JP2017135286A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1は、配線基板10と、半導体チップ20と、接続部材30と、封止樹脂40と、配線部50,60と、バンプ70とを有している。配線基板10は、上面に形成された部品用パッドP1と接続用パッドP2とを有している。部品用パッドP1には半導体チップ20が接続されている。接続用パッドP2には、接続部材30が接続されている。配線基板10の上面は封止樹脂40により覆われ、その封止樹脂40は半導体チップ20と接続部材30とを封止する。封止樹脂40の上面40aには配線部50,60が配設されている。配線部50,60は、封止樹脂40に埋設された下側パッド部51,61と、封止樹脂40の上面40aから突出する上側パッド部52,62を有している。
【選択図】図1
Description
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
図1に示すように、半導体装置1は、配線基板10と、半導体チップ20と、接続部材30と、封止樹脂40と、配線部50,60と、バンプ70とを有している。
配線基板10において、絶縁層11の材料としては、例えば、補強材であるガラスクロス(ガラス織布)にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ樹脂を用いることができる。補強材としてはガラスクロスに限らず、例えば、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ(LCP:Liquid Crystal Polymer)織布やLCP不織布を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としてはエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの樹脂材を用いることができる。
配線部50は、下側パッド部51と、上側パッド部52とを有している。下側パッド部51と上側パッド部52とは、一体に形成されている。配線部50の材料としては、例えば、銅又は銅合金を用いることができる。
図2(a)に示すように、半導体装置1の配線部50,60は、この半導体装置1の上方に配置された他の半導体装置100に接続される。半導体装置100は、半導体装置1に接続される外部装置の一例である。
添付図面は、上記の半導体装置1の一部を示すものである。なお、説明の便宜上、最終的に半導体装置1の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。また、各図の説明に必要な部材について符号を付し、説明しない部材については符号を省略する場合がある。
この配線基板10は、公知の製造方法により形成されるため、その概略について図3(a)を参照しながら説明する。
図4(b)に示すように、実装する半導体チップ20(図1(a)参照)に応じた領域に、半硬化状態(B−ステージ状態)のアンダーフィル樹脂24を形成する。このアンダーフィル樹脂24は、部品用パッドP1を被覆する。
図6(b)に示すように、下側パッド部51,61に接続部材30を接続する。例えば、配線基板10の上に構造体220を重ね合わせ、それらをリフロー炉で230〜250℃程度の温度で加熱する。これにより、接続部材30の導電材料32が溶融し、接続部材30が下側パッド部51,61に接続される。このとき、接続部材30のコア31は、配線基板10に対して構造体220を所要の間隔で保持するスペーサとして機能する。そして、接続部材30を介して配線基板10の接続用パッドP2と構造体220の下側パッド部51,61とが電気的に接続されるとともに、接続部材30を介して構造体220が配線基板10上に固定される。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
・上記実施形態における配線部の形状やエッチングする領域は、適宜変更が可能である。また、配線部以外の部材を封止樹脂40に埋め込むようにしてもよい。
次に、図8(b)に示すように、金属板230をハーフエッチングして配線231、下側パッド部232、ダミーパターン233を形成する。この例では、下側パッド部232は平面視四角形状に形成され、ダミーパターン233は平面視円状に形成されている。配線231の幅/間隔(L/S)は、例えば50μm/50μmである。なお、配線231の間隔は、隣接する2本の配線231の間の距離である。
次に、図8(e)に示すように、金属板230をエッチングして上側パッド部234とダミーパターン233とを封止樹脂40の上面40aから突出させる。このとき、上記の配線231において封止樹脂40の上面40aから突出する部分がエッチングにより除去され、配線231が封止樹脂40に埋設される。このように、封止樹脂40に埋め込まれた微細な配線231を形成することができる。
図9(a)に示すように、下側パッド部241の側面241bと上側パッド部242の側面242bとを、封止樹脂40の上面40aに垂直な方向に沿って形成してもよい。このような形状の配線部240においても、上記実施形態と同様に、半導体装置100を接続するはんだ111が上側パッド部242の側面242bまで回り込んで形状が安定し、隣接する配線部240の間隔が狭い場合でも、短絡を防止することができる。
以下、第2実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する。
上記の半導体装置1aにおいて、補強板80は、封止樹脂40の上面40aに配置されている。そして、補強板80は、銅又は銅合金によるベース板81を含む。このような補強板80は、封止樹脂40の反りを抑制する。したがって、補強板80は、半導体装置1aにおける反りの発生や、他の半導体装置100を実装する処理等により生じる反りを抑制することができる。
図13(a)に示す配線基板10は、前述した第1実施形態と同様に形成されている。つまり、配線基板10の部品用パッドP1には半導体チップ20が搭載されている。また、配線基板10の接続用パッドP2には接続部材30が接続されている。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(2−2)封止樹脂40の上面40aに補強板80が配設されている。補強板80は、銅又は銅合金によるベース板81を含む。このような補強板80は、封止樹脂40の反りを抑制する。したがって、補強板80は、半導体装置1aにおける反りの発生や、他の半導体装置100を実装する処理等により生じる反りを抑制することができる。
・上記第2実施形態に対し、補強板の形状や配置状態を適宜変更してもよい。
図15(a)に示すように、補強板400は、封止樹脂40に埋め込まれている。つまり、補強板400の側面及び下面は封止樹脂40により覆われている。この補強板400は、ベース板81と、ベース板81の下面に形成された粗面めっき層83とを有している。この補強板400の厚さは、例えば第2実施形態の補強板80と同じである。
図19に示すように、半導体装置1cの中央に1つの補強板471が配設され、その補強板471の周囲に、その補強板471よりも小さな補強板472が配列されている。このように、大きさが異なる補強板471,472を配置することにより、半導体装置1の反りを制御することができる。また、2列以上の補強板を中央の補強板471の周囲に配列するようにしてもよい。
・上記各実施形態において、配線基板10の上面に複数の電子部品を実装するようにしてもよい。また、配線基板10の下面に1つ又は複数の電子部品を実装するようにしてもよい。
・上記各実施形態において、保護絶縁層17をソルダレジスト層としてもよい。
20 半導体チップ(電子部品)
30 接続部材
40 封止樹脂
40a 上面
50,60 配線部
51,61 下側パッド部(第1のパッド部)
52,62 上側パッド部(第2のパッド部)
63 接続部
Claims (13)
- 部品用パッドと接続用パッドとが上面に形成された配線基板と、
前記部品用パッドに接続された電子部品と、
前記接続用パッドに接続され導電性を有する接続部材と、
前記配線基板の上面を覆い、前記電子部品と前記接続部材とを封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂に埋設されて前記接続部材と電気的に接続された第1のパッド部と、外部装置接続面を有し前記外部装置接続面が前記封止樹脂の上面より上方に位置するように形成された第2のパッド部と、を有する配線部と、
を有し、
前記第1のパッド部と前記第2のパッド部の少なくとも一方の側面は、前記封止樹脂の上面に向けて広がるように形成されるとともに、湾曲した曲面であることを特徴とする半導体装置。 - 配線部は、前記第1のパッド部と前記第2のパッド部とを電気的に接続する接続部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記接続部は、前記封止樹脂に埋設されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2のパッド部の側面の下端は、前記封止樹脂の上面より下に位置していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記湾曲した曲面は、厚さ方向の中央が最も内方に位置するように凹状に括れていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1のパッド部は銅又は銅合金により形成され、
前記第1のパッド部の側面は、酸化銅の膜により覆われていること、
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記電子部品の上方であって前記封止樹脂の上面に配設された補強板を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂の上面には複数の補強板が配設されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記補強板の下面には粗面めっき層が形成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体装置。
- 前記外部装置接続面には外部装置が接続されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 配線基板の上面の接続用パッドに接続部材を接続する工程と、
前記配線基板の上面の部品用パッドに電子部品を実装する工程と、
金属板をエッチングして薄化した金属板と前記薄化した金属板の一方の面に前記薄化した金属板から突出する第1のパッド部を形成する工程と、
前記第1のパッド部を前記接続部材に対向させて前記金属板を前記配線基板の上方に配置し、前記第1のパッド部を前記接続部材に接続する工程と、
前記配線基板と前記金属板との間に、前記電子部品と前記接続部材とを封止する封止樹脂を形成し、前記封止樹脂により前記第1のパッド部を埋設する工程と、
前記薄化した金属板をエッチングして前記封止樹脂の上面の一部を露出するとともに前記封止樹脂の上面から突出する第2のパッド部を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1のパッド部を形成する工程において、前記薄化した金属板の一方の面に前記薄化した金属板から突出し前記第1のパッド部に接続された接続部を形成し、
前記薄化した金属板をエッチングする工程において、前記接続部を介して前記第1のパッド部に接続された前記第2のパッド部を形成すること、
を特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2のパッド部を形成する工程において、前記電子部品の上方であって、前記封止樹脂の上面に配設された補強板を形成することを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020027820A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 新光電気工業株式会社 | インダクタ及びインダクタの製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6764666B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2020-10-07 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2019131379A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-04 | 住友ベークライト株式会社 | 電子装置の製造方法 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786484A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH10116937A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002366922A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Sony Corp | Icカード |
JP2003197665A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003288576A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Kyodo Printing Co Ltd | 非接触型icカード用インレットの製造方法および非接触型icカード |
JP2006073570A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007096196A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008181921A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法 |
JP2010283055A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置を製造する際に用いる基板 |
US20120061814A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor Device and Method of Forming Leadframe Interposer Over Semiconductor Die and TSV Substrate for Vertical Electrical Interconnect |
CN102779813A (zh) * | 2011-05-12 | 2012-11-14 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法以及采用它的半导体模块 |
JP2013062549A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-04 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2014029958A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Ajinomoto Co Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2014049476A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法 |
JP2014053586A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体チップパッケージ及びその製造方法 |
JP2015211106A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210870A (ja) | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品内蔵モジュール及びその製造方法 |
EP1962342A4 (en) | 2005-12-14 | 2010-09-01 | Shinko Electric Ind Co | SUBSTRATE WITH INTEGRATED CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
JP5340789B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2013-11-13 | 新光電気工業株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
US9653445B2 (en) * | 2014-10-24 | 2017-05-16 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield |
-
2016
- 2016-01-28 JP JP2016014579A patent/JP6713289B2/ja active Active
-
2017
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Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786484A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH10116937A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002366922A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Sony Corp | Icカード |
JP2003197665A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003288576A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Kyodo Printing Co Ltd | 非接触型icカード用インレットの製造方法および非接触型icカード |
JP2006073570A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007096196A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008181921A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法 |
JP2010283055A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置を製造する際に用いる基板 |
US20120061814A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor Device and Method of Forming Leadframe Interposer Over Semiconductor Die and TSV Substrate for Vertical Electrical Interconnect |
CN102779813A (zh) * | 2011-05-12 | 2012-11-14 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法以及采用它的半导体模块 |
JP2014029958A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Ajinomoto Co Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2014049476A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法 |
US9137900B2 (en) * | 2012-08-29 | 2015-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component incorporated substrate and method for manufacturing electronic component incorporated substrate |
JP2014053586A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体チップパッケージ及びその製造方法 |
JP2013062549A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-04 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2015211106A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020027820A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 新光電気工業株式会社 | インダクタ及びインダクタの製造方法 |
JP7223525B2 (ja) | 2018-08-09 | 2023-02-16 | 新光電気工業株式会社 | インダクタ及びインダクタの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US9773763B2 (en) | 2017-09-26 |
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