CN103840063A - Led封装基板及其制作方法 - Google Patents

Led封装基板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103840063A
CN103840063A CN201310577445.1A CN201310577445A CN103840063A CN 103840063 A CN103840063 A CN 103840063A CN 201310577445 A CN201310577445 A CN 201310577445A CN 103840063 A CN103840063 A CN 103840063A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cup unit
main material
base plate
packaging
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310577445.1A
Other languages
English (en)
Inventor
王冬雷
王洪贯
庄灿阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUHU DEHAO RUNDA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
WUHU DEHAO RUNDA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUHU DEHAO RUNDA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical WUHU DEHAO RUNDA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201310577445.1A priority Critical patent/CN103840063A/zh
Publication of CN103840063A publication Critical patent/CN103840063A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

LED封装基板及其制作方法，封装基板包括放置LED芯片的凹杯单元，所述凹杯单元由透明底板和透明侧壁组成，底板和侧壁内含有荧光粉颗粒，凹杯单元的竖截面形状呈凵形。其制作方法为：将透明材质构成的主材料进行加热至呈现熔融状态或液态；向主材料中加入荧光粉，混合均匀；采用模具将混合有荧光粉的熔融状态或液态的主材料模压成型，形成放置LED芯片的凹杯单元，或将混合有荧光粉的主材料成型为平板状，采用蚀刻工艺在平板状主材料上形成凹杯单元。本发明采用如玻璃、环氧树脂、硬硅胶等透明材料混合荧光粉制成凹杯单元，使凹杯单元具有良好的透光性，封装于凹杯单元内的LED芯片能透过凹杯单元的每个面出光，提高LED器件的出光率。

Description

LED封装基板及其制作方法
技术领域
本发明属于半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种LED芯片的封装基板及其制作方法。
背景技术
半导体发光器件，如发光二极管（LED）或激光二极管等在很多领域中已被广泛使用。半导体发光器件的出现带来了能覆盖可见光谱以及更高的发光效率和固态稳定的光源。
目前LED芯片主要采用支架封装或基板封装。如图1所示，为采用支架封装的LED器件的结构示意图。支架封装LED器件包括封装支架100、设置于封装支架100上的支架凹杯101，支架凹杯101内设置有金属焊线102，LED芯片104设置于支架凹杯101内，并与封装支架100形成电路连接，在支架凹杯101内填充有涂覆了荧光粉的封装胶103。采用支架封装的LED芯片的出光面向上，由于封装支架100和支架凹杯101由不透明材质制成，因此，LED器件只有上表面可以出光，出光率低。
如图2所示，为采用基板封装的LED器件的结构示意图。基板封装LED器件包括陶瓷封装基板100’，在封装基板100’上设置有线路层，LED芯片104采用倒装焊设置于封装基板100’上，LED芯片外设置有涂覆了荧光粉的封装胶103。采用基板封装LED芯片，在封装过程中需要经历多次高温烧结以形成电路连接，容易对LED芯片出光产生影响。而且无论是采用封装支架或封装基板对LED芯片进行封装，支架或基板上都具有线路层结构，因此在现有的LED器件生产工艺流程中，一般先进行固晶工艺让LED芯片与基板形成电路连接，再进行荧光粉层的涂布。
专利公开号为CN103258938A的中国发明专利申请中公开了一种含荧光粉的LED灯条封装基板，该封装基板的主材料为比例较为固定的荧光粉、散热材料和粘结材料的混合物，以COB形式的封装为主，重点解决了LED灯条及其在照明应用中的散热问题，并可实现正反面及侧面4π发光。但是该封装基板中含有70～75%的导热材料，导热材料为氧化铝或氮化铝，为不透明材料，在透光性能上效果较差，容易造成光损耗，增加了散热设计的负担。随着LED的取光效率的不断提高，电光转换效率不断提升，热能量的转换越来越少，LED产品对散热的依赖会越来越小，该设计实际对比陶瓷基板或COB基板的散热优势或出光优势并不明显。
发明内容
针对以上不足，本发明的目的在于提供一种可让光线通过封装基板的各个面直接出光或大量出光的LED封装基板及其制作方法。
为了实现上述目的，本发明采取如下的技术解决方案：
LED封装基板，包括放置LED芯片的凹杯单元，所述凹杯单元由透明底板和透明侧壁组成，所述底板和侧壁内含有荧光粉颗粒，所述凹杯单元的竖截面形状呈凵形。
优选的，所述底板和侧壁连为一体。
优选的，所述凹杯单元由玻璃或环氧树脂或硬硅胶制成。
优选的，所述硬硅胶的邵氏硬度大于60。
优选的，所述凹杯单元呈阵列形式相邻布置。
优选的，所述凹杯单元呈阵列形式等距间隔布置于透明连接底板上。
LED封装基板的制作方法，包括以下步骤：
将透明材质构成的主材料进行加热，直至呈现熔融状态或液态；
向熔融状态或液态的主材料中加入荧光粉，使荧光粉和主材料混合均匀；
采用模具将混合有荧光粉的熔融状态或液态的主材料模压成型，形成放置LED芯片的凹杯单元。
LED封装基板的制作方法，包括以下步骤：
将透明材质构成的主材料进行加热，直至呈现熔融状态或液态；
向熔融状态或液态的主材料中加入荧光粉，使荧光粉和主材料混合均匀；
将混合有荧光粉的主材料成型为平板状；
采用蚀刻工艺在平板状的主材料上形成放置LED芯片的凹杯单元。
优选的，所形成的凹杯单元呈阵列形式相邻布置，或所形成的凹杯单元呈阵列形式等距间隔布置于连接底板上。
优选的，所述主材料为玻璃或环氧树脂或硬硅胶。
由以上技术方案可知，本发明采用如玻璃、环氧树脂、硬硅胶等透明材料混合荧光粉制成凹杯单元，使凹杯单元具有良好的透光性，封装于凹杯单元内的LED芯片能透过凹杯单元的每个面出光，从而提高LED器件的出光率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中采用支架封装的LED器件的结构示意图；
图2为现有技术中采用基板封装的LED器件的结构示意图；
图3为本发明实施例1的结构示意图；
图4为本发明实施例1封装基板上凹杯单元的截面图；
图5为本发明实施例1的LED器件的结构示意图；
图6为本发明实施例1封装基板的工艺流程图；
图7为本发明实施例3的结构示意图；
图8为本发明实施例3的LED器件的结构示意图；
图9为本发明实施例3封装基板的工艺流程图。
具体实施方式
实施例1
如图3所示，本发明的LED封装基板包括若干个呈阵列式排列的凹杯单元1，所述凹杯单元1紧密相邻布置，凹杯单元1内设置LED芯片。同时参照图4，每个凹杯单元1由连为一体的底板1-1和侧壁1-2组成，凹杯单元1的竖截面形状呈凵形，凹杯单元1内不含有线路层结构。本实施例的凹杯单元1的主材料为玻璃，玻璃内含有荧光粉颗粒。
参照图5，采用本实施例封装基板对LED芯片进行封装时，LED芯片2通过透明固晶胶直接贴附于凹杯单元1的底板1-1上，在凹杯单元1内壁与LED芯片2之间填充有透明填充胶3，封装胶涂布层和电极图案层依次设置于LED芯片的与凹杯单元1相对的另一侧。本发明的LED封装基板的主功能区为凹杯单元1的下凹处，封装基板采用内含有荧光粉颗粒的透明材料制成，LED芯片2封装至凹杯单元1内后，凹杯单元1的每个面都是出光面，光线可通过封装基板凹杯单元1的各个面直接向外出光，出光率高。
如图6所示，为本实施例LED封装基板的工艺流程图，首先将LED封装基板的主材料——玻璃进行加热，当主材料被加热至呈现熔融状态或液态时，加入荧光粉，将荧光粉与主材料均匀混合，然后采用与凹杯单元形状一致的模具将混合有荧光粉的熔融状态或液态的主材料模压成型，形成如图3所示的具有多个凹杯单元阵列排列的LED封装基板。封装基板成型准备好后，即可进入LED芯片的封装工艺。
实施例2
本实施例与实施例1不同的地方在于：本实施例LED封装基板的主材料为环氧树脂，将环氧树脂加热至熔融状态或液态后，加入荧光粉，将荧光粉与环氧树脂混合均匀，然后用模具模压成型。
实施例3
如图7所示，本实施例与实施例1不同的地方在于：本实施例的LED封装基板设置多个阵列式排列的凹杯单元1，凹杯单元1等距间隔设置于连接底板1-3上，相邻凹杯单元1之间的间隔内填充透明填充胶。本实施例封装基板的主材料为硬硅胶，优选邵氏硬度60以上的硅胶，主材料内含有荧光粉颗粒。
参照图8，采用本实施例封装基板对LED芯片进行封装时，LED芯片2通过透明固晶胶固定于凹杯单元1的底板1-1上，在凹杯单元1内壁与LED芯片2之间填充有透明填充胶3，封装胶涂布层和电极图案层依次设置于LED芯片的与凹杯单元1相对的另一侧，相邻凹杯单元1之间通过连接底板1-3相连，连接底板1-3的材质与主材料材质相同。LED芯片2封装至凹杯单元1内后，光线可通过凹杯单元1的每个面出光。
参照图9，本实施例LED封装基板的工艺流程为：首先将LED封装基板的主材料——硬硅胶进行加热，当主材料被加热至呈现熔融状态或液态时，加入荧光粉，将荧光粉与主材料均匀混合，将主材料成型为平板状，然后使用蚀刻工艺形成凹杯单元阵列，凹杯单元之间的间距可以根据LED器件的尺寸进行调整。
本发明的LED封装基板采用透明材料作为主材料，在主材料中加入荧光粉颗粒，将LED芯片封装至凹杯单元内后，LED芯片发出的光线可透过凹杯单元的各个侧面向外出光，凹杯单元的透光性能好，光损耗小，LED器件的出光率高。
本发明的LED封装基板在生产过程中，可根据实际生产需要采用不同的主材料，或添加不同的荧光粉，荧光粉与主材料之间的配比可以进行相应调整，所添加的荧光粉与所有材料（包括主材料和荧光粉）间的质量比可在0.05～0.5之间，如主材料为玻璃，荧光粉/（主材料+荧光粉）的值可为0.1，主材料为环氧树脂时，荧光粉/（主材料+荧光粉）的值可为0.2等，具体配比根据需求及材料属性进行调整。本发明凹杯单元的尺寸可根据封装LED芯片的尺寸调整，LED封装基板边沿可以有部分延伸，以适合工艺生产，本发明的LED封装基板不含线路层结构，LED芯片电极引出的线路结构在后续工艺形成。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其它部分的不同之处，各个部分之间相同或相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽范围。

Claims (10)

1.LED封装基板，包括放置LED芯片的凹杯单元，其特征在于：
所述凹杯单元由透明底板和透明侧壁组成，所述底板和侧壁内含有荧光粉颗粒，所述凹杯单元的竖截面形状呈凵形。
2.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于：所述底板和侧壁连为一体。
3.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于：所述凹杯单元由玻璃或环氧树脂或硬硅胶制成。
4.如权利要求3所述的LED封装基板，其特征在于：所述硬硅胶的邵氏硬度大于60。
5.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于：所述凹杯单元呈阵列形式相邻布置。
6.如权利要求1所述的LED封装基板，其特征在于：所述凹杯单元呈阵列形式等距间隔布置于透明连接底板上。
7.LED封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
将透明材质构成的主材料进行加热，直至呈现熔融状态或液态；
向熔融状态或液态的主材料中加入荧光粉，使荧光粉和主材料混合均匀；
采用模具将混合有荧光粉的熔融状态或液态的主材料模压成型，形成放置LED芯片的凹杯单元。
8.LED封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
将透明材质构成的主材料进行加热，直至呈现熔融状态或液态；
向熔融状态或液态的主材料中加入荧光粉，使荧光粉和主材料混合均匀；
将混合有荧光粉的主材料成型为平板状；
采用蚀刻工艺在平板状主材料上形成放置LED芯片的凹杯单元。
9.根据权利要求7或8所述的LED封装基板的制作方法，其特征在于：所形成的凹杯单元呈阵列形式相邻布置，或所形成的凹杯单元呈阵列形式等距间隔布置于连接底板上。
10.根据权利要求7或8所述的LED封装基板的制作方法，其特征在于：所述主材料为玻璃或环氧树脂或硬硅胶。
CN201310577445.1A 2013-11-15 2013-11-15 Led封装基板及其制作方法 Pending CN103840063A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310577445.1A CN103840063A (zh) 2013-11-15 2013-11-15 Led封装基板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310577445.1A CN103840063A (zh) 2013-11-15 2013-11-15 Led封装基板及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103840063A true CN103840063A (zh) 2014-06-04

Family

ID=50803365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310577445.1A Pending CN103840063A (zh) 2013-11-15 2013-11-15 Led封装基板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103840063A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015184618A1 (zh) * 2014-06-05 2015-12-10 上海富迪照明电器有限公司 基于固态荧光材料的嵌入式白光led封装结构及其制作方法
CN105322072A (zh) * 2014-07-30 2016-02-10 高玉宇 萤光复合树脂基板白光发光二级管装置及其制造方法
CN106025049A (zh) * 2016-07-14 2016-10-12 东莞中之光电股份有限公司 增光型csp标准led封装工艺及其制作方法
CN106558639A (zh) * 2015-09-24 2017-04-05 上海芯元基半导体科技有限公司 晶元级封装的led器件及其分割单元和制作方法
CN108257924A (zh) * 2017-12-31 2018-07-06 安徽普发照明有限公司 用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂
TWI638788B (zh) 2015-07-14 2018-10-21 博思有限公司 包含利用玻璃漿料的顏色轉換原材料的發光二極體晶片尺寸封裝件及其製備方法
CN109075128A (zh) * 2016-06-10 2018-12-21 日本电气硝子株式会社 气密封装体的制造方法及气密封装体
CN111106099A (zh) * 2019-12-10 2020-05-05 温州大学新材料与产业技术研究院 一种大功率cob散热封装结构

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033517A (ja) * 2000-05-09 2002-01-31 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子とその製造方法
US20070194691A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package structure having high light extraction efficiency and method of manufacturing the same
CN101060148A (zh) * 2006-04-21 2007-10-24 晶元光电股份有限公司 半导体发光装置
JP2008233517A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および液晶表示素子用スペーサーとその製造法
CN101661124A (zh) * 2008-08-26 2010-03-03 保视界光电股份有限公司 直下式背光模块及其扩散板
CN101980385A (zh) * 2010-07-19 2011-02-23 宁波市瑞康光电有限公司 一种led封装方法、led及led照明装置
CN102487117A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 矽品精密工业股份有限公司 透光盖板及其制法及发光二极管的封装结构
CN203118987U (zh) * 2013-01-25 2013-08-07 廖旭文 双面发光的led灯板结构
CN103258938A (zh) * 2013-05-03 2013-08-21 杭州耀迪科技有限公司 一种含荧光粉的导热led灯条封装基板的制作方法
CN103325916A (zh) * 2012-12-14 2013-09-25 芜湖德豪润达光电科技有限公司 发光二极管封装结构与其制造方法
CN103337579A (zh) * 2013-06-03 2013-10-02 高波 玻璃陶瓷透明基板双面立体发光led封装
CN203659915U (zh) * 2013-11-15 2014-06-18 芜湖德豪润达光电科技有限公司 Led封装基板

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033517A (ja) * 2000-05-09 2002-01-31 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子とその製造方法
US20070194691A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package structure having high light extraction efficiency and method of manufacturing the same
CN101060148A (zh) * 2006-04-21 2007-10-24 晶元光电股份有限公司 半导体发光装置
JP2008233517A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および液晶表示素子用スペーサーとその製造法
CN101661124A (zh) * 2008-08-26 2010-03-03 保视界光电股份有限公司 直下式背光模块及其扩散板
CN101980385A (zh) * 2010-07-19 2011-02-23 宁波市瑞康光电有限公司 一种led封装方法、led及led照明装置
CN102487117A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 矽品精密工业股份有限公司 透光盖板及其制法及发光二极管的封装结构
CN103325916A (zh) * 2012-12-14 2013-09-25 芜湖德豪润达光电科技有限公司 发光二极管封装结构与其制造方法
CN203118987U (zh) * 2013-01-25 2013-08-07 廖旭文 双面发光的led灯板结构
CN103258938A (zh) * 2013-05-03 2013-08-21 杭州耀迪科技有限公司 一种含荧光粉的导热led灯条封装基板的制作方法
CN103337579A (zh) * 2013-06-03 2013-10-02 高波 玻璃陶瓷透明基板双面立体发光led封装
CN203659915U (zh) * 2013-11-15 2014-06-18 芜湖德豪润达光电科技有限公司 Led封装基板

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105431953B (zh) * 2014-06-05 2018-03-16 上海富迪照明电器有限公司 基于固态荧光材料的嵌入式白光led封装结构及其制作方法
CN105431953A (zh) * 2014-06-05 2016-03-23 上海富迪照明电器有限公司 基于固态荧光材料的嵌入式白光led封装结构及其制作方法
WO2015184618A1 (zh) * 2014-06-05 2015-12-10 上海富迪照明电器有限公司 基于固态荧光材料的嵌入式白光led封装结构及其制作方法
US9537058B2 (en) 2014-06-05 2017-01-03 Shanghai Fudi Lighting Electronic Co., Ltd. Embedded white light LED package structure based on solid-state fluorescence material and manufacturing method thereof
CN105322072A (zh) * 2014-07-30 2016-02-10 高玉宇 萤光复合树脂基板白光发光二级管装置及其制造方法
TWI638788B (zh) 2015-07-14 2018-10-21 博思有限公司 包含利用玻璃漿料的顏色轉換原材料的發光二極體晶片尺寸封裝件及其製備方法
CN106558639A (zh) * 2015-09-24 2017-04-05 上海芯元基半导体科技有限公司 晶元级封装的led器件及其分割单元和制作方法
CN106558639B (zh) * 2015-09-24 2019-05-21 上海芯元基半导体科技有限公司 晶元级封装的led器件及其分割单元和制作方法
CN109075128A (zh) * 2016-06-10 2018-12-21 日本电气硝子株式会社 气密封装体的制造方法及气密封装体
CN106025049B (zh) * 2016-07-14 2018-08-24 东莞中之光电股份有限公司 增光型csp标准led封装工艺及其制作方法
CN106025049A (zh) * 2016-07-14 2016-10-12 东莞中之光电股份有限公司 增光型csp标准led封装工艺及其制作方法
CN108257924A (zh) * 2017-12-31 2018-07-06 安徽普发照明有限公司 用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂
CN108257924B (zh) * 2017-12-31 2020-07-31 安徽普发电气有限公司 用于高散热性半导体发光元器件的封装树脂
CN111106099A (zh) * 2019-12-10 2020-05-05 温州大学新材料与产业技术研究院 一种大功率cob散热封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103840063A (zh) Led封装基板及其制作方法
KR102071463B1 (ko) 형광체 변환 층에 높은 열 전도도 입자를 갖는 led 및 그 제조 방법
CN106531857A (zh) 一种芯片级led封装结构及封装工艺
CN101123286A (zh) 发光二极管封装结构和方法
WO2014101602A1 (zh) 应用远距式荧光粉层的led封装结构及其制成方法
CN202948972U (zh) 一种白光led模组封装结构
CN105006511A (zh) 一种led封装方法
CN101436637A (zh) 一种高效散热发光的大功率led封装结构
CN102148296A (zh) 一种led制作方法及led器件
CN104993032B (zh) 一种白光led器件及其制备方法
US9640740B2 (en) LED lighting device and packaging method
CN205790054U (zh) Emc倒装支架加一次封装透镜结构
CN105449083B (zh) 一种led荧光粉胶涂覆的方法
CN203659915U (zh) Led封装基板
CN207602620U (zh) 一种用于led封装的支架
CN106505138A (zh) 一种led封装结构及其制备方法
CN102738372A (zh) 一种新型led 集成光源模组及其制备方法
CN206878028U (zh) 一种360度均匀发光白光led元件
CN204857777U (zh) 一种led封装结构
CN205960020U (zh) 一种芯片级白光led封装
CN205231108U (zh) 一种白光led晶片封装结构
CN103022327A (zh) Led封装结构及其制作方法
CN103199088A (zh) 一种自散热led光源及制造方法
CN203895501U (zh) 一种led
CN105470371B (zh) 一种用于荧光粉涂覆的装置及其涂覆方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140604