JP7226949B2 - 基板処理装置および基板処理システム - Google Patents
基板処理装置および基板処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7226949B2 JP7226949B2 JP2018176482A JP2018176482A JP7226949B2 JP 7226949 B2 JP7226949 B2 JP 7226949B2 JP 2018176482 A JP2018176482 A JP 2018176482A JP 2018176482 A JP2018176482 A JP 2018176482A JP 7226949 B2 JP7226949 B2 JP 7226949B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- recipe
- recipes
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 1077
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 498
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 388
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 151
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 145
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 126
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 85
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 74
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 97
- 239000010408 film Substances 0.000 description 76
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 20
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 20
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 101100280820 Mus musculus Gfus gene Proteins 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101710192063 Gene 31 protein Proteins 0.000 description 3
- 101710085030 Gene 32 protein Proteins 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101710126859 Single-stranded DNA-binding protein Proteins 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45212—Etching, engraving, sculpturing, carving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
第2の態様に係る基板処理装置は、基板に対して処理を行う1つ以上の処理ユニットと、1つ以上の記憶部と、1つ以上の演算処理部と、センサ部と、を備える。前記1つ以上の記憶部は、前記1つ以上の処理ユニットにおいて基板に施す処理に関する処理の条件をそれぞれ規定する複数の処理レシピを記憶する。前記1つ以上の演算処理部は、前記1つ以上の記憶部に記憶された前記複数の処理レシピのうちの2つ以上の処理レシピを組み合わせることで、基板についての一連の処理の流れを規定するフローレシピを作成する。前記センサ部は、前記1つ以上の処理ユニットにおける基板処理の状況についての指標に係る信号を取得する。前記複数の処理レシピは、処理液を用いて基板に施す処理の条件をそれぞれ規定する複数の液処理レシピ、を含む。前記複数の処理レシピは、前記1つ以上の処理ユニットにおける基板処理の状況についての指標に係る信号を取得するための前記センサ部による計測処理の条件をそれぞれ規定する複数の計測処理レシピ、を含む。前記センサ部は、基板の状態を示す1種類以上の指標に係る信号を取得する。前記複数の処理レシピは、第1処理レシピおよび第2処理レシピを含む。前記複数の計測処理レシピは、前記1種類以上の指標に係る信号を取得するための前記センサ部による計測処理の条件を規定する第1計測処理レシピを含む。前記1つ以上の演算処理部は、前記複数の液処理レシピのうちの1つ以上の液処理レシピと、前記複数の計測処理レシピのうちの1つ以上の計測処理レシピと、を組み合わせることで、前記フローレシピを作成する。前記1つ以上の演算処理部は、前記第1計測処理レシピと、処理のフローを分岐させるための複数の分岐処理レシピのうちの、前記1種類以上の指標が第1条件を満たせば第1分岐後処理フローを実行させ、前記1種類以上の指標が第2条件を満たせば第2分岐後処理フローを実行させる分岐処理の条件を規定する1つの分岐処理レシピと、を組み合わせつつ、該1つの分岐処理レシピに、前記第1分岐後処理フローの処理レシピとして前記第1処理レシピを組み合わせるとともに、前記第2分岐後処理フローの処理レシピとして前記第2処理レシピを組み合わせることで、前記フローレシピを作成する。前記1つ以上の処理ユニットは、前記1つ以上の演算処理部で作成された前記フローレシピに従って処理を実行する。
第6の態様に係る基板処理システムは、基板に対してそれぞれ処理を行う1つ以上の処理ユニットをそれぞれ有する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置に対してデータの送受信が可能に接続されている管理用装置と、を備える。前記管理用装置は、前記1つ以上の処理ユニットにおいて基板に施す処理に関する処理の条件をそれぞれ規定する複数の処理レシピを記憶する1つ以上の記憶部と、前記複数の基板処理装置のそれぞれとの間で情報を送受信する第1通信部と、を有する。前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記第1通信部との間で情報を送受信する第2通信部と、前記1つ以上の記憶部に記憶された前記複数の処理レシピのうちの前記第2通信部で受信した2つ以上の処理レシピを順に組み合わせることで、基板についての一連の処理の流れを規定するフローレシピを作成する1つ以上の演算処理部と、を有する。前記複数の処理レシピは、処理液を用いて基板に施す処理の条件をそれぞれ規定する複数の液処理レシピ、を含む。前記1つ以上の処理ユニットは、前記1つ以上の演算処理部で作成された前記フローレシピに従って処理を実行する。
<1-1.基板処理システムの概略構成>
図1は、第1実施形態に係る基板処理システム1の概略構成の一例を示す図である。図1で示されるように、基板処理システム1は、例えば、管理用装置10と、複数の基板処理装置20と、搬送装置30と、を備えている。複数の基板処理装置20は、例えば、第1の基板処理装置20a、第2の基板処理装置20bおよび第3の基板処理装置20cを含む。ここでは、管理用装置10と、複数の基板処理装置20と、搬送装置30と、は通信回線5を介してデータの送受信が可能に接続されている。通信回線5は、例えば、有線回線および無線回線の何れであってもよい。
管理用装置10は、例えば、複数の基板処理装置20を統括的に管理することができる。図2(a)は、管理用装置10の電気的な構成の一例を示すブロック図である。図2(a)で示されるように、管理用装置10は、例えば、コンピュータなどで実現され、バスラインBu10を介して接続された、通信部11、入力部12、出力部13、記憶部14、制御部15およびドライブ16を有する。
図3は、基板処理装置20の概略的な構成の一例を示す模式的な平面図である。基板処理装置20は、例えば、基板Wの表面に対して処理液を供給することで各種処理を行うことができる枚葉式の装置である。ここでは、基板Wの一例として、半導体基板(ウエハ)が用いられる。各種処理には、例えば、薬液などでエッチングを施す薬液処理、液体で異物もしくは除去対象物を除去する洗浄処理、水で洗い流すリンス処理およびレジストなどを塗布する塗布処理などが含まれる。
複数のロードポートLPは、それぞれ収容器としてのキャリア(FOUPともいう)Cを保持することができる機構(収容器保持機構ともいう)である。図3の例では、複数のロードポートLPとして、第1~4ロードポートLP1~LP4が存在している。第1~4ロードポートLP1~LP4は、基板処理装置20とこの基板処理装置20の外部との間で複数の基板群の搬入および搬出を行うための部分(搬出入部ともいう)としての機能を有する。図3の例では、第1~4ロードポートLP1~LP4と各処理ユニット21とは、水平方向に間隔を空けて配置されている。また、第1~4ロードポートLP1~LP4は、平面視したときに水平な第1方向DR1に沿って配列されている。
搬送ユニット24は、例えば、ロードポートLPに保持されたキャリアCに収容された一群の基板Wにおける複数枚の基板Wを複数の処理ユニット21に向けて順に搬送することができる。第1実施形態では、搬送ユニット24は、インデクサロボットIRと、センターロボットCRと、を含む。インデクサロボットIRは、例えば、第1~4ロードポートLP1~LP4とセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送することができる。センターロボットCRは、例えば、インデクサロボットIRと各処理ユニット21との間で基板Wを搬送することができる。
液貯留ユニット23は、例えば、複数の処理ユニット21で使用する処理液L1(図4など参照)を貯留することができる。この液貯留ユニット23は、例えば、処理液L1を貯留することが可能な1つ以上の貯留槽23tを含んでいる。図3の例では、液貯留ユニット23には、第1貯留槽23ta、第2貯留槽23tbおよび第3貯留槽23tcを含む3つの貯留槽23tが存在している。各貯留槽23tには、例えば、センサ部23sおよび加熱部23hが設けられている。センサ部23sは、貯留槽23t内の処理液L1の状態(例えば、濃度、水素イオン指数(pH)および温度など)を示す物理量を測定するための部分である。この処理液L1は、処理ユニット21における基板Wの処理に用いられる。そして、処理液L1は、例えば、時間の経過および使用の程度に応じて劣化し得る。このため、処理液L1の状態が、処理ユニット21における基板処理に影響する。すなわち、センサ部23sは、複数の処理ユニット21における基板処理の状況についての指標に係る信号を取得することができる。加熱部23hは、貯留槽23t内の処理液L1の温度を調整するための発熱体を含む部分である。発熱体の加熱方式には、例えば、ハロゲンランプによる放射加熱方式、液に直接触れない間接加熱方式あるいは近赤外線光による放射加熱方式などが採用される。図3の例では、第1貯留槽23taに第1センサ部23saと第1加熱部23haとが位置し、第2貯留槽23tbに第2センサ部23sbと第2加熱部23hbとが位置し、第3貯留槽23tcに第3センサ部23scと第3加熱部23hcとが位置している。ここで、各貯留槽23tには、例えば、処理液L1を攪拌するための機構が存在していてもよい。また、例えば、1つ以上の貯留槽23tは、各処理ユニット21に対して、処理液L1の供給が可能な状態で接続されている。ここで、各貯留槽23tは、複数の処理ユニット21のうちの全ての処理ユニット21に接続されていてもよいし、複数の処理ユニット21のうちの一部の処理ユニット21に接続されていてもよい。また、ここで、3つの貯留槽23tに、同じ種類の処理液L1が貯留されていてもよいし、異なる種類の処理液L1が貯留されていてもよい。換言すれば、第1貯留槽23taと第2貯留槽23tbと第3貯留槽23tcとの間で、同一種類の処理液L1が貯留されていてもよいし、相互に異なる種類の処理液L1が貯留されていてもよい。
複数の処理ユニット21のそれぞれは、基板Wに対して処理を行うことができる。図3の例では、平面的に配置されている4台の処理ユニット21でそれぞれ構成されている3組の処理ユニット21が、上下方向に積層するように位置している。これにより、合計で12台の処理ユニット21が存在している。複数の処理ユニット21は、例えば、同種の基板処理を基板Wに施すことができる2つ以上の処理ユニット21を含む。これにより、複数の処理ユニット21では、同種の基板処理を基板Wに並行して施すことができる。
本体制御ユニットPC0は、例えば、管理用装置10との間におけるデータの送受信および基板処理装置20における各部の動作の制御などを行うことができる。
予定管理用制御ユニットPC1は、例えば、本体制御ユニットPC0からの指示に応じて、キャリアCに格納された一群の基板Wについて、フローレシピFL1に応じたタイムスケジュールの設定を行うことができる。タイムスケジュールは、例えば、搬送ユニット24によってキャリアCに格納された一群の基板Wを構成する複数の基板Wを複数の処理ユニット21に順に搬送するタイミングと、これらの複数の基板Wに処理を施すタイミングと、を規定する。
複数の部分制御ユニットPC2は、例えば、本体制御ユニットPC0からの指示に応じて、複数の処理ユニット21および搬送ユニット24の動作を制御することができる。第1実施形態では、処理ユニット21ごとに専用の部分制御ユニットPC2が設けられ、搬送ユニット24にも専用の部分制御ユニットPC2が設けられている。処理ユニット21の部分制御ユニットPC2は、例えば、処理ユニット21の各部の動作および状態を適宜モニタしながら、処理ユニット21の各部の動作を制御することができる。搬送ユニット24の部分制御ユニットPC2は、例えば、搬送ユニット24の各部の動作および状態を適宜モニタしながら、搬送ユニット24の各部の動作を制御することができる。なお、ここでは、例えば、2つ以上の処理ユニット21に1つの部分制御ユニットPC2が設けられてもよいし、搬送ユニット24の動作は、本体制御ユニットPC0によって制御されてもよい。
液管理制御ユニットPC3は、例えば、液貯留ユニット23に含まれている各部の動作を制御することで、液貯留ユニット23内の処理液L1の状態を管理することができる。
データストレージNA1は、例えば、各センサ部22s,23s,214などによって取得された信号に基づいて、複数の処理ユニット21のそれぞれにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係るデータ群DG1を記憶することができる。データ群DG1は、例えば、液管理制御ユニットPC3から送信される各貯留槽23tにおける処理液L1の液交換からの経過時間および処理液L1の使用回数の情報も、複数の処理ユニット21のそれぞれにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係るデータとして、含んでいてもよい。データストレージNA1には、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体が適用されてもよいし、RAMなどの揮発性の記憶媒体が適用されてもよい。
図15は、フローレシピFL1の作成に係る動作フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、本体制御ユニットPC0の演算処理部P05aでプログラムPg0が実行され、予定管理用制御ユニットPC1の演算処理部P15aでプログラムPg1が実行されることにより、本体制御ユニットPC0と予定管理用制御ユニットPC1とが協働して、図15で示されるフローレシピFL1の作成に係る動作フローを実現する。
図16は、処理レシピの補正に係る動作フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、処理ユニット21の部分制御ユニットPC2における演算処理部P25aが、プログラムPg2を実行することにより、処理レシピの補正に係る動作フローを実現する。
以上のように、第1実施形態に係る基板処理システム1および基板処理装置20は、例えば、複数の液処理を含む複数の処理レシピのうち、2つ以上の処理レシピを組み合わせることで、フローレシピFL1を作成する。このため、例えば、基板Wについての一連の処理の条件が増えても、事前に準備しておくフローレシピの数を増やす代わりに、予め準備しておいた複数の処理レシピのうちの2つ以上の処理レシピを組合せてフローレシピFL1を作成することができる。このとき、例えば、作成部F02は、管理用装置10からの2つ以上の識別情報に対応する2つ以上の処理レシピを組合せてフローレシピFL1を作成することができる。これにより、例えば、基板処理システム1、管理用装置10および基板処理装置20などで予め準備しておくデータ量を削減することができる。その結果、例えば、基板処理システム1、管理用装置10および基板処理装置20などで使用するデータ量を削減することができる。
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
上記第1実施形態において、例えば、処理ユニット21におけるフローレシピFL1に従った1枚の基板Wに対する処理において、その1枚の基板Wの状態に応じて、処理のフローが分岐するようなフローレシピFL1が作成されてもよい。
上記各実施形態において、例えば、1つの液処理レシピR1が、2種類以上の処理液L1を用いた液処理の条件を規定するものであるとともに、処理ユニット21における基板Wの処理に関係する状態に応じてその後に実行される1つ以上の液処理の内容が異なるように処理フローが分岐する条件を規定するものであってもよい。
上記各実施形態において、作成部F02は、例えば、図20で示されるように、データ群Db0に含まれる複数の処理レシピのうち、1つ以上の液処理レシピR1と、2つ以上の計測処理レシピR2と、を組み合わせることで、フローレシピFL1を作成してもよい。さらに、例えば、作成部F02は、データ群Db0に含まれる複数の処理レシピのうち、1つ以上の液処理レシピR1と、1つ以上の計測処理レシピR2と、を組み合わせることで、フローレシピFL1を作成してもよい。
10 管理用装置
11,P01,P11,P21,P31 通信部
14,P04,P14,P24,P34 記憶部
15a,P05a,P15a,P25a,P35a 演算処理部
20 基板処理装置
21 処理ユニット
22s,23s,214 センサ部
23 液貯留ユニット
23t 貯留槽
24 搬送ユニット
C31 第1補正式
C31a~C31f 第1A~1F補正式
C32 第2補正式
C32a~C32f 第2A~2F補正式
C4 分岐処理レシピ
C4a~C4f 第1~6分岐処理レシピ
DG1,Db0 データ群
F01,F22,F31 情報取得部
F02 作成部
F03,F24,F152 記憶制御部
F04 指示部
F06,F13,F26,F34,F151 送信制御部
F11 取得部
F12 設定部
F21 レシピ取得部
F23 レシピ補正部
F25,F32 ユニット制御部
F33 液管理部
FL1 フローレシピ
Fm0 膜厚計
Gp1 液処理レシピ群
Gp2 計測処理レシピ群
Gp3 補正式群
Gp31,Gp32 第1,2補正式群
Gp4 分岐処理レシピ群
L1 処理液
L11~L13 第1~3処理液
NA1 データストレージ
PC0 本体制御ユニット
PC1 予定管理用制御ユニット
PC2 部分制御ユニット
PC3 液管理制御ユニット
R1 液処理レシピ
R1a~R1f 第1~6液処理レシピ
R2 計測処理レシピ
R2a~R2f 第1~6計測処理レシピ
W 基板
Claims (7)
- 基板に対して処理を行う1つ以上の処理ユニットと、
前記1つ以上の処理ユニットにおいて基板に施す処理に関する処理の条件をそれぞれ規定する複数の処理レシピのうちの2つ以上の処理レシピを組み合わせることで、基板についての一連の処理の流れを規定するフローレシピを作成する1つ以上の演算処理部と、
前記1つ以上の処理ユニットにおける基板処理の状況についての指標に係る信号を取得するセンサ部と、を備え、
前記複数の処理レシピは、処理液を用いて基板に施す処理の条件をそれぞれ規定する複数の液処理レシピ、を含み、
前記複数の処理レシピは、前記1つ以上の処理ユニットにおける基板処理の状況についての指標に係る信号を取得するための前記センサ部による計測処理の条件をそれぞれ規定する複数の計測処理レシピ、を含み、
前記センサ部は、基板の状態を示す1種類以上の指標に係る信号を取得し、
前記複数の処理レシピは、第1処理レシピおよび第2処理レシピを含み、
前記複数の計測処理レシピは、前記1種類以上の指標に係る信号を取得するための前記センサ部による計測処理の条件を規定する第1計測処理レシピを含み、
前記1つ以上の演算処理部は、前記複数の液処理レシピのうちの1つ以上の液処理レシピと、前記複数の計測処理レシピのうちの1つ以上の計測処理レシピと、を組み合わせることで、前記フローレシピを作成し、
前記1つ以上の演算処理部は、前記第1計測処理レシピと、処理のフローを分岐させるための複数の分岐処理レシピのうちの、前記1種類以上の指標が第1条件を満たせば第1分岐後処理フローを実行させ、前記1種類以上の指標が第2条件を満たせば第2分岐後処理フローを実行させる分岐処理の条件を規定する1つの分岐処理レシピと、を組み合わせつつ、該1つの分岐処理レシピに、前記第1分岐後処理フローの処理レシピとして前記第1処理レシピを組み合わせるとともに、前記第2分岐後処理フローの処理レシピとして前記第2処理レシピを組み合わせることで、前記フローレシピを作成する、基板処理装置。 - 基板に対して処理を行う1つ以上の処理ユニットと、
前記1つ以上の処理ユニットにおいて基板に施す処理に関する処理の条件をそれぞれ規定する複数の処理レシピを記憶する1つ以上の記憶部と、
前記1つ以上の記憶部に記憶された前記複数の処理レシピのうちの2つ以上の処理レシピを組み合わせることで、基板についての一連の処理の流れを規定するフローレシピを作成する1つ以上の演算処理部と、
前記1つ以上の処理ユニットにおける基板処理の状況についての指標に係る信号を取得するセンサ部と、を備え、
前記複数の処理レシピは、処理液を用いて基板に施す処理の条件をそれぞれ規定する複数の液処理レシピ、を含み、
前記複数の処理レシピは、前記1つ以上の処理ユニットにおける基板処理の状況についての指標に係る信号を取得するための前記センサ部による計測処理の条件をそれぞれ規定する複数の計測処理レシピ、を含み、
前記センサ部は、基板の状態を示す1種類以上の指標に係る信号を取得し、
前記複数の処理レシピは、第1処理レシピおよび第2処理レシピを含み、
前記複数の計測処理レシピは、前記1種類以上の指標に係る信号を取得するための前記センサ部による計測処理の条件を規定する第1計測処理レシピを含み、
前記1つ以上の演算処理部は、前記複数の液処理レシピのうちの1つ以上の液処理レシピと、前記複数の計測処理レシピのうちの1つ以上の計測処理レシピと、を組み合わせることで、前記フローレシピを作成し、
前記1つ以上の演算処理部は、前記第1計測処理レシピと、処理のフローを分岐させるための複数の分岐処理レシピのうちの、前記1種類以上の指標が第1条件を満たせば第1分岐後処理フローを実行させ、前記1種類以上の指標が第2条件を満たせば第2分岐後処理フローを実行させる分岐処理の条件を規定する1つの分岐処理レシピと、を組み合わせつつ、該1つの分岐処理レシピに、前記第1分岐後処理フローの処理レシピとして前記第1処理レシピを組み合わせるとともに、前記第2分岐後処理フローの処理レシピとして前記第2処理レシピを組み合わせることで、前記フローレシピを作成し、
前記1つ以上の処理ユニットは、前記1つ以上の演算処理部で作成された前記フローレシピに従って処理を実行する、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記1つ以上の演算処理部は、前記2つ以上の処理レシピのうちの少なくとも1つの処理レシピに、前記センサ部によって取得された指標に係る信号に基づいて前記複数の処理レシピの少なくとも一部の条件を補正するための複数の補正式のうちの少なくとも1つの補正式を、組み合わせることで、前記フローレシピを作成し、
前記1つ以上の演算処理部は、前記センサ部で取得された指標に係る信号に応じて、前記少なくとも1つの補正式から1つ以上の補正係数を算出し、前記少なくとも1つの処理レシピで規定する条件を前記1つ以上の補正係数を用いて補正する、基板処理装置。 - 請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記複数の液処理レシピは、第1処理液を用いた処理を基板に施している際に第1状態にあれば、該基板に対して前記第1処理液を用いた処理を施した後に第2処理液を用いた処理を施し、前記第1処理液を用いた処理を基板に施している際に第2状態になったことに応答して、該基板に対して第3処理液を用いた処理を施す、処理の流れおよび条件を規定する、1つ以上の構造化液処理レシピを含む、基板処理装置。 - 複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置に対してデータの送受信が可能に接続されている管理用装置と、を備え、
前記管理用装置は、前記複数の基板処理装置のそれぞれとの間で情報を送受信する第1通信部を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、基板に対して処理を行う1つ以上の処理ユニットと、前記管理用装置との間で情報を送受信する第2通信部と、基板についての一連の処理の流れを規定するフローレシピを作成する1つ以上の演算処理部と、を有し、
前記複数の基板処理装置および前記管理用装置のうちの少なくとも一部は、前記1つ以上の処理ユニットにおいて基板に施す処理に関する処理の条件をそれぞれ規定する複数の処理レシピを記憶する1つ以上の記憶部、を有し、
前記複数の処理レシピは、処理液を用いて基板に施す処理の条件をそれぞれ規定する複数の液処理レシピ、を含み、
前記第1通信部は、前記複数の基板処理装置のそれぞれに対して、2つ以上の処理レシピをそれぞれ特定する2つ以上の識別情報を送信し、
前記第2通信部は、前記2つ以上の識別情報を受信し、
前記1つ以上の演算処理部は、前記2つ以上の識別情報に基づいて、前記複数の処理レシピのうちの前記2つ以上の処理レシピを組み合わせることで、前記フローレシピを作成する、基板処理システム。 - 基板に対してそれぞれ処理を行う1つ以上の処理ユニットをそれぞれ有する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置に対してデータの送受信が可能に接続されている管理用装置と、を備え、
前記管理用装置は、前記1つ以上の処理ユニットにおいて基板に施す処理に関する処理の条件をそれぞれ規定する複数の処理レシピを記憶する1つ以上の記憶部と、前記複数の基板処理装置のそれぞれとの間で情報を送受信する第1通信部と、を有し、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、前記第1通信部との間で情報を送受信する第2通信部と、前記1つ以上の記憶部に記憶された前記複数の処理レシピのうちの前記第2通信部で受信した2つ以上の処理レシピを順に組み合わせることで、基板についての一連の処理の流れを規定するフローレシピを作成する1つ以上の演算処理部と、を有し、
前記複数の処理レシピは、処理液を用いて基板に施す処理の条件をそれぞれ規定する複数の液処理レシピ、を含み、
前記1つ以上の処理ユニットは、前記1つ以上の演算処理部で作成された前記フローレシピに従って処理を実行する、基板処理システム。 - 請求項5または請求項6に記載の基板処理システムであって、
前記複数の基板処理装置のそれぞれは、基板の状態を示す1種類以上の指標に係る信号を取得するセンサ部、を有し、
前記複数の処理レシピは、前記1つ以上の処理ユニットにおける基板処理の状況についての指標に係る信号を取得するための前記センサ部による計測処理の条件をそれぞれ規定する複数の計測処理レシピ、を含み、
前記1つ以上の記憶部は、前記センサ部によって取得された指標に係る信号に基づいて前記複数の処理レシピの少なくとも一部の条件を補正するための複数の補正式を記憶し、
前記1つ以上の演算処理部は、前記複数の液処理レシピのうちの1つ以上の液処理レシピと、前記複数の計測処理レシピのうちの1つ以上の計測処理レシピと、を含む前記2つ以上の処理レシピを組み合わせるとともに、該2つ以上の処理レシピのうちの少なくとも1つの処理レシピに、前記複数の補正式のうちの少なくとも1つの補正式を、組み合わせることで、前記フローレシピを作成し、
前記1つ以上の処理ユニットが、前記フローレシピに従って、基板に処理を施し、
前記1つ以上の演算処理部は、前記1つ以上の処理ユニットによって前記フローレシピに従って基板に処理を施した際に、前記センサ部によって取得される指標に係る信号が、所定の条件を満たす場合に、前記フローレシピにおける前記少なくとも1つの処理レシピと前記少なくとも1つの補正式との組を示す情報を、前記第2通信部によって前記管理用装置に送信させる、基板処理システム。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018176482A JP7226949B2 (ja) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 基板処理装置および基板処理システム |
TW108128835A TWI745734B (zh) | 2018-09-20 | 2019-08-14 | 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 |
TW110137099A TWI813033B (zh) | 2018-09-20 | 2019-08-14 | 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 |
KR1020217007442A KR102550531B1 (ko) | 2018-09-20 | 2019-09-06 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
US17/269,560 US11822318B2 (en) | 2018-09-20 | 2019-09-06 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
PCT/JP2019/035229 WO2020059546A1 (ja) | 2018-09-20 | 2019-09-06 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
CN201980058138.8A CN112655073A (zh) | 2018-09-20 | 2019-09-06 | 基板处理装置、基板处理***以及基板处理方法 |
KR1020237021635A KR102625102B1 (ko) | 2018-09-20 | 2019-09-06 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
US18/463,210 US20230418267A1 (en) | 2018-09-20 | 2023-09-07 | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018176482A JP7226949B2 (ja) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 基板処理装置および基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020047866A JP2020047866A (ja) | 2020-03-26 |
JP7226949B2 true JP7226949B2 (ja) | 2023-02-21 |
Family
ID=69887385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018176482A Active JP7226949B2 (ja) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 基板処理装置および基板処理システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11822318B2 (ja) |
JP (1) | JP7226949B2 (ja) |
KR (2) | KR102550531B1 (ja) |
CN (1) | CN112655073A (ja) |
TW (2) | TWI745734B (ja) |
WO (1) | WO2020059546A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11551954B2 (en) * | 2019-11-21 | 2023-01-10 | Nanya Technology Corporation | Advanced process control system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123734A (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2011077243A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体 |
JP2018067626A (ja) | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体システム及びデータ編集支援方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3598054B2 (ja) | 2000-11-06 | 2004-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置 |
JP4068404B2 (ja) | 2002-06-26 | 2008-03-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記録媒体 |
US20040200574A1 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling a process for fabricating integrated devices |
JP5168300B2 (ja) | 2010-02-24 | 2013-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014500613A (ja) | 2010-10-15 | 2014-01-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 光学監視のためのスペクトルライブラリの構築 |
KR101840578B1 (ko) * | 2014-01-20 | 2018-03-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP6148991B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2017-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、編集方法及び記憶媒体 |
JP6501601B2 (ja) * | 2014-05-20 | 2019-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラム |
JP6418694B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2018-11-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10386828B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile matching by surface kinetic model optimization |
JP6611652B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム |
-
2018
- 2018-09-20 JP JP2018176482A patent/JP7226949B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-14 TW TW108128835A patent/TWI745734B/zh active
- 2019-08-14 TW TW110137099A patent/TWI813033B/zh active
- 2019-09-06 KR KR1020217007442A patent/KR102550531B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-06 CN CN201980058138.8A patent/CN112655073A/zh active Pending
- 2019-09-06 US US17/269,560 patent/US11822318B2/en active Active
- 2019-09-06 WO PCT/JP2019/035229 patent/WO2020059546A1/ja active Application Filing
- 2019-09-06 KR KR1020237021635A patent/KR102625102B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-09-07 US US18/463,210 patent/US20230418267A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123734A (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2011077243A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体 |
JP2018067626A (ja) | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体システム及びデータ編集支援方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230101941A (ko) | 2023-07-06 |
TW202038033A (zh) | 2020-10-16 |
KR102625102B1 (ko) | 2024-01-16 |
TWI813033B (zh) | 2023-08-21 |
KR20210042382A (ko) | 2021-04-19 |
TW202205496A (zh) | 2022-02-01 |
CN112655073A (zh) | 2021-04-13 |
US20210325852A1 (en) | 2021-10-21 |
WO2020059546A1 (ja) | 2020-03-26 |
KR102550531B1 (ko) | 2023-07-03 |
US20230418267A1 (en) | 2023-12-28 |
JP2020047866A (ja) | 2020-03-26 |
US11822318B2 (en) | 2023-11-21 |
TWI745734B (zh) | 2021-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5841389B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
EP1308783A2 (en) | Resist coating-developing apparatus | |
JP7226949B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理システム | |
US20180052393A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2010263017A (ja) | ロット処理開始判定方法及び制御装置 | |
JP4342921B2 (ja) | 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置 | |
JP7161896B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理システム | |
KR101257536B1 (ko) | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체 | |
JP6086731B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI659281B (zh) | 基板處理管理裝置、基板處理管理方法以及基板處理管理之電腦程式產品 | |
US11661669B2 (en) | Substrate processing system, controller and method using test operation without substrate | |
JP2024033146A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2024033157A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5005720B2 (ja) | 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置 | |
CN116438633A (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220829 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221227 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20221227 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230110 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20230117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7226949 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |