JP2016167493A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016167493A
JP2016167493A JP2015045876A JP2015045876A JP2016167493A JP 2016167493 A JP2016167493 A JP 2016167493A JP 2015045876 A JP2015045876 A JP 2015045876A JP 2015045876 A JP2015045876 A JP 2015045876A JP 2016167493 A JP2016167493 A JP 2016167493A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing material
phosphor particles
emitting device
light emitting
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015045876A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6354626B2 (ja
Inventor
由太 森村
Yuta Morimura
由太 森村
優輝 伊藤
Yuuki Ito
優輝 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2015045876A priority Critical patent/JP6354626B2/ja
Priority to US15/054,040 priority patent/US10461225B2/en
Publication of JP2016167493A publication Critical patent/JP2016167493A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6354626B2 publication Critical patent/JP6354626B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】封止材中の複数種の蛍光体粒子を、沈降むらを生じさせずに所望の位置まで沈降させ、発光色むらが抑えられた発光装置を製造する。
【解決手段】本発明の一態様に係る発光装置10の製造方法は、凹部1aの底に発光素子3が搭載されたケース1を用意する工程と、凹部1a内に、第1の蛍光体粒子6aを含む第1の封止材5aを注入する工程と、凹部1a内の第1の封止材5a上に、第2の蛍光体粒子6bを含む第2の封止材5bを注入する工程と、第2の封止材5bが硬化する前に第2の蛍光体粒子6bを沈降させる工程と、を含む。第1の封止材5a及び第2の封止材5bが硬化した後は、第2の蛍光体粒子6bが、第1の蛍光体粒子5aの上層に位置する。
【選択図】図2

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。
従来の発光装置として、複数種の蛍光体が、それぞれ封止樹脂中の異なる層に位置する発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、他の従来の発光装置の製造方法として、封止樹脂を加熱する際の粘度の低下を利用して、封止樹脂に含まれる蛍光体粒子を沈降させる方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開2007−49114号公報 特開2008−103688号公報
しかしながら、複数種の蛍光体粒子を封止樹脂で沈降させる場合には、封止樹脂を加熱する際の粘度の低下を利用した従来の方法を用いると、蛍光体粒子の種類ごとに沈降度合いが異なるため、沈降むらが生じ、発光装置の発光色むらが生じるおそれがある。
本発明の目的の一つは、封止材中の複数種の蛍光体粒子を、沈降むらを生じさせずに所望の位置まで沈降させ、発光色むらが抑えられた発光装置を製造することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記[1]〜[6]の発光装置の製造方法を提供する。
[1]凹部を有し、前記凹部の底に発光素子が搭載されたケースを用意する工程と、前記凹部内に、第1の蛍光体粒子を含む第1の封止材を注入する工程と、前記凹部内の前記第1の封止材上に、第2の蛍光体粒子を含む第2の封止材を注入する工程と、前記第2の封止材が硬化する前に前記第2の蛍光体粒子を沈降させる工程と、を含み、前記第1の封止材及び前記第2の封止材が硬化した後、前記第2の蛍光体粒子が、前記第1の蛍光体粒子の上層に位置する、発光装置の製造方法。
[2]前記第1の封止材が硬化した後、前記第2の封止材を注入する、前記[1]に記載の発光装置の製造方法。
[3]前記第1の封止材が硬化する前に、前記第2の封止材を注入する、前記[1]に記載の発光装置の製造方法。
[4]前記第1の封止材が、前記第1の蛍光体粒子の分散性を向上させる分散剤を含む、前記[2]又は[3]に記載の発光装置の製造方法。
[5]前記第1の封止材の屈折率が前記発光素子の表層の屈折率よりも低く、前記第2の封止材の屈折率が前記第1の封止材の屈折率よりも低い、前記[1]〜[4]のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
[6]前記第1の蛍光体粒子の蛍光波長が、前記第2の蛍光体粒子の蛍光波長よりも長い、前記[1]〜[5]のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
本発明によれば、封止材中の複数種の蛍光体粒子を、沈降むらを生じさせずに所望の位置まで沈降させ、発光色むらが抑えられた発光装置を製造することができる。
図1は、第1の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図2(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一例を示す垂直断面図である。 図3は、第2の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図4(a)〜(c)は、第2の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一例を示す垂直断面図である。 図5は、第3の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図6(a)〜(d)は、第3の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一例を示す垂直断面図である。
〔第1の実施の形態〕
(発光装置の構成)
図1は、第1の実施の形態に係る発光装置10の垂直断面図である。発光装置10は、凹部1aを有するケース1と、凹部1aの底に上面が露出するようにケース1に収納された基体2と、基体2上に搭載された発光素子3と、凹部1a内に充填された、発光素子3を封止する第1の封止材5a及び第2の封止材5bと、第1の封止材5a、第2の封止材5bの中にそれぞれ含まれる、第1の蛍光体粒子6a、第2の蛍光体粒子6bとを有する。
ケース1は、例えば、ポリフタルアミド樹脂、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PCT(Polycyclohexylene Dimethylene Terephalate)等の熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。ケース1は、光反射率を向上させるための、二酸化チタン等の光反射粒子を含んでもよい。
基体2は、例えば、全体またはその表面がAg、Cu、Al等の導電材料からなるリードフレームであり、インサート成型等により、ケース1と一体に成型される。
発光素子3は、例えば、チップ基板と、発光層及びそれを挟むクラッド層を含む結晶層とを有する、LEDやレーザーダイオード等の発光素子である。図1に示される例では、発光素子3は、基体2とボンディングワイヤー4を介して接続されるフェイスアップ型の素子であるが、結晶層が下方を向いたフェイスダウン型の素子であってもよく、また、導電バンプ等のボンディングワイヤー以外の部材によって基体2に接続されてもよい。
第1の封止材5aは、凹部1a内の下層に形成され、発光素子3を直接封止する。第2の封止材5bは、第1の封止材5a上に積層される。このため、第2の封止材5b中の第2の蛍光体粒子6bは、第1の封止材5a中の第1の蛍光体粒子6aの上層に位置する。
第1の封止材5a及び第2の封止材5bは、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の透明樹脂からなる。具体的には、例えば、メチルシリコーン、フェニルシリコーン、有機変性シリコーンからなる。
第1の封止材5aの屈折率が発光素子3の表層の屈折率よりも低く、第2の封止材5bの屈折率が第1の封止材5aの屈折率よりも低いことが好ましい。この場合、第2の封止材5bと外気との屈折率差を小さく抑え、光取出効率を向上させることができる。
発光装置10においては、第1の蛍光体粒子6aは第1の封止材5aの底部近傍まで沈降し、第2の蛍光体粒子6bは第2の封止材5bの底部近傍まで沈降している。これによって、第1の蛍光体粒子6a及び第2の蛍光体粒子6bの分布のむらを生じさせず、色むらを抑えた発光装置10を製造することができる。
なお、第1の蛍光体粒子6a及び第2の蛍光体粒子6bはそれぞれ粒径分布を有し、粒径が比較的大きい粒子は沈降し易く、粒径が比較的小さい粒子は沈降し難い。本実施の形態においては、少なくとも第1の蛍光体粒子6a、第2の蛍光体粒子6bの比較的粒径の大きな粒子(少なくともD50を超える粒径を有する粒子、好ましくは、D90以上の粒径を有する粒子)をそれぞれ第1の封止材5a、第2の封止材5bの底部近傍まで沈降させる。ここで、D50及びD90とは、粒度分布が累積体積分布の小径側から累積50%、累積90%に相当する粒子径をいう。図1の第1の蛍光体粒子6a及び第2の蛍光体粒子6bは、それぞれの沈降した粒子を模式的に表したものである。
第1の蛍光体粒子6a及び第2の蛍光体粒子6bの材料は特に限定されず、次のようなものを用いることができる。青色蛍光体としては、BaMgAl1017:Eu2+等のアルミン酸蛍光体を用いることができる。緑〜橙色蛍光体としては、例えば、(Y,Tb,Lu)Al12:Ce3+等のガーネット系蛍光体、(Ba,Sr)SiO:Eu2+、(Ba,Sr)SiO:Eu2+等のオルトケイ酸塩系蛍光体、又はCa(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+、SrSi:Eu2+等の酸窒化物蛍光体を用いることができる。赤色蛍光体としては、(Ca,Sr)AlSiN:Eu2+等の窒化物系蛍光体、又はKSiF:Mn4+等のフッ化物系蛍光体を用いることができる。
第1の蛍光体粒子6aと第2の蛍光体粒子6bは異なる種類の蛍光体粒子であって、例えば、材料、粒径、又はその両方が異なる。このため、仮に、第1の蛍光体粒子6aと第2の蛍光体粒子6bを同じ封止材中で混合して沈降させた場合には、第1の蛍光体粒子6aと第2の蛍光体粒子6bの沈降度合いがことなるために、沈降むらが生じる。発光装置10においては、第1の蛍光体粒子6aと第2の蛍光体粒子6bは異なる層に沈降するため、沈降度合いの違いに起因する発光色むらが生じない。
なお、第1の蛍光体粒子6aの蛍光波長が第2の蛍光体粒子6bの蛍光波長よりも長いことが好ましい。この場合、下層の第1の蛍光体粒子6aから発せられた蛍光の第2の蛍光体粒子6bによる吸収を抑えることができるため、所望の発光色の発光装置10を得ることができる。
(発光装置の製造方法)
図2(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係る発光装置10の製造工程の一例を示す垂直断面図である。
まず、図2(a)に示されるように、凹部1aの底に発光素子3が搭載されたケース1を用意し、凹部1a内に、第1の蛍光体粒子6aを含む第1の封止材5aを滴下法等により注入する。
次に、図2(b)に示されるように、粘度が低下し、かつ硬化が急速に進行しない程度の温度(以下、粘度低下温度と呼ぶ)まで、第1の封止材5aを加熱により昇温させ、第1の蛍光体粒子6aを第1の封止材5aの底部近傍まで沈降させる。ここで、粘度低下温度は、例えば、第1の封止材5aがシリコーン系樹脂からなる場合は、およそ70℃である。
第1の蛍光体粒子6aが沈降し、第1の封止材5aの上層が透明になった後、さらなる加熱により、硬化が比較的速く進行する温度(以下、硬化温度と呼ぶ)まで第1の封止材5aを昇温させ、硬化させる。ここで、硬化温度は粘度低下温度よりも高く、例えば、第1の封止材5aがシリコーン系樹脂からなる場合は、およそ140〜150℃である。
次に、図2(c)に示されるように、凹部1a内の第1の封止材5a上に、第2の蛍光体粒子6bを含む第2の封止材5bを滴下法等により注入する。
次に、図2(d)に示されるように、第2の封止材5bを加熱により粘度低下温度まで昇温させ、第2の蛍光体粒子6bを第2の封止材5bの底部近傍まで沈降させる。
第2の蛍光体粒子6bが沈降し、第2の封止材5bの上層が透明になった後、さらなる加熱により、第2の封止材5bを硬化温度まで昇温させ、硬化させる。
〔第2の実施の形態〕
(発光装置の構成)
図3は、第2の実施の形態に係る発光装置20の垂直断面図である。発光装置20は、主に、分散剤を含む第1の封止材25aを有し、第1の封止材25a中の第1の蛍光体粒子6aがほとんど沈降していない点において、第1の実施の形態に係る発光装置10と異なる。なお、第1の実施の形態に係る発光装置10と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
第1の封止材25aは、第1の蛍光体粒子6aの分散性を向上させるための分散剤を含む。この分散剤は、例えば、アエロジル(登録商標)等のシリカの粒子である。
第1の封止材25aは、第1の実施の形態に係る第1の封止材5aの材料と同様の材料を母材とすることができるが、特に、有機変性シリコーンを母材とすることが好ましい。有機変性シリコーンは粘度が低いため、分散剤の添加量の調整より粘度を制御することが容易であり、それによって第1の封止材5a中の第1の蛍光体粒子6aの配置を容易に制御できる。
発光装置20においては、第1の蛍光体粒子6aは第1の封止材5a中に分散し、第2の蛍光体粒子6bの比較的粒径の大きな粒子(少なくともD50を超える粒径を有する粒子、好ましくは、D90以上の粒径を有する粒子)は第2の封止材5bの底部近傍まで沈降している。
(発光装置の製造方法)
図4(a)〜(c)は、第2の実施の形態に係る発光装置20の製造工程の一例を示す垂直断面図である。
まず、図4(a)に示されるように、凹部1aの底に発光素子3が搭載されたケース1を用意し、凹部1a内に、第1の蛍光体粒子6aを含む第1の封止材25aを滴下法等により注入する。
このとき、第1の封止材25aには分散剤が含まれるため、第1の蛍光体粒子6aがほとんど沈降しない。ここで、第1の封止材25aを加熱により硬化させてもよいが、硬化させない場合には、次の工程で形成される第2の封止材5bとの密着性を向上させ、硬化後、第2の封止材5bを第1の封止材25aから剥離し難くすることができる。
次に、図4(b)に示されるように、凹部1a内の第1の封止材5a上に、第2の蛍光体粒子6bを含む第2の封止材5bを滴下法等により注入する。
次に、図4(c)に示されるように、第2の封止材5bを加熱により粘度低下温度まで昇温させ、第2の蛍光体粒子6bを第2の封止材5bの底部近傍まで沈降させる。
この段階において、第1の封止材25aが硬化していない場合であっても、第1の封止材25aに分散剤が含まれるため、沈降した第2の蛍光体粒子6bが第1の封止材25a中に沈むことはほとんどない。
第2の蛍光体粒子6bが沈降し、第2の封止材5bの上層が透明になった後、さらなる加熱により、第2の封止材5bを硬化温度まで昇温させ、硬化させる。なお、第2の封止材5bの注入前に第1の封止材25aを硬化させていない場合は、第1の封止材25aも第2の封止材5bと同時に硬化させる。
〔第3の実施の形態〕
(発光装置の構成)
図5は、第3の実施の形態に係る発光装置30の垂直断面図である。発光装置30は、主に、第2の蛍光体粒子6bの少なくとも一部が第1の封止材5a中に沈降している点において、第1の実施の形態に係る発光装置10と異なる。なお、第1の実施の形態に係る発光装置10と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
発光装置30においては、第1の蛍光体粒子6aの比較的粒径の大きな粒子(少なくともD50を超える粒径を有する粒子、好ましくは、D90以上の粒径を有する粒子)は第1の封止材5aの底部近傍まで沈降し、第2の蛍光体粒子6bの比較的粒径の大きな粒子(少なくともD50を超える粒径を有する粒子、好ましくは、D90以上の粒径を有する粒子)の少なくとも一部は第1の封止材5a中まで沈降している。
図5は、第2の蛍光体粒子6bの比較的粒径の大きい粒子がすべて第1の封止材5a中の第1の蛍光体粒子6aの上層まで沈降した場合の状態を表している。第2の蛍光体粒子6bの沈降のさせ方や第1の封止材5aの厚さによっては、第2の蛍光体粒子6bは第2の封止材5bの底部近傍と第1の封止材5a中の両方に分布することもある。
(発光装置の製造方法)
図6(a)〜(d)は、第3の実施の形態に係る発光装置30の製造工程の一例を示す垂直断面図である。
まず、図6(a)に示されるように、凹部1aの底に発光素子3が搭載されたケース1を用意し、凹部1a内に、第1の蛍光体粒子6aを含む第1の封止材5aを滴下法等により注入する。
次に、図6(b)に示されるように、第1の封止材5aを加熱により粘度低下温度まで昇温させ、第1の蛍光体粒子6aを第1の封止材5aの底部近傍まで沈降させる。
本実施の形態においては、第1の蛍光体粒子6aが沈降し、第1の封止材5aの上層が透明になった後にも、第1の封止材5aを硬化させずに、次の第2の封止材5bを注入する工程に進む。このため、第1の封止材5aと第2の封止材5bがそれらの界面近傍で混ざり合い、硬化後の第2の封止材5bの第1の封止材5aからの剥離を防ぐことができる。
次に、図6(c)に示されるように、凹部1a内の第1の封止材5a上に、第2の蛍光体粒子6bを含む第2の封止材5bを滴下法等により注入する。
次に、図6(d)に示されるように、第2の封止材5bを加熱により粘度低下温度まで昇温させ、第2の蛍光体粒子6bを沈降させる。
このとき、第1の封止材5aも第2の封止材5bと同様に、硬化しておらず、低粘度の状態が保たれているため、第2の蛍光体粒子6bの少なくとも一部は、第1の封止材5a中の第1の蛍光体粒子6aが構成する層の上層まで沈降する。
第2の蛍光体粒子6bが沈降した後、さらなる加熱により、第1の封止材5a及び第2の封止材5bを硬化温度まで昇温させ、硬化させる。
(実施の形態の効果)
上記実施の形態によれば、封止材中の複数種の蛍光体粒子を、沈降むらを生じさせずに所望の位置まで沈降させ、発光色むらが抑えられた発光装置を製造することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
例えば、上記実施の形態においては、2種類の蛍光体粒子を用いて発光装置を製造したが、3種類以上の蛍光体粒子を用いてもよい。その場合であっても、上記実施の形態と同様に、種類の異なる蛍光体粒子をそれぞれ異なる封止材中に含め、それらの封止材を別々にケース内に注入する。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
10、20、30 発光装置
1 ケース
1a 凹部
3 発光素子
5a、5b、25a 封止材
6a、6b 蛍光体粒子

Claims (6)

  1. 凹部を有し、前記凹部の底に発光素子が搭載されたケースを用意する工程と、
    前記凹部内に、第1の蛍光体粒子を含む第1の封止材を注入する工程と、
    前記凹部内の前記第1の封止材上に、第2の蛍光体粒子を含む第2の封止材を注入する工程と、
    前記第2の封止材が硬化する前に前記第2の蛍光体粒子を沈降させる工程と、
    を含み、
    前記第1の封止材及び前記第2の封止材が硬化した後、前記第2の蛍光体粒子が、前記第1の蛍光体粒子の上層に位置する、
    発光装置の製造方法。
  2. 前記第1の封止材が硬化した後、前記第2の封止材を注入する、
    請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記第1の封止材が硬化する前に、前記第2の封止材を注入する、
    請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記第1の封止材が、前記第1の蛍光体粒子の分散性を向上させる分散剤を含む、
    請求項2又は3に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記第1の封止材の屈折率が前記発光素子の表層の屈折率よりも低く、
    前記第2の封止材の屈折率が前記第1の封止材の屈折率よりも低い、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記第1の蛍光体粒子の蛍光波長が、前記第2の蛍光体粒子の蛍光波長よりも長い、
    請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
JP2015045876A 2015-03-09 2015-03-09 発光装置の製造方法 Active JP6354626B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015045876A JP6354626B2 (ja) 2015-03-09 2015-03-09 発光装置の製造方法
US15/054,040 US10461225B2 (en) 2015-03-09 2016-02-25 Method of manufacturing light-emitting device including sealing materials with phosphor particles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015045876A JP6354626B2 (ja) 2015-03-09 2015-03-09 発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016167493A true JP2016167493A (ja) 2016-09-15
JP6354626B2 JP6354626B2 (ja) 2018-07-11

Family

ID=56888027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015045876A Active JP6354626B2 (ja) 2015-03-09 2015-03-09 発光装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10461225B2 (ja)
JP (1) JP6354626B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110871853A (zh) * 2018-09-03 2020-03-10 丰田自动车株式会社 车身部件的制造方法以及车身部件的接合部的密封结构
JP2020167402A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021034426A (ja) * 2019-08-19 2021-03-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JPWO2019203078A1 (ja) * 2018-04-19 2021-06-17 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6100831B2 (ja) * 2015-05-26 2017-03-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
DE102016106896A1 (de) * 2016-04-14 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil
JP2018137321A (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP7092474B2 (ja) * 2017-08-21 2022-06-28 シチズン電子株式会社 発光装置
DE102018113996A1 (de) * 2018-06-12 2019-12-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
EP3617291B1 (en) * 2018-08-27 2022-06-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006135300A (ja) * 2004-10-04 2006-05-25 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2010538453A (ja) * 2007-08-31 2010-12-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光デバイスパッケージ
JP2011171557A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Toshiba Corp 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置
US20120248479A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 Osram Sylvania Inc. LED Device Utilizing Quantum Dots
JP2016058614A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7019335B2 (en) * 2001-04-17 2006-03-28 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
AU2003215785A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-08 Philips Intellectual Property And Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
WO2005071039A1 (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Kyocera Corporation 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法
DE102005046420B4 (de) 2004-10-04 2019-07-11 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung
JP2006114637A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP4794235B2 (ja) * 2005-08-02 2011-10-19 シャープ株式会社 発光装置
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
WO2007077869A1 (ja) * 2006-01-04 2007-07-12 Rohm Co., Ltd. 薄型発光ダイオードランプとその製造方法
US8441179B2 (en) * 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
JP5367218B2 (ja) * 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
JP4920497B2 (ja) * 2007-05-29 2012-04-18 株式会社東芝 光半導体装置
US8288936B2 (en) * 2007-06-05 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus, method for manufacturing the light emitting apparatus, electronic device and cell phone device
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
US8058088B2 (en) * 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
JP5239043B2 (ja) * 2008-07-18 2013-07-17 シャープ株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
KR101018111B1 (ko) * 2008-10-07 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치
DE102009037730A1 (de) * 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe
CN102376860A (zh) * 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US8742654B2 (en) * 2011-02-25 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including nonhomogeneous luminophoric particle size layers
JP2013033916A (ja) * 2011-06-28 2013-02-14 Sharp Corp 発光装置及びその製造方法
JP2013062393A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Sharp Corp 発光装置
US9343441B2 (en) * 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) * 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
JP6102273B2 (ja) * 2013-01-18 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR20150007885A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 구비한 발광 소자
JP6237174B2 (ja) * 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006135300A (ja) * 2004-10-04 2006-05-25 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2010538453A (ja) * 2007-08-31 2010-12-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光デバイスパッケージ
JP2011171557A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Toshiba Corp 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置
US20120248479A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 Osram Sylvania Inc. LED Device Utilizing Quantum Dots
JP2016058614A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019203078A1 (ja) * 2018-04-19 2021-06-17 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP7016034B2 (ja) 2018-04-19 2022-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
CN110871853A (zh) * 2018-09-03 2020-03-10 丰田自动车株式会社 车身部件的制造方法以及车身部件的接合部的密封结构
CN110871853B (zh) * 2018-09-03 2022-06-10 丰田自动车株式会社 车身部件的制造方法以及车身部件的接合部的密封结构
JP2020167402A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7060816B2 (ja) 2019-03-29 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021034426A (ja) * 2019-08-19 2021-03-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11456402B2 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the light-emitting device
JP7277760B2 (ja) 2019-08-19 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10461225B2 (en) 2019-10-29
JP6354626B2 (ja) 2018-07-11
US20160268485A1 (en) 2016-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6354626B2 (ja) 発光装置の製造方法
US20140151734A1 (en) Light-emitting device and method for manufacturing same
JP6769248B2 (ja) 発光装置
JP4557824B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2005340813A (ja) 蛍光物質を含む成形材料及びそれから作った発光デバイス
JP5239941B2 (ja) 発光装置の製造方法
WO2008043519A1 (en) Phosphor-converted light emitting diode
JP2010027974A (ja) 発光装置の製造方法
JP2014041993A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2007027431A (ja) 発光装置
CN103840063A (zh) Led封装基板及其制作方法
JP6940740B2 (ja) 発光装置の製造方法
US9472730B2 (en) Light emitting device
JP2017076673A (ja) 発光装置の製造方法
JP7348478B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5846182B2 (ja) 発光装置の製造方法
US20060199293A1 (en) Method for fabricating light-emitting devices utilizing a photo-curable epoxy
JP7389333B2 (ja) 発光装置
JP5161907B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5901567B2 (ja) オプトデバイスの製造方法
JP6387773B2 (ja) 透光部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6739527B2 (ja) 発光装置
JP6777105B2 (ja) 発光装置の製造方法
US10644192B2 (en) Method of manufacturing light-emitting device
JP6812657B2 (ja) 発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180402

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180402

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180515

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180528

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6354626

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150