JP2018137321A - 発光装置および画像表示装置 - Google Patents

発光装置および画像表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018137321A
JP2018137321A JP2017030232A JP2017030232A JP2018137321A JP 2018137321 A JP2018137321 A JP 2018137321A JP 2017030232 A JP2017030232 A JP 2017030232A JP 2017030232 A JP2017030232 A JP 2017030232A JP 2018137321 A JP2018137321 A JP 2018137321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting device
phosphor
light emitting
quantum dot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017030232A
Other languages
English (en)
Inventor
吉村 健一
Kenichi Yoshimura
健一 吉村
達也 両輪
Tatsuya Ryowa
達也 両輪
真 和泉
Makoto Izumi
真 和泉
師之 山角
Noriyuki YAMAZUMI
師之 山角
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2017030232A priority Critical patent/JP2018137321A/ja
Priority to KR1020180005582A priority patent/KR20180096502A/ko
Priority to US15/874,019 priority patent/US10263162B2/en
Priority to CN201810112795.3A priority patent/CN108461607B/zh
Publication of JP2018137321A publication Critical patent/JP2018137321A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562Chalcogenides
    • C09K11/565Chalcogenides with zinc cadmium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881Chalcogenides
    • C09K11/883Chalcogenides with zinc or cadmium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】量子ドット蛍光体の劣化を抑制することができる発光装置を実現する。【解決手段】発光装置(10)は、基板(15)に設けられて青色光を発する発光素子(11)と、青色光により励起されて緑色光を発する緑色蛍光体(13)と、青色光により励起されて赤色光を発する赤色蛍光体(12)と、前記緑色蛍光体および前記赤色蛍光体が内部に分散された透明樹脂(14)とを備え、赤色蛍光体は発光素子および基板に接触し、透明樹脂は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む。【選択図】図1

Description

以下の開示は、発光素子と波長変換部材とを備えた発光装置、および当該発光装置を備えた画像表示装置に関する。
近年、(i)発光ダイオード(Light Emitting Diode,LED)などの発光素子と、(ii)当該発光素子からの励起光を蛍光に変換する波長変換部材(例えば、蛍光体粒子を樹脂に分散させた部材)と、を組み合わせた発光装置が開発されている。当該発光装置は、小型であり、かつ、消費電力が白熱電球よりも少ないという利点を有している。それゆえ、当該発光装置は、各種画像表示装置または照明装置の光源として実用化されている。
このような発光装置としては、青色LEDと黄色蛍光体とを組み合わせたものが一般的に用いられている。黄色蛍光体としては、Ce賦活YAG(イットリウムアルミニウムガーネット)蛍光体が、発光効率が高いために広く用いられている。
ところで、発光装置を画像表示装置のバックライトとして用いる場合、蛍光体の発光スペクトルの半値幅が狭まるにつれ、画像表示装置の色再現域が広がる。しかしながら、Ce賦活YAG蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、100nm程度と比較的広い。このため、Ce賦活YAG蛍光体を黄色蛍光体として用いる方式の半導体発光装置を、画像表示装置の液晶バックライトとした場合、色再現域の広さが十分ではない。
具体的には、上記の画像表示装置は、CRT(Cathode Ray Tube)に用いられる色域であるsRGBの色域に対しては、ほぼ全域をカバーすることができる。しかし、上記の画像表示装置は、広色域液晶ディスプレイに用いられる色域であるAdobeRGBの色域に対しては、カバー率が著しく低くなる。
より具体的には、Ce賦活YAG黄色蛍光体を用いる方式の半導体発光装置を液晶バックライトとして用いた画像表示装置の色域は、AdobeRGBの色域に対して70%程度のカバー率にとどまる。したがって、上記半導体発光装置は、広色域液晶ディスプレイに用いるには適さない。
ここで、sRGBの色域とは、CIE(Commission Internationale de l'Eclairage)1931色度座標上において、(CIEx,CIEy)=(0.640,0.330)、(0.300,0.600)、(0.150,0.060)である3点の色度点で囲まれた三角形により定義された色域である。
一方、AdobeRGBの色域とは、CIE1931色度座標上において、(CIEx,CIEy)=(0.640,0.330)、(0.210,0.710)、(0.150,0.060)である3点の色度点で囲まれた三角形により定義された色域である。sRGBの色域とAdobeRGBの色域とを比較すると、AdobeRGBの色域の方が、緑色の色再現域が大きく広がっている。
AdobeRGBに対応する広色域液晶ディスプレイのバックライトとして用いる半導体発光装置としては、緑色蛍光体と赤色蛍光体との2色の蛍光体を組み合わせて用いる構成のものが適している。さらに、それらの蛍光体の発光スペクトルの半値幅が狭いことが好ましい。
例えば特許文献1および2には、蛍光体としてEu賦活βSiAlON蛍光体とMn4+賦活フッ化物錯体とを組み合わせて用いた半導体発光装置が開示されている。当該組み合わせによれば、従来一般的であった、蛍光体として黄色蛍光体を用いた構成と比較して、画像表示装置を構成した場合に広い色再現域が実現可能となる。
これは、Eu賦活βSiAlON蛍光体の発光スペクトルの半値幅と、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルの半値幅とが、いずれもCe賦活YAG蛍光体の発光スペクトルの半値幅より狭いことに起因する。具体的には、Eu賦活βSiAlON蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、55nm以下である。また、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の半値幅は10nm以下である。
上述した通り、Eu賦活βSiAlON蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、55nm以下であり、Ce賦活YAG黄色蛍光体の発光スペクトルの半値幅より狭い。しかし、より発光スペクトルの半値幅の狭い蛍光体と組み合わせることにより、さらに色再現域の広い画像表示装置が実現可能となる。
発光スペクトルの半値幅の狭い蛍光体の例として、量子ドット蛍光体が公知である。特許文献3には、光源と、該光源の頂部に直接的に又は間接的に配置される第1蛍光体層と、該第1蛍光体層の頂部に直接的に配置される第1量子ドット層と、該第1量子ドット層の頂部に直接的に配置される第2蛍光体層とを備える点灯装置が開示されている。第1量子ドット層は、有機溶媒に希釈した量子ドットを未硬化重合体母材に混合させ、当該混合溶液を乾燥させることで形成される。
WO2009/110285号公報(2009年9月11日公開) 特開2010−93132号公報(2010年4月22日公開) 特開2014−170938号公報(2014年9月18日公開)
しかしながら、特許文献3に記載されている点灯装置においては、第1蛍光体層において蛍光体が一様に分散されている。光源から離れた位置に存在する蛍光体において発生した熱は、第1蛍光体層の温度を上昇させる。さらに、上記の熱は第1蛍光体層に隣接する第1量子ドット層を介して、当該第1量子ドット層に含まれる量子ドットまで伝達される。その結果、量子ドットが熱により劣化するという問題がある。
本発明の一態様は、量子ドット蛍光体の劣化を抑制することができる発光装置などを実現することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、青色光を発する発光素子と、前記発光素子が設けられた基板と、前記青色光により励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体と、前記青色光により励起されて赤色光を発するMn4+賦活フッ素錯体蛍光体と、前記発光素子を内部に含み、かつ前記量子ドット蛍光体および前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体が内部に分散された透明樹脂とを備え、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は前記発光素子および前記基板に接触し、前記透明樹脂は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む。
本発明の一態様によれば、量子ドット蛍光体の劣化を抑制することができる発光装置などを実現することができる。
本発明の実施形態1に係る発光装置の構成を示す断面図である。 表面にイオン性表面修飾分子が結合した状態の緑色蛍光体を模式的に示す図である。 本発明の実施形態1の製造例により製造されたMn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。 本発明の実施形態1の製造例により製造された量子ドット蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。 本発明の実施形態1の実施例により得られた発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。 本発明の実施形態1の変形例に係る発光装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態1の比較例1に係る発光装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態1の実施例および比較例により得られた発光装置についての実験結果を示す表である。 (a)は、実施形態2に係る画像表示装置の分解斜視図であり、(b)は、(a)に示されている画像表示装置が備える液晶表示装置の分解斜視図である。 画像表示装置が備えるカラーフィルタの透過スペクトルを示すグラフである。 (a)は、実施例DIS1の画像表示装置の、白色点の色温度、CIE1931色度座標での白色点、赤色点、緑色点、青色点の色度座標、およびAdobeRGBカバー率を示す表であり、(b)は、実施例DIS1の画像表示装置の色域と、AdobeRGBの色域とを比較するグラフである。
〔実施形態1〕
以下、本発明の実施形態1について、図1〜図7に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、量子ドット蛍光体の劣化を抑制することのできる発光装置について説明する。
図1は、本実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。図1に示すように、発光装置10は、発光素子11と、赤色蛍光体12(Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体)と、緑色蛍光体13(量子ドット蛍光体)と、透明樹脂14と、基板15と、樹脂枠16とを備える。
(発光素子11)
発光素子11は、青色光を発する発光素子である。発光素子11としては、後述の赤色蛍光体12および緑色蛍光体13に吸収されて蛍光を生じさせるような一次光(励起光)を発するものであれば、特に限定されない。発光素子11として、例えば窒化ガリウム(GaN)系半導体を用いることができる。
発光素子11から発せられる一次光(励起光)のピーク波長は、420nm以上かつ480nm以下であることが好ましく、440nm以上かつ460nm以下であることがより好ましい。一次光(励起光)のピーク波長が420nm以上かつ480nm以下の範囲内である場合には、発光素子11の発光効率が高くなる。また、一次光(励起波長)のピーク波長が440nm以上かつ460nm以下である場合には、発光素子11の発光効率が特に高く、かつ後述する赤色蛍光体12の励起スペクトルおよび後述する青色カラーフィルタ246bの透過スペクトルとの波長整合性がよい。このため、発光装置10の発光効率を向上させることができる。
(赤色蛍光体12)
赤色蛍光体12は、発光素子11が発する青色光により励起されて赤色光を発するMn4+賦活フッ素錯体蛍光体である。Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体が発する赤色光の発光スペクトルの半値幅は10nm以下と非常に狭い。それゆえ、本実施形態に係る発光装置10は、赤色領域の色再現性に優れる。
赤色蛍光体12として用いるMn4+賦活フッ素錯体蛍光体としては、例えば、以下の一般式(A)または一般式(B)で表わされる蛍光体を用いることができる。Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式(A)および一般式(B)のいずれの式で示されるものであっても、上記した通り、発光スペクトルの半値幅は10nm以下と極めて狭い。これは、発光イオンであるMn4+の性質に起因するものである。
一般式(A):MI(MII1−hMn)F
上記一般式(A)において、MIはLi、Na、K、RbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属元素である。MIIはGe、Si、Sn、TiおよびZrからなる群より選ばれる少なくとも1種の4価の金属元素である。また、0.001≦h≦0.1であることが好ましい。
一般式(A)において、発光強度の高さ、および蛍光体結晶の安定性の高さから、MIはKであることが好ましい。また、同様の理由から、MIIはTiまたはSiを含むことが好ましい。
また、一般式(A)において、hの値はMnの組成比(濃度)、すなわちMn4+の濃度を示す。hの値が0.001未満である場合には、発光イオンであるMn4+の濃度が足りず、十分な明るさが得られないという不具合がある。一方、hの値が0.1を超える場合には、濃度消光などにより、明るさが大きく低下するという不具合がある。
すなわち、一般式(A)で表されるMn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、K(Ti1−hMn)FまたはK(Si1−hMn)Fであり、hは0.001以上かつ0.1以下であることが好ましい。
一般式(B):MIII(MII1−hMn)F
上記一般式(B)において、MIIIはMg、Ca、SrおよびBaからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属元素である。MIIはGe、Si、Sn、TiおよびZrからなる群より選ばれる、少なくとも1種の4価の金属元素である。また、0.001≦h≦0.1であることが好ましい。
一般式(B)において、蛍光体の発光効率が高く、熱および外力により劣化しにくいことから、MIIIは少なくともBaを含む事が好ましい。同様の理由で、MIIはTiまたはSiを含むことが好ましい。
特に、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体が一般式(A)および(B)のいずれの形で表される場合であっても、MIIがSiであれば、蛍光体の水に対する溶解度が低く、蛍光体の耐水性が高くなるため、より好ましい。また、一般式(B)において、Mnの組成比(濃度)を示すhの値は、上述した一般式(A)におけるhと同じく0.001≦h≦0.1であることが好ましい。
また、本実施形態において、赤色蛍光体12の粒径は10μm以上であることが好ましく、30μm以上であることがより好ましい。赤色蛍光体12の粒径が上記の範囲内である場合、後述する透明樹脂14の製造過程において、イオン液体中に赤色蛍光体12が沈降しやすくなる。
また、赤色蛍光体12の粒径は、100μm以下であることが好ましい。赤色蛍光体12の粒径が100μmを超えると、赤色蛍光体12が分散されたイオン液体を樹脂枠16内に充填する時に用いるディスペンサにおいて目詰まりが生じる虞があり、発光装置10の量産性が低下するため好ましくない。
(緑色蛍光体13)
緑色蛍光体13は、発光素子11が発する青色光により励起されて緑色光を発する蛍光体である。緑色蛍光体13が発する緑色光の発光スペクトルのピーク波長は、520nm以上かつ540nm以下であることが好ましい。緑色蛍光体13の発光スペクトルのピーク波長が520nm未満または540nmを超える場合には、発光装置10を画像表示装置のバックライトとして用いた場合に、AdobeRGBの色域に対するカバー率が悪化するなど、画像表示装置の色再現性が悪くなる。
特許文献1および2に記載されている半導体発光装置より緑色の色再現域を広げるために、緑色蛍光体13として量子ドット蛍光体を用いる構成が考えられる。量子ドット蛍光体は、量子ドットの粒径を揃えることにより、発光スペクトルの半値幅を理論的には15nm程度まで狭くすることが可能である。また、半値幅が40nm以下程度の狭線幅の緑色蛍光体は、すでに実現されている。
よって、緑色蛍光体13として量子ドット蛍光体を用いることで、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅が55nm程度である、特許文献1または2に記載されている蛍光体の組み合わせより、さらに緑色の色再現域を広げることが可能である。
本実施形態では、緑色蛍光体13の発光スペクトルの半値幅は、25nm以上である。このように設計すれば、緑色蛍光体13の製造工程において、許容される粒径のばらつきの範囲が広くなる。その結果、緑色蛍光体13の製造における歩留まりが向上し、緑色蛍光体13の製造コスト、ひいては発光装置10の製造コストを低く抑えられる。
本実施形態では、上述した通り、赤色蛍光体12の発光スペクトルの半値幅が10nm以下と極めて狭い。このため、緑色蛍光体13の発光スペクトルの半値幅が広がっても、緑色蛍光体13の発光スペクトルと赤色蛍光体12の発光スペクトルとの重なりが小さい。このため、発光装置10を用いた画像表示装置の色再現性が低下しにくい。すなわち、緑色蛍光体13の発光スペクトルの半値幅を25nm以上に限定しても、高い色再現性を有する画像表示装置を実現できる。
緑色蛍光体13として用いる量子ドット蛍光体を構成する半導体結晶材料は、効率よく可視光発光できる蛍光体材料であることが好ましい。このような材料として、例えばII−VI族化合物半導体、III族窒化物半導体、カルコパイライト材料を挙げることができる。より具体的には、量子ドット蛍光体は、CdSe、CdS、CdTe、InP、InN、AlInN、InGaN、AlGaInN、およびCuInGaSeのいずれかを主成分とすることが好ましい。
量子ドット蛍光体の粒径または物質組成を調節することで、量子ドット蛍光体のエネルギーバンドギャップを調節することができ、様々な波長の蛍光を取り出すことができる。
(イオン性表面修飾分子13a)
図2は、表面にイオン性表面修飾分子13aが結合した状態の緑色蛍光体13を模式的に示す図である。本実施形態における緑色蛍光体13は、図2に示すように、表面にイオン性表面修飾分子13aが結合していてもよい。イオン性表面修飾分子13aは、極性を有する分子であり、陰極側で緑色蛍光体13の表面に結合する。
(i)緑色蛍光体13の表面にイオン性表面修飾分子13aを結合させ、(ii)当該緑色蛍光体13を、重合性官能基を有するイオン液体14Aに分散させ、(iii)これを重合させて重合性官能基を有するイオン液体14Aに由来する構成単位を含む透明樹脂14を得ることで、透明樹脂14中で緑色蛍光体13を静電的に安定化させた状態で強固に保護することができる。これによって、熱によってイオン性表面修飾分子13aが剥れる現象を抑制することができ、結果として緑色蛍光体13の劣化を抑制できるという利点がある。
このようなイオン性表面修飾分子13aとしては、従来公知の適宜のものを特に制限なく用いることができる。イオン性表面修飾分子13aの具体例としては、
・2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩
・ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド
・ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミド
・チオグリコール酸塩
・チオコリンブロミド
などを例示することができる。
これらの中でも、
・2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩
・ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド
・ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミド
・チオコリンブロミド
からなる群から選ばれるいずれかをイオン性表面修飾分子13aとして用いることが、より安定的に緑色蛍光体13と結合できるカチオン性の表面修飾剤であるという観点から好ましい。
イオン性表面修飾分子13aを緑色蛍光体13に結合させる方法としては、例えばイオン性表面修飾分子13aとして2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩を用いる場合には、
・緑色蛍光体13の作製時に表面修飾剤として2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩を混合する方法
・緑色蛍光体13の作製後に2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩を混合する方法
などが挙げられる。
緑色蛍光体13に対するイオン性表面修飾分子13aの添加量についても特に制限されないが、100重量部の緑色蛍光体13に対し0.1〜100重量部の範囲内であることが好ましく、1〜50重量部の範囲内であることがより好ましい。イオン性表面修飾分子13aの添加量が100重量部の緑色蛍光体13に対し0.1重量部未満である場合には、緑色蛍光体13の表面を十分に修飾にできない虞がある。また、イオン性表面修飾分子13aの添加量が100重量部の緑色蛍光体13に対し100重量部を超える場合には、過剰のイオン性表面修飾分子13aにより緑色蛍光体13の凝集が起こる虞がある。
(透明樹脂14)
透明樹脂14は、発光素子11を内部に含み、かつ緑色蛍光体13および赤色蛍光体12が内部に分散された樹脂である。透明樹脂14は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む。
このような透明樹脂14は、熱に対して安定であり、かつ量子ドット蛍光体との親和性が高い。このため、緑色蛍光体13と透明樹脂14との界面は化学的に安定した状態となる。発光装置10においては、緑色蛍光体13を透明樹脂14に分散することで、緑色蛍光体13を透明樹脂14により保護し、特に熱による緑色蛍光体13の劣化を抑制することができる。
また、後述する通り、透明樹脂14は構成元素に硫黄を含む。このため、透明樹脂14が発光素子11および基板15に含まれる電極などの金属部品に接触すると、接触箇所が硫化される虞がある。金属部品が硫化されると、当該金属部品の電気伝導率および反射率などが低下し、発光装置10の発光効率が著しく低下する。
そこで、発光装置10においては、図1に示すように、安定な無機物で構成されている赤色蛍光体12が発光素子11および基板15に接触している。これにより、透明樹脂14と上記金属部品との接触、および当該接触に起因する金属部品の硫化を抑制し、発光装置10の発光効率の低下を抑制することができる。
赤色蛍光体12は、例えば一部の粒子が発光素子11または基板15に接触し、他の粒子が発光素子11および基板15と対向するように、発光素子11および基板15から所定の距離内に配されていてよい。この場合、赤色蛍光体12と発光素子11および基板15との接触面積が大きいほど、赤色蛍光体12で発生した熱の放熱効率が向上する。このような赤色蛍光体12の状態について、発光素子11および基板15を覆っていると表現することもできる。
本実施形態における透明樹脂14の由来となるイオン液体は、常温(例えば25℃)で溶融状態の塩(常温溶融塩)であり、以下の一般式(I)
(I)
で示されるものであることが好ましい。
一般式(I)において、Xは、以下のいずれかであることが好ましい。
・イミダゾリウムイオン
・ピリジニウムイオン
・ホスホニウムイオン
・脂肪族四級アンモニウムイオン
・ピロリジニウム
・スルホニウム
これらの中でも、熱的および大気中での安定性に優れるという理由から、脂肪族四級アンモニウムイオンが特に好ましいカチオンとして挙げられる。
また上記一般式(I)において、Yは、以下のいずれかであることが好ましい。
・テトラフルオロホウ酸イオン
・ヘキサフルオロリン酸イオン
・ビストリフルオロメチルスルホニルイミド酸イオン
・過塩素酸イオン
・トリス(トリフルオロメチルスルホニル)炭素酸イオン
・トリフルオロメタンスルホン酸イオン
・トリフルオロ酢酸イオン
・カルボン酸イオン
・ハロゲンイオン
これらの中でも、熱的および大気中での安定性に優れるという理由から、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド酸イオンが特に好ましいアニオンとして挙げられる。
上述した通り、透明樹脂14は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む。透明樹脂14は、赤色蛍光体12が沈降し、緑色蛍光体13が分散した状態のイオン液体を重合させることで形成される。このとき、例えば緑色蛍光体13を分散させたシリコーン樹脂を固体化させる時に起こっていた、緑色蛍光体13の凝集などを抑制することができる。
また、緑色蛍光体13を透明樹脂14中に分散させることで、緑色蛍光体13を静電的に安定化させるとともに、緑色蛍光体13の表面を空気または水分などから強固に保護することができる。したがって、発光装置10の発光効率を向上させることができる。
イオン液体が有する重合性官能基としては、特に制限されないが、緑色蛍光体13が分散された状態を維持したままで固体化できることから、(メタ)アクリル酸エステル基((メタ)アクリロイルオキシ基)であることが好ましい。
このような(メタ)アクリル酸エステル基を有するイオン液体の好適な例としては、例えば下記式
Figure 2018137321
で示される2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、または下記式
Figure 2018137321
で示される1−(3−アクリロイルオキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドなどが、熱的安定性および大気中での安定性に優れるという理由から挙げられる。
上述の重合性官能基を有するイオン液体は、従来公知の適宜のイオン液体に、従来公知の適宜の手法で重合性官能基を導入することによって得ることができる。また、重合性官能基を有するイオン液体として市販品を用いてもよい。
また、緑色蛍光体13を分散させた状態で、重合性官能基を有するイオン液体を重合させるための温度および時間などの条件は、当該イオン液体の種類および量などに応じて好適な条件が適宜選択され、特に制限されるものではない。例えば、イオン液体として2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを用いる場合には、60〜100℃の温度で1〜10時間という条件で好適に重合させることができる。また例えば、イオン液体として1−(3−アクリロイルオキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを用いる場合には、60〜150℃の温度で1〜10時間という条件で好適に重合させることができる。
イオン液体の重合に触媒を用いる場合、用いる触媒についても特に制限されるものではなく、例えば従来公知の以下の触媒を用いることができる。
・アゾビスイソブチロニトリル
・ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオナート)
中でも、アゾビスイソブチロニトリルを触媒として用いることが、重合が速く進むという理由から好ましい。
イオン液体に架橋剤を添加する場合、その添加量についても特に制限されないが、イオン液体100重量部に対し1〜50重量部の範囲内であることが好ましく、10〜30重量部の範囲内であることがより好ましい。架橋剤の添加量がイオン液体100重量部に対し1重量部未満である場合には、架橋構造の形成が進まずに透明樹脂14の強度が不足する虞がある。また、架橋剤の添加量がイオン液体100重量部に対し50重量部を超える場合には、緑色蛍光体13が透明樹脂14中に安定に分散しない虞がある。
(発光装置10を構成する他の部材)
基板15は、発光素子11が設けられるとともに、発光素子11を駆動させる電気回路が形成されているプリント配線基板である。樹脂枠16は、基板15上に載置された、樹脂製の枠である。
(Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の製造例)
赤色蛍光体12として用いるMn4+賦活フッ素錯体蛍光体の製造例を、図3を参照して説明する。図3は、以下の製造例により製造されたMn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。以下の製造例では、上記の一般式(A)において、MIがKであり、MIIがSiであり、h=0.06であるMn4+賦活フッ素錯体蛍光体を調製した。
まず、塩化ビニル樹脂製の反応槽の中央に、フッ素樹脂系イオン交換膜の仕切り(隔膜)を設け、イオン交換膜を挟む2室の各々に、いずれも白金板である陽極と陰極とを設置した。反応槽の陽極側に、フッ化マンガン(II)を溶解させたフッ化水素酸水溶液、陰極側にフッ化水素酸水溶液を入れた。
上記陽極および陰極を電源に接続し、電圧3V、電流0.75Aで電解を行った。電解を終えた後、陽極側の反応液に、フッ化水素酸水溶液に飽和させたフッ化カリウムの溶液を過剰に加えると、KMnFが黄色の固体生成物として生成した。当該固体生成物をろ別、回収することで、KMnFを得た。
次に、4.8gの二酸化ケイ素を、100cmの48質量%フッ化水素酸水溶液に溶解させ、フッ化ケイ素を含む水溶液を調製した。当該水溶液を室温まで放冷した後、ふた付きの樹脂容器に入れ、70℃に保った水浴中で1時間以上保持し、加温した。このフッ化ケイ素を含む水溶液に、上記のKMnF粉末を1.19g加えて撹拌して溶解させ、フッ化ケイ素とKMnFとを含む水溶液(第1溶液)を調製した。
また、13.95gのフッ化カリウムを、40cmの48質量%フッ化水素酸水溶液に溶解させ、室温まで放冷し、フッ化カリウムを含む水溶液(第2溶液)を調製した。
その後、撹拌した第1溶液に、第2溶液を約2.5分間かけて少しずつ加え、10分間程度撹拌すると、淡橙色の固体が生成した。この固体生成物をろ別し、ろ別した固体生成物を、少量の20質量%フッ化水素酸水溶液で洗浄した。その後、固体生成物をさらにエタノールで洗浄した上で、真空乾燥した。以上の工程により、15.18gのMn4+賦活フッ素錯体蛍光体が得られた。
上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体のX線回折パターンを、(株)リガク製のX線回折装置により、CuのK−α線を用いて調べたところ、KSiF相が生成していることが確認された。
また、上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルを測定した。具体的には、まず、上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体を、幅10mm×長さ10mm×深さ50mmの大きさの石英セルに、タッピングにより最密充填した。その後、上記石英セル内のMn4+賦活フッ素錯体蛍光体について、蛍光分光光度計((株)堀場製作所製:Fluoromax4)を用いて、波長445nmの光により励起した場合の発光スペクトルを測定した。
測定の結果、上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体について、図3に実線で示す発光スペクトルが得られた。図3に示す発光スペクトルを解析した結果、上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は630nm、半値幅は8nmであることが確認された。
また、励起光の波長を変動させた場合における、上記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体のピーク波長630nmにおける発光強度を励起波長でプロットすることによって、図3に破線で示す励起スペクトルが得られた。
(量子ドット蛍光体の製造例)
緑色蛍光体13として用いる量子ドット蛍光体の製造例を、図4を参照して説明する。図4は、以下の製造例により製造された量子ドット蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
量子ドット蛍光体を得る工程は、特に制限されず、公知の量子ドット蛍光体の製造方法を用いることができる。手法が簡便であり、且つ、低コストであるという観点では、化学合成法を用いることが好ましい。化学合成法では、生成物質の構成元素を含む複数の出発物質を媒体に分散させた上で、これらを反応させることにより目的の生成物質を得ることができる。
このような化学合成法としては、たとえば、ゾルゲル法(コロイド法)、ホットソープ法、逆ミセル法、ソルボサーマル法、分子プレカーサ法、水熱合成法、または、フラックス法などが挙げられる。化合物半導体材料で構成される半導体ナノ粒子を好適に製造できるという観点では、ホットソープ法を用いることが好ましい。
以下では、ホットソープ法を用いて、CdSeコアおよびZnSシェルを有するCdSe/ZnS半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を製造する方法の一例を示す。
まず、CdSeコアを合成した。3mlのトリオクチルホスフィン(TOP)に、1mmolのセレン化トリオクチルホスフィン(TOPSe)、および1mmolのジメチルカドミウムを不活性雰囲気中で混合し、混合溶液を得た。
次に、5gの酸化トリオクチルホスフィン(TOPO)を、窒素雰囲気で350℃に加熱した上記混合溶液に注入した。上記混合溶液の温度は約260℃まで下がるとともに、TOPOと反応し、CdSeナノクリスタルが形成された。上記混合溶液とTOPOとを70分間反応させた後、反応溶液をただちに室温まで冷却し、CdSeからなる量子ドット(CdSeコア)を調整した。上記混合溶液とTOPOとを70分間反応させた後、反応溶液をただちに室温まで冷却し、反応を停止させた。
この反応溶液に対して、
(i)貧溶媒である脱水エタノール10mlを加えることにより量子ドット蛍光体を析出させる操作
(ii)4000rpmで10分間遠心分離することにより量子ドット蛍光体を沈殿させる操作
(iii)脱水トルエンを加えることにより量子ドット蛍光体を再溶解させる操作
という3つの操作を含む分級工程を、5回行なった。上記の分級工程により、上記反応溶液内にCdSeコアが合成された、CdSeコア溶液が得られた。
続いて、ZnSシェルを合成した。上記の手法により合成したCdSeコア溶液に、シェル層の原料である3mmolの酢酸亜鉛および3mmolの硫黄を含む3mlのTOP溶液を加えて150℃で2時間反応させた後、室温まで冷却した。これにより、CdSe/ZnSからなる量子ドット蛍光体を含む分散液を得ることができた。得られた分散液に対して再度上記(i)〜(iii)の操作を行い、脱水トルエンの量を調整することにより、CdSe/ZnSからなる量子ドット蛍光体が5重量%分散した量子ドット蛍光体分散溶液を得た。
上記の手順により作製したCdSe/ZnS量子ドットの発光スペクトルを測定した。具体的には、まず得られた量子ドット蛍光体分散溶液を、幅10mm×長さ10mm×深さ50mmの大きさの石英セルに充填した。そして、上記石英セル内のCdSe/ZnS量子ドットについて、蛍光分光光度計((株)堀場製作所製:Fluoromax4)を用いて、波長445nmの光により励起した場合の発光スペクトルを測定した。
測定の結果、得られた量子ドット蛍光体について、図4に実線で示す発光スペクトルが得られた。図4に示す発光スペクトルを解析した結果、得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は535nm、半値幅は35nmであることが確認された。
また、励起光の波長を変動させた場合における、上記量子ドット蛍光体のピーク波長535nmの発光強度を励起波長でプロットすることによって、図4に破線で示す励起スペクトルが得られた。
なお、緑色蛍光体13の表面にイオン性表面修飾分子13aを結合させる場合には、例えば上記製造例において、CdSe/ZnSからなる量子ドット蛍光体を含む分散液を得た後に、当該分散液に、イオン性表面修飾分子13aとして、2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩50mgを混合した水1mLを混合攪拌すればよい。これにより、CdSe/ZnSの表面に2−(ジエチルアミノ)エタンチオールが結合した量子ドット蛍光体を含む分散液を得ることができる。
(発光装置10の実施例および比較例)
(実施例D1)
図1に示す発光装置10の具体例としての実施例D1を以下に示す。
(メタ)アクリル酸エステル基を有するイオン液体である2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドの溶液1gに、上記製造例にて製造したCdSe/ZnSからなる緑色蛍光体13を5重量%含む量子ドット分散溶液115mgを混合することにより、CdSe/ZnS分散イオン液体を得た。このCdSe/ZnS分散イオン液体に、(i)重合開始の触媒としてアゾビスイソブチロニトリルを1.4mg、(ii)上記製造例にて製造した赤色蛍光体12を140mg、それぞれ混合し、赤色蛍光体12および緑色蛍光体13が分散された蛍光体分散樹脂を得た。
次に、発光ピーク波長が445nmの青色LEDである発光素子11を基板15上に載置し、発光素子11の周囲を囲むように、樹脂枠16を基板15上に載置した。樹脂枠16内に上記の蛍光体分散樹脂を充填し、室温で24時間放置することにより赤色蛍光体12のみを沈降させた後に、80℃で1時間加熱することにより樹脂化した。以上の工程により、図1に示すような、透明樹脂14中に緑色蛍光体13および赤色蛍光体12が分散され、赤色蛍光体12が発光素子11および基板15に接触した構造を有する発光装置10を作製した。
図5は、実施例D1により得られた発光装置10の発光スペクトルを示すグラフである。発光装置10を20mAの駆動電流で駆動した場合の発光スペクトルを、分光光度計(大塚電子製:MCPD−7000)により測定したところ、図5に示す発光スペクトルが得られた。また、図5に示した発光スペクトルから実施例D1の発光装置10の色度座標を計算したところ、CIE1931色度座標で(CIEx,CIEy)=(0.256,0.224)であった。
実施例D1において、透明樹脂14の重量に対する赤色蛍光体12の重量、および透明樹脂14の重量に対する緑色蛍光体13の重量は、発光装置10が発する光が後述する液晶パネルを通過した時に、白色点の色温度が10,000K付近になるように調整されている。後述する実施例および比較例においても、透明樹脂14の重量に対する赤色蛍光体12および緑色蛍光体13の重量は同様に調整されている。
具体的には、緑色蛍光体13については、100重量%の透明樹脂14に対する重量比が1〜25重量%の範囲内であることが好ましく、3〜15重量%の範囲内であることがより好ましい。一方、赤色蛍光体12については、100重量%の透明樹脂14に対する重量比が1〜60重量%の範囲内であることが好ましく、5〜30重量%の範囲内であることがより好ましい。
(実施例D2)
図6は、本実施形態の変形例の発光装置10Aの構成を示す断面図である。図6に示すように、発光装置10Aは、発光装置10の構成に加えて、ガラス板17を備える。発光装置10Aの具体例としての実施例D2を以下に示す。
まず、実施例D1と同様にして、発光装置10を作成した。次に、樹脂枠16の開口部を覆う形状のガラス板17を当該開口部に配し、80℃の温度で1時間加熱することにより、発光装置10Aを作製した。
ガラス板17は、透明樹脂14への大気などの接触を抑制するガスバリア層として機能する。ガラス板17はガスバリア層の一例であり、ガラス板17の代わりにガラス以外の透光性を有する物質により形成された部材を用いてもよい。
(比較例D1)
図7は、比較例D1の発光装置10Xの構成を示す断面図である。図7に示すように、発光装置10Xは、赤色蛍光体12が発光素子11および基板15に接触していない点で発光装置10と相違する。
発光装置10Xの作製方法を以下に説明する。(メタ)アクリル酸エステル基を有するイオン液体である2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドの溶液1gに、上記製造例にて製造したCdSe/ZnSからなる量子ドット蛍光体を5重量%含む量子ドット分散溶液115mgを混合することにより、CdSe/ZnS分散イオン液体を作製した。
CdSe/ZnS分散イオン液体に、重合開始の触媒としてアゾビスイソブチロニトリル1.4mgを加えて、量子ドット分散樹脂を作製した。さらに、作製した量子ドット分散樹脂を樹脂枠16内に発光素子11を覆うように充填し、80℃で30分間加熱した。その後、上記量子ドット分散樹脂にMn4+賦活フッ素錯体蛍光体160mgを加え、再度樹脂枠16内に充填し、80℃で30分加熱することで発光装置10Xを作製した。
(比較例D2)
比較例D1とは別の比較例D2の発光装置の作製方法を以下に説明する。まず、シリコーン樹脂(信越シリコーン製:KER−2500)1gに対して、Mn4+フッ素錯体蛍光体の製造例で得られたMn4+フッ素錯体蛍光体139mgを混合し、樹脂組成物を得た。次に、上記樹脂組成物(シリコーン樹脂+赤色蛍光体)100重量%に対して、量子ドット蛍光体の製造例で得られたCdSe/ZnSからなる量子ドット蛍光体を5重量%含む量子ドット分散溶液を10重量%だけ混合し、蛍光体分散樹脂を得た。
ここで、発光ピーク波長445nmの青色LEDである発光素子11を基板15上に載置し、発光素子11の周囲を囲むように、樹脂枠16を基板15上に載置した。樹脂枠16内に上記の蛍光体分散樹脂を充填し、室温で24時間放置した後、80℃で30分、120℃で1時間加熱することにより蛍光体分散樹脂を硬化させて発光装置を作製した。作製した発光装置は、透明樹脂14がシリコーン樹脂であることを除いて、図1に示した発光装置10と同様の構造を有していた。
(発光装置の発光効率評価)
実施例D1、D2および比較例D1、D2により得られた発光装置について実験を行った。上記の実験では、実施例D1、D2および比較例D1、D2の発光装置を、20mAの駆動電流で最大500時間駆動し、光束の初期値、および光束の値が駆動開始時の値(初期値)の50%になるまでの時間(以下、光束半減時間と記す。)を測定した。
図8は、上記の実験の結果を示す表である。図8に示す表においては、光束の初期値は実施例D1の場合を100とした相対値で示されている。図8に示すように、実施例D1、D2の発光装置の光束半減時間はいずれも比較例D1およびD2の光束半減時間より顕著に長い。これは、実施例の発光装置は、透明樹脂14としてイオン液体に由来する透明樹脂を使用しており、かつ赤色蛍光体12が発光素子11および基板15上に堆積していることにより、
・熱による緑色蛍光体13の劣化
・イオン液体との化学反応による、発光素子11および基板15の金属部品の劣化
が共に抑制されていることに起因する。
特に、実施例D2の発光装置10Aは、実施例D1の発光装置10と比較して、光束半減時間が倍になっている。これは、発光装置10Aが備えるガラス板17により、透明樹脂14への外気の接触が抑制されるため、透明樹脂14に含まれる緑色蛍光体13の、外気との接触による劣化も抑制されるためである。
また、比較例D2の発光装置における光束の初期値および光束半減時間は、実施例D1およびD2だけでなく、比較例D1と比較しても特に悪い。これは、比較例D2の発光装置は透明樹脂としてシリコーン樹脂を使用している為、透明樹脂14と緑色蛍光体13との界面が化学的に不安定な状態となり、緑色蛍光体13が発光装置の製造プロセスおよび駆動中に急速に劣化したためである。
(発光装置10の効果)
上述した通り、本実施形態の発光装置10においては、透明樹脂14の内部に緑色蛍光体13が分散されている。透明樹脂14は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む。このため、透明樹脂14は熱に対して安定であり、また量子ドット蛍光体である緑色蛍光体13との親和性が高い。したがって緑色蛍光体13と透明樹脂14との界面が化学的に安定し、緑色蛍光体13の劣化が抑制される。
また、本実施形態の発光装置10においては、赤色蛍光体12が発光素子11および基板15に接触している。このため、発光素子11および基板15の金属部品と透明樹脂14との接触部分の面積が小さくなり、当該金属部品と透明樹脂14との化学反応が抑制される。さらに、赤色蛍光体12が発する熱が発光素子11および基板15から放熱されるため、当該熱が緑色蛍光体13に伝わりにくくなる。したがって、熱による緑色蛍光体13の劣化が抑制される。
〔実施形態2〕
本発明の他の実施形態について、図9〜図11に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、実施形態1に係る発光装置を備える画像表示装置について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図9の(a)は、本実施形態に係る画像表示装置21の分解斜視図である。図9の(b)は、図9の(a)に示されている画像表示装置21が備える液晶表示装置24の分解斜視図である。図10は、画像表示装置21が備えるカラーフィルタ246の透過スペクトルを示すグラフである。
図9の(a)に示すように、画像表示装置21は、発光装置10と、導光板22と、液晶表示部23とを備える。導光板22は、透明または半透明の導光板である。液晶表示部23は、画像を表示する表示部であり、複数の液晶表示装置24を備える。
画像表示装置21では、導光板22の側面に、発光装置10が複数配置されている。また、導光板22に隣接して、液晶表示部23が設けられている。発光装置10からの出射光25は、導光板22内で散乱され、散乱光26として液晶表示部23の全面に照射されるように構成されている。
実施形態1において説明した通り、発光装置10は、発光効率の低下が抑制されている発光装置である。したがって、発光装置10を備えた画像表示装置21は、発光効率の低下が抑制された画像表示装置となる。また、画像表示装置21は、発光装置10の代わりに発光装置10Aを備えていてもよい。
(液晶表示装置24)
図9の(b)に示すように、液晶表示部23を構成する液晶表示装置24は、偏光板241と、透明導電膜243a(薄膜トランジスタ242を有する)と、配向膜244aと、液晶層245と、配向膜244bと、上部薄膜電極243bと、色画素を表示するためのカラーフィルタ246と、上部偏光板247とが順次積層されている。
カラーフィルタ246は、透明導電膜243aの各画素に対応する大きさに分割されている。また、カラーフィルタ246は、赤色光を透過する赤色カラーフィルタ246r、緑色光を透過する緑色カラーフィルタ246gおよび青色光を透過する青色カラーフィルタ246bを備えている。
本実施形態に係る画像表示装置21は、図9の(b)に示すカラーフィルタ246のように、赤色光、緑色光または青色光を透過するフィルタをそれぞれ備えることが好ましい。この場合、各色カラーフィルタとして、例えば図10に示したそれぞれの透過スペクトルを示すものを好適に用いることができる。後述の実施例においても、図10に示したそれぞれの透過スペクトルを示すカラーフィルタを用いている。
(画像表示装置21の実施例)
(実施例DIS1)
実施例DIS1は、図9の(a)に示した構成の画像表示装置21の具体例である。図11の(a)は、実施例DIS1の画像表示装置21の、白色点の色温度、CIE1931色度座標での白色点、赤色点、緑色点、青色点の色度座標、およびAdobeRGBカバー率を示す表である。図11の(b)は、実施例DIS1の画像表示装置21の色域と、AdobeRGBの色域とを比較するグラフである。
図11の(a)に示す表において、赤色点、緑色点および青色点とは、ディスプレイ上にそれぞれ赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタを透過する光のみを表示させた場合のディスプレイ上の色度点である。白色点とは、それぞれのカラーフィルタを透過する光をすべて同時に表示させた場合のディスプレイ上の色度点である。AdobeRGBカバー率とは、AdobeRGBの色域の面積に対する、上記赤色点、緑色点および青色点で囲まれる色域がカバーする面積の割合である。
図11の(a)および(b)に示した通り、実施例DIS1において作成した画像表示装置21のAdobeRGBカバー率は、97.7%と極めて高かった。
〔実施形態3〕
実施形態3について説明する。実施形態3は、実施形態1で説明した発光装置の別実施形態である。本実施形態に係る発光装置は、発光素子11以外の構成については発光装置10と同じであるため、説明を省略する。
本実施形態に係る発光装置において、発光素子から発せられる一次光のピーク波長は、420nm以上かつ440nm以下である。このようなピーク波長の一次光を発する発光素子によっても、色再現域の広い画像表示装置を実現できる発光装置を提供することができる。
ただし、実施形態1の発光装置10においては、発光素子11が発する一次光のピーク波長と、図3に示した赤色蛍光体12の励起スペクトルおよび図10に示した青色カラーフィルタ246bの透過スペクトルとの波長整合性がよい。したがって、実施形態1の発光装置10の発光効率は、本実施形態の発光装置の発光効率よりさらに高い。
〔実施形態4〕
実施形態4について説明する。実施形態4は、実施形態1で説明した発光装置の別実施形態である。本実施形態に係る発光装置は、緑色蛍光体13以外の構成については発光装置10と同じであるため、説明を省略する。
本実施形態に係る発光装置においては、緑色蛍光体として、CdSe/ZnS半導体ナノ粒子ではなく、発光スペクトルのピーク波長が525nm、半値幅が65nmである、市販のInP系量子ドットを用いている。
InP系量子ドットは、CdSe/ZnS半導体ナノ粒子と比較して、発光スペクトルの半値幅が広い。このため、本実施形態の発光装置を用いた画像表示装置は、発光装置10を用いた画像表示装置より色再現性が低くなる。
しかし、InP系量子ドットは、Cdを含まない。したがって、本実施形態の発光装置は、発光装置10より環境負荷が小さくなるという利点がある。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係る発光装置(10)は、青色光を発する発光素子(11)と、前記発光素子が設けられた基板(15)と、前記青色光により励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体(緑色蛍光体13)と、前記青色光により励起されて赤色光を発するMn4+賦活フッ素錯体蛍光体(赤色蛍光体12)と、前記発光素子を内部に含み、かつ前記量子ドット蛍光体および前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体が内部に分散された透明樹脂(14)とを備え、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は前記発光素子および前記基板に接触し、前記透明樹脂は、重合性官能基を有するイオン液体(14A)に由来する構成単位を含む。
上記の構成によれば、量子ドット蛍光体は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む透明樹脂の内部に分散される。このような透明樹脂は、熱に対して安定で、かつ量子ドット蛍光体との親和性が高い。したがって、量子ドット蛍光体と透明樹脂との界面が化学的に安定する。
また、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体が発光素子および基板に接触しているため、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体で発生した熱の一部が発光素子および基板を介して放熱されるため、当該熱が量子ドット蛍光体に伝わりにくくなる。
したがって、化学反応または熱による、量子ドット蛍光体の劣化を抑制することができる。
本発明の態様2に係る発光装置は、上記態様1において、前記重合性官能基は、(メタ)アクリル酸エステル基であることが好ましい。
上記の構成によれば、当該重合性官能基を有するイオン液体を、加熱する、または触媒を添加することで重合させることができる。したがって、量子ドット蛍光体がイオン液体中に安定的に分散されている状態から、当該状態を維持したままイオン液体を重合させ、固体化することができる。
本発明の態様3に係る発光装置は、上記態様2において、前記(メタ)アクリル酸エステル基を有するイオン液体は、2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、または1−(3−アクリロイルオキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドであることが好ましい。
上記の構成によれば、イオン液体は熱的安定性および大気中での安定性に優れる。したがって、発光装置の製造が容易になる。
本発明の態様4に係る発光装置は、上記態様1から3のいずれかにおいて、前記量子ドット蛍光体の表面に、イオン性表面修飾分子(13a)が結合していることが好ましい。
上記の構成によれば、透明樹脂中で量子ドット蛍光体を、静電的に安定化させた状態で強固に保護することができる。したがって、熱によってイオン性表面修飾分子が剥れる現象を抑制することができ、結果として量子ドット蛍光体の劣化を抑制できる。
本発明の態様5に係る発光装置は、上記態様4において、前記イオン性表面修飾分子は、2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミドおよびチオコリンブロミドからなる群から選ばれるいずれかであることが好ましい。
上記の構成によれば、イオン性表面修飾分子は、安定的に量子ドット蛍光体と結合することができる。
本発明の態様6に係る発光装置は、上記態様1から5のいずれかにおいて、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の粒径は、10μm以上かつ100μm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の粒径が10μm以上であるため、透明樹脂の製造過程において、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体がイオン液体中に沈降しやすくなる。さらに、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の粒径が100μm以下であるため、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の歩留まりの低下を防止できる。
本発明の態様7に係る発光装置は、上記態様6において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の粒径は、30μm以上かつ100μm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の粒径が30μm以上であるため、透明樹脂の製造過程において、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体がイオン液体中にさらに沈降しやすくなる。
本発明の態様8に係る発光装置は、上記態様1から7のいずれかにおいて、前記量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は、520nm以上かつ540nm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、色再現域の広い画像表示装置を実現できる発光装置を提供することができる。
本発明の態様9に係る発光装置は、上記態様1から8のいずれかにおいて、前記量子ドット蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、25nm以上であることが好ましい。
上記の構成によれば、量子ドット蛍光体について、許容されるサイズのばらつきの範囲が広くなる。したがって、量子ドット蛍光体の歩留まりが向上する。
本発明の態様10に係る発光装置は、上記態様1から9のいずれかにおいて、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、10nm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、本発明の一態様に係る発光装置を備える画像表示装置の色再現性が向上する。
本発明の態様11に係る発光装置は、上記態様1から10のいずれかにおいて、前記量子ドット蛍光体は、CdSe、CdS、CdTe、InP、InN、AlInN、InGaN、AlGaInN、またはCuInGaSeを主成分とすることが好ましい。
上記の構成によれば、効率よく可視光発光できる材料を用いて量子ドット蛍光体を構成することができる。
本発明の態様12に係る発光装置は、上記態様1から11のいずれかにおいて、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式MI(MII1−hMn)Fで表され、前記一般式において、MIは、Li、Na、K、RbおよびCsのうち少なくとも1種のアルカリ金属元素を含み、MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、hは、0.001以上かつ0.1以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、hにより規定されるMn4+イオンの濃度が、過不足ない適切な濃度となる。したがって、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光強度が高くなる。
本発明の態様13に係る発光装置は、上記態様12において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、K(Si1−hMn)Fであることが好ましい。
上記の構成によれば、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、(i)発光強度が高く、(ii)蛍光体結晶の安定性が高く、かつ(iii)耐水性が高くなる。
本発明の態様14に係る発光装置は、上記態様1から11のいずれかにおいて、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式MIII(MII1−hMn)Fで表され、前記一般式において、MIIIは、Mg、Ca、SrおよびBaのうち少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を含み、MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、hは、0.001以上かつ0.1以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、態様12と同様、hにより規定されるMn4+イオンの濃度が、過不足ない適切な濃度となる。したがって、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光強度が高くなる。
本発明の態様15に係る発光装置は、上記態様14において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、Ba(Si1−hMn)Fであることが好ましい。
上記の構成によれば、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、(i)発光効率が高く、(ii)熱および外力により劣化しにくく、かつ(iii)耐水性が高くなる。
本発明の態様16に係る発光装置は、上記態様1から15のいずれかにおいて、前記青色光のピーク波長は、420nm以上かつ480nm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、発光素子の発光効率が高いため、発光装置の発光効率を向上することができる。
本発明の態様17に係る発光装置は、上記態様16において、前記青色光のピーク波長は、440nm以上かつ460nm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、発光素子の発光効率が特に高く、かつ発光素子が発する光と赤色蛍光体の励起スペクトルおよび青色カラーフィルタの透過スペクトルとの波長整合性がよいため、発光装置の発光効率をさらに向上することができる。
本発明の態様18に係る画像表示装置(21)は、上記態様1から17のいずれかの発光装置を備える。
上記の構成によれば、色再現性の高い画像表示装置を提供できる。
本発明の一態様は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の一態様の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
〔本発明の別の表現〕
なお、本発明の一態様は、以下のようにも表現できる。
すなわち、本発明の一態様に係る発光装置は、青色光を発する発光素子と、金属電極を有する前記発光素子を備える基板と、前記青色光によって励起されて赤色光を発するMn4+賦活フッ素錯体蛍光体と、前記青色光によって励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体と、重合性官能基を有するイオン性液体に由来する構成単位を含む透明樹脂とを備え、前記発光素子及びMn4+賦活フッ素錯体蛍光体及び量子ドット蛍光体は前記樹脂中に含まれており、量子ドット蛍光体は透明樹脂中に分散しており、Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は前記発光素子及び基板を(一体的に)覆う。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記重合性官能基は、(メタ)アクリル酸エステル基である。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記(メタ)アクリル酸エステル基を有するイオン性液体は、2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドまたは1−(3−アクリロイルオキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドである。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は、520nm以上かつ540nm以下である。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記量子ドット蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、25nm以上である。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記量子ドット蛍光体は、その表面にイオン性表面修飾分子が結合されたものである。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記イオン性表面修飾分子は、2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミドおよびチオコリンブロミドからなる群から選ばれるいずれかである。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、10nm以下である。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記量子ドット蛍光体は、CdSe、CdS、CdTe、InP、InN、AlInN、InGaN、AlGaInN、またはCuInGaSeのいずれかを主成分とする。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、下記一般式MI(MII1−hMn)Fで表され、前記一般式において、MIは、Li、Na、K、RbおよびCsのうち少なくとも1種のアルカリ金属元素を含み、MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、hは、0.001以上かつ0.1以下である。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、K(Si1−hMn)Fである。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、下記一般式MIII(MII1−hMn)Fで表され、前記一般式において、MIIIは、Mg、Ca、SrおよびBaのうち少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を含み、MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、hは、0.001以上かつ0.1以下である。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、Ba(Si1−hMn)Fである。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記青色光のピーク波長は、420nm以上かつ480nm以下である。
また、本発明の一態様に係る発光装置において、前記青色光のピーク波長は、440nm以上かつ460nm以下である。
また、本発明の一態様に係る発光装置は、前記のいずれかの態様の発光装置を備える。
10、10A 発光装置
11 発光素子
12 赤色蛍光体(Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体)
13 緑色蛍光体(量子ドット蛍光体)
13a イオン性表面修飾分子
14 透明樹脂
14A イオン液体
15 基板
21 画像表示装置

Claims (18)

  1. 青色光を発する発光素子と、
    前記発光素子が設けられた基板と、
    前記青色光により励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体と、
    前記青色光により励起されて赤色光を発するMn4+賦活フッ素錯体蛍光体と、
    前記発光素子を内部に含み、かつ前記量子ドット蛍光体および前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体が内部に分散された透明樹脂とを備え、
    前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は前記発光素子および前記基板に接触し、
    前記透明樹脂は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含むことを特徴とする発光装置。
  2. 前記重合性官能基は、(メタ)アクリル酸エステル基であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記(メタ)アクリル酸エステル基を有するイオン液体は、2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、または1−(3−アクリロイルオキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドであることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記量子ドット蛍光体の表面に、イオン性表面修飾分子が結合していることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記イオン性表面修飾分子は、2−(ジエチルアミノ)エタンチオール塩酸塩、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミドおよびチオコリンブロミドからなる群から選ばれるいずれかであることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の粒径は、10μm以上かつ100μm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の粒径は、30μm以上かつ100μm以下であることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は、520nm以上かつ540nm以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 前記量子ドット蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、25nm以上であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。
  10. 前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、10nm以下であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。
  11. 前記量子ドット蛍光体は、CdSe、CdS、CdTe、InP、InN、AlInN、InGaN、AlGaInN、およびCuInGaSeのいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。
  12. 前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式MI(MII1−hMn)Fで表され、
    前記一般式において、MIは、Li、Na、K、RbおよびCsのうち少なくとも1種のアルカリ金属元素を含み、
    MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、
    hは、0.001以上かつ0.1以下であることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の発光装置。
  13. 前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、K(Si1−hMn)Fであることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
  14. 前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式MIII(MII1−hMn)Fで表され、
    前記一般式において、MIIIは、Mg、Ca、SrおよびBaのうち少なくとも1種のアルカリ土類金属元素を含み、
    MIIは、Ge、Si、Sn、TiおよびZrのうち少なくとも1種の4価の金属元素を含み、
    hは、0.001以上かつ0.1以下であることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の発光装置。
  15. 前記Mn4+賦活フッ素錯体蛍光体は、Ba(Si1−hMn)Fであることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
  16. 前記青色光のピーク波長は、420nm以上かつ480nm以下であることを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の発光装置。
  17. 前記青色光のピーク波長は、440nm以上かつ460nm以下であることを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
  18. 請求項1から17のいずれか1項に記載の発光装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
JP2017030232A 2017-02-21 2017-02-21 発光装置および画像表示装置 Pending JP2018137321A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017030232A JP2018137321A (ja) 2017-02-21 2017-02-21 発光装置および画像表示装置
KR1020180005582A KR20180096502A (ko) 2017-02-21 2018-01-16 발광 장치 및 화상 표시 장치
US15/874,019 US10263162B2 (en) 2017-02-21 2018-01-18 Light emitting device and image displaying system
CN201810112795.3A CN108461607B (zh) 2017-02-21 2018-02-05 发光装置及图像显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017030232A JP2018137321A (ja) 2017-02-21 2017-02-21 発光装置および画像表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018137321A true JP2018137321A (ja) 2018-08-30

Family

ID=63167436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017030232A Pending JP2018137321A (ja) 2017-02-21 2017-02-21 発光装置および画像表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10263162B2 (ja)
JP (1) JP2018137321A (ja)
KR (1) KR20180096502A (ja)
CN (1) CN108461607B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109659421A (zh) * 2018-11-16 2019-04-19 佛山市国星光电股份有限公司 发光器件及具有其的灯具
JP2023001818A (ja) * 2021-06-21 2023-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光モジュール、画像表示装置
US11643595B2 (en) 2021-06-21 2023-05-09 Nichia Corporation Wavelength conversion member, light-emitting device, and image display device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102578085B1 (ko) * 2016-04-29 2023-09-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
CN106505157B (zh) * 2016-11-28 2018-02-09 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构、封装方法及显示装置
CN109638144A (zh) * 2018-11-16 2019-04-16 佛山市国星光电股份有限公司 发光器件及具有其的灯具
CN112965287B (zh) * 2020-05-08 2022-11-29 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种彩膜基板的制备方法、显示装置与显示背板

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277127A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
WO2014104150A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 信越化学工業株式会社 調整部品及び発光装置
JP2015140425A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 信越化学工業株式会社 複フッ化物蛍光体及びその製造方法
JP2015222384A (ja) * 2014-05-23 2015-12-10 大日本印刷株式会社 液晶表示装置およびカラーフィルタ
US20160027971A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-28 Osram Sylvania Inc. Wavelength converters and methods for making the same
JP2016062745A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 一般財団法人電力中央研究所 イオン性素子および電子機器
JP2016080802A (ja) * 2014-10-14 2016-05-16 大日本印刷株式会社 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置
JP2016207817A (ja) * 2015-04-21 2016-12-08 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP2016219748A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP2017034076A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 発光装置
JP2017032767A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 波長変換部材および発光装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
CN101960624B (zh) 2008-03-03 2012-09-26 夏普株式会社 发光装置
JP5239043B2 (ja) * 2008-07-18 2013-07-17 シャープ株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP2010093132A (ja) 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置
JP5737011B2 (ja) 2011-01-18 2015-06-17 日本電気硝子株式会社 発光デバイス、発光デバイス用セル及び発光デバイスの製造方法
WO2012131792A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光装置
KR101702000B1 (ko) * 2011-10-21 2017-02-03 삼성전자 주식회사 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자
TWI597349B (zh) * 2012-09-21 2017-09-01 住友大阪水泥股份有限公司 複合波長變換粉體、含有複合波長變換粉體的樹脂組成物及發光裝置
WO2014104143A1 (ja) * 2012-12-26 2014-07-03 三菱化学株式会社 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
US9142732B2 (en) 2013-03-04 2015-09-22 Osram Sylvania Inc. LED lamp with quantum dots layer
US10230022B2 (en) * 2014-03-13 2019-03-12 General Electric Company Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots
EP2988340B1 (en) * 2014-08-18 2017-10-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and manufacturing method thereof
JP6428089B2 (ja) * 2014-09-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6354626B2 (ja) * 2015-03-09 2018-07-11 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US10174886B2 (en) 2015-07-31 2019-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Wavelength conversion member and light emitting device
JP6158905B2 (ja) 2015-12-15 2017-07-05 シャープ株式会社 発光装置または発光装置用蛍光体含有シート
US20170166807A1 (en) 2015-12-15 2017-06-15 Sharp Kabushiki Kaisha Phosphor containing particle, and light emitting device and phosphor containing sheet using the same
CN205900540U (zh) * 2016-04-29 2017-01-18 广东晶科电子股份有限公司 一种led发光器件和应用该led发光器件的背光模组

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277127A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
WO2014104150A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 信越化学工業株式会社 調整部品及び発光装置
JP2015140425A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 信越化学工業株式会社 複フッ化物蛍光体及びその製造方法
JP2015222384A (ja) * 2014-05-23 2015-12-10 大日本印刷株式会社 液晶表示装置およびカラーフィルタ
US20160027971A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-28 Osram Sylvania Inc. Wavelength converters and methods for making the same
JP2016062745A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 一般財団法人電力中央研究所 イオン性素子および電子機器
JP2016080802A (ja) * 2014-10-14 2016-05-16 大日本印刷株式会社 画像表示装置用モジュール及び画像表示装置
JP2016207817A (ja) * 2015-04-21 2016-12-08 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP2016219748A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
JP2017034076A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 発光装置
JP2017032767A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 波長変換部材および発光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109659421A (zh) * 2018-11-16 2019-04-19 佛山市国星光电股份有限公司 发光器件及具有其的灯具
JP2023001818A (ja) * 2021-06-21 2023-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光モジュール、画像表示装置
US11643595B2 (en) 2021-06-21 2023-05-09 Nichia Corporation Wavelength conversion member, light-emitting device, and image display device
JP7381906B2 (ja) 2021-06-21 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 発光モジュール、画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108461607B (zh) 2020-08-04
KR20180096502A (ko) 2018-08-29
US20180240944A1 (en) 2018-08-23
US10263162B2 (en) 2019-04-16
CN108461607A (zh) 2018-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6100831B2 (ja) 発光装置および画像表示装置
JP2018137321A (ja) 発光装置および画像表示装置
Zhang et al. Preparation of all-inorganic perovskite quantum dots-polymer composite for white LEDs application
JP5952938B1 (ja) 発光装置および画像表示装置
JP5954355B2 (ja) フッ化物蛍光体及びそれを用いる発光装置
JP5988335B1 (ja) 波長変換部材および発光装置
Di et al. Stable and brightly luminescent all-inorganic cesium lead halide perovskite quantum dots coated with mesoporous silica for warm WLED
JP5988334B1 (ja) 発光装置
KR102587491B1 (ko) 불화물 형광체와 그것을 사용한 발광 장치
JP6212589B2 (ja) 発光装置および画像表示装置
JP6024850B2 (ja) フッ化物蛍光体及びそれを用いる発光装置
JP6670804B2 (ja) 発光装置及び画像表示装置
KR102590208B1 (ko) 불화물 형광체와 그것을 사용한 발광 장치
US9822300B2 (en) Fluoride fluorescent material and method for producing the same as well as light emitting device using the same
US20080116785A1 (en) Light-Emitting Device
JP2007332016A (ja) 複合金属化合物の製造方法
JP6150446B1 (ja) 波長変換部材および発光装置
JP2018053202A (ja) 量子ドット蛍光体及びそれを用いた発光装置
TWI464235B (zh) 螢光體組成物及應用其之發光二極體元件
JP2017034259A (ja) 発光装置
JP2017032995A (ja) 波長変換部材および発光装置
Ferrara et al. Nanosized phosphors for white light-emitting diodes
Wang et al. Pure Red Emitting Composites with Nearly 100% Solid–state Photoluminescence Quantum Yield Obtained by In-situ Growth Sr2+-doped Hybrid Halides CsPb (Br, I) 3 Perovskite Quantum Dots in Mesoporous Silica
WO2023215457A1 (en) Red-emitting phosphors having small particle size, processes for preparing and devices thereof
JP2019087691A (ja) 発光装置及び画像表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190521

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190702

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191210

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200609