KR102162187B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102162187B1
KR102162187B1 KR1020180103894A KR20180103894A KR102162187B1 KR 102162187 B1 KR102162187 B1 KR 102162187B1 KR 1020180103894 A KR1020180103894 A KR 1020180103894A KR 20180103894 A KR20180103894 A KR 20180103894A KR 102162187 B1 KR102162187 B1 KR 102162187B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
support plate
light
processing
light irradiation
Prior art date
Application number
KR1020180103894A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200026415A (ko
Inventor
권오열
이지현
추영호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180103894A priority Critical patent/KR102162187B1/ko
Priority to CN201910808239.4A priority patent/CN110875229B/zh
Priority to US16/557,790 priority patent/US11367634B2/en
Publication of KR20200026415A publication Critical patent/KR20200026415A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102162187B1 publication Critical patent/KR102162187B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 기판이 편심된 상태로 회전하더라도, 기판 가장자리 영역에 도포된 각종 처리액 또는 세정액 막을, 처리면 손상 없이 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 지지판 상에 놓여 회전하는 기판의 가장자리 영역을 광 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 사진, 식각, 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다.
일반적으로 기판 가장자리 영역은 반도체 소자의 비 생산영역이다. 기판 가장자리 영역에 형성된 막은 기판이 장비들 간에 반송될 때, 반송로봇과 접촉되며, 파티클로 작용할 수 있다. 따라서, 기판 가장자리 영역에서 상술한 막을 제거하는 공정이 수행된다.
도 1은 기판의 가장자리 영역에 형성된 막을 제거하는 액 처리 장치의 일 예를 개략적으로 보여준다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 액 처리 장치(1)는 회전되는 기판(2)의 가장자리 영역으로 막 제거를 위한 처리액(3)을 공급한다.
기판(2)이 정위치에 놓이지 않게 되면, 기판(2) 가장자리 영역을 균일한 폭으로 처리할 수 없다. 따라서 기판(2)이 지지판(5) 상에 놓이면 정렬 부재(4)에 의해 기판(2)이 지지판(5) 상의 정위치에 정렬된다.
일반적으로 정렬 부재(4)는 기판(2) 둘레의 여러 방향에서 기판(2)을 밀어서 기판(2)을 정위치로 이동시킨다. 따라서 다수의 정렬 부재(4)의 제공으로 인해 장치 구조가 복잡해진다.
또한, 기판(2) 정렬 후에 기판(2)을 지지판(5)에 고정시키기 위해 진공압이 인가된다. 그러나 진공압이 인가되는 시점에 기판(2)의 위치가 정위치에서 벗어날 수 있다.
또한, 장치를 장시간 사용시 지지판(5)의 회전축이 틀어지는 경우가 있으며, 이 경우 기판(2)이 지지판(5) 상의 정위치에 놓여도 기판(2) 가장자리 영역을 균일한 폭으로 처리할 수 없다.
대한민국 공개특허공보 제10-2017-0046487호(2017.05.02. 공개)
본 발명은 회전되는 기판의 가장자리 영역을 기판의 끝단으로부터 동일 폭으로 처리할 수 있는 기판 처리 장지 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지판과, 회전 중인 상기 기판을 촬영하여 이미지를 획득하는 촬상 부재와, 상기 기판의 가장자리 영역을 처리하는 에지 처리 유닛과, 상기 지지판 또는 상기 에지 처리 유닛을 이동시켜 이들 간에 상대위치를 변경하는 구동 부재와, 상기 구동 부재를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 촬상 부재를 통해 획득된 이미지에 근거하여 상기 기판의 회전 각도에 따라 상기 상대위치가 변경되도록 상기 구동 부재를 제어한다.
상기 에지 처리 유닛은 광을 조사하는 광 조사부재일 수도 있다.
상기 광 조사부재는 레이저를 조사하는 레이저 조사기를 포함할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 지지판에 놓인 기판의 회전 각도에 따라 상부에서 바라볼 때 상기 지지판 상의 정 위치에 놓인 상기 기판의 중심과 상기 정 위치에 놓인 기판으로 광이 조사되는 지점을 잇는 직선을 따라 광 조사 지점이 변경되도록 상기 구동 부재를 제어할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 지지판에 놓인 상기 기판이 회전됨에 따라 상기 기판으로 광이 조사되는 영역이 상기 기판의 끝단을 기준으로 동일하도록 상기 구동 부재를 제어할 수 있다.
상기 촬상부재는 기판의 가장자리 영역을 촬상하도록 제공되고, 상기 지지판이 1 회전되는 동안 상기 촬상부재는 상기 기판의 가장자리 영역을 복수회 촬영하여 상기 이미지를 복수 개 획득하고, 복수의 상기 이미지를 이용하여 상기 지지판이 회전될 때 각각의 회전 각도에서, 상기 지지판의 정위치에 놓인 기판의 중심에서 상기 지지판에 놓인 기판의 끝단까지의 거리를 상기 직선 상에서 계산할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 촬상 부재를 통해 획득된 이미지에 근거하여 정위치에 놓인 상기 기판의 중심으로부터 상기 지지판에 놓인 상기 기판의 편심 거리 및 편심 방향을 산출하고, 상기 산출된 편심거리 및 편심방향으로부터 상기 기판의 회전각도에 따라 상기 기판으로 광이 조사되는 영역이 상기 기판의 끝단을 기준으로 동일하도록 상기 구동 부재를 제어할 수 있다.
상기 지지판의 회전각도와 상기 촬상부재의 촬영 시점이 동기화될 수 있다.
상기 제어기는, 상기 기판 회전에 따른 상기 광 조사부재의 이동 위치를 동적 프로파일로 작성하고, 상기 동적 프로파일에 따라 상기 구동 부재를 제어할 수 있다.
상기 지지판은 제1모터에 의해 회전되고, 상기 구동부재는, 상기 광 조사부재를 이동시키는 제2모터를 포함하며,
상기 지지판의 회전 각도에 따라 상기 광 조사부재가 상기 동적 프로파일을 따라 이동되도록 상기 제1모터와 상기 제2모터는 동기 제어될 수 있다.
상기 지지판에 놓여진 상기 기판의 광이 조사되는 영역으로 처리액을 공급하는 노즐 유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 노즐 유닛이 상기 지지판에 처리액을 공급한 후, 상기 광조사 부재가 상기 처리액에 광을 조사하도록 상기 노즐 유닛과 상기 광 조사부재를 제어할 수 있다.
상기 지지판은 제1모터에 의해 회전되고, 상기 제어기는, 상기 지지판의 회전 각도에 따라 상기 노즐 유닛으로부터 공급되는 처리액의 공급위치가 상기 기판의 끝단으로부터 동일하도록 상기 공급위치를 변경할 수 있다.
상기 처리액은 상기 기판의 가장자리 영역으로 공급되고, 상기 장치는, 상기 가장자리 영역으로 공급된 처리액이 상기 기판의 중앙 영역으로 유입되는 것을 방지하는 확산 방지 수단을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 회전되는 지지판 상에 놓인 기판의 가장자리 영역에 에지 처리 유닛으로부터 광을 조사하거나, 노즐유닛으로부터 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하되, 상기 기판이 상기 지지판의 정위치에서 벗어난 상태로 상기 지지판에 놓일 때, 상기 기판이 상기 정위치에서 벗어난 위치에 근거하여 상기 에지 처리 유닛이 이동되면서 상기 기판에 광을 조사한다.
상기 에지 처리 유닛은 상기 광을 조사하는 광 조사부재를 포함하고, 상기 광조사부재는, 상기 기판으로 광이 조사되는 영역이 상기 기판의 끝단을 기준으로 동일하도록 이동할 수 있다.
상기 지지판에 놓인 기판의 회전 각도에 따라 상부에서 바라볼 때 상기 지지판 상의 정 위치에 놓인 상기 기판의 중심과 상기 정 위치에 놓인 기판으로 광이 조사되는 지점을 잇는 직선을 따라 광 조사 지점이 변경되도록 상기 광 조사부재를 이동시킬 수 있다.
상기 기판이 상기 지지판에 놓이면, 상기 지지판을 회전시키면서 상기 기판이 1회전되는 동안 촬상부재로 상기 기판의 가장자리 영역을 복수 회 촬상하여 복수의 이미지를 획득하고, 상기 복수의 이미지로부터 상기 지지판에 놓인 기판의 편심 거리 및 편심 방향을 구하고, 상기 편심 거리 및 상기 편심 방향에 근거하여 상기 광조사부재가 이동될 수 있다.
상기 편심 거리 및 편심 방향을 근거로, 상기 광조사부재의 동적 프로파일을 생성하고, 상기 동적프로파일을 근거로 상기 광조사부재가 이동될 수 있다.
상기 광은 레이저일 수 있다.
상기 광이 조사되기 전에 또는 상기 광의 조사와 동시에 상기 기판으로 처리액이 공급되고, 상기 광은 상기 기판 상에 공급된 처리액을 가열할 수 있다.
상기 처리액은 인산을 포함할 수 있다.
상기 광은 상기 기판 상의 막을 직접 제거할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 회전되는 기판의 가장자리 영역을 기판의 끝단으로부터 동일 폭으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 진공 흡착 시점에서 기판의 위치가 틀어지더라도, 기판의 가장자리 영역을 동일 폭으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 설비의 노후화로 인해 회전축이 어긋나더라도 회전되는 기판의 가장자리 영역을 기판의 끝단으로부터 동일 폭으로 처리할 수 있다.
도 1은 기판의 가장자리를 처리하는 일반적인 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 챔버의 단면도이다.
도 4는 도 2의 에지 처리 챔버의 단면도이다.
도 5는 도 4의 에지 처리 챔버의 구성요소들 간의 신호전달상태를 보여주는 블럭도이다.
도 6 내지 7은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 8은 도 4의 에지 처리 챔버에서 기판을 처리하는 상태를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 촬상부재로 기판의 가장자리 영역의 이미지를 획득하는 상태를 보여주는 도면이다.
도 10 내지 도 13은 광조사부재가 이동되면서 기판의 가장자리 영역을 처리하는 상태를 보여주는 단면도 및 평면도이다.
도 14 내지 도 17은 각각 도 4의 에지 처리 챔버의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
또한 본 발명의 실시예에는 세정 공정에서 기판 가장자리에 도포된 막을 제거하는 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 기판 상에 액을 공급하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 장치 및 방법의 일 예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 자치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다.
이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
캐리어(18)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다.
공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다.
이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공하며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다.
인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다.
인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다.
또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다.
메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다.
메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 복수개의 액처리 챔버(300), 그리고 기판(W) 가장자리 영역에 도포된 막을 제거하는 에지 처리 챔버(400)가 제공된다. 액처리 챔버(300)와 에지 처리 챔버(400)는 이송 챔버(240)를 중심으로 대향하며 제1방향(12)을 따라 각각 3개씩 나열된다.
도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(300)는, 컵(310), 지지유닛(320), 노즐유닛(330) 그리고 노즐 구동기(340)를 포함한다. 컵(310)은, 수용된 기판(W)에 각 공정별로 각종 처리액(C)이 공급되는 처리 공간(311)이다. 컵(310)은 기판(W)에 공급되었던 처리액(C)을 회수하는 복수개의 회수통(312)을 포함한다. 복수개의 회수통(312)은 높이가 각자 상이하고, 하부면의 넓이가 상이한 박스 형태로 제작된다. 복수개의 회수통(312)은 동심을 이루도록 중첩된다. 컵(310)으로부터 이탈된 처리액(C)이 특정 회수통(312)에만 제공될 수 있도록 개구된 상부가 컵(310)의 중심을 향해 경사지도록 형성된다.
지지유닛(320)은, 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지유닛(320)은 지지판(321) 및 구동부재(322)를 포함한다. 지지판(321)의 상면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들이 결합 된다. 핀 부재들은 기판(W)의 저면을 지지한다. 핀 부재 중 척핀들은 기판의 측면을 지지한다.
지지판(321)은 구동부재(322)에 의해 회전 가능하다. 구동부재(322)는 지지판(321)의 저면에 결합 된다. 구동부재(322)는 구동축 및 구동기를 포함한다. 구동축은 지지판(321)의 저면에 결합 된다.
노즐유닛(330)은, 기판(W)에 처리액(C)을 공급한단. 노즐유닛(330)은 노즐(331)과 지지대(332)를 포함한다. 노즐(331)은 처리액(C)을 기판(W)에 분사한다. 노즐(331)은 지지대(332)에 의해 지지 된다.
노즐 구동기(340)는 지지대(332)를 이동시킨다. 노즐 구동기(340)는 지지축(342)과 모터(미도시)를 포함한다. 지지축(342)은 지지대(332)과 결합된다. 지지축(342)은 모터에 의해 이동된다.
일 예에 의하면, 가이드레일(343)이 제공되고, 지지축(342)은 가이드 레일(343)을 따라 직선 이동될 수 있다. 다른 예에 의하면, 지지축(342)은 그 중심축을 기준으로 회전될 수 있다.
아래에서는 기판(W)의 가장자리 영역에 도포된 막을 제거하는 에지 처리 챔버(400)의 일 예를 설명한다. 도 4는 도 2의 에지 처리 챔버(400)의 일 예를 보여준다. 도 5는 도 4의 에지 처리 챔버의 구성요소들 간의 신호전달상태를 보여주는 블럭도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 에지 처리 챔버(400)는 컵(410), 지지유닛(420), 촬상부재(430), 노즐 유닛(440), 에지 처리 유닛(450), 구동부재(460), 그리고 제어기(470)를 포함한다.
컵(410)은, 기판(W)이 처리되는 처리공간(411)을 제공한다. 지지유닛(420)은 처리공간(411)에서 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(420)은 지지판(421), 회전축(422), 그리고 구동기(423)를 가진다. 지지판(421)은 기판(W)을 지지한다. 지지판(421)은 기판(W)에 비해 큰 직경을 가지고, 지지판(421)에는 메인로봇(244)과 기판(W)을 인수 인계하기 위한 리프트핀(미도시)이 제공될 수 있다.
이와 달리 지지판(421)의 직경이 기판(W)에 비해 작게 제공되고, 리프트 핀 없이 지지판(421)은 메인 로봇(244)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있다.
지지판(421)의 내부에는 기판(W)을 흡착하는 진공라인(미도시)이 제공될 수 있다.
회전축(422)은 지지판(421)을 지지하고, 지지판(421)의 회전 중심이 되는 축으로 기능한다. 구동기(423)는 회전축(422)에 결합되며, 회전축(422)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다. 구동기(423)는 제1모터(423a) 및 엔코더(423b)를 가진다. 제1모터(423a)는 회전축(422)을 회전시키는 구동원으로 기능한다. 엔코더(423b)는 제1모터(423a)의 회전각 정보를 검출한다.
촬상부재(430)는 지지판(421)의 상부에 제공된다. 일 예에 의하면, 촬상부재(430)는 카메라로 제공될 수 있다. 촬상부재(430)는 기판(W)을 촬영하여 기판(W)의 이미지를 획득한다. 일 예에 의하면, 촬상부재(430)는 기판(W) 가장자리 영역 중 끝단을 포함하는 일부 영역만을 촬영한다. 이 때, 기판(W)은 회전되고, 촬상부재(430)는 기판(W)이 회전되는 동안에 복수회 기판(W)을 촬상하여 복수의 이미지를 획득한다.
촬상부재(430)의 촬영 시점은 제1모터(423a)의 회전과 동기화되어 이루어질 수 있다. 예컨대, 지지판(421)이 1회전되는 동안에 일정 각도 회전될 때마다 촬영이 이루어질 수 있다.
이와 달리 촬상부재(430)는 지지판(421)의 상면 전체를 1회 촬상하여 기판(W)의 전체 이미지를 획득할 수 있다.
노즐 유닛(440)은 액공급 노즐(441)과 가스공급노즐(442)을 포함한다. 액공급 노즐(441)은 기판(W)의 가장자리 영역에 처리액을 공급한다. 가스공급노즐(442)은 기판(W)의 가장자리 영역에 가스를 공급한다. 기판(W) 상에 가스가 공급되는 지점은 처리액이 공급되는 지점보다 기판(W)의 중심에 더 가깝게 제공된다. 일 예에 의하면, 가스가 공급되는 지점과 처리액이 공급되는 지점은 기판(W)의 반경 방향으로 배열될 수 있다. 액 공급 노즐(441)과 가스 공급 노즐(442)은 기판(W)의 중심에서 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 액 또는 가스를 공급할 수 있다. 가스는 기판(W)의 가장자리 영역에 공급된 처리액이 기판(W)의 중앙 영역으로 유입되는 것을 방지한다.
처리액은 기판(W) 상에 형성된 막을 제거하는 액일 수 있다. 예컨대, 처리액은 인산(H3PO4)일 수 있다. 또한, 막은 실리콘 질화막일 수 있다.
일 예에 의하면, 액공급 노즐(441)은 처리액을 토출하는 도중에 지지판(421)에 놓인 기판(W)의 회전 각도에 따라 설정거리로 이동된다. 액공급 노즐(441)은 상부에서 바라볼 때 지지판(421) 상의 정 위치에 놓인 기판(W)의 중심과 정 위치에 놓인 기판(W)으로 처리액이 토출되는 지점을 잇는 직선을 따라 처리액의 토출 지점이 변경되도록 이동된다. 기판(W)이 회전됨에 따라 액공급 노즐(441)은 기판(W)의 끝단으로부터 동일 폭으로 처리액이 토출되도록 이동된다.
일 예에 의하면, 액 공급 노즐(441)과 가스 공급 노즐(442)은 동일한 암에 장착되고, 암의 이동에 의해 같이 이동될 수 있다.
에지 처리 유닛(450)은 기판(W)의 가장자리 영역을 처리한다. 일 예에 의하면, 에지 처리 유닛(450)은 기판(W)의 가장자리 영역으로 광을 조사하는 광 조사부재(451)를 포함한다.
일 예로써, 광은 레이저이고, 광 조사부재(451)는 레이저를 조사하는 레이저 조사기일 수 있다. 레이저는 기판 상에 공급된 처리액을 가열하는 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 레이저는 처리액의 가열에 적합한 파장을 가질 수 있다.
구동 부재(460)는 광조사부재(451)를 이동시켜 기판(W)과 광조사부재(451) 간의 상대위치를 변경한다. 일 예에 의하면, 구동부재(460)는 지지판(421)에 놓인 기판(W)의 회전 각도에 따라 광조사부재(451)를 이동시킨다. 광조사부재(451)는 상부에서 바라볼 때 지지판(421) 상의 정 위치에 놓인 기판(W)의 중심과 정 위치에 놓인 기판(W)으로 광이 조사되는 지점을 잇는 직선을 따라 광 조사 지점이 변경되도록 이동된다. 기판(W)이 회전됨에 따라 광 조사부재(451)는 기판(W)의 끝단으로부터 동일 폭으로 광이 기판에 조사되도록 이동된다.
구동부재(460)는 제2모터(461)를 포함한다. 상술한 바와 달리, 공정 진행시 광 조사 부재(451)는 그 위치가 고정되고, 구동 부재(460)는 지지판(421)을 이동시키도록 제공될 수 있다.
제어기(470)는 촬상부재(430)를 통해 획득된 복수의 이미지로부터 기판(W)의 회전 각도별 광조사부재(451)의 이동 거리를 산출하고, 이 산출된 값에 따라 광조사부재(451)가 이동되도록 구동부재(460)를 제어한다. 또한, 제어기(470)는 상술한 산출된 값에 따라 액 공급 노즐(441)이 이동되도록 액 공급 노즐(441)을 제어할 수 있다. 상술한 바와 같이 제어기(470)는 기판(W)이 회전됨에 따라 광 조사 영역 또는 처리액 공급 영역이 기판(W)의 끝단으로부터 동일 폭을 유지하도록 구동부재(460) 및 액 공급노즐(441)을 제어한다.
일 예에 의하면, 제어기(470)는 지지판(421)의 회전각도별로 광조사부재(451)가 이동되어야 하는 값을 산출하고, 지지판(421)을 회전시키는 제1모터(423b)와 광조사부재(451)를 이동시키는 제2모터(461)를 동기 제어한다.
다음에는 제어기(470)가 촬상부재(430)를 통해 획득된 복수의 이미지로부터 기판(W)의 회전 각도별 광조사부재(451)의 이동 거리를 산출하는 방법에 대해 설명한다.
일 예에 의하면, 촬상부재(430)에 의해 촬상된 이미지들의 특정 지점에서 기판(W)의 단부의 위치를 검출한다. 기판(W)이 지지판(421)의 정위치에 놓여진 경우 복수의 이미지들에서 상술한 기판(W)의 단부의 위치는 모두 동일하다. 그러나 기판(W)이 지지판(421)에 편심되게 위치된 경우 복수의 이미지들에서 상술한 기판(W)의 단부의 위치는 모두 상이하다.
이 경우, 복수의 이미지들이 촬상 시점이 제1모터(423a)의 회전 각도와 동기화되어 이루어지므로, 각각의 이미지들이 촬상되는 시점에서 기판(W)의 회전각의 차이를 알 수 있으며, 회전각에 따른 상술한 기판(W)의 단부의 위치 변화를 통해 기판(W)의 편심 거리 및 편심 방향을 산출할 수 있다. 편심 거리 및 편심 방향이 산출되는 경우, 광 조사 부재(451)로부터 광이 조사되는 지점에서 기판(W)의 회전각에 따른 기판(W)의 끝단 위치를 알 수 있다.
상술한 바와 달리, 촬상 부재(430)는 광조사부재(451)로부터 광이 조사되는 지점의 위치를 기판(W)이 회전되는 동안 계속적으로 촬영하고, 촬영된 이미지들로부터 얻은 기판(W)의 회전각도별 기판(W)의 끝단의 위치를 기준으로 광조사부재(451)가 이동될 수 있다.
또는 이와 달리, 촬상 부재(430)는 기판(W)의 중심을 기준으로 광조사부재(451)로부터 광이 조사되는 지점의 반대측 지점의 위치를 기판(W)이 회전되는 동안 계속적으로 촬영하고, 촬영된 이미지들로부터 얻은 기판(W)의 회전각도별 기판(W)의 끝단의 위치를 기준으로 이와 반대방향으로 광조사부재(451)가 이동될 수 있다.
일 예에 의하면, 제어기(470)는 기판(W) 회전각도별 광조사부재(451)의 이동거리를 동적 프로파일로 생성하고, 동적 프로파일에 근거하여 광조사부재(451) 또는 액 공급 노즐(441)을 이동시킬 수 있다. 동적 프로파일은 표 도는 그래프 형태로 제공될 수 있다.
도 6 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이고 도 8 내지 13은 도 6 및 도 7에 따라 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. 처음에 도 8과 같이 기판(W)이 지지판(421) 상에 놓이면 회전되는 기판(W)을 촬영하여 이미지를 획득한다. 기판(W)의 가장자리를 촬영하여 기판(W)의 가장자리 영역에서 이미지를 획득하고, 이미지는 기판(W)의 회전각도에 따라 복수 개 획득된다.
제어기(470)는 획득된 이미지들로부터 액공급 노즐(441) 및 광조사부재(451)의 이동을 위한 동적 프로파일을 생성한다.
이후 도 9와 같이 기판(W)의 회전각도에 따라 액공급 노즐(441)이 동적 프로파일에 따라 이동되면서 기판(W)의 가장자리 영역으로 처리액을 공급한다. 처리액이 공급되는 동안에 가스 공급 노즐(442)로부터 가스가 분사되어 처리액이 기판(W)의 중앙영역으로 유입되는 것을 방지한다. 가스 공급 노즐(442)은 액공급 노즐(441)과 동일 방향 그리고 동일 거리로 이동된다.
액공급노즐(441)이 동적 프로파일에 따라 이동하면서 처리액을 공급하므로, 기판이 지지판(421)에 편심된 상태로 위치되더라도 기판(W)의 가장자리 영역 전체에 처리액이 공급되는 폭은 기판(W)의 끝단으로부터 동일하다.
이후 도 10 내지 도 13과 같이, 기판(W)의 회전각도에 따라 광조사 부재(451)로부터 기판(W) 상에 공급된 처리액으로 광이 조사된다. 광조사부재(451)는 동적 프로파일에 따라 이동된다.
기판(W)이 지지판(421)에 편심되게 위치된 경우, 지지판(421)이 회전되면 지지판(421)의 회전각도에 따라 광이 조사되는 지점을 기준으로 기판의 끝단은 도 10 및 도 11과 같이 광조사부재(451)가 제공되는 영역으로 더 치우치거나 도 12 및 도 13과 같이 그 반대쪽으로 더 치우진다.
그러나 광조사부재(451)가 동적 프로파일에 따라 이동하면서 광을 기판에 조사하므로, 기판(W)이 지지판(421)에 편심된 상태로 위치되더라도 기판(W)의 가장자리 영역 전체에 광이 조사되는 폭은 기판(W)의 끝단으로부터 동일하다.
상술한 예에서는 처리액이 먼저 기판(W)에 공급되고 이후에 광이 기판(W)에 공급되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 처리액과 광은 동시에 기판(W)에 제공될 수 있다.
도 14 내지 도 17은 각각 본 발명의 에지 처리 장치의 다른 예를 보여준다.
상술한 예에서는 처리액을 공급하고, 광은 처리액을 가열하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 14 또는 도 15와 같이 처리액을 공급하는 액 공급 노즐(441)과 광을 조사하는 광 조사부재(451) 중 어느 하나만 제공될 수 있다.
도 14와 같이 광 조사부재(451)만 제공되는 경우, 광으로 직접 기판(W)의 가장자리 영역의 막을 직접 제거한다. 또한, 도 15와 같이 액 공급 노즐(441)만 제공되는 경우, 액 공급 노즐(441)은 상술한 에지 처리 유닛(450)으로 기능한다.
상술한 예에서는 기판(W)의 가장자리 영역으로 처리액을 공급시 처리액이 기판(W)의 중앙 영역으로 유입되는 것을 방지하기 위해 가스 공급 노즐(442)이 액 공급 노즐(441)과 인접하게 위치되고, 액 공급 노즐(441)과 함께 이동하는 것으로 설명하였다.
그러나 이와 달리, 도 16과 같이 대향판(443)이 제공되고, 대향판(443)과 기판(W) 사이의 영역으로 가스가 공급될 수 있다.
또한, 상술한 예에서는 처리액이 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급되는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 17과 같이 처리액은 기판(W)의 중앙 영역만 공급되거나, 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 간에 이동하면서 공급하여 기판(W)의 전체 영역에서 기판(W)을 처리할 수 있다. 이 경우, 광 조사부재(451)는 기판(W)의 가장자리 영역으로 광을 조사하여, 기판(W)의 가장자리 영역에서 기판(W) 상의 처리액을 가열할 수 있다.
상술한 도 14 내지 도17의 실시예서, 촬상부재(430)로 기판(W)을 촬영하여 이미지를 획득하고, 이미지에 근거하여 에지 처리 유닛(450)의 동적 프로파일을 작성하고, 기판(W)이 회전되는 동안에 동적 프로파일에 따라 에지 처리 유닛(450)을 이동시키면서 기판(W)을 처리하는 것은 도 4의 실시예와 동일하다.
상술한 예에서는 처리액이 인산이고, 제거되는 막이 실리콘 질화막인 것으로 기재하였으나, 처리액 및 막의 종류는 이에 한정되지 않는다.
400: 에지 처리 챔버 410: 컵
420: 지지유닛 423a: 제1모터
423b: 엔코더 430: 촬상부재
440: 노즐 유닛 441: 액공급노즐
442: 가스공급노즐 450: 에지 처리 유닛
451: 광조사부재 460: 구동부재
461: 제2모터 470: 제어기

Claims (23)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 지지하고, 회전 가능한 지지판과;
    회전 중인 상기 기판을 촬영하여 이미지를 획득하는 촬상 부재와;
    상기 기판의 가장자리 영역을 처리하는 에지 처리 유닛과;
    상기 지지판 또는 상기 에지 처리 유닛을 이동시켜 이들 간에 상대위치를 변경하는 구동 부재와;
    상기 구동 부재를 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 촬상 부재를 통해 획득된 이미지에 근거하여 상기 기판의 회전 각도에 따라 상기 상대위치가 변경되도록 상기 구동 부재를 제어하고,
    상기 촬상부재는 기판의 가장자리 영역을 촬상하도록 제공되고,
    상기 지지판이 1 회전되는 동안 상기 촬상부재는 상기 기판의 가장자리 영역을 복수회 촬영하여 상기 이미지를 복수 개 획득하고,
    상기 제어기는,
    복수의 상기 이미지를 이용하여 상기 지지판이 회전될 때 각각의 회전 각도에서, 상기 지지판의 정위치에 놓인 기판의 중심에서 상기 지지판에 놓인 기판의 끝단까지의 거리를 측정하여 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에지 처리 유닛은 광을 조사하는 광 조사부재인 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광 조사부재는 레이저를 조사하는 레이저 조사기를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 지지판에 놓인 기판의 회전 각도에 따라 상부에서 바라볼 때 상기 지지판 상의 정 위치에 놓인 상기 기판의 중심과 상기 정 위치에 놓인 기판으로 광이 조사되는 지점을 잇는 직선을 따라 광 조사 지점이 변경되도록 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 지지판에 놓인 상기 기판이 회전됨에 따라 상기 기판으로 광이 조사되는 영역이 상기 기판의 끝단을 기준으로 동일하도록 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 촬상 부재를 통해 획득된 이미지에 근거하여 정위치에 놓인 상기 기판의 중심으로부터 상기 지지판에 놓인 상기 기판의 편심 거리 및 편심 방향을 산출하고,
    상기 산출된 편심거리 및 편심방향으로부터 상기 기판의 회전각도에 따라 상기 기판으로 광이 조사되는 영역이 상기 기판의 끝단을 기준으로 동일하도록 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지판의 회전각도와 상기 촬상부재의 촬영 시점이 동기화되는 기판 처리 장치.
  9. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 기판 회전에 따른 상기 광 조사부재의 이동 위치를 동적 프로파일로 작성하고,
    상기 동적 프로파일에 따라 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 지지판은 제1모터에 의해 회전되고,
    상기 구동부재는,
    상기 광 조사부재를 이동시키는 제2모터를 포함하며,
    상기 지지판의 회전 각도에 따라 상기 광 조사부재가 상기 동적 프로파일을 따라 이동되도록 상기 제1모터와 상기 제2모터는 동기 제어되는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지판에 놓여진 상기 기판의 광이 조사되는 영역으로 처리액을 공급하는 노즐 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 노즐 유닛이 상기 지지판에 처리액을 공급한 후, 상기 광조사 부재가 상기 처리액에 광을 조사하도록 상기 노즐 유닛과 상기 광 조사부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 지지판은 제1모터에 의해 회전되고,
    상기 제어기는,
    상기 지지판의 회전 각도에 따라 상기 노즐 유닛으로부터 공급되는 처리액의 공급위치가 상기 기판의 끝단으로부터 동일하도록 상기 공급위치를 변경하는 기판 처리 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 처리액은 상기 기판의 가장자리 영역으로 공급되고,
    상기 장치는,
    상기 가장자리 영역으로 공급된 처리액이 상기 기판의 중앙 영역으로 유입되는 것을 방지하는 확산 방지 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 기판 처리 방법에 있어서,
    회전되는 지지판 상에 놓인 기판의 가장자리 영역에 에지 처리 유닛으로부터 광을 조사하거나, 노즐유닛으로부터 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하되,
    상기 기판이 상기 지지판의 정위치에서 벗어난 상태로 상기 지지판에 놓일 때, 상기 기판이 상기 정위치에서 벗어난 위치에 근거하여 상기 에지 처리 유닛이 이동되면서 상기 기판에 광을 조사하고,
    상기 에지 처리 유닛은 상기 광을 조사하는 광 조사부재를 포함하고,
    상기 기판이 상기 지지판에 놓이면, 상기 지지판을 회전시키면서 상기 기판이 1회전되는 동안 촬상부재로 상기 기판의 가장자리 영역을 복수 회 촬상하여 복수의 이미지를 획득하고,
    상기 복수의 이미지를 이용하여 상기 지지판이 회전될 때 각각의 회전 각도에서, 상기 지지판의 정위치에 놓인 기판의 중심에서 상기 지지판에 놓인 기판의 끝단까지의 거리를 측정하여 상기 광 조사부재를 이동시키는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 광조사부재는,
    상기 기판으로 광이 조사되는 영역이 상기 기판의 끝단을 기준으로 동일하도록 이동하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 지지판에 놓인 기판의 회전 각도에 따라 상부에서 바라볼 때 상기 지지판 상의 정 위치에 놓인 상기 기판의 중심과 상기 정 위치에 놓인 기판으로 광이 조사되는 지점을 잇는 직선을 따라 광 조사 지점이 변경되도록 상기 광 조사부재를 이동시키는 기판 처리 방법.
  18. 삭제
  19. 제15항에 있어서,
    상기 편심 거리 및 편심 방향을 근거로, 상기 광조사부재의 동적 프로파일을 생성하고, 상기 동적프로파일을 근거로 상기 광조사부재가 이동되는 기판 처리 방법.
  20. 제15항 내지 제17항, 제19항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 광은 레이저인 기판 처리 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 광이 조사되기 전에 또는 상기 광의 조사와 동시에 상기 기판으로 처리액이 공급되고,
    상기 광은 상기 기판 상에 공급된 처리액을 가열하는 기판 처리 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 처리액은 인산을 포함하는 기판 처리 방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 광은 상기 기판 상의 막을 직접 제거하는 기판 처리 방법.
KR1020180103894A 2018-08-31 2018-08-31 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102162187B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180103894A KR102162187B1 (ko) 2018-08-31 2018-08-31 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN201910808239.4A CN110875229B (zh) 2018-08-31 2019-08-29 基板处理设备和基板处理方法
US16/557,790 US11367634B2 (en) 2018-08-31 2019-08-30 Substrate treating apparatus with edge treating unit and substrate treating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180103894A KR102162187B1 (ko) 2018-08-31 2018-08-31 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200026415A KR20200026415A (ko) 2020-03-11
KR102162187B1 true KR102162187B1 (ko) 2020-10-07

Family

ID=69639149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180103894A KR102162187B1 (ko) 2018-08-31 2018-08-31 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11367634B2 (ko)
KR (1) KR102162187B1 (ko)
CN (1) CN110875229B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
KR102391973B1 (ko) * 2019-10-21 2022-04-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN111599727A (zh) * 2020-06-01 2020-08-28 厦门通富微电子有限公司 一种晶圆表面附着物清除设备
US11482433B2 (en) * 2020-07-17 2022-10-25 Intel Corporation Stacked thermal processing chamber modules for remote radiative heating in semiconductor device manufacture
TWI789706B (zh) * 2021-02-19 2023-01-11 台灣積體電路製造股份有限公司 後電填充模組及用於後電填充模組的校準方法
WO2024044240A1 (en) * 2022-08-23 2024-02-29 Applied Materials, Inc. Precision z-stage with nanometer step size

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101605698B1 (ko) * 2010-07-16 2016-03-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
JP2017117954A (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7909960B2 (en) 2005-09-27 2011-03-22 Lam Research Corporation Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer
CN100501573C (zh) * 2006-09-27 2009-06-17 上海华虹Nec电子有限公司 将光刻机中的硅片在线调节到最佳曝光位置的方法
JP5600952B2 (ja) * 2010-02-01 2014-10-08 株式会社ニコン 位置検出装置、基板貼り合わせ装置、位置検出方法、基板貼り合わせ方法、及びデバイスの製造方法
JP2013205678A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5835188B2 (ja) 2012-11-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体
US9809898B2 (en) * 2013-06-26 2017-11-07 Lam Research Corporation Electroplating and post-electrofill systems with integrated process edge imaging and metrology systems
KR101681189B1 (ko) * 2015-01-30 2016-12-02 세메스 주식회사 검사 유닛 및 검사 방법, 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101842119B1 (ko) 2015-10-21 2018-03-26 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP6584356B2 (ja) 2016-03-30 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法
JP6562864B2 (ja) * 2016-03-30 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法
US10373858B2 (en) 2016-04-06 2019-08-06 Lam Research Corporation Chuck for edge bevel removal and method for centering a wafer prior to edge bevel removal
JP6815799B2 (ja) 2016-09-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101605698B1 (ko) * 2010-07-16 2016-03-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
JP2017117954A (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200075362A1 (en) 2020-03-05
CN110875229A (zh) 2020-03-10
CN110875229B (zh) 2023-08-25
US11367634B2 (en) 2022-06-21
KR20200026415A (ko) 2020-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102162187B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5421825B2 (ja) 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101485216B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
CN109923640B (zh) 接合装置、接合***、接合方法和计算机存储介质
CN212136411U (zh) 接合装置
KR20150124950A (ko) 성막 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 성막 시스템
KR101972225B1 (ko) 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법
JP2015018919A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015018920A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2020203314A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
WO2020184178A1 (ja) 処理装置及び処理方法
KR102469678B1 (ko) 성막 시스템, 성막 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP7221906B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102270780B1 (ko) 막질 제거 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN111843218A (zh) 基板处理方法、基板处理装置和基板处理***
KR102562236B1 (ko) 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
KR102567504B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN215576096U (zh) 基板处理装置
KR102099109B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230053155A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2017034108A (ja) 基板保持部材
KR20230100234A (ko) 기판 처리 장치
CN112139680A (zh) 用于处理基板的装置和方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant