, 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 웨이퍼(W)(기판) 상에 형성된 레지스트막(감광성 피막)의 노광 처리를 행한다. 구체적으로, 노광 장치(3)는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.
[기판 처리 장치]
이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 제어 장치(100)(제어부)를 구비한다.
캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예를 들면 캐리어 블록(4)은, 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(C)(수용부)를 지지 가능하며, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A1)를 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예를 들면 원형의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 반송 장치(A1)는, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)으로 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C) 내로 되돌린다. 처리 블록(5)은, 복수의 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 가진다.
처리 모듈(11)은, 복수의 도포 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(11)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 처리 모듈(11)의 도포 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 처리 모듈(11)의 열 처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들면 열판 및 냉각판을 내장하고 있어, 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각하여 열 처리를 행한다.
처리 모듈(12)(성막 처리부)은, 복수의 도포 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 복수의 검사 유닛(U3)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다(도 3도 참조). 처리 모듈(12)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액을 하층막 상에 도포함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 도포막(AF)을 형성한다. 또한, 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)은, 피막의 적어도 일부를 제거한다. 예를 들면, 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)은, 도포막(AF) 형성 후에 당해 도포막(AF)의 주연 부분을 제거함으로써, 주연 부분이 제거된 도포막(이하, '도포막(RF)'이라 함)을 형성한다. 도포막(AF)의 주연 부분을 제거할 시에, 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)은, 도포막(AF)의 주연 부분을 제거하기 위한 약액을 도포막(AF) 상에 도포한다. 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)은, 웨이퍼(W)의 전 둘레에 있어서 도포막(AF)의 주연 부분을 제거해도 된다.
처리 모듈(12)의 열 처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 처리 모듈(12)의 열 처리 유닛(U2)은, 도포막(RF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)에 대하여 열 처리를 실시함으로써 레지스트막(R)을 형성한다. 검사 유닛(U3)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 검사하기 위한 처리를 행한다. 예를 들면, 검사 유닛(U3)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 정보(이하, '표면 정보'라 함)를 취득한다. 또한 이하에서는, 도포막(AF), 도포막(RF) 및 레지스트막(R)을 총칭하여 '레지스트 피막'이라 하는 경우가 있다. 이와 같이, 처리 모듈(12)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서의 레지스트 피막의 형성과 레지스트 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 복수의 도포 유닛(U1)(복수의 처리 유닛)을 가진다.
처리 모듈(13)은, 복수의 도포 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(13)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막(R) 상에 상층막을 형성한다. 처리 모듈(13)의 도포 유닛(U1)은, 상층막 형성용의 액체를 레지스트막(R) 상에 도포한다. 처리 모듈(13)의 열 처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(14)은, 복수의 도포 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(14)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해, 노광 후의 레지스트막(R)의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(14)의 도포 유닛(U1)은, 노광이 끝난 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이를 린스액에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막(R)의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(14)의 열 처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암을 포함하는 반송 장치(A7)가 마련되어 있다. 반송 장치(A7)는, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들면 인터페이스 블록(6)은, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A8)를 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.
<반송 장치>
이어서, 반송 장치(A3)의 구성의 일례를 구체적으로 설명한다. 도 3에 나타나는 바와 같이, 반송 장치(A3)는, 암(90)과, 가동부(91)와, 이동 스테이지(92)와, 가동부(93)를 구비한다. 암(90)은, 반송 대상의 웨이퍼(W)를 수평으로 지지한다.
가동부(91)는, 복수의 도포 유닛(U1)이 배열되는 방향(Y축 방향)을 따라 암(90)을 왕복 이동시킨다. 가동부(91)는, 예를 들면 이동 스테이지(92)를 Y축 방향을 따라 이동시키는 리니어 액츄에이터를 포함한다. 가동부(91)는, 회전 토크를 발생시키는 전동 모터(동력원)와, 한 쌍의 풀리에 걸쳐진 타이밍 벨트를 가지고 있어도 된다. 예를 들면 타이밍 벨트에 의해, 모터에 의한 회전 토크가 Y축 방향을 따른 병진의 힘으로 변환되어 이동 스테이지(92)로 전달되고, 이동 스테이지(92)가 Y축 방향을 따라 이동한다.
가동부(93)는, 이동 스테이지(92) 상에 마련되어 있고, 이동 스테이지(92)와 함께 이동한다. 가동부(93)는, 복수의 도포 유닛(U1)이 배열되는 방향과 직교하는 방향(X축 방향)을 따라 암(90)을 이동시킨다(출입시킨다). 가동부(93)는, 예를 들면 암(90)을 X축 방향을 따라 이동시키는 리니어 액츄에이터를 포함한다. 가동부(93)는, 회전 토크를 발생시키는 전동 모터(동력원)와, 한 쌍의 풀리에 걸쳐진 타이밍 벨트를 가지고 있어도 된다. 예를 들면 타이밍 벨트에 의해, 모터에 의한 회전 토크가 X축 방향을 따른 병진의 힘으로 변환되어 암(90)으로 전달되고, 암(90)이 X축 방향을 따라 이동한다. 가동부(93)는, 암(90)을 대기 위치로부터 진출 위치까지의 사이에서 왕복 이동시킨다. 대기 위치는, 이동 스테이지(92) 상의 에어리어 안의 위치이며, 진출 위치는, 이동 스테이지(92) 상의 에어리어 밖의 위치이다.
가동부(91, 93)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 각각 동작한다. 예를 들면, 가동부(91, 93)에는, 동작 지시로서 암(90)의 스트로크량을 나타내는 신호가 보내진다. 암(90)의 Y축 방향에 있어서의 스트로크량은, 가동부(91)의 선반 유닛(U10)에 가까운 단부(端部)를 기준 위치로서, 당해 기준 위치로부터의 암(90)의 이동 거리이다. 암(90)의 X축 방향에 있어서의 스트로크량은, 대기 위치로부터 진출 위치까지의 암(90)의 이동 거리이다. 가동부(91, 93)는, 모터의 정해진 위치로부터의 회전량에 따른 펄스 신호를 제어 장치(100)에 출력하는 엔코더를 각각 가지고 있어도 된다. 예를 들면, 제어 장치(100)는, 펄스 신호의 카운트값이 미리 설정된 목표값(이하, '펄스 목표값'이라 함)이 되도록, 동작 지시를 가동부(91, 93)에 출력한다.
<도포 유닛>
이어서, 처리 모듈(12)에 있어서의 도포 유닛(U1)의 구성의 일례를 상세하게 설명한다. 도포 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 공급하여, 레지스트 피막을 형성한다. 또한, 도포 유닛(U1)은, 레지스트 피막의 주연부에 레지스트 피막을 제거하기 위한 약액을 공급하여, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 주연 부분이 제거된 나머지의 레지스트 피막을 제거하기 위한 약액을 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 공급하여, 웨이퍼(W)로부터 레지스트 피막을 박리해도 된다. 또한 본 명세서에 있어서의 '박리'란, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 남는 레지스트 피막의 대략 전부를 제거하는 것이다. 도 4에 나타나는 바와 같이, 도포 유닛(U1)은, 회전 유지부(20)와, 처리액 공급부(30)와, 약액 공급부(40)를 가진다.
회전 유지부(20)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시킨다. 예를 들면 회전 유지부(20)는, 유지부(21)와 회전 구동부(22)를 가진다. 유지부(21)는, 표면(Wa)을 상방을 향한 상태에서 수평으로 배치된 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하고, 당해 웨이퍼(W)를 흡착(예를 들면 진공 흡착)에 의해 유지한다. 회전 구동부(22)는, 예를 들면 전동 모터를 동력원으로서, 연직인 중심축(CL) 둘레로 유지부(21)를 회전시킨다. 이에 의해 웨이퍼(W)가 회전한다.
처리액 공급부(30)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트막 형성용의 처리액을 공급한다. 예를 들면 처리액 공급부(30)는, 노즐(31)과, 액원(32)과, 송액부(33)와, 노즐 이동부(34)를 가진다. 노즐(31)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 처리액을 토출한다. 액원(32)은, 처리액을 수용하고, 당해 처리액을 노즐(31)로 압송한다. 송액부(33)는, 액원(32)으로부터 노즐(31)로 처리액을 유도한다. 예를 들면 송액부(33)는, 송액 라인(L1)과 밸브(V1)를 가진다. 송액 라인(L1)은, 액원(32)과 노즐(31)을 접속한다. 밸브(V1)는, 예를 들면 에어 오퍼레이션 밸브이며, 송액 라인(L1) 내의 유로를 개폐한다. 노즐 이동부(34)는, 전동 모터 등을 동력원으로서 노즐(31)을 수평 방향으로 이동시킨다. 예를 들면, 노즐 이동부(34)는, 중심축(CL)과 웨이퍼(W) 밖의 영역과의 사이에서 노즐(31)을 이동시킨다. 밸브(V1) 및 노즐 이동부(34)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 동작한다.
약액 공급부(40)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에, 레지스트 피막을 제거하기 위한 약액을 공급한다. 약액은, 처리액 공급부(30)로부터 공급된 처리액에 의해 형성되는 레지스트 피막을 제거(용해)할 수 있는 용제이다. 약액의 구체적으로서는, 시너 등의 유기 용제를 들 수 있다. 예를 들면 약액 공급부(40)는, 노즐(41)과, 액원(42)과, 송액부(43)와, 노즐 이동부(44)를 가진다. 노즐(41)은, 회전 유지부(20)에 의해 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 향해 약액을 토출한다. 액원(42)은, 약액을 수용하고, 당해 약액을 노즐(41)측으로 압송한다. 송액부(43)는, 액원(42)으로부터 노즐(41)로 약액을 유도한다. 예를 들면 송액부(43)는, 송액 라인(L2)과 밸브(V2)를 가진다. 송액 라인(L2)은 액원(42)과 노즐(41)을 접속한다. 밸브(V2)는 예를 들면 에어 오퍼레이션 밸브이며, 송액 라인(L2) 내의 유로를 개폐한다. 밸브(V2)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 동작한다.
노즐 이동부(44)는, 전동 모터 등을 동력원으로서 노즐(41)을 수평 방향으로 이동시킨다. 예를 들면, 노즐 이동부(44)는, 상방에서 봤을 때, 대략 수평으로 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 반경 방향(예를 들면 Y축 방향)을 따라 노즐(41)을 이동시킨다. 노즐 이동부(44)에 의해 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 이동함으로써, 노즐(41)로부터의 표면(Wa)으로의 약액의 공급 위치가 변화한다. 이 때문에, 노즐(41)의 배치 위치에 따라, 노즐(41)로부터 토출된 약액에 의해 제거되는 레지스트 피막의 주연 부분의 제거 폭이 변동한다. 노즐 이동부(44)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 동작한다. 노즐 이동부(44)는, 모터의 정해진 위치로부터의 회전량에 따른 펄스 신호를 제어 장치(100)에 출력하는 엔코더를 가지고 있어도 된다. 예를 들면, 제어 장치(100)는, 펄스 신호의 카운트값이 미리 설정된 목표값(펄스 목표값)이 되도록, 동작 지시를 노즐 이동부(44)에 출력한다.
또한 약액 공급부(40)는, 레지스트 피막의 주연 부분을 제거하기 위한 약액을 토출하는 노즐과, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 박리하기 위한 약액을 토출하는 노즐을 가지고 있어도 된다. 주연 부분의 제거용의 약액과, 피막의 박리용의 약액은, 서로 상이해도 된다. 이 경우, 약액 공급부(40)는, 서로 상이한 약액을 노즐로 각각 공급하는 2 개의 송액부 및 2 개의 액원을 가지고 있어도 된다.
<검사 유닛>
이어서, 검사 유닛(U3)의 구성의 일례에 대하여 상세하게 설명한다. 검사 유닛(U3)은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 촬상함으로써, 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보로서 화상 데이터를 취득한다. 또한, 검사 유닛(U3)은, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 노치를 이용하여, 웨이퍼(W)의 방향을 조절한다. 도 5에 나타나는 바와 같이, 검사 유닛(U3)은, 유지부(51)와, 회전 구동부(52)와, 노치 검출부(53)와, 촬상부(57)(표면 검사부)를 가진다.
유지부(51)는, 표면(Wa)을 상방을 향한 상태에서 수평으로 배치된 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하고, 당해 웨이퍼(W)를 흡착(예를 들면 진공 흡착)에 의해 유지한다. 회전 구동부(52)는, 예를 들면 전동 모터를 동력원으로서, 연직인 중심축 둘레로 유지부(51)를 회전시킨다. 이에 의해 웨이퍼(W)가 회전한다.
노치 검출부(53)는, 웨이퍼(W)의 노치를 검출한다. 예를 들면 노치 검출부(53)는, 투광부(55)와, 수광부(56)를 가진다. 투광부(55)는, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 광을 출사한다. 예를 들면, 투광부(55)는, 웨이퍼(W)의 주연부의 상방에 배치되어 있고, 하방을 향해 광을 출사한다. 수광부(56)는, 투광부(55)에 의해 출사된 광을 받는다. 예를 들면, 수광부(56)는, 투광부(55)와 대향하도록 웨이퍼(W)의 주연부의 하방에 배치되어 있다. 회전 구동부(52), 투광부(55) 및 수광부(56)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 동작한다. 수광부(56)는, 수광한 결과를 나타내는 수광 정보를 제어 장치(100)에 출력한다. 당해 수광 정보에 기초하여, 제어 장치(100)에 의해 노치가 정해진 방향이 되도록 조절된다. 즉, 웨이퍼(W)의 방향이 조절된다.
촬상부(57)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 적어도 주연부를 촬상하는 카메라이다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 주연 부분이 제거된 상태의 레지스트 피막이 형성되어 있는 경우, 촬상부(57)는, 레지스트 피막의 외연과 웨이퍼(W)의 외연을 포함하는 촬상 범위에서 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 촬상한다. 촬상부(57)는, 유지부(51)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있다. 촬상부(57)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 따라 동작하고, 취득한 화상 데이터를 제어 장치(100)에 출력한다. 당해 화상 데이터에 기초하여, 제어 장치(100)에 의해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태가 검사된다.
<제어 장치>
이어서, 제어 장치(100)의 일례에 대하여 상세하게 설명한다. 제어 장치(100)는, 도포·현상 장치(2)에 포함되는 각 요소를 제어한다. 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 도포 유닛(U1)에 의해 형성시키는 것과, 설정된 제거 폭으로 레지스트 피막의 주연 부분을 도포 유닛(U1)에 의해 제거시키는 것을 포함하는 프로세스 처리(생산 처리)를 실행하도록 구성되어 있다. 또한, 제어 장치(100)는, 프로세스 처리에 있어서의 레지스트 피막의 주연 부분의 제거 폭에 영향을 주는 장치의 동작 조건을 설정함으로써 제거 폭을 조절하는 조절 처리를 실행하도록 구성되어 있다. 이들 프로세스 처리 및 조절 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
도 6에 나타나는 바와 같이, 제어 장치(100)는, 기능상의 구성으로서, 동작 지령 유지부(110)와, 제거 제어부(101)와, 반입 제어부(111)와, 수용 제어부(102)와, 박리 제어부(103)와, 조건 설정부(104)와, 상태 판별부(105)와, 막 형성 제어부(106)를 구비한다.
동작 지령 유지부(110)는, 레지스트 피막의 주연 부분의 제거 폭에 관한 정보(이하, '유지 정보'라 함)를 기억한다. 이 유지 정보에는, 제거 폭에 영향을 미치는 장치의 동작에 관한 설정 정보(동작 조건), 및 미리 오퍼레이터(작업원) 또는 다른 장치에 의해 입력된 조절 처리 실행 시의 각종 조건이 포함되어 있어도 된다. 예를 들면, 설정 정보에는, 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치, 및 주연 부분을 제거할 시의 노즐(41)의 배치 위치가 포함된다. 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치는, 암(90)의 X축 방향 및 Y축 방향에 있어서의 스트로크량에 따라 정해져도 된다. 조절 처리의 실행 조건에는, 예를 들면, 제거 폭의 목표값, 반복 횟수의 상한, 및 설정 정보의 한계값 등이 포함된다.
제거 제어부(101)는, 레지스트 피막의 주연 부분을 도포 유닛(U1)에 의해 제거시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 구체적으로, 제거 제어부(101)는, 동작 지령 유지부(110)에 기억된 노즐(41)의 배치 위치를 나타내는 정보에 기초하여, 당해 배치 위치에 노즐(41)을 배치하도록 노즐 이동부(44)를 제어한다. 또한, 제거 제어부(101)는, 상기 배치 위치에 배치된 노즐(41)로부터 레지스트 피막의 주연 부분을 제거하기 위한 약액을 토출시키도록 약액 공급부(40)를 제어한다.
반입 제어부(111)는, 레지스트 피막의 형성 전의 웨이퍼(W)를 회전 유지부(20)의 정해진 위치에 반송 장치(A3)에 의해 배치시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 반입 제어부(111)는, 동작 지령 유지부(110)에 기억된 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치를 나타내는 정보에 기초하여, 웨이퍼(W)를 도포 유닛(U1)으로 반입하고, 회전 유지부(20)에 있어서의 당해 유지 위치에 웨이퍼(W)를 배치하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 반입 제어부(111)는, 유지 위치를 나타내는 정보에 따른 스트로크량(펄스 목표값)으로 암(90)이 이동하도록 반송 장치(A3)를 제어해도 된다.
수용 제어부(102)는, 조절 처리에 있어서, 캐리어(C)(레지스트 피막의 형성 전의 웨이퍼(W)를 수용한 캐리어(C))로부터 조절 처리에 이용하는 웨이퍼(W)를 반송 장치(A1)에 의해 반출시키는 것과, 레지스트 피막의 박리 후의 웨이퍼(W)를 반송 장치(A1, A3)(반송부)에 의해 캐리어(C)에 반입시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
박리 제어부(103)는, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 도포 유닛(U1)에 의해 박리시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 박리 제어부(103)는, 회전 유지부(20)에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 중심축(CL)에 노즐(41)이 배치되도록 노즐 이동부(44)를 제어한다. 또한, 박리 제어부(103)는, 중심축(CL)에 배치된 노즐(41)로부터 레지스트 피막을 박리하기 위한 약액을 토출시키도록 약액 공급부(40)를 제어한다.
조건 설정부(104)는, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 포함하는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보를 촬상부(57)에 취득시키고, 당해 표면 정보에 기초하여 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 조건 설정부(104)는, 웨이퍼(W)의 전 둘레 또는 전 둘레 중 일부에 있어서, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막의 외연과 웨이퍼(W)의 외연을 포함하는 촬상 범위에서 촬상부(57)에 촬상시킴으로써, 레지스트 피막을 포함하는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 화상 데이터를 촬상부(57)에 취득시킨다. 또한, 조건 설정부(104)는, 화상 데이터로부터 주연 부분이 제거된 폭을 측정하고, 당해 폭의 측정값에 기초하여, 제거 폭에 영향을 미치는 장치의 동작 조건을 조절(보정)함으로써 주연 부분의 제거 폭을 조절한다.
상태 판별부(105)는, 레지스트 피막의 형성 전의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보로서 화상 데이터를 촬상부(57)에 취득시키고, 당해 화상 데이터에 기초하여 당해 웨이퍼(W)가 제거 폭의 조절에 이용 가능한지 여부를 판별하는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 상태 판별부(105)는, 도포막(AF)의 형성 전의 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체를 포함하는 촬상 범위에서 촬상부(57)에 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 촬상시킴으로써, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체의 상태를 나타내는 화상 데이터를 촬상부(57)에 취득시킨다. 또한, 상태 판별부(105)는, 이 화상 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 피막(예를 들면 레지스트 피막)이 남아 있지 않은지를 판별한다. 예를 들면, 상태 판별부(105)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 정해진 양 이상의 레지스트 피막이 남아 있다고 판별한 경우에, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 제거 폭의 조절에 이용 불가능하다고 판별한다.
막 형성 제어부(106)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 도포 유닛(U1)에 의해 형성시키는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 구체적으로, 막 형성 제어부(106)는, 회전 유지부(20)에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 중심축(CL)에 노즐(31)이 배치되도록 노즐 이동부(34)를 제어한다. 또한, 막 형성 제어부(106)는, 중심축(CL)에 배치된 노즐(31)로부터 레지스트막 형성용의 처리액을 토출시키도록 처리액 공급부(30)를 제어한다.
제어 장치(100)는, 1 개 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 제어 장치(100)는, 도 7에 나타나는 회로(120)를 가진다. 회로(120)는, 1 개 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)를 가진다. 스토리지(123)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 가진다. 기억 매체는, 후술하는 프로세스 처리 순서 및 조절 처리 순서를 제어 장치(100)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는, 스토리지(123)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(121)는, 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(124)는, 프로세서(121)로부터의 지령에 따라, 제어 대상의 부재와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다.
또한, 제어 장치(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 제어 장치(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
<프로세스 처리 순서>
이어서, 도포·현상 처리의 일례로서 도포·현상 장치(2)에 있어서 실행되는 프로세스 처리 순서에 대하여 설명한다. 이 프로세스 처리 순서는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 도포 유닛(U1)(처리액 공급부(30))에 의해 형성시키는 것과, 조절 처리 순서에 있어서 조절된 레지스트 피막의 주연 부분의 제거 폭으로 당해 주연 부분을 도포 유닛(U1)(약액 공급부(40))에 의해 제거시키는 것을 포함한다.
프로세스 처리 순서에 있어서, 먼저 제어 장치(100)는, 캐리어(C) 내의 프로세스 처리 대상인 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 반송하도록 반송 장치(A1)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(11)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(11) 내의 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(12)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(12) 내의 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막(R)을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 예를 들면, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막 형성용의 처리액을 도포함으로써 레지스트 피막(도포막(AF))을 형성하도록 도포 유닛(U1)을 제어한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W) 상의 레지스트 피막의 주연 부분에 약액을 도포함으로써 레지스트 피막의 주연 부분을 제거하도록 도포 유닛(U1)을 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 레지스트 피막(도포막(RF))에 열 처리를 실시하도록 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(13)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다. 또한 레지스트막(R)의 형성 후, 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 검사 유닛(U3)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 검사 유닛(U3)을 이용하여 당해 웨이퍼(W)의 표면의 상태(예를 들면 제거 폭)를 검사해도 된다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막(R) 상에 상층막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 보내도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아, 선반 유닛(U11)에 있어서의 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A8)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막(R)에 현상 처리를 실시하도록 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 캐리어(C) 내로 되돌리도록 반송 장치(A7) 및 반송 장치(A1)를 제어한다. 이상으로 프로세스 처리가 완료된다.
<조절 처리 순서>
이어서, 프로세스 처리에 있어서의 레지스트 피막의 주연 부분의 제거 폭을 조절하기 위한 조절 처리 순서에 대하여 설명한다. 이 조절 처리 순서는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 도포 유닛(U1)(처리액 공급부(30))에 의해 형성시키는 것과, 레지스트 피막의 주연 부분을 도포 유닛(U1)(약액 공급부(40))에 의해 제거시키는 것을 포함한다. 이 조절 처리 순서는, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 포함하는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보를 촬상부(57)에 취득시키고, 당해 표면 정보에 기초하여 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것과, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 도포 유닛(U1)(약액 공급부(40))에 의해 박리시키는 것을 포함한다.
또한, 이하에서는 설명을 간단하게 하기 위하여, 처리 모듈(12)의 복수의 도포 유닛(U1) 중 하나의 도포 유닛(U1)에 있어서 일련의 조절 처리 순서가 행해진다고 한다. 또한, 당해 도포 유닛(U1)을 '조절 대상의 도포 유닛(U1)'이라 표기한다. 또한 설명의 편의를 위하여, 일련의 조절 처리 순서에 있어서, 동일한 웨이퍼(W)가 이용된다고 하고, 당해 웨이퍼(W)를 '조절 처리용의 웨이퍼(W)'라 표기한다.
도 8에 나타나는 바와 같이, 먼저 제어 장치(100)는, 단계(S01)를 실행한다. 단계(S01)에서는, 수용 제어부(102)가, 캐리어(C)로부터 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 반출하도록 반송 장치(A1)를 제어한다. 그리고, 수용 제어부(102)는, 반출한 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)에 있어서의 처리 모듈(12)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A1)를 제어한다. 이 후, 수용 제어부(102)는, 선반 유닛(U10)에 배치된 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 검사 유닛(U3)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S02)를 실행한다. 단계(S02)에서는, 제어 장치(100)가 설정 전 처리를 실행한다. 설정 전 처리에서는, 먼저 제어 장치(100)는, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 방향을 정해진 방향에 맞추도록 검사 유닛(U3)을 제어한다. 구체적으로, 제어 장치(100)는, 조절 처리용의 웨이퍼(W)에 형성된 노치가 정해진 방향이 되도록, 수광부(56)로부터의 수광 정보에 기초하여 회전 구동부(52)를 제어한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 노치의 방향이 정해진 방향(예를 들면 X축 부방향)이 된다.
이어서 설정 전 처리에 있어서, 상태 판별부(105)가, 레지스트 피막이 형성되어 있지 않은 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 촬상부(57)에 촬상시키고, 당해 표면(Wa)의 상태를 나타내는 화상 데이터를 촬상부(57)에 취득시킨다. 상태 판별부(105)는, 이 화상 데이터에 기초하여 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 제거 폭의 조절에 이용 가능한지 여부를 판별한다. 예를 들면, 상태 판별부(105)는, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 정해진 양 이상의 레지스트 피막이 남아 있다고 판별한 경우에, 당해 조절 처리용의 웨이퍼(W)에 대하여 제거 폭의 조절에 이용 불가능하다고 판별한다. 제어 장치(100)는, 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 제거 폭의 조절에 이용 불가능하다고 판별한 경우에, 조절 처리의 실행을 중단하고, 다른 웨이퍼를 이용하여 조절 처리를 처음부터 실행해도 된다.
조절 처리용의 웨이퍼(W)가 제거 폭의 조절에 이용 가능하다고 판별된 경우, 이어서 제어 장치(100)는, 단계(S03)를 실행한다. 단계(S03)에서는, 조건 설정부(104)가 조건 설정 처리를 실행한다. 조건 설정부(104)는, 조건 설정 처리에 있어서, 조절 처리용의 웨이퍼(W) 상에 테스트용의 레지스트 피막을 형성하고, 당해 레지스트 피막의 주연 부분을 제거한 후에, 제거 폭에 영향을 미치는 장치의 동작 조건을 조절한다. 단계(S03)의 조건 설정 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S04)를 실행한다. 단계(S04)에서는, 예를 들면 수용 제어부(102)가, 조건 설정 처리가 행해진 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 반입하도록 반송 장치(A3, A1)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S05)를 실행한다. 단계(S05)에서는, 예를 들면 수용 제어부(102)가, 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로부터 반출하여, 선반 유닛(U10)에 있어서의 처리 모듈(12)용의 셀에 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 배치하도록 반송 장치(A1)를 제어한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)에 배치된 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 조절 대상의 도포 유닛(U1)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S06)를 실행한다. 단계(S06)에서는, 박리 제어부(103)가, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 남아 있는 레지스트 피막을 박리하도록 조절 대상의 도포 유닛(U1)의 약액 공급부(40)를 제어한다. 또한, 단계(S03)에 있어서의 조건 설정 처리의 종료 시점에 있어서, 도 11의 (a)에 나타나는 바와 같이, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에는 레지스트 피막(레지스트막(R))이 남아 있다. 단계(S06)에 있어서, 구체적으로, 도 11의 (b)에 나타나는 바와 같이, 박리 제어부(103)는, 회전 유지부(20)에 의해 유지되어 있는 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 중심축(CL)에 약액 공급부(40)의 노즐(41)이 배치되도록 노즐 이동부(44)를 제어한다. 그리고, 박리 제어부(103)는, 중심축(CL)에 배치된 노즐(41)로부터 레지스트 피막을 박리하기 위한 약액(62)을 토출시키도록 약액 공급부(40)의 밸브(V1)를 제어한다. 또한, 약액(62)의 토출이 행해지고 있는 동안에 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 회전하도록, 제어 장치(100)는 회전 유지부(20)의 회전 구동부(22)를 제어해도 된다. 이에 의해, 도 11의 (c)에 나타나는 바와 같이, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 레지스트 피막이 박리된다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S07)를 실행한다. 단계(S07)에서는, 수용 제어부(102)가, 레지스트 피막의 박리 후의 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 캐리어(C)에 반입하도록 반송 장치(A1, A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S08)를 실행한다. 단계(S08)에서는, 제어 장치(100)가, 종료 플래그가 OFF인지 여부를 판단한다. 이 종료 플래그는, 조절 처리를 종료시킬지 여부를 판단하기 위한 플래그이며, 단계(S03)의 조건 설정 처리에 있어서 설정된다. 또한 종료 플래그는, 조절 처리가 실행되기 전에 있어서 OFF로 미리 설정되어 있다.
단계(S08)에 있어서, 종료 플래그가 OFF라고 판단된 경우(단계(S08) : YES), 제어 장치(100)는, 단계(S01) ~ 단계(S08)의 처리를 반복한다. 단계(S08)에 있어서, 종료 플래그가 ON이라고 판단된 경우(단계(S08) : NO), 제어 장치(100)는 조절 처리 순서를 종료한다. 제어 장치(100)는, 종료 플래그가 ON이라고 판단될 때까지, 조절 처리 순서를 반복한다. 상술한 바와 같이, 이 예에서는 동일한 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 조절 처리에 이용되므로, 제어 장치(100)는, 동일한 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 이용하여 조절 대상의 도포 유닛(U1)에 조절 처리를 반복하여 실행시킨다. 제어 장치(100)는, 조절 대상의 도포 유닛(U1)에 있어서의 조절 처리의 실행 후, 복수의 도포 유닛(U1) 중 다른 도포 유닛에 있어서의 조절 처리를 차례로 실행해도 된다. 제어 장치(100)는, 이들 조절 처리가 모두 종료된 후에 프로세스 처리를 실행해도 된다.
<조건 설정 처리>
이어서 단계(S03)에 있어서의 조건 설정 처리에 대하여 설명한다. 도 9에 나타나는 바와 같이, 조건 설정 처리에 있어서, 먼저 제어 장치(100)는 단계(S11)를 실행한다. 단계(S11)에서는, 예를 들면, 반입 제어부(111)가, 검사 유닛(U3)으로부터 조절 대상의 도포 유닛(U1)까지 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 반송하고, 회전 유지부(20)에 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 배치하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 이 때, 반입 제어부(111)는, 동작 지령 유지부(110)에 기억된 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치를 나타내는 정보(이하, '유지 위치 정보'라 함)에 기초하여, 웨이퍼(W)를 도포 유닛(U1)에 반입하고, 회전 유지부(20)에 있어서의 당해 유지 위치에 웨이퍼(W)를 배치하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 이 때, 반입 제어부(111)는, 단계(S02)에 있어서 조절된 노치의 방향이 유지된 상태에서, 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 반송하여 회전 유지부(20)에 배치하도록 반송 장치(A3)를 제어해도 된다. 예를 들면, 반입 제어부(111)는, 유지 위치 정보에 기초하여, 암(90)의 X축 방향 및 Y축 방향에 있어서의 스트로크량(펄스 설정값)을 설정함으로써, 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 회전 유지부(20)에 있어서의 유지 위치에 배치되도록 반송 장치(A3)를 제어해도 된다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S12)를 실행한다. 단계(S12)에서는, 막 형성 제어부(106)가, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 형성하도록 처리액 공급부(30)를 제어한다. 구체적으로, 도 12의 (a)에 나타나는 바와 같이, 막 형성 제어부(106)는, 처리액 공급부(30)의 노즐(31)이 회전 유지부(20)에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 중심축(CL)에 배치되도록 노즐 이동부(34)를 제어한다. 그리고, 막 형성 제어부(106)는, 중심축(CL)에 배치된 노즐(31)로부터 레지스트 피막을 형성하기 위한 처리액(61)을 토출시키도록 처리액 공급부(30)의 밸브(V1)를 제어한다. 또한, 처리액(61)의 토출이 행해지고 있는 동안에 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 회전하도록, 제어 장치(100)는 회전 유지부(20)의 회전 구동부(22)를 제어해도 된다. 이에 의해, 도 12의 (b)에 나타나는 바와 같이, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막(도포막(AF))이 형성된다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S13)를 실행한다. 단계(S13)에서는, 제거 제어부(101)가, 동작 지령 유지부(110)에 기억된 노즐(41)의 배치 위치를 나타내는 정보(이하, '배치 위치 정보'라 함)에 기초하여, 당해 배치 위치에 노즐(41)을 배치하도록 노즐 이동부(44)를 제어한다. 예를 들면, 제거 제어부(101)는, 배치 위치 정보에 기초하여, 노즐 이동부(44)에 있어서의 펄스 목표값을 설정함으로써, 노즐(41)이 상기 배치 위치에 배치되도록 노즐 이동부(44)를 제어해도 된다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S14)를 실행한다. 단계(S14)에서는, 도 12의 (c)에 나타나는 바와 같이, 제거 제어부(101)가, 상기 배치 위치에 배치된 노즐(41)로부터 레지스트 피막을 제거하기 위한 약액(62)을 토출시키도록 약액 공급부(40)의 밸브(V2)를 제어한다. 또한, 약액(62)의 토출이 행해지고 있는 동안에 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 회전하도록, 제어 장치(100)는 회전 구동부(22)를 제어해도 된다. 이에 의해, 도 11의 (a)에 나타나는 바와 같이, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서 레지스트 피막의 주연 부분이 제거된다. 그리고, 제어 장치(100)는, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막(도포막(RF))을 포함하는 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(12) 내의 어느 하나의 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 레지스트 피막에 열 처리를 실시하도록 당해 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이에 의해, 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 테스트용의 레지스트막(R)이 형성된다. 이 후, 제어 장치(100)는, 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 검사 유닛(U3)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S15, S16)를 실행한다. 단계(S15)에서는, 조건 설정부(104)가, 레지스트 피막의 형성 후의 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 화상 데이터를 촬상부(57)에 취득시킨다. 단계(S16)에서는, 조건 설정부(104)가, 당해 화상 데이터에 기초하여, 제거된 주연 부분의 제거 폭을 산출한다. 예를 들면, 조건 설정부(104)는, 도 13에 나타나는 바와 같이, 당해 화상 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 중심(P1)에 있어서의 둘레 방향에 있어서 서로 90° 간격으로 이간한 4 개의 각도에서의 제거 폭(ΔX1, ΔX2, ΔY1, ΔY2)을 산출해도 된다. 예를 들면, 조건 설정부(104)는, 노치가 형성되어 있는 위치에 있어서의 제거 폭을, 제거 폭(ΔX1)으로서 산출해도 된다.
조건 설정부(104)는, 제거 폭(ΔX1, ΔX2, ΔY1, ΔY2)의 평균을 평균 제거 폭(ΔA)으로서 산출해도 된다. 또한, 조건 설정부(104)는, 제거 폭(ΔX1)과 제거 폭(ΔX2)과의 차분을 X축 방향에 있어서의 편심값(ΔX)으로서 산출하고, 제거 폭(ΔY1)과 제거 폭(ΔY2)과의 차분을 Y축 방향에 있어서의 편심값(ΔY)으로서 산출해도 된다. 또한 편심값(ΔX, ΔY)은, 웨이퍼(W)의 중심(P1)과 레지스트막(R)의 중심(P2)과의 사이의 어긋남의 정도(어긋남량(ΔZ)의 크기)를 나타내고 있다. 편심값(ΔX, ΔY)의 값은, 주연 제거 시의 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치에 따라 변동한다.
이어서 제어 장치(100)는, 단계(S17)를 실행한다. 단계(S17)에서는, 조건 설정부(104)가, 단계(S16)에 있어서 산출한 제거 폭(이하, '산출 제거 폭'이라 함)이, 미리 정해진 목표 범위 외인지 여부를 판단한다. 예를 들면, 조건 설정부(104)는, 단계(S16)에 있어서 산출한 제거 폭과, 목표 범위의 상한인 목표값과의 차분(편차)을 구비하고, 당해 차분이 정해진 레벨에 달하고 있지 않은지 여부를 판단한다. 일례로서는, 조건 설정부(104)는, 편심값(ΔX, ΔY)이 임계치(Th1)보다 큰지 여부, 및 평균 제거 폭(ΔA)과 목표값과의 편차(δ)가 임계치(Th2)보다 큰지 여부를 판단해도 된다. 조건 설정부(104)는, 어느 일방의 조건이 충족되는 경우에는, 산출 제거 폭이 목표 범위 외라고 판단해도 된다.
단계(S17)에 있어서, 산출 제거 폭이 목표 범위 외라고 판단된 경우(단계(S17) : YES), 제어 장치(100)는, 단계(S18)를 실행한다. 단계(S18)에서는, 조건 설정부(104)가, 제거 폭이 목표 범위 내가 되도록(목표값에 가까워지도록), 제거 폭에 영향을 미치는 동작 조건의 보정을 행한다. 이 동작 조건의 보정 순서의 구체예에 대해서는 후술한다.
한편, 단계(S17)에 있어서, 산출 제거 폭이 목표 범위 내라고 판단된 경우(단계(S17) : NO), 제어 장치(100)는, 단계(S19)를 실행한다. 단계(S19)에서는, 제어 장치(100)가 종료 플래그를 ON으로 설정한다. 상술한 예에서는, 편심값(ΔX, ΔY)이 양방모두 임계치(Th1) 이하이며, 평균 제거 폭(ΔA)과 목표값과의 편차(δ)가 임계치(Th2) 이하인 경우에, 제어 장치(100)는 종료 플래그를 ON으로 설정한다. 이상에 의해, 제어 장치(100)는 조건 설정 처리를 종료한다.
이 조건 설정 처리에서는, 단계(S17)에 있어서 산출 제거 폭이 목표 범위 외인 경우에, 단계(S18)에 있어서의 동작 조건의 보정이 행해지고, 종료 플래그가 ON이 되지 않는다. 이 때문에, 단계(S01 ~ S08)의 처리를 포함하는 조절 처리가 반복하여 실행된다. 반복 실행될 때마다, 단계(S18)에 있어서 제거 폭이 목표값에 가까워지도록 동작 조건의 보정이 행해진다. 환언하면, 제어 장치(100)는, 제거 폭(산출 제거 폭)과 목표값과의 편차가 정해진 레벨에 달할 때까지 조절 처리를 반복하여 실행한다.
<동작 조건의 보정 처리>
이어서, 단계(S18)에 있어서의 동작 조건의 보정 처리의 구체예에 대하여 설명한다. 도 10은 단계(S16)에 있어서 편심값(ΔX, ΔY) 및 평균 제거 폭(ΔA)을 산출하는 경우에 행해지는 동작 조건의 보정 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
이 동작 조건의 보정 순서에서는, 먼저 제어 장치(100)가, 단계(S21, S22)를 실행한다. 단계(S21)에서는, 조건 설정부(104)가, 반복 횟수를 나타내는 변수(k)를 인크리먼트한다. 환언하면, 조건 설정부(104)는 변수(k)에 1을 가산한다. 또한, 조절 처리의 실행 전에 있어서 변수(k)는 0으로 설정되어 있다. 단계(S22)에서는, 조건 설정부(104)가, 변수(k)가 미리 정해진 정수(N)(예를 들면 N은 3 이상의 정수)보다 작은지 여부를 판단한다. 단계(S22)에 있어서, 변수(k)가 정수(N) 이상이라고 판단된 경우(단계(S22) : NO), 제어 장치(100)는, 단계(S30)를 실행한다. 단계(S30)에 대해서는 후술한다.
단계(S22)에 있어서, 변수(k)가 정수(N)보다 작다고 판단된 경우(단계(S22) : YES), 제어 장치(100)는, 단계(S23)를 실행한다. 단계(S23)에서는, 예를 들면, 조건 설정부(104)가, 편심값(ΔX, ΔY)의 어느 일방이 임계치(Th1)보다 큰지 여부를 판단한다. 단계(S23)에 있어서, 편심값(ΔX, ΔY)의 어느 일방이 임계치(Th1)보다 크다고 판단된 경우(단계(S23) : YES), 제어 장치(100)는, 단계(S24, S25)를 실행한다. 단계(S23)에 있어서, 편심값(ΔX, ΔY)의 쌍방이 임계치(Th1) 이하라고 판단된 경우(단계(S23) : NO), 제어 장치(100)는, 단계(S24, S25)를 실행하지 않는다.
단계(S24)에서는, 조건 설정부(104)가, 임계치(Th1)보다 크다고 판단된 편심값(ΔX, ΔY) 중 적어도 일방이 보정 가능한 범위인지 여부를 판단한다. 예를 들면, 편심값(ΔX, ΔY)에 대한 보정 가능한 범위가, 오퍼레이터(작업원)에 의해 미리 제어 장치(100)(동작 지령 유지부(110))에 기억되어 있어도 된다. 단계(S24)에 있어서, 편심값(ΔX, ΔY)의 어느 일방이 보정 가능한 범위는 아니라고 판단된 경우(단계(S24) : NO), 제어 장치(100)는, 단계(S30)를 실행한다. 단계(S24)에 있어서, 편심값(ΔX, ΔY)이 보정 가능한 범위라고 판단된 경우(단계(S24) : YES), 제어 장치(100)는, 단계(S25)를 실행한다.
단계(S25)에서는, 조건 설정부(104)가, 편심값(ΔX, ΔY)에 따라, 동작 지령 유지부(110)에 기억되어 있는 유지 위치 정보를 보정한다. 예를 들면, 조건 설정부(104)는, 편심값(ΔX, ΔY)에 따라, 편심값(ΔX, ΔY)이 편심값에 관한 목표값에 가까워지도록 유지 위치 정보를 보정한다. 조건 설정부(104)는, 가동부(91, 93)에 포함되는 모터에 대한 펄스 목표값을 보정함으로써, 유지 위치 정보를 보정해도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S26)를 실행한다. 단계(S26)에서는, 조건 설정부(104)가, 평균 제거 폭(ΔA)과 목표값과의 편차(δ)가 임계치(Th2)보다 큰지 여부를 판단한다. 단계(S26)에 있어서, 편차(δ)가 임계치(Th2)보다 크다고 판단된 경우(단계(S26) : YES), 제어 장치(100)는, 단계(S27 ~ S29)를 실행한다. 단계(S26)에 있어서, 편차(δ)가 임계치(Th2) 이하라고 판단된 경우(단계(S26) : NO), 제어 장치(100)는, 단계(S27 ~ S29)를 실행하지 않는다.
단계(S27)에서는, 조건 설정부(104)가, 편차(δ)가 보정 가능한 범위인지 여부를 판단한다. 예를 들면, 편차(δ)에 대한 보정 가능한 범위가, 오퍼레이터(작업원)에 의해 미리 제어 장치(100)(동작 지령 유지부(110))에 기억되어 있어도 된다. 단계(S27)에 있어서, 편차(δ)가 보정 가능한 범위는 아니라고 판단된 경우(단계(S27) : NO), 제어 장치(100)는, 단계(S30)를 실행한다. 단계(S27)에 있어서, 편차(δ)가 보정 가능한 범위라고 판단된 경우(단계(S27) : YES), 제어 장치(100)는, 단계(S28)를 실행한다.
단계(S28)에서는, 조건 설정부(104)가, 편차(δ)에 따라 노즐(41)의 배치 위치 정보에 대한 보정량을 산출한다. 예를 들면, 조건 설정부(104)는, 목표값을 평균 제거 폭(ΔA)으로 감산함으로써 얻어지는 값과 동일한 분만큼 노즐(41)의 배치 위치를 비켜 놓도록 보정량을 산출한다. 그리고, 단계(S29)에서는, 조건 설정부(104)가, 동작 지령 유지부(110)에 기억되어 있는 배치 위치 정보를 단계(S28)에 있어서 산출한 보정량을 이용하여 보정한다. 예를 들면, 조건 설정부(104)는, 상기 보정량에 따라, 노즐 이동부(44)에 있어서의 모터에 대한 펄스 목표값을 보정함으로써, 노즐(41)의 배치 위치 정보를 보정해도 된다.
단계(S30)에서는, 조건 설정부(104)가, 종료 플래그를 ON으로 설정한다. 이 경우의 종료 플래그는, 반복 횟수가 설정 횟수를 초과하고 있는 경우, 혹은 편차(δ) 등이 보정 불가능한 범위인 경우에 ON이 되므로, 단계(S19)와 달리 이상 종료인 것을 나타내고 있다. 이상에 의해, 제어 장치(100)는, 동작 조건의 보정 처리를 종료한다. 이 예시한 동작 조건의 보정 처리가 행해짐으로써, 제어 장치(100)는, 조절 처리에 있어서, 회전 유지부(20)에 있어서의 조절 처리용의 웨이퍼(W)의 유지 위치와 약액을 토출시킬 시의 노즐(41)의 위치를 조절한다.
또한, 조건 설정 처리 및 동작 조건의 보정 처리에 있어서, 제어 장치(100)는, 평균 제거 폭(ΔA)의 산출 및 약액 토출 시의 노즐 위치의 조정(배치 위치 정보의 보정)을 행하지 않고, 편심값(ΔX, ΔY)의 산출 및 유지 위치 정보의 보정을 행해도 된다. 혹은, 제어 장치(100)는, 편심값(ΔX, ΔY)의 산출 및 유지 위치 정보의 보정을 행하지 않고, 평균 제거 폭(ΔA)의 산출 및 배치 위치 정보의 보정을 행해도 된다. 환언하면, 제어 장치(100)(조건 설정부(104))는, 조절 처리에 있어서, 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치와 약액을 토출시킬 시의 노즐(41)의 위치 중 어느 일방을 조절함으로써 제거 폭을 조절해도 된다.
[실시 형태의 효과]
이상 설명한 본 실시 형태에 따른 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서의 레지스트 피막의 형성과 레지스트 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 처리 모듈(12)(처리액 공급부(30) 및 약액 공급부(40))과, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보를 취득하는 촬상부(57)와, 처리 모듈(12) 및 촬상부(57)를 제어하는 제어 장치(100)를 구비한다. 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 처리액 공급부(30)에 의해 형성시키는 것과, 레지스트 피막의 주연 부분을 약액 공급부(40)에 의해 제거시키는 것과, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 포함하는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보를 촬상부(57)에 취득시키고, 당해 표면 정보에 기초하여 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것과, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 약액 공급부(40)에 의해 박리시키는 것을 포함하는 조절 처리와, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 처리액 공급부(30)에 의해 형성시키는 것과, 조절 처리에 있어서 조절된 제거 폭으로 주연 부분을 약액 공급부(40)에 의해 제거시키는 것을 포함하는 프로세스 처리를 실행한다.
본 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서의 피막의 형성과 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 처리 모듈(12)(처리액 공급부(30) 및 약액 공급부(40))에 의해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 형성시키는 것과, 레지스트 피막의 주연 부분을 약액 공급부(40)에 의해 제거시키는 것과, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 포함하는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보에 기초하여 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것과, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 약액 공급부(40)에 의해 박리시키는 것을 포함하는 조절 처리를 실행하는 것과, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트 피막을 처리액 공급부(30)에 의해 형성시키는 것과, 조절 처리에 있어서 조절된 제거 폭으로 주연 부분을 약액 공급부(40)에 의해 제거시키는 것을 포함하는 프로세스 처리를 실행하는 것을 포함한다.
상기 도포·현상 장치(2) 및 기판 처리 순서에서는, 조절 처리에 있어서 주연 부분이 제거된 레지스트 피막이 박리된다. 이 때문에, 레지스트 피막의 대략 전부가 제거된 웨이퍼(W)를 다른 처리에 이용할 수 있으므로, 도포·현상 장치(2) 및 기판 처리 순서에서는, 제거 폭 조절에 이용된 웨이퍼(W)가 유효하게 이용될 수 있다.
이상의 실시 형태에 있어서, 제어 장치(100)는, 제거 폭과 목표값과의 편차가 정해진 레벨에 달할 때까지 조절 처리를 반복 실행한다. 조절 처리를 반복 실행할 시에는, 반복 때마다 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 필요하게 된다. 상기 구성에서는, 반복 때마다 웨이퍼(W) 상의 레지스트 피막이 박리되므로, 제거 폭 조절에 이용된 웨이퍼(W)를 유효하게 이용할 수 있는 것의 메리트가 보다 크다.
이상의 실시 형태에 있어서, 제어 장치(100)는, 동일한 웨이퍼(W)를 이용하여 조절 처리를 반복하여 실행한다. 웨이퍼(W) 상의 레지스트 피막이 박리됨으로써, 당해 웨이퍼(W)를 이용하여 재차, 조절 처리를 행할 수 있다. 상기 구성에서는, 동일한 웨이퍼(W)를 이용하여 제거 폭의 조절이 반복되므로, 제거 폭의 조절에 있어서 웨이퍼(W) 간의 개체차에 의한 영향이 작다. 이 때문에, 보다 고정밀도로 제거 폭을 조절하는 것이 가능해진다.
이상의 실시 형태에 있어서, 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A1, A3)를 더 구비한다. 제어 장치(100)는, 조절 처리에 있어서, 피막의 형성 전의 웨이퍼(W)를 수용하는 캐리어(C)로부터 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 반송 장치(A1)에 의해 반출시키는 것과, 피막의 박리 후의 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 반송 장치(A1, A3)에 의해 캐리어(C)에 반입시키는 것을 더 실행한다. 이 경우, 조절 처리용의 웨이퍼(W)가, 재이용 가능한 상태가 되어 캐리어(C)에 수용되므로, 당해 웨이퍼(W)의 재이용이 용이하다.
이상의 실시 형태에 있어서, 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 회전 유지부(20)를 더 구비한다. 처리액 공급부(30) 및 약액 공급부(40)는, 회전 유지부(20)에 의해 회전하고 있는 웨이퍼(W)를 향해 주연 부분을 제거하기 위한 약액을 토출하는 노즐(41)을 가진다. 제어 장치(100)는, 조절 처리에 있어서, 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치와 약액을 토출시킬 시의 노즐(41)의 위치 중 적어도 일방을 조절함으로써 제거 폭을 조절한다. 회전 유지부(20)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 위치 및 노즐(41)의 배치 위치가, 주연 부분의 제거 폭에 큰 영향을 주므로, 이들 유지 위치 및 배치 위치 중 적어도 일방을 조절함으로써, 보다 고정밀도로 제거 폭을 조절하는 것이 가능해진다.
이상의 실시 형태에 있어서, 제어 장치(100)는, 레지스트 피막의 형성 전의 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태를 나타내는 표면 정보를 촬상부(57)에 취득시키고, 당해 표면 정보에 기초하여 당해 조절 처리용의 웨이퍼(W)가 제거 폭의 조절에 이용 가능한지 여부를 판별하는 것을 더 실행한다. 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 상태에 따라서는 제거 폭의 조절을 정밀도 좋게 행할 수 없는 경우가 있는데, 상기 구성에서는, 제거 폭의 조절을 행하기 전에 이용 가능한지 여부의 판별이 행해지므로, 제거 폭의 조절을 보다 고정밀도로 행하는 것이 가능해진다.
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
<변형예 1>
제어 장치(100)는, 프로세스 처리를 실행하면서, 복수의 도포 유닛(U1) 중 어느 하나의 도포 유닛(예를 들면 조절 대상의 도포 유닛(U1))에 있어서의 조절 처리를 실행해도 된다. 구체적으로, 제어 장치(100)는, 조절 대상의 도포 유닛(U1)을 제외한 복수의 도포 유닛(U1)에 프로세스 처리를 실행시키고 있는 기간에, 조절 대상의 도포 유닛(U1)에 조절 처리의 적어도 일부를 실행시켜도 된다. 또한 제어 장치(100)는, 프로세스 처리를 실행하면서 조절 처리의 일부를 행하는 처리(이하, '프로세스 및 조절의 병렬 처리'라 함)를, 모든 조절 처리가 종료되어 프로세스 처리로 이행시킨 후에 실행해도 된다. 혹은, 복수의 도포 유닛(U1)의 일부에 대하여 조절 처리가 종료된 후에, 조절 처리가 종료된 도포 유닛(U1)으로부터 차례로 프로세스 처리로 이행하도록 프로세스 및 조절의 병렬 처리를 실행해도 된다.
이 변형예 1에서는, 처리 모듈(12)이, 레지스트 피막의 형성과 레지스트 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 복수의 도포 유닛(U1)을 가진다. 제어 장치(100)는, 복수의 도포 유닛(U1) 중 어느 하나의 도포 유닛(U1)에 프로세스 처리를 실행시키고 있는 기간에, 복수의 도포 유닛(U1) 중 다른 도포 유닛(U1)에 조절 처리의 적어도 일부를 실행시킨다. 이 경우, 조절 처리를 행하는 것에 기인하여 프로세스 처리를 멈추지 않고, 프로세스 처리를 실행하는 것이 가능해진다.
<변형예 2>
제어 장치(100)는, 하나의 도포 유닛(U1)에 있어서의 조절 처리를 실행하면서, 다른 도포 유닛(U1)에 있어서의 조절 처리를 실행해도 된다. 구체적으로, 제어 장치(100)는, 복수의 도포 유닛(U1) 중 어느 하나의 도포 유닛(U1)(예를 들면, 조절 대상의 도포 유닛(U1))에 조절 처리를 실행시키고 있는 기간에, 다른 도포 유닛(U1)에 조절 처리를 실행시켜도 된다. 제어 장치(100)는, 복수의 조절 처리용의 웨이퍼(W)를 이용하여, 복수의 도포 유닛(U1)에 병행하여 조절 처리를 실행시키는 처리(이하, '조절의 병행 처리'라 함)를 행해도 된다. 제어 장치(100)는, 변형예 1에 따른 프로세스 및 조절의 병렬 처리에 있어서 행해지는 조절 처리를, 변형예 2에 따른 조절의 병행 처리와 동일한 방법으로 행해도 된다.
이 변형예 2에서는, 처리 모듈(12)이, 레지스트 피막의 형성과 레지스트 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 복수의 도포 유닛(U1)을 가진다. 제어 장치(100)는, 복수의 도포 유닛(U1) 중 어느 하나의 도포 유닛(U1)에 조절 처리를 실행시키고 있는 기간에, 복수의 도포 유닛(U1) 중 다른 도포 유닛(U1)에 조절 처리를 실행시킨다. 복수의 도포 유닛(U1)에 있어서의 조절 처리가 병행하여 행해지므로, 짧은 기간에 조절 처리가 종료된다. 이 때문에, 프로세스 처리로 빨리 이행하는 것이 가능해진다.
<변형예 3>
처리 모듈(12)은, 레지스트 피막의 형성과 주연 부분의 제거를 행하는 조절 대상의 도포 유닛(U1)(제 1 처리 유닛)과, 당해 조절 대상의 도포 유닛(U1)과는 다른 도포 유닛(U1)(제 2 처리 유닛)으로서, 레지스트 피막의 박리를 행하는 도포 유닛(U1)을 가지고 있어도 된다. 이 경우, 조절 대상의 도포 유닛(U1)의 약액 공급부(40)는, 레지스트 피막을 박리하는 기능을 가지고 있어도 되며, 당해 기능을 가지지 않아도 된다. 다른 도포 유닛(U1)은, 처리액 공급부(30)를 가지고 있지 않아도 되며, 도포 유닛(U1)의 약액 공급부(40)는, 주연 부분을 제거하는 기능을 가지고 있지 않아도 된다. 즉, 다른 도포 유닛(U1)은, 레지스트 피막의 박리를 전용으로 행하는 유닛이어도 된다. 제어 장치(100)는, 조절 대상의 도포 유닛(U1)에 있어서의 제거 폭을 조절하는 조절 처리에 있어서, 레지스트 피막을 다른 도포 유닛(U1)에 의해 박리시키는 것을 실행해도 된다. 또한, 변형예 3에 따른 처리 모듈(12)을 가지는 도포·현상 장치(2)에 있어서, 제어 장치(100)는, 변형예 1에 따른 프로세스 및 조절의 병렬 처리를 실행해도 되며, 변형예 2에 따른 조절의 병행 처리를 실행해도 된다.
이 변형예 3에서는, 처리 모듈(12)이, 레지스트 피막의 형성과 주연 부분의 제거를 행하는 조절 대상의 도포 유닛(U1)과, 레지스트 피막의 박리를 행하는 다른 도포 유닛(U1)을 가진다. 제어 장치(100)는, 조절 대상의 도포 유닛(U1)에 있어서의 제거 폭을 조절하는 조절 처리에 있어서, 주연 부분이 제거된 레지스트 피막을 제 2 처리 유닛에 의해 박리시키는 것을 실행한다. 이 경우, 조절 처리에 있어서의 레지스트 피막의 박리가 다른 도포 유닛(U1)에서 행해짐으로써, 박리 처리를 기다리지 않고 조절 처리용의 도포 유닛(U1)에서의 처리를 진행시키는 것이 가능해진다.
<그 외의 변형예>
도포·현상 장치(2)는, 레지스트 피막의 형성과 주연 부분의 제거를 행하는 성막 처리부와, 이를 제어 가능한 제어 장치(100)를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다. 성막 처리부는, 상술한 구성에 한정되지 않으며, 예를 들면 피막의 형성, 주연 부분의 제거 및 피막의 박리를 각각 행하는 상이한 유닛을 가지고 있어도 된다. 검사 유닛(U3)은, 처리 모듈(12) 이외에 배치되어 있어도 된다. 예를 들면, 검사 유닛(U3)은, 캐리어 블록(4) 또는 선반 유닛(U10)의 일부에 배치되어 있어도 된다. 단계(S02)의 설정 전 처리와, 단계(S15)의 표면 정보의 취득은, 상이한 검사 유닛(U3)에서 행해져도 된다. 조절 처리의 대상으로 하는 제거 폭은, 레지스트 피막(레지스트막(R))에 있어서의 제거 폭에 한정되지 않는다. 조절 처리의 대상이 되는 제거 폭은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 형성되는 어느 피막에 있어서의 제거 폭이어도 된다.
처리 대상인 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않으며, 예를 들면 글라스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다.
2 : 도포·현상 장치
U1 : 도포 유닛
U3 : 검사 유닛
A1, A3 : 반송 장치
20 : 회전 유지부
30 : 처리액 공급부
40 : 약액 공급부
41 : 노즐
57 : 촬상부
100 : 제어 장치
W : 웨이퍼
Wa : 표면

Claims (11)

  1. 기판의 표면에 있어서의 피막의 형성과 상기 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 성막 처리부와,
    상기 기판의 표면의 상태를 나타내는 표면 정보를 취득하는 표면 검사부와,
    상기 성막 처리부 및 상기 표면 검사부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판의 표면에 상기 피막을 상기 성막 처리부에 의해 형성시키는 것과, 상기 피막의 주연 부분을 상기 성막 처리부에 의해 제거시키는 것과, 상기 주연 부분이 제거된 상기 피막을 포함하는 상기 기판의 표면의 상태를 나타내는 상기 표면 정보를 상기 표면 검사부에 취득시키고, 상기 표면 정보에 기초하여 상기 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것과, 상기 주연 부분이 제거된 상기 피막을 상기 성막 처리부에 의해 박리시키는 것을 포함하는 조절 처리와,
    상기 기판의 표면에 상기 피막을 상기 성막 처리부에 의해 형성시키는 것과, 상기 조절 처리에 있어서 조절된 상기 제거 폭으로 상기 주연 부분을 상기 성막 처리부에 의해 제거시키는 것을 포함하는 프로세스 처리
    를 실행하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제거 폭과 목표값과의 편차가 정해진 레벨에 달할 때까지 상기 조절 처리를 반복하여 실행하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는, 동일한 상기 기판을 이용하여 상기 조절 처리를 반복하여 실행하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 반송하는 반송부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 조절 처리에 있어서,
    상기 피막의 형성 전의 상기 기판을 수용하는 수용부로부터 상기 조절 처리용의 상기 기판을 상기 반송부에 의해 반출시키는 것과,
    상기 피막의 박리 후의 상기 기판을 상기 반송부에 의해 상기 수용부에 반입시키는 것을 더 실행하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부를 더 구비하고,
    상기 성막 처리부는, 상기 회전 유지부에 의해 회전하고 있는 상기 기판을 향해 상기 주연 부분을 제거하기 위한 약액을 토출하는 노즐을 가지고,
    상기 제어부는, 상기 조절 처리에 있어서, 상기 회전 유지부에 있어서의 상기 기판의 유지 위치와 상기 약액을 토출시킬 시의 상기 노즐의 위치 중 적어도 일방을 조절함으로써 상기 제거 폭을 조절하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 피막의 형성 전의 상기 기판의 표면의 상태를 나타내는 상기 표면 정보를 상기 표면 검사부에 취득시키고, 상기 표면 정보에 기초하여 상기 기판이 상기 제거 폭의 조절에 이용 가능한지 여부를 판별하는 것을 더 실행하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성막 처리부는, 상기 피막의 형성과 상기 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 복수의 처리 유닛을 가지고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 처리 유닛 중 어느 하나의 처리 유닛에 상기 프로세스 처리를 실행시키고 있는 기간에, 상기 복수의 처리 유닛 중 다른 처리 유닛에 상기 조절 처리의 적어도 일부를 실행시키는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성막 처리부는, 상기 피막의 형성과 상기 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 복수의 처리 유닛을 가지고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 처리 유닛 중 어느 하나의 처리 유닛에 상기 조절 처리를 실행시키고 있는 기간에, 상기 복수의 처리 유닛 중 다른 처리 유닛에 상기 조절 처리를 실행시키는, 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성막 처리부는, 상기 피막의 형성과 상기 주연 부분의 제거를 행하는 제 1 처리 유닛과, 상기 피막의 박리를 행하는 제 2 처리 유닛을 가지고,
    상기 제어부는, 상기 제 1 처리 유닛에 있어서의 상기 제거 폭을 조절하는 상기 조절 처리에 있어서, 상기 주연 부분이 제거된 상기 피막을 상기 제 2 처리 유닛에 의해 박리시키는 것을 실행하는, 기판 처리 장치.
  10. 기판의 표면에 있어서의 피막의 형성과 상기 피막의 적어도 일부의 제거를 행하는 성막 처리부에 의해 상기 기판의 표면에 상기 피막을 형성시키는 것과, 상기 피막의 주연 부분을 상기 성막 처리부에 의해 제거시키는 것과, 상기 주연 부분이 제거된 상기 피막을 포함하는 상기 기판의 표면의 상태를 나타내는 표면 정보에 기초하여 상기 주연 부분의 제거 폭을 조절하는 것과, 상기 주연 부분이 제거된 상기 피막을 상기 성막 처리부에 의해 박리시키는 것을 포함하는 조절 처리를 실행하는 것과,
    상기 기판의 표면에 상기 피막을 상기 성막 처리부에 의해 형성시키는 것과, 상기 조절 처리에 있어서 조절된 상기 제거 폭으로 상기 주연 부분을 상기 성막 처리부에 의해 제거시키는 것을 포함하는 프로세스 처리를 실행하는 것
    을 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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