JP2021034426A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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恵太 清水
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Abstract

【課題】点灯時の光度を抑えた発光装置及びその製造方法をを提供すること。【解決手段】発光装置１は、凹部１１を有するパッケージ１００と、凹部の底面に載置された発光素子３１と、凹部内に配置され、発光素子を被覆し、平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラー５２を含有する透光性樹脂５１により形成される封止部材５０と、を備え、封止部材は、フィラーを含有するフィラー含有層Ｌ２と透光層Ｌ１とが順に凹部の底面１５側から設けられており、フィラー含有層は発光素子の高さ以上の厚みを有する。【選択図】図３

Description

本開示は、発光装置及びその製造方法に関する。
従来、車載用としてヘッドライト等に発光装置が使用されている。車載外装用の発光装置では、高輝度の光を照射するものが望まれている。（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１７−１０８０９１号公報
しかし、車載用の発光装置は、例えば、車載内装分野においては、点灯した時の光度の低い製品が求められることもある。
本開示に係る実施形態は、点灯時の光度を抑えた発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、凹部を有するパッケージと、前記凹部の底面に載置された発光素子と、前記凹部内に配置され、前記発光素子を被覆し、平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラーを含有する透光性樹脂により形成される封止部材と、を備え、前記封止部材は、前記フィラーを含有するフィラー含有層と透光層とが順に前記凹部の底面側から設けられており、前記フィラー含有層は前記発光素子の高さ以上の厚みを有する。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、凹部を有するパッケージを準備する工程と、前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、前記凹部内に透光性樹脂に平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラーを含む未硬化の封止部材を充填する工程と、前記パッケージに対して、前記凹部の底面に垂直な方向に遠心力をかけることにより、前記フィラーを前記底面側に遠心沈降させ、前記フィラーを含有するフィラー含有層と透光層とを前記凹部の底面側から順に形成する遠心沈降工程と、を含む。
本開示に係る実施形態によれば、点灯時の光度を抑えた発光装置及びその製造方法を提供することができる。
実施形態に係る発光装置の全体を模式的に示す斜視図である。 実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面を模式的に示す断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施形態に係る発光装置の製造方法においてリードフレームの一部を拡大し、その他の部分を省略すると共に、第１リード及び第２リードに樹脂体を設けた状態を模式的に示す説明図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法においてリードフレームの一部を拡大し、その他の部分を省略すると共に、樹脂体の凹部内に発光素子及び保護素子を設けた状態を模式的に示す説明図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法においてリードフレームに発光装置を形成した状態を拡大し、その他の部分を省略すると共に、凹部内に封止部材を充填した状態を模式的に示す説明図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において遠心沈降工程を模式的に示す説明図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において各発光装置を個片化した状態を拡大して模式的に示す平面図である。 図９のＸ−Ｘ線における断面を模式的に示す断面図である。
以下、実施形態の一例を示す発光装置及びその製造方法を説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。
＜発光装置の構成＞
図面を用いて説明する。図１は、実施形態に係る発光装置の全体を模式的に示す斜視図である。図２は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面を模式的に示す断面図である。
発光装置１は、凹部１１を有するパッケージ１００と、凹部１１の底面１５に載置された発光素子３１と、凹部１１内に配置され、発光素子３１を被覆し、平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラー５２を含有する透光性樹脂５１により形成される封止部材５０と、を備えている。そして、発光装置１では、封止部材５０は、フィラー５２を含有するフィラー含有層Ｌ２と透光層Ｌ１とが順に凹部１１の底面１５側から設けられており、フィラー含有層Ｌ２は発光素子３１の高さ以上の厚みを有している。つまり、発光素子３１は、その全体がフィラー含有層Ｌ２で覆われている。
以下、発光装置１の各構成について説明する。
＜パッケージ＞
パッケージ１００は、第１リード４１と、第２リード４２と、第１リード４１及び第２リード４２を一体に保持する樹脂体１０と、を備えている。パッケージ１００は、凹部１１を有する。そして、凹部１１は、底面１５と、底面１５を囲む側面１３により形成されている。また、凹部１１は、底面１５から側面１３の上方に向かって形成される開口が、底面１５から上方に向かって広がるように形成されている。さらに、凹部１１は、底面１５と開口との間に段差部１２を形成している。段差部１２は、ここでは、凹部１１の底面１５側から開口に向かって開口面積が広くなるように側面１３の上方となる開口近傍に形成されている。
樹脂体１０は、平面視において外縁形状が略矩形に形成されている。樹脂体１０は、凹部１１の側面１３を構成する壁部と、壁部の下部側で第１リード４１及び第２リード４２を一体に保持する保持部１４と、を備えている。
保持部１４は、第１リード４１と第２リード４２との間に形成される中央底部１４ａと、平面視において第１リード４１及び第２リード４２の外側に枠状に形成される周縁部１４ｂとを備えている。中央底部１４ａは、第１リード４１と第２リード４２とを電気的に絶縁する距離を確保するように形成されている。
凹部１１の底面は、第１リード４１及び第２リード４２の一部と、中央底部１４ａとで構成されている。
さらに、樹脂体１０は、凹部１１の開口近傍において、側面１３の周面面に段差部１２を有し、底面１５から開口側に向かって開口面積が広くなるように形成されている。段差部１２は、例えば、ここでは後記する透光層Ｌ１とフィラー含有層Ｌ２の層間の目安になっている。樹脂体１０は、この段差部１２を有することで、開口面積が広がり光照射面を大きくすることができる。これにより、発光装置１は、単位面積当たりの光強度を低減することができる。また、発光装置１は、樹脂体１０と封止部材５０との密着性を向上することができる。
樹脂体１０としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。
熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、不飽和ポリエステル等を用いることができる。
熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等を用いることができる。
樹脂体１０には、光反射部材が含有されていてもよい。光反射部材として、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、ガラスフィラー、シリカ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。
第１リード４１及び第２リード４２は、樹脂体１０の凹部１１の底面１５にそれぞれ配置されるインナーリードと、樹脂体１０の外側及びパッケージ１００の下面側にそれぞれ配置されるアウターリードと、を備えている。第１リード４１及び第２リード４２は、凹部１１の底面１５において、半導体素子３０である発光素子３１あるいは保護素子３２を載置してワイヤ３３，３４により電気的に接続できるだけの広さを有している。そして、第１リード４１及び第２リード４２は、それぞれアウターリードが、樹脂体１０の下面側で露出すると共に、樹脂体１０の周縁部１４ｂから側方に突出するように形成されている。パッケージ１００の下面は、二次実装基板に実装される側の面であり、第１リード４１及び第２リード４２の下面がアウターリードの一部として発光装置１の外部電極として用いられる。なお、アウターリードは、パッケージ１００を平面視したときに中央が凹んで形成されている。
第１リード４１及び第２リード４２の材質は、例えば銅や銅合金が好ましく、その最表面は、例えば、銀、アルミニウム、銅及び金等のめっきが施されていてもよい。
なお、凹部を有するパッケージとして、配線部材を備えたセラミックパッケージを用いてもよい。
発光素子３１は、パッケージ１００の凹部１１の底面１５に載置される。ここでは、発光素子３１は、第１リード４１上に載置され、ワイヤ３３を介して、第１リード４１及び第２リード４２にそれぞれ電気的に接続されている。発光素子３１の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０〜４９０ｎｍの光）の発光素子としては、窒化物半導体であるＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）等で表されるＧａＮ系やＩｎＧａＮ系を用いることができる。発光素子３１は、電極のある面を上側にして実装するフェイスアップ実装することができる他、電極のある面を下側にして実装するフリップチップ実装されていてもよい。なお、第１リード上又は第２リード上には、保護素子を実装してもよい。
保護素子３２は、例えば、発光素子３１を電気的破壊から保護するためのツェナーダイオードである。保護素子３２は、一例として、第２リード４２に載置され、ワイヤ３４により第１リード４１に電気的に接続されている。ここでは、発光素子３１及び保護素子３２を半導体素子３０として設けた構成を説明したが、保護素子３２を設けないであったり、発光素子３１を複数設けたりする構成としても構わない。
ワイヤ３３，３４は、発光素子３１や保護素子３２等の半導体素子３０と、第１リード４１、第２リード４２を電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤ３３，３４の材質としては、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられるが、信頼性の観点からＡｕを用いるのが好ましい。
封止部材５０は、凹部１１内に配置され、発光素子３１等を被覆するものである。封止部材５０は、発光素子３１等を、外力、埃、水分等から保護すると共に、発光素子３１等の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。そして、封止部材５０は、フィラー５２を含有するフィラー含有層Ｌ２と透光層Ｌ１とが順に凹部１１の底面１５側から設けられている。なお、封止部材５０は、ここでは、フィラー５２と共にさらに蛍光体５３を含有し、蛍光体層Ｌ３を底面１５に沿って形成している。
封止部材５０は、発光素子３１から出射される光を透過させるために透光性を有する。具体的には、封止部材５０は、母材として、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透光性樹脂５１を含む。さらに、封止部材５０は、発光素子３１から出射される光の量を抑えるための材料としてフィラー５２を含む。また、封止部材は、添加部材としてフィラー５２以外の他の材料を含んでいてもよい。本実施形態では、封止部材５０は、蛍光体５３を含む。
封止部材５０が蛍光体５３を含む場合は、凹部１１の底面とフィラー含有層Ｌ２との間に蛍光体５３を含む蛍光体層Ｌ３が形成されることが好ましい。つまり、この場合、封止部材５０は、凹部１１の底面１５側から蛍光体層Ｌ３と、フィラー含有層Ｌ２と、透光層Ｌ１とを備えることになる。なお、透光層Ｌ１とフィラー含有層Ｌ２と蛍光体層Ｌ３とは、それぞれの層間が明確に分かれているのではなく、層間となる所定の範囲において徐々に変わるように形成されている。封止部材５０は、これらの透光層Ｌ１とフィラー含有層Ｌ２と蛍光体層Ｌ３とを後記する遠心力により沈降させる遠心沈降で形成している。
透光層Ｌ１は、封止部材５０中のフィラー及び蛍光体を遠心沈降することにより形成される上澄み層である。透光層Ｌ１は、透光性樹脂５１により形成され、透光層Ｌ１の上面は、発光装置１の光取出し面を構成している。透光層Ｌ１の上面（つまり封止部材５０の上面）は、底面１５に平行な平坦面として形成されることや、中央が低く、開口周縁側に向かってなだらかな曲線となるように形成されることとしても構わない。透光層Ｌ１は、凹部１１の底面１５から上面までの範囲において、上面から底面１５に向かって３０％の範囲内の厚み幅において形成されてもよく、２０％あるいは１０％の範囲内の厚み幅であってもよい。
フィラー含有層Ｌ２は、発光素子３１の高さ以上の厚みを有している。発光素子３１の上面より上方に略平坦な上面を有するフィラー含有層Ｌ２は、ここでは、一例として、発光素子３１に接続されているワイヤ３３の頂部の高さよりも高くなるように形成されることが好ましく、発光素子３１の２倍以上の高さに形成されることがより好ましい。なお、フィラー含有層Ｌ２の底面１５からの高さは、段差部１２までの範囲にあることが好ましい。フィラー含有層Ｌ２が段差部１２を被覆しないことにより、段差部１２がフィラーを実質的に含まない透光層Ｌ１で被覆されるため、パッケージと封止部材５０との密着性をより向上させることができる。フィラー含有層Ｌ２は、凹部１１の底面１５から開口部までの範囲において、底面１５から開口部側に向かって７０〜９０％の高さとなる範囲において形成されてもよい。
フィラー５２は、平均粒子径として２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下となる大きさのものが使用されることが好ましい。フィラー５２の粒子径を２００ｎｍ以上とすることで可視光域の光を散乱させやすくすることができる。一方で、粒子径が５００ｎｍより大きくなると、フィラー含有層Ｌ２における光の透過率が損なわれ、外部に散乱光を取り出しにくくなる。フィラー５２の平均粒子径をこの範囲とすることにより、発光素子３１から出射される光をフィラー含有層Ｌ２を通過する際に効率よく散乱させつつ、散乱光を外部に効率よく取り出すことができる。これにより、ぎらつきの少ない、光度を抑えた発光装置を得ることができる。
フィラー５２の形状としては、透光性樹脂５１中での流動しやすさから球状、又は球状に近い形状であることが好ましい。これにより、フィラー含有層Ｌ２において、略均一な濃度でフィラー５２を堆積させることができる。
フィラー５２の含有量は、透光性樹脂中に２〜１０質量％の範囲とすることが好ましい。フィラー５２の含有量は、２質量％未満だと、求められている低い光強度を超えてしまう可能性が高くなる。また、フィラー５２の含有量は、１０質量％を超えるとフィラー５２間で反射し光を取り出すことが困難となり光強度が弱すぎる状態になってしまう可能性が高くなる。
平均粒粒子径の測定法としては、レーザ回折・散乱法、画像解析法（走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ））、動的光散乱法、Ｘ線小角散乱法などを挙げることができる。
フィラー５２としては、例えば、酸化チタン、シリカ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素等が挙げられる。なかでも、光反射の観点から、屈折率が比較的高い酸化チタンを用いることが好ましい。
フィラー５２は、シランカップリング剤やチタンカップリング剤などを用いる公知の表面処理が施されていてもよい。表面処理に用いる薬剤としては、シランカップリング剤が好ましく、アミノシランが特に好ましい。シランカップリング剤などで表面処理することにより、フィラー５２と透光性樹脂５１とが混ざり合いやすくなり、また、フィラー５２の表面のすべりがよくなるため、沈降しやすくなると考えられる。
蛍光体５３は、封止部材５０中において蛍光体層Ｌ３を形成し、発光素子３１の上面、凹部１１の底面１５上に配置されている。蛍光体層Ｌ３は、発光素子３１の高さの半分以下の厚みを有するように形成されている。
蛍光体５３としては、フィラー５２よりも比重が大きいものを用いることが好ましい。これにより、蛍光体５３を凹部１１のより底面１５側に沈降させることができる。蛍光体５３の平均粒子径は、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下が挙げられる。
蛍光体５３としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ）やシリケート等の黄色蛍光体、ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）やＫＳＦ（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）等の赤色蛍光体、あるいは、クロロシリケートやＢａＳｉＯ4：Ｅｕ2+等の緑色蛍光体を用いることができる。蛍光体は、複数の種類の蛍光体を組み合わせて用いてもよい。例えば、発光色の異なる蛍光体を所望の色調に適した組み合わせや配合比で用いて、演色性や色再現性を調整することもできる。
＜パッケージの製造方法＞
次に発光装置１の製造方法について、図４から図１０を参照して説明する。
図４は、実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。図５は、実施形態に係る発光装置の製造方法においてリードフレームの一部を拡大し、その他の部分を省略すると共に、第１リード及び第２リードに樹脂体を設けた状態を模式的に示す説明図である。図６は、実施形態に係る発光装置の製造方法においてリードフレームの一部を拡大し、その他の部分を省略すると共に、樹脂体の凹部内に発光素子及び保護素子を設けた状態を模式的に示す説明図である。図７は、実施形態に係る発光装置の製造方法においてリードフレームに発光装置を形成した状態を拡大し、その他の部分を省略すると共に、凹部内に封止部材を充填した状態を模式的に示す説明図である。図８は、実施形態に係る発光装置の製造方法において遠心沈降工程を模式的に示す説明図である。図９は、実施形態に係る発光装置の製造方法において各発光装置を個片化した状態を拡大して模式的に示す平面図である。図１０は、図９のＸ−Ｘ線における断面を模式的に示す断面図である。
発光装置の製造方法は、凹部１１を有するパッケージ１００を準備する準備工程Ｓ１１と、凹部１１の底面１５に発光素子３１を載置する素子載置工程Ｓ１２と、凹部１１内に透光性樹脂５１に平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラー５２を含む未硬化の封止部材５０を充填する充填工程Ｓ１３と、パッケージ１００に対して、凹部１１の底面１５に垂直な方向に遠心力をかけることにより、フィラー５２を底面１５側に遠心沈降させ、フィラー５２を含有するフィラー含有層Ｌ２と透光層Ｌ１とを凹部１１の底面１５側から順に形成する遠心沈降工程Ｓ１４と、を含む。なお、発光装置の製造方法は、封止部材５０が、更に蛍光体５３を含有し、遠心沈降工程Ｓ１４は、蛍光体５３を含む蛍光体層Ｌ３を、フィラー含有層Ｌ２よりも凹部１１の底面１５側に形成することとしてもよい。
（準備工程Ｓ１１）
準備工程Ｓ１１は、凹部１１を有するパッケージ１００を準備する工程である。なお、パッケージ１００は、一例として、複数の樹脂体１０が配置されたリードフレームＬＦである。ただし、各図では、説明を簡単にするために一つのパッケージ１００に着目して他を省略して説明する。使用されるリードフレームＬＦは、例えば、銅や銅合金等の電気良導体を用いて形成され、平板状の金属板を用いることができるが、段差部や凹凸を設けた金属板も用いることができる。リードフレームＬＦは、平板状の金属板に打ち抜き加工やエッチング加工等を行ったものである。リードフレームＬＦは、パッケージ１００として、第１リード４１と、第２リード４２と、を含む。
なお、凹部を有するパッケージとして、配線部材を備えたセラミックパッケージの集合基板を準備することとしてもよい。
（素子載置工程Ｓ１２）
素子載置工程Ｓ１２は、パッケージ１００の凹部１１の底面１５に、発光素子３１を載置する工程である。なお、ここでは、発光素子３１の他に、保護素子３２等の半導体素子３０を実装してもよい。ここで使用される発光素子３１は、同一面側（例えば上面）に一対の電極を有する。この場合、パッケージ１００の凹部１１の底面１５に露出する第１リード上に接着材を塗布して発光素子３１を実装し、発光素子３１の電極をワイヤ３３を介して第１リード及び第２リードに電気的に接続させる。また、上下電極型の発光素子を用いる場合は、一方のリードに導電性接着材を介して実装すると共に、他方のリードにワイヤ３３を介して電気的に接続する。なお、上下電極型の発光素子の場合は、導電性接着材を用いることで第１リードと電気的に接続することができる。保護素子３２は、ここでは上下電極型の素子を用いて、第２リード上に導電性接着材を用いて接合されている。
（充填工程Ｓ１３）
充填工程Ｓ１３は、凹部１１内に母材となる透光性樹脂５１に平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラー５２を含む未硬化の封止部材５０を充填する工程である。充填工程Ｓ１３は、ここでは透光性樹脂５１にフィラー５２及び蛍光体５３も併せて含有させている。充填工程Ｓ１３では、例えば、樹脂充填装置を用いて、パッケージ１００の凹部１１内に硬化後に封止部材５０となる未硬化の樹脂材料を充填し、発光素子３１及び保護素子３２を封止する。そして、樹脂材料を充填したパッケージ１００は、遠心沈降工程Ｓ１４が施される。
（遠心沈降工程Ｓ１４）
遠心沈降工程Ｓ１４は、パッケージ１００に対して、凹部１１の底面1５に垂直な方向に遠心力をかけることにより、フィラー５２及び蛍光体５３を底面１５側に遠心沈降させ、蛍光体５３を含有する蛍光体層Ｌ３と、フィラー５２を含有するフィラー含有層Ｌ２と透光層Ｌ１とを凹部１１の底面１５側から順に形成する工程である。遠心沈降工程Ｓ１４は、凹部１１の底面に遠心力がかかる方向にパッケージ１００を遠心回転させる。これにより、凹部１１の底面１５側に比重が大きい蛍光体５３が移動させられると共にフィラー５２を凹部１１の底面１５に近い位置まで移動させている。そして、封止部材５０は、蛍光体５３及びフィラー５２が凹部１１の底面１５側に堆積することにより、最表面側に上澄み層として透光層Ｌ１が形成される。ここで使用されるフィラー５２は、透光性樹脂５１に対して２〜１０質量％を含有させており、フィラー含有層Ｌ２が発光素子３１の底面１５からの高さを越え、好ましくは２倍以上になるようにしている。ここでは、フィラー含有層Ｌ２は、フィラー５２が蛍光体層Ｌ３から段差部１２の直下までの位置に堆積するように形成されている。
本実施形態では、封止部材５０はフィラー５２を含み、封止部材５０中においてフィラー５２は遠心力により強制的に底面側に堆積されて、フィラー含有層Ｌ２を形成している。これにより、点灯時の光度を抑えた発光装置１を形成することができる。また、フィラー含有層Ｌ２の厚みを上述した値とすることで、フィラー５２間に適度な隙間を設けることができるため、フィラー５２が高密度に密集することにより光取り出しが必要以上に阻害されることを抑制することができる。
なお、蛍光体５３は、比重が大きいので、所定以上の遠心力（例えば１００ｘｇ以上）をかけることで透光性樹脂５１において底面１５側に移動するが、上記の値の遠心力をかけることで、フィラー５２と蛍光体５３とをそれぞれフィラー含有層Ｌ２と蛍光体層Ｌ３として分離しやすくなる。
パッケージ１００の回転は、凹部１１の底面１５が外側になるような回転軸８０でパッケージ１００に遠心力をかけることにより行うことが好ましい。具体的には、パッケージ１００の上面側に回転軸８０を有するように、回転軸８０を軸として公転するＡ方向にパッケージ１００を回転移動させる。なお、図８におけるＢ方向は、凹部１１の底面に平行な方向である。回転軸８０は、凹部１１の底面の略中心を通る垂直線上に位置する凹部１１の底面に平行な軸であり、かつ、パッケージ１００に対して凹部１１の開口部側に位置する。これにより、凹部１１の底面方向に遠心力が働き、封止部材５０のパッケージ１００の高さ方向への広がりが抑制されるとともに、封止部材５０に含有されているフィラー５２及び蛍光体５３が凹部１１の底面１５側（図８における矢印Ｃ方向）に強制的に沈降させられる。このように強制的に沈降させた後に、封止部材５０を硬化させることにより、蛍光体５３を含有する蛍光体層Ｌ３と、フィラー５２を含有するフィラー含有層Ｌ２と、透光性樹脂５１の透光層Ｌ１とがこの順に凹部１１の底面１５から凹部１１の開口に向かって形成される。
また、透光層Ｌ１とフィラー含有層Ｌ２とは、凹部１１の開口に形成される段差部１２により層間が分かれるように形成されている。透光層Ｌ１は、段差部１２の開口面積が広い部分を覆うように形成されることで、光照射面積を広くできる。これにより、発光装置１の輝度を抑制することができる。なお、透光層Ｌ１とフィラー含有層Ｌ２の境界は、界面がはっきりわかるように形成されるものではなくフィラー５２の単位面積当たりの数が大きく減少した部分から徐々に減少していくことで透光層Ｌ１とフィラー含有層Ｌ２とが形成される。なお、蛍光体５３は、発光素子３１の上面にも配置される状態で、底面１５に沿って蛍光体層Ｌ３を形成している。
パッケージ１００を遠心回転させる際の回転速度や回転数は、フィラー５２の含有量や粒径等にもよるが、例えば２００ｘｇ以上３００ｘｇ以下の遠心力がかかるように、回転数や回転半径をここでは調整している。
なお、製造工程において、個片化前の集合基板の状態でパッケージ１００を遠心回転させる際には、集合基板が平板状であると、集合基板の平面積が大きくなるほど、集合基板の中心から離れた位置のパッケージ１００は回転軸８０からのずれが生じる。例えば、集合基板において、公転する円周上からＢ方向へのずれが大きくなると、封止部材５０の表面が凹部１１の底面１５に対して傾斜してしまい、集合基板の中で封止部材５０の表面状態にばらつきが生じる虞がある。このずれを抑制するために、回転半径を大きくすることで抑制することができる。具体的には、回転方向に配置される集合基板の長さの７０倍以上の回転半径とすることで、ずれを抑制することができる。
また、遠心力により、集合基板が回転半径の円周に沿って撓むような可撓性を有する樹脂製のパッケージ１００を用いる場合は、上記ずれが生じにくくなるため、非可撓性のパッケージ１００の集合基板よりも大きい集合基板で遠心回転することができる。これにより、一回の処理数を多くすることができる。
（個片化工程Ｓ１５）
個片化工程Ｓ１５は、封止部材５０の硬化後に、リードフレームＬＦを、予め設定されている位置で切断する工程である。個片化工程Ｓ１５では、発光装置１ごとになるように、リードフレームＬＦが切断される。発光装置１は、個片化されることで、第１リード４１の外部リード及び第２リード４２の外部リードがパッケージ１００の側面から側方に所定形状で突出するように形成される。
＜実験した具体的モデル＞
ここで、封止部材５０に蛍光体５３を所定の含有量として製造した発光装置について、フィラー５２として酸化チタンを含有させたものと含有させなかったものとを比較して光度を測定したデータについて説明する。
比較の基準となる比較例の発光装置は、フィラー５２として酸化チタンを含有せず、母材となる透光性樹脂５１のシリコン樹脂に蛍光体５３であるＹＡＧ蛍光体を６．２５質量％含有させた。
これに対して、実施形態に係る発光装置として、母材となる透光性樹脂５１のシリコーン樹脂にフィラー５２として平均粒子径が２５０ｎｍの酸化チタンを２．７質量％含有させると共に、蛍光体５３であるＹＡＧ蛍光体を５．１２質量％含有させたものを使用する。
なお、発光装置のパッケージの構成は、両者ともに共通の以下のものを使用した。
外形は、横２．２ｍｍ×縦１．４ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのパッケージの外形とした。また、凹部は、開口１．０９×１．６２ｍｍ、凹深さ０．５ｍｍのものを使用した。さらに、リードフレームＬＦは、銅合金にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきを施したものを使用した。そして、発光素子は、横２３０μｍ×縦１２０μｍ×厚み８５μｍのものを使用した。発光素子の実装面は、Ａｌメタライズしたものを使用した。また、保護素子は、縦横１８０μｍで厚みが１３５μｍのものを使用した。また、パッケージの樹脂は、熱可塑性樹脂を使用した。なお、発光素子をリードフレームＬＦの電極に設置するダイボンド材には、シリコーン樹脂を使用した。また、ワイヤは、Ａｕでφ２６μｍのものを使用した。
比較例となる発光装置と、実施形態に係る発光装置とは蛍光体の含有量が異なる。比較例となる発光装置においては印加電流１０ｍＡ、実施形態に係る発光装置には印加電流５ｍＡを基準として、色度が、ＸＹ色度図で、Ｘ軸の値０．２７３０及びＹ軸の値０．２６１０と、Ｘ軸の値０．２６５３及びＹ軸の値０．２７０９と、Ｘ軸の値０．２７２２及びＹ軸の値０．２８０５と、Ｘ軸の値０．２７９０及びＹ軸の値０．２７００と、により囲まれる範囲となるように蛍光体の含有量を調整した。なお、比較例の発光装置は、８９５１７個を測定しその平均値を示す。また、実施形態の発光装置は、１０２２７個を測定しその平均値を示す。
比較例の発光装置は、印加電流を１０ｍＡとした場合の光度の平均値は、４３９ｍｃｄであった。一方、実施形態の発光装置は、印加電流を５ｍＡとした場合の光度の平均値は、７５．３ｍｃｄであった。なお、測定器は、ナイスティテクノロジーズ社製分光側光装置（ＯＣＭ−５１０Ｃ）を使用した。
つまり、実施形態の発光装置は、比較例の発光装置の１／２の電流を印加した際の光度は１／５程度であることがわかる。このように、上記条件のフィラー５２を透光性樹脂５１に含有させることで光度を抑制することができたことを示している。
また、参考までに、実施形態の発光装置１０個について、印加電流１０ｍＡとした場合の光度を測定したところ、その平均値は１５２．６ｍｃｄであった。なお、測定器は浜松ホトニクス社製のマルチチャンネル分光器（ＰＭＡ-１１）を使用した。
以上、本開示の実施形態に係る発光装置について、具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。例えば、発光装置の製造方法では、基板であるリードフレーム単位で遠心沈降工程を行ったが、リードフレームを個片化して発光装置単位あるいは複数の発光装置のグループ単位で遠心沈降工程を行っても構わない。また、段差部は、凹部の上面から底面側に向かって２段以上形成することや、段差を深く形成することとしてもよい。
本発明に係る実施形態の発光装置は、照明用装置、車載用発光装置等に利用することができる。
１ 発光装置
１０ 樹脂体
１１ 凹部
１２ 段差部
１３ 側面
１４ 保持部
１４ａ 中央底部
１４ｂ 周縁部
１５ 底面
３０ 半導体素子
３１ 発光素子
３２ 保護素子
３３ ワイヤ
３４ ワイヤ
４１ 第１リード
４２ 第２リード
５０ 封止部材
５１ 透光性樹脂
５２ フィラー
５３ 蛍光体
８０ 回転軸
１００ パッケージ
ＬＦ リードフレーム
Ｌ１ 透光層
Ｌ２ フィラー含有層
Ｌ３ 蛍光体層
Ｓ１１ 準備工程
Ｓ１２ 素子載置工程
Ｓ１３ 充填工程
Ｓ１４ 遠心沈降工程
Ｓ１５ 個片化工程

Claims (12)

  1. 凹部を有するパッケージと、
    前記凹部の底面に載置された発光素子と、
    前記凹部内に配置され、前記発光素子を被覆し、平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラーを含有する透光性樹脂により形成される封止部材と、を備え、
    前記封止部材は、前記フィラーを含有するフィラー含有層と透光層とが順に前記凹部の底面側から設けられており、
    前記フィラー含有層は前記発光素子の高さ以上の厚みを有する発光装置。
  2. 前記フィラー含有層は前記発光素子の高さの２倍以上の厚みを有する請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記封止部材は、更に、蛍光体を含んで形成され、
    前記フィラー含有層は、前記凹部の底面及び前記発光素子の上面に設けられる蛍光体層と、前記透光層との間に形成される請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記蛍光体層は、前記発光素子の高さの半分以下の厚みを有する請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記凹部の側面は、前記凹部の底面と開口との間に開口面積を広げるように段差部を備え、
    前記透光層は前記段差部を被覆する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記発光素子は、前記凹部の底面に配置された配線とワイヤを介して電気的に接続され、
    前記フィラー含有層は、前記ワイヤの頂部を覆う高さまで形成される請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記フィラーは、前記透光性樹脂に２〜１０質量％の範囲で含んでいる請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記フィラーは、酸化チタンである請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 凹部を有するパッケージを準備する工程と、
    前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、
    前記凹部内に透光性樹脂に平均粒子径が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のフィラーを含む未硬化の封止部材を充填する工程と、
    前記パッケージに対して、前記凹部の底面に垂直な方向に遠心力をかけることにより、前記フィラーを前記底面側に遠心沈降させ、前記フィラーを含有するフィラー含有層と透光層とを前記凹部の底面側から順に形成する遠心沈降工程と、を含む発光装置の製造方法。
  10. 前記封止部材は、更に蛍光体を含有し、
    前記遠心沈降工程は、前記蛍光体を含む蛍光体層を、前記フィラー含有層よりも前記凹部の底面側に形成する請求項９に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記準備する工程において、複数の前記パッケージを含む基板を準備し、
    前記遠心沈降工程を前記基板単位で行う請求項９又は請求項１０の発光装置の製造方法。
  12. 前記遠心沈降工程は、１５０ｘｇ以上３００ｘｇ以下の遠心力で行う請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7442333B2 (ja) * 2020-02-12 2024-03-04 エイブリック株式会社 半導体装置およびその製造方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07507823A (ja) * 1992-06-12 1995-08-31 メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング 屈折率を適合させ無機の充填剤と有機のマトリックス素材
JP2002033520A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置
JP2006295018A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP2009016779A (ja) * 2007-06-05 2009-01-22 Sharp Corp 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器および携帯電話機
JP2010135763A (ja) * 2008-11-05 2010-06-17 Toshiba Corp Ｌｅｄデバイスの製造装置、ｌｅｄデバイスの製造方法及びｌｅｄデバイス
JP2012114416A (ja) * 2010-11-05 2012-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013183042A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Stanley Electric Co Ltd 光源装置
JP2014160713A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Konica Minolta Inc Ｌｅｄ装置の製造方法
JP2014179565A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光半導体発光装置、照明器具、及び表示装置、並びに演色性制御方法
JP2014229901A (ja) * 2013-05-17 2014-12-08 達興材料股▲ふん▼有限公司 発光デバイス用封止樹脂および発光デバイス
JP2016082212A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及び樹脂組成物
JP2016162850A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 豊田合成株式会社 発光装置
WO2016142992A1 (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 住友大阪セメント株式会社 光散乱複合体形成用組成物、光散乱複合体及びその製造方法
JP2016167493A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US9893250B1 (en) * 2016-12-16 2018-02-13 Nichia Corporation Light emitting device having silicone resin-based sealing member
JP2018082034A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20180287018A1 (en) * 2015-10-01 2018-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP5205724B2 (ja) 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5043554B2 (ja) * 2007-08-07 2012-10-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5956167B2 (ja) 2012-01-23 2016-07-27 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
JP6515716B2 (ja) 2014-07-18 2019-05-22 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5750538B1 (ja) 2014-09-03 2015-07-22 四国計測工業株式会社 Ｌｅｄ発光装置
US9559274B2 (en) * 2014-10-17 2017-01-31 Nichia Corporation Light emitting device and resin composition
US9397276B2 (en) * 2014-10-17 2016-07-19 Nichia Corporation Light emitting device and resin composition
JP6615557B2 (ja) 2015-09-30 2019-12-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6332294B2 (ja) 2015-11-30 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3174110B1 (en) 2015-11-30 2020-12-23 Nichia Corporation Light emitting device
JP6493348B2 (ja) * 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7092474B2 (ja) * 2017-08-21 2022-06-28 シチズン電子株式会社 発光装置
TWI648878B (zh) * 2018-05-15 2019-01-21 東貝光電科技股份有限公司 Led發光源、led發光源之製造方法及其直下式顯示器

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07507823A (ja) * 1992-06-12 1995-08-31 メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング 屈折率を適合させ無機の充填剤と有機のマトリックス素材
JP2002033520A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置
JP2006295018A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP2009016779A (ja) * 2007-06-05 2009-01-22 Sharp Corp 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器および携帯電話機
JP2010135763A (ja) * 2008-11-05 2010-06-17 Toshiba Corp Ｌｅｄデバイスの製造装置、ｌｅｄデバイスの製造方法及びｌｅｄデバイス
JP2012114416A (ja) * 2010-11-05 2012-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013183042A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Stanley Electric Co Ltd 光源装置
JP2014160713A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Konica Minolta Inc Ｌｅｄ装置の製造方法
JP2014179565A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光半導体発光装置、照明器具、及び表示装置、並びに演色性制御方法
JP2014229901A (ja) * 2013-05-17 2014-12-08 達興材料股▲ふん▼有限公司 発光デバイス用封止樹脂および発光デバイス
JP2016082212A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及び樹脂組成物
JP2016162850A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 豊田合成株式会社 発光装置
WO2016142992A1 (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 住友大阪セメント株式会社 光散乱複合体形成用組成物、光散乱複合体及びその製造方法
JP2016167493A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US20180287018A1 (en) * 2015-10-01 2018-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
JP2018082034A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9893250B1 (en) * 2016-12-16 2018-02-13 Nichia Corporation Light emitting device having silicone resin-based sealing member

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