JP5846182B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、複数個のLEDチップ等を同一の配線基板に複数個搭載したバックライトに代表される照明機器や、LEDチップ等の発光素子をパッケージ化したランプ、等の発光装置の製造方法に関する。
青色LEDチップの実用化により、青色LEDチップと黄色蛍光体との組み合わせによる白色光源が種々の分野で利用されている。特に、自発光型のディスプレイではない液晶ディスプレイのバックライトとして利用されることが多い。
このようなバックライトでは、配線基板上に複数のLEDチップが直接搭載され、これら各々のLEDチップに対し蛍光体を含有させた樹脂により封止する方法が用いられている。近年、LEDチップの高出力化に伴い、封止樹脂としてLEDチップからの発熱に対し、耐熱性あるシリコン樹脂を用いることが多い。また、シリコン樹脂は弾性に富むため、LEDチップの発熱によるLEDチップの周囲に生じる熱応力を緩和することができ、LEDチップ配線基板と電気的に接続するワイヤの断線といった問題にも対応することができる。
シリコン樹脂はポッティング法にて供給し、硬化させることが多い。ポッティング法が用いられる程度の低粘度で封止樹脂を供給する際、封止樹脂が意図しない領域に流出する場合がある。そのため、図4(a)に示すように、封止樹脂4が硬化前に広範囲に流出を抑制する隔壁4を形成する技術が提案されている(例えば、特許文献1,特許文献2及び特許文献3参照。)。このような技術は、図4(b)に示すように、ダイシングにより各隔壁4単位に配線基板1を分離して形成されるLEDランプにも適用されている。
特開2006−066786号公報 特開2006−324589号公報 特開2008−300577号公報
このように隔壁4を利用したバックライトやLEDランプでは、硬化させた封止樹脂5に対し、傷を生じさせて外観不良となる場合がある。具体的には、前者においては、搬送時にヒューマンエラーが原因となり、後者においては、LEDランプを配線基板に搭載する際にLEDランプを吸着させるコレットによる圧痕の外観不良の原因となる。また、このような傷は、白色発光のバックライトやLEDランプの場合には白色光に色むらが生じさせたり、蛍光体を用いない単色のバックライトやLEDランプの場合においても、これらの傷により発光光が所望の配光特性といった不良や、封止樹脂によって覆われるワイヤ3への圧力により断線等の不良を生じさせるという問題を生じさせていた。
本発明は、このような従来技術の課題を鑑みてなされたものであって、バックライトやLEDチップ等の樹脂封止部にヒューマンエラーやコレットの圧痕等による傷を生じさせない発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題は、基板に発光素子を搭載する素子搭載工程と、反射剤及び充填剤を含有させた反射性を有する第1の樹脂により、前記基板に発光素子搭載部を囲むように隔壁を形成する隔壁形成工程と、蛍光体を含有させた第2の樹脂により、前記隔壁内の前記発光素子を封止する封止部を形成する素子封止工程とを有し、前記隔壁の前記基板の表面からの高さは、前記封止樹脂より高く形成され、前記隔壁は前記封止部より見かけ上、硬い樹脂により形成されており、前記隔壁形成工程において、印刷又は滴下により前記基板に未硬化の前記第1の樹脂を供給した後、該第1の樹脂を硬化させることにより隔壁を形成し、前記素子封止工程において、前記隔壁の内周面と前記第2の樹脂を接合させることを特徴とする白色発光装置の製造方法によって解決される。
ここで、見かけ上の硬さとは、母体となる樹脂自体が硬いことを指すものではなく、充填剤やその他の添加剤の全てを含めて硬化させたとき、その硬化物が硬いことを意味する。これらの硬さの比較は、ISO7619に基づいて図られたジュロメータによる測定値を尺度とする。
前記隔壁工程の後に、前記素子搭載工程を行ってもよい。また、前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂は同じ樹脂材料を母材としており、前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂の硬さは、添加剤の混合量により制御されてもよいし、前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂は同じ樹脂材料を母材としており、同時に硬化させてもよい
本発明の発光装置は、隔壁が封止樹脂より基板の表面からの高さが高く形成さている。すなわち、バックライトの搬送時のヒューマンエラーやLEDランプの搭載時のコレットにより封止樹脂を形成する第2の樹脂に直接接することなく、第1の樹脂からなる隔壁の上面又は外面に接するので、封止樹脂に損傷を生じさせにくくすることができる。また、隔壁を形成する第1の樹脂は、封止樹脂を形成する第2の樹脂により硬く形成されているので、隔壁に対して傷を生じにくくすることができる。
また、第1の樹脂と第2の樹脂は同じ樹脂材料を母材としているので、接合の際、なじみやすく、接合強度が高くなり、第1の樹脂/第2の樹脂間の剥離といった問題を生じにくくなる。この際、同一母材で異なる強度を得るために、添加剤の混合量を調整するとよい。
更に、隔壁を形成する第1の樹脂に反射剤を混合することにより、隔壁に多少の傷が生じた場合においても、発光装置の発光光は大部分が隔壁の内面に照射され、傷が生じる隔壁上面又は内面へは照射されないため、白色光の色むらや配光特性のバラツキを抑制することができる。
図1は、本発明の実施の形態のバックライト及びLEDランプを示す断面図である。 図2は、本発明の実施の形態のバックライト及びLEDランプの製造方法を示す断面図(その1)である。 図3は、本発明の実施の形態のバックライト及びLEDランプの製造方法を示す断面図(その2)である。 図4は、従来例のバックライト及びLEDランプを示す断面図である。
以下に、添付の図面に基づいて、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態のバックライト及びLEDランプを示す断面図である。
本発明のバックライト及びLEDランプは、配線基板11と、配線基板上に搭載されたLEDチップ12と、LEDチップ12と配線基板を接続するワイヤ13と、LEDチップの周囲を取り囲む隔壁14と、隔壁の内周側を充填してLEDチップを封止する封止樹脂15を備えている。
ここで、本明細書では、図1(a)に示すように、配線基板11上に複数の隔壁を備え、面状光源として使用されるものをバックライトとし、図1(b)に示すように、図1(a)の形態から各隔壁15毎に配線基板を切り出したものをLEDランプと呼ぶ。
配線基板11は、表面のみ、又は、表面及び裏面に配線(図示せず。)を備えており、ガラスエポキシ、又は、アルミナ等のセラミックから形成されている。
LEDチップ12は、サファイア,SiC(炭化珪素)、GaN(窒化ガリウム)等の成長基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体(Al1−X1−Y1InX1GaY1N、0≦X1≦1,0≦Y1≦1,0≦X1+Y1≦1)層が積層されており、正負の電極(図示せず)に電圧を印加することにより、例えば青色光を発光する。この他に、ガリウム燐系化合物半導体(Al1−X2−Y2InX2GaY2P、0≦X2≦1,0≦Y2≦1,0≦X2+Y2≦1)からなり、緑色光を発光するLEDチップや、ガリウム砒素系化合物半導体(Al1−X3GaX3P、0≦X3≦1)からなり、赤色光を発光するLEDチップを用いてもよい。
ワイヤ13は、Au(金)からなり、LEDチップの正負の電極と配線基板の正負の配線の各々とを電気的に接続する。
隔壁14は、エポキシ樹脂,フッ素樹脂及びシリコン樹脂、等の樹脂材料からなる。樹脂材料には、硬化前にある程度の形状安定性を保持させるために、SiO(シリカ)等の充填剤を含有させて見かけの粘度を上げることが好ましい。また、これに加え、樹脂材料には、個々の隔壁内から発せられる発光光の配光を制御する観点から、TiO(酸化チタン),BaSO(硫酸バリウム),BN(窒化硼素),等の反射剤を含有させることが好ましい。これらの反射剤及び充填剤は、破砕状,球状,りんぺん状,棒状,繊維状、等、様々な形状を選択することができる。
また、隔壁14は、隔壁を加工済みの金属や金属ペーストの焼成等により形成しても良いが、配線基板との絶縁を図る必要があり、成形の簡便性の観点から樹脂から形成することが望ましい。また、樹脂材料の中でも作業性の観点から、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂を用いることが好ましい。
尚、隔壁14内に配置されるLEDチップ12は1個でなくともよい。例えば、後述する封止樹脂内に含有させる蛍光体との組合せる場合や、蛍光体を使用しない場合に応じて複数個配置してもよい。
例えば、同じ発光光を発するLEDチップを2つ以上配置しても良いし、青色発光LEDチップと緑色発光LEDチップや、青色発光LEDチップと赤色発光LEDチップとを組み合わせて配置してもよい。
封止樹脂15は、隔壁同様の樹脂材料からなり、配線基板からの高さが隔壁よりも低く形成される。封止樹脂15中には、所望の蛍光体を含有させてもよい。例えば、LEDチップ12の発光光を青色光とし、これを励起光として、黄色光の波長変換光を発するYAG(Yttrium Aluminium Garnet)系蛍光体やBOS(Barium Orth Silicate)系蛍光体等を用い、LEDチップからの発光光と蛍光体による波長変換光の混色により白色光を発する場合が考えられる。その他、紫外光を発光するLEDチップと、これを励起光とする青色光、黄色光(緑色光)、赤色光を発する波長変換光とを組み合わせて白色光を得てもよい。
このような構成を有する本発明によれば、見かけ上、封止樹脂15より硬い樹脂が隔壁14として用いられ、隔壁14の厚みより薄く封止樹脂15が形成されているので、隔壁14が封止樹脂15に傷が生じることを防止する機能を発揮し、外観や、白色光に色むらや、発光光が所望の配光特性といった諸不良を低減することができる。
(実施例1)
上記のバックライト及びLEDランプの製造方法の実施例(その1)について、図2に基づいて、以下に説明する。
まず、図2(a)に示すように、配線基板11の表面を覆うように、所定の部分に貫通孔が形成された印刷板16を配置し、シリコン樹脂母材(製品名:東レ・ダウコーニング株式会社製;0E6630)に平均粒径D50が2.0μmのTiOからなる反射剤を10wt%含有させた第1の樹脂をこの貫通孔を塞ぐようにスキージを用いてスクリーン印刷を施し、硬化前の隔壁14aを形成した。
次に、図2(b)に示すように、印刷板16を取り除いた後、LEDチップを配線基板11の硬化前の隔壁14a内に配置し、LEDチップの正負の電極(図示せず。)と配線基板上の正負の配線(図示せず。)の各々を繋ぎ、電気的に接続する。
その後、図3(c)に示すように、隔壁14の厚みより厚くならないように、シリコン樹脂母材(製品名:東レ・ダウコーニング株式会社製;0E6340)に平均粒径D50が0.01μmのシリカを1wt%及び平均粒径が20μmYAG蛍光体を10wt%含有させた第2の樹脂をノズル18から硬化前の隔壁14a内に滴下し、硬化前の封止樹脂15aを形成した。次いで、加熱により、硬化前の隔壁14a及び封止樹脂15aを同時に硬化させて隔壁14及び封止樹脂15を形成し、白色光を発光するバックライトを製造した。
この際、隔壁14及び封止樹脂15の硬度は、各々、ショアD40及びショアA40であり、隔壁14の方が封止樹脂15より高硬度であることを確認した。
そして、この後に、隔壁14ごとに分離されるように、隔壁間の位置でダイシングにより分離してLEDランプを形成した。これらのLEDランプを基板搭載装置(図示せず。)に真空吸着させて、別途容易した母基板(図示せず。)に搭載した後、封止樹脂14の表面に圧痕はなく、色むら及びワイヤの断線も生じていなかった。
(実施例2)
図3は、その他のバックライト及びLEDランプの製造方法の実施例(その2)に示した断面図であり、図2に示した実施例と比べ、隔壁の形成をスクリーン印刷ではなくポッティングにより行なっている点において異なる。
尚、図3(a)に示すように、本実施例では、配線基板11にLEDチップ12を配置し、配線基板11とLEDチップ12とをワイヤ13により電気的に接続した後、隔壁形成用の硬化前の第1の樹脂14aを配線基板11の表面のLEDチップ12の周辺部に供給している。しかしながら、これとは逆に、LEDチップを配線基板11の表面に搭載する前に、所定の位置に隔壁形成用の硬化前の第1の樹脂14aを形成してもよい。
図3(b),図3(c)については、図2(b),図2(c)の説明と重複する為、これらの説明については省略する。
尚、本発明は上記の実施例に限定されるものではない。例えば、第1の樹脂14及び第2の樹脂15は同一の母材であることが好ましい。また、双方の硬化前の樹脂14a,15aは同時に硬化させる方が好ましい。互いの樹脂14,15の硬化条件が同じであり、同一母材であるため、互いの樹脂が馴染みやすいためである。尚、配線基板11に供給した後に、各々の硬化前の樹脂14a,15aを硬化させてもよい。
また、本実施の形態では発光素子としてLEDチップを挙げて説明したが、発光サイリスタ等、その他の発光素子を用いてもよい。
液晶のバックライトや、面状照明機器等の大型照明の他、LEDランプとして、スイッチの点灯部や携帯ライト等の種々の光源にも適用できる。
1,11 配線基板
2,12 LEDチップ(発光素子)
3,13 ワイヤ
4,14 隔壁(第1の樹脂)
4a 硬化前の隔壁(硬化前の第1の樹脂)
5,15 封止樹脂(第2の樹脂)
5a 硬化前の封止樹脂(硬化前の第2の樹脂)
16 印刷板
17 スキージ
18 ノズル

Claims (4)

  1. 基板に発光素子を搭載する素子搭載工程と、
    反射剤及び充填剤を含有させた反射性を有する第1の樹脂により、前記基板に発光素子搭載部を囲むように隔壁を形成する隔壁形成工程と、
    蛍光体を含有させた第2の樹脂により、前記隔壁内の前記発光素子を封止する封止部を形成する素子封止工程と
    を有し、
    前記隔壁の前記基板の表面からの高さは、前記封止樹脂より高く形成され、前記隔壁は前記封止部より見かけ上、硬い樹脂により形成されており、
    前記隔壁形成工程において、印刷又は滴下により前記基板に未硬化の前記第1の樹脂を供給した後、該第1の樹脂を硬化させることにより隔壁を形成し、
    前記素子封止工程において、前記隔壁の内周面と前記第2の樹脂を接合させる
    ことを特徴とする白色発光装置の製造方法。
  2. 前記隔壁工程の後に、前記素子搭載工程を行う
    ことを特徴とする請求項1に記載の白色発光装置の製造方法。
  3. 前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂は同じ樹脂材料を母材としており、前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂の硬さは、添加剤の混合量により制御されていることを特徴とする請求項2に記載の白色発光装置の製造方法。
  4. 前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂は同じ樹脂材料を母材としており、
    該第1の樹脂及び該第2の樹脂を同時に硬化させることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の白色発光装置の製造方法。
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JPH0677540A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JP4625997B2 (ja) * 1999-07-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3910171B2 (ja) * 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2007329502A (ja) * 2007-08-16 2007-12-20 Toshiba Corp 発光装置

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