JP2013183089A - 発光装置、照明装置、発光装置集合体および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置、照明装置、発光装置集合体および発光装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】発光装置から出射される光の色度が視野角に応じて変動することを低減し、かつ、発光装置の発光効率を向上する。
【解決手段】発光装置１１は、基板１２上に鏡面領域１２３を有する。鏡面領域１２３内には複数のＬＥＤ１４１が配置される。鏡面領域１２３上には封止層が接合される。封止層は、上層と下層とを有し、上層および下層は蛍光体を含有する。上層の単位面積当たりの蛍光体の含有量は、下層の単位面積当たりの蛍光体の含有量よりも多い。下層は、ＬＥＤ１４１の周囲を覆う。封止層を２層構造とすることにより、発光装置１１から出射される光の色度が視野角に応じて変動することが低減される。また、鏡面領域１２３が設けられることにより、発光装置１１の発光効率が向上する。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体発光素子を備える発光装置に関連する。
従来、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を、樹脂で封止することが知られている。例えば、蛍光体を含有する第１樹脂層と、半導体発光素子を封止する第２樹脂層とを備える封止用シートを用いて、半導体発光素子を封止し、光半導体装置を得ることが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
この光半導体装置において、例えば、蛍光体をＹＡＧ系蛍光体から構成し、半導体発光素子を青色発光ダイオードから構成すれば、青色発光ダイオードからの青色光と、ＹＡＧ系蛍光体からの黄色光とを混色させて白色光を得ることができる。
特開２０１０−１２３８０２号公報
ところで、上記した特許文献１に記載の封止用シートでは、第１樹脂層と第２樹脂層との積層方向に沿って進む青色光は、ＹＡＧ系蛍光体からの黄色光と適切に混色されて白色光となる一方、積層方向と異なる方向に進む青色光は、ＹＡＧ系蛍光体からの黄色光との混色バランスが崩れて白色光とならない場合がある。
例えば、第２樹脂層に蛍光体が含有されない場合には、青色発光ダイオードからの青色光が、第１樹脂層を通過せずに、第２樹脂層の側面（積層方向と直交する方向の側面）から漏れる場合がある。この場合には、発光装置を積層方向と直交する方向から視認すると、発光装置が青色に発光しているように見える。
また、第２樹脂層に少量の蛍光体が含有されていると、発光装置を積層方向と直交する方向から視認したときに、ＹＡＧ系蛍光体からの黄色光よりも青色発光ダイオードからの青色光が強くなり、発光装置が青色発光しているように見える。また、第２樹脂層中に多量の蛍光体が含有されていると、発光装置を積層方向と直交する方向から視認したときに、青色発光ダイオードからの青色光よりもＹＡＧ系蛍光体からの黄色光が強くなり、発光装置が黄色に発光しているように見える。
このように、発光装置を視認する角度（視野角）によって、発光装置からの光の色度が変動する。
一方、蛍光体からの光は散乱光であるため、樹脂層が厚くなると効率よく所望の方向へと光を導出することができない。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、発光装置からの光の色度が視野角に応じて変動することを低減するとともに、効率よく発光装置を発光させることを主たる目的としている。
請求項１に記載の発明は、発光装置であって、上面が鏡面領域を含む基板と、前記鏡面領域内に配置された半導体発光素子と、前記基板の前記上面に接合される封止層とを備え、前記封止層が、前記基板の前記上面に接して前記半導体発光素子の周囲を覆い、蛍光体を含有する下層と、前記下層上に位置し、前記下層よりも単位面積当たりの蛍光体の含有量が多い上層とを備える。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発光装置であって、前記基板が、アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線とを含み、前記鏡面領域が、前記アルミニウム基板の表面である。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発光装置であって、前記封止層が矩形であり、前記封止層の互いに反対側の一対のエッジが、前記基板の一対のエッジと一致する。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発光装置であって、前記鏡面領域が、前記基板の前記一対のエッジまで存在する。
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置であって、前記鏡面領域内に、直列接続される複数の半導体発光素子が配置され、前記複数の半導体発光素子を接続するワイヤが、前記鏡面領域と非接触である。
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の電極に接続される前記基板上の電極が、前記封止層にて覆われる。
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置であって、前記鏡面領域が細長く、複数の半導体発光素子が、前記鏡面領域に沿って配置され、前記封止層が、前記鏡面領域に沿って前記基板の前記上面上に接合されている。
請求項８に記載の発明は、照明装置であって、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置と、前記発光装置が内部に配置される筐体と、前記筐体に取り付けられ、前記発光装置からの光が透過する窓部とを備える。
請求項９に記載の発明は、発光装置集合体であって、上面が鏡面領域を含み、複数の発光装置の基板に対応する複数の部位を有する連続基板と、前記鏡面領域内に配置された複数の半導体発光素子と、前記複数の発光装置の基板に対応する前記複数の部位を跨いで前記連続基板の前記上面に接合される封止層とを備え、前記封止層が、前記連続基板の前記上面に接して前記複数の半導体発光素子の周囲を覆い、蛍光体を含有する下層と、前記下層上に位置し、前記下層よりも単位面積当たりの蛍光体の含有量が多い上層とを備える。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発光装置集合体であって、前記鏡面領域が、前記複数の発光装置の基板に対応する前記複数の部位を跨いで前記連続基板の前記上面に存在する。
請求項１１に記載の発明は、発光装置の製造方法であって、基板の上面に設けられた鏡面領域内に、半導体発光素子を配置する工程と、前記半導体発光素子と、前記基板の電極とを接続する工程と、前記基板の前記上面に２層構造の封止シートを配置することにより、前記封止シートの下層にて前記半導体発光素子の周囲を覆う工程と、前記封止シートを硬化させることにより、前記封止シートを前記上面に接合された封止層とする工程とを備え、前記封止層の前記下層および上層が、蛍光体を含有し、前記上層の単位面積当たりの蛍光体の含有量が、前記下層よりも多い。
請求項１２に記載の発明は、発光装置の製造方法であって、複数の発光装置の基板に対応する複数の部位を有する連続基板の上面に設けられた鏡面領域内に、複数の半導体発光素子を配置する工程と、前記複数の半導体発光素子と、前記連続基板の電極とを接続する工程と、前記複数の発光装置の基板に対応する前記複数の部位を跨いで前記連続基板の前記上面に２層構造の封止シートを配置することにより、前記封止シートの下層にて前記複数の半導体発光素子の周囲を覆う工程と、前記封止シートを硬化させることにより、前記封止シートを前記上面に接合された封止層とする工程と、前記連続基板および前記封止層を切断することにより、前記複数の部位を分離する工程とを備え、前記封止層の前記下層および上層が、蛍光体を含有し、前記上層の単位面積当たりの蛍光体の含有量が、前記下層よりも多い。
本発明によれば、発光装置から出射される光の色度が視野角に応じて変動することを、容易に低減することができる。また、発光装置の発光効率を向上することができる。
照明装置の平面図である。 照明装置の断面図である。 発光装置の平面図である。 封止層を除いた発光装置の平面図である。 基板の断面構造を示す図である。 発光装置の製造の流れを示す図である。 連続基板の平面図である。 封止シートおよび連続基板の平面図である。 連続基板の他の例を示す平面図である。 基板を示す平面図である。 封止シートの断面図である。 封止シートの製造方法を説明する図である。 封止シートの製造方法を説明する図である。 製造途上の発光装置集合体を示す断面図である。 製造途上の発光装置集合体を示す断面図である。 発光装置集合体を示す断面図である。 各実施例および各比較例の発光装置において、視野角度による色度変化を示す図である。 発光装置の他の例を示す平面図である。 封止層を除いた発光装置の平面図である。 連続基板の平面図である。
図１は、本発明の一の実施の形態に係る照明装置２０の平面図である。図２は、照明装置２０のＡ−Ａ断面図である。照明装置２０は、発光組立体１０が内部に配置される筐体２１を備える。筐体２１は、所定方向に長手の略ボックス形状に形成され、ベースフレーム２３と、蓋部材２４と、電源ケーブル２５とを備える。
ベースフレーム２３は、筐体２１の長手方向に延び、上側（長手方向と直交する方向の一方側、以下同じ。）に向かって開放される平面視略矩形枠形状に形成されている。ベースフレーム２３は、筐体２１の下側（長手方向と直交する方向の他方側、以下同じ。）半分を構成する。
蓋部材２４は、筐体２１に取り付けられる。蓋部材２４は、ベースフレーム２３を上側から被覆するように、筐体２１の長手方向に延びる略コの字形状に形成されている。蓋部材２４には、長手方向に延びる窓部２７が貫通形成されている。窓部２７内には、ガラス板２６が嵌合されている。
電源ケーブル２５は、ベースフレーム２３の長手方向一端部において、ベースフレーム２３の内外を連絡するように支持される。電源ケーブル２５は、ベースフレーム２３内において、発光組立体１０の回路基板１０１に電気的に接続される。
発光組立体１０は、筐体２１の長手方向に延びる平面視略矩形の平板形状に形成される。なお、この発光組立体１０には、１つの回路基板１０１の上に長手方向に間隔を隔てて複数の発光装置１１が並列配置されている。また、発光組立体１０は、複数のレンズ２２を備える。
複数のレンズ２２のそれぞれは、複数の発光装置１１に対してそれぞれ設けられる。レンズ２２は、凸レンズ形状に形成され、各発光装置１１上に配置される。レンズ２２は、発光装置１１から出射された光を配向する。発光装置１１からの光は、レンズ２２および窓部２７を透過して外部へと導かれる。
図３は、発光装置１１の平面図である。発光装置１１は、基板１２と、基板１２の上面に接合された封止層１３とを備える。以下、説明の都合上、図３の紙面手前側を「上側」として説明するが、上下方向は重力方向に一致する必要はない。
基板１２の上面には、電源に接続される外側電極１２１が設けられる。図４は、封止層１３を取り除いた状態の発光装置１１を示す平面図である。基板１２の上面は鏡面領域１２３を含む。鏡面領域１２３内には、９個の発光ダイオード１４１（以下、「ＬＥＤ」という。）が、３行３列にて配置される。ＬＥＤ１４１は青色発光ダイオードである。基板１２の上面において、鏡面領域１２３の両側（図４における上側および下側）には、内側電極１２２が設けられる。外側電極１２１と内側電極１２２とは、基板１２内の配線パターンの一部であり、電気的に接続されている。
図４において縦に３個並ぶＬＥＤ１４１は、一対の内側電極１２２の間にて直列に接続される。これらの接続は、微細な金属のワイヤ１４２にて行われる。ワイヤ１４２は、鏡面領域１２３と非接触である。すなわち、鏡面領域１２３内には、接続を中継するための接続パッドは設けられず、ワイヤ１４２は、ＬＥＤ１４１の電極から他のＬＥＤ１４１の電極へと直接渡る。これにより、接続パッドが設けられないことにより、発光装置１１の光の出射効率が向上する。
また、ＬＥＤ１４１の電極に接続される内側電極１２２は、封止層１３にて覆われる。このように、封止層１３は、ＬＥＤ１４１の電気的接続に関する部位全体を保護する。
図５は基板１２の断面構造を示す図である。なお、図５は、断面における各層の厚さや水平方向における存在範囲を正確には表現していない。
基板１２は、下から上に向かって、アルミニウム基板１５１、接着剤層１５２、絶縁層１５３、配線１５４、メッキ１５５および保護層１５６を順に有する。アルミニウム基板１５１の上面は鏡面である。鏡面領域１２３は、アルミニウム基板１５１の表面（すなわち、上面）のうちの露出した領域である。最も下に位置し、かつ、最も厚い層をアルミニウム基板１５１にて形成することにより、安価に鏡面領域１２３を設け、かつ、放熱性を向上することができる。
アルミニウム基板１５１上に配置される絶縁層１５３は、接着剤層１５２によりアルミニウム基板１５１に接着される。絶縁層１５３は、ガラスエポキシ樹脂にて形成される。配線１５４は、絶縁層１５３上に形成される。外側電極１２１および内側電極１２２は、配線１５４の一部である。メッキ１５５は、ワイヤ１４２と電極との接合性を向上するために配線１５４上に形成される。保護層１５６は、配線１５４を保護する絶縁層である。
図６は、発光装置１１の製造の流れを示す図である。まず、複数の基板１２が連続する連続基板が準備される。図７は、連続基板１２０を示す平面図である。図７の連続基板１２０では、縦に３個、横に１４個の基板１２に対応する複数の部位１２ａ（以下、「基板部」という。）が連続する。したがって、連続基板１２０の上面は、複数の鏡面領域１２３を含む。最外周に位置する基板部１２ａのさらに外側には、縁部１２５が設けられる。
各鏡面領域１２３内には、ＬＥＤ１４１が配置される（ステップＳ１１）。ＬＥＤ１４１はアルミニウム基板１５１の上面に接着される。ＬＥＤ１４１の電極は、内側電極１２２または他のＬＥＤ１４１の電極にワイヤ１４２にて接続される（ステップＳ１２）。すなわち、各ＬＥＤ１４１の電極は内側電極１２２に直接的または間接的に接続される。
次に、鏡面領域１２３を覆うように連続基板１２０の上面に、封止層１３の元の部材である封止シートが配置される（ステップＳ１３）。図８は封止シート１３０が連続基板１２０上に貼付された状態を示す図である。封止シート１３０は細長く、横方向に並ぶ鏡面領域１２３に沿って配置される。換言すれば、封止シート１３０は、複数の基板部１２ａを跨いで連続基板１２０の上面に配置される。封止シート１３０は非常に柔らかく、複数のＬＥＤ１４１およびワイヤ１４２が内部へと入り込んでこれらの周囲を覆う。
その後、封止シート１３０は加熱されて硬化する（ステップＳ１４）。これにより、封止シート１３０は、複数の基板部１２ａを跨いで連続基板１２０の上面に接合された封止層となる。以下、この封止層にも符号１３０を付す。封止層１３０は、図３の封止層１３の連続体である。また、封止シート１３０の硬化により、複数の発光装置１１が連続する発光装置集合体１１０が完成する。
発光装置集合体１１０は、上下から円形のカッタに挟まれるようにして切断され、切断片が図３に示す発光装置１１となる（ステップＳ１５）。このとき、連続基板１２０および封止層１３０が同時に切断されるようにして、各基板１２に対応する部位が分離される。その結果、図３に示すように、封止層１３は平面視した際に矩形となる。また、平面視において、封止層１３の互いに反対側の一対のエッジである左右のエッジ１３６が、基板１２の一対のエッジである左右のエッジ１２６と一致する。
図９は、連続基板１２０の他の例を示す平面図である。図９の連続基板１２０では、鏡面領域１２３が左右方向に連続して存在する。すなわち、鏡面領域１２３が、複数の基板部１２ａを跨いで連続基板１２０の上面に存在する。ただし、基板部１２ａと基板部１２ａとの間には、切断用の切り込みが鏡面領域１２３に設けられてもよい。鏡面領域１２３が連続することにより、連続基板１２０の製造コストを削減することができる。連続基板１２０を利用して発光装置１１が製造される場合、図１０に示すように、各基板１２上において鏡面領域１２３は基板１２の左右の一対のエッジ１２６まで存在する。鏡面領域１２３をこのように設けることにより、鏡面領域１２３が基板１２のエッジ１２６まで存在しない場合に比べて、発光装置１１の発光効率をより向上することができる。なお、エッジ１２６上に微小な面取りが存在する場合は、鏡面領域１２３は、面取り領域に接する位置まで存在する。
図１１は、封止シート１３０の断面図である。図１２は、封止シート１３０の製造方法を説明する説明図である。
封止シート１３０は、長尺な平帯形状の剥離フィルム３１と、剥離フィルム３１の上に積層される第１蛍光体層３２と、第１蛍光体層３２の上に積層される第２蛍光体層３３とを備える。図８の封止シート１３０は、剥離フィルム３１が剥がされた状態である。
封止シート１３０を製造するには、図１２．Ａに示すように、まず、剥離フィルム３１の上に第１蛍光体層３２が形成される。剥離フィルム３１は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、シリコーン樹脂フィルム、スチレン樹脂フィルム、フッ素樹脂フィルムなどの樹脂フィルムから形成されている。なお、剥離フィルム３１の表面は、離型処理が施されていてもよい。
剥離フィルム３１の厚さは、例えば、２０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜５０μｍである。剥離フィルム３１の厚さが上記の範囲内であれば、コストの増大を抑制しながら、良好なハンドリング性（剥離フィルム３１を封止シート１３０の他の部位から剥離させるときのハンドリング性）を実現することができる。
第１蛍光体層３２は、必須成分として、蛍光体と成形樹脂とを含有している。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することができる黄色蛍光体や、青色光を赤色光に変換することができる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕなどのα−サイアロン蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２:Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２:Ｃｅ（ＴＡＧ：Ｃｅ）などのガーネット型蛍光体が挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕなどの窒化物蛍光体が挙げられる。
蛍光体としては、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、シリケート蛍光体、より一層好ましくは、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））が挙げられる。蛍光体が（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））であると、種々の発光波長を有する蛍光体を容易に得ることができ、ひいては、発光装置１１において、青色光を黄色光に変換する発光波長バリエーションを豊富に実現できるという効果がある。
蛍光体は、例えば、粒子状であり、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布において、小粒径側からの通過分積算５０％の粒子径（いわゆるメジアン径（Ｄ５０））は、例えば、０．１〜１００μｍ、好ましくは、１〜３０μｍである。
成形樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ウレタン樹脂、ポリオレフィン樹脂などの光を透過する樹脂が挙げられ、好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。これらの成形樹脂は、単独（１種類のみ）で用いることもでき、２種以上併用することもできる。成形樹脂がシリコーン樹脂を含有すると、物理特性と電気的特性とから、幅広い温度・湿度条件や過酷な環境に耐えることができるという効果がある。
また、成形樹脂は、シリコーン樹脂を、好ましくは、７０質量％、より好ましくは、９０質量％、より一層好ましくは、１００質量％（すなわち、シリコーン樹脂のみ）含有する。シリコーン樹脂は、市販されており、例えば、ＥＲＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５などのＥＲＡＳＴＯＳＩＬシリーズ（旭化成ワッカーシリコーン製）などのシリコーンエラストマーが挙げられる。
なお、成形樹脂中にシリコーン樹脂を含有している場合には、シリコーン樹脂の架橋密度を調整することにより、第１蛍光体層３２の弾性を、外力や封止時の圧力によっても一定の厚さを維持可能な弾性に調整することができる。
また、第１蛍光体層３２には、任意成分として、硬化剤、硬化促進剤、老化防止剤、変性剤、界面活性剤、染料、顔料、変色防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を配合することができる。また、第１蛍光体層３２には、任意成分として、例えば、シリコーン樹脂微粒子などの有機粒子、例えば、シリカ微粒子、硫酸バリウム、炭酸バリウム、チタン酸バリウムなどの無機粒子を配合することができる。これらの有機粒子および無機粒子は、単独（１種類のみ）で用いることもでき、２種以上併用することもできる。
第１蛍光体層３２を形成するには、まず、成形樹脂、もしくは、成形樹脂の溶液に、蛍光体を配合して、混合し、成形樹脂組成物を調製する。成形樹脂組成物中の蛍光体の質量基準の含有割合（固形分換算、以下、質量割合とする。）は、目的とする第１蛍光体層３２に含まれる蛍光体の体積基準の含有割合（以下、体積割合とする。）から、逆算して設定すればよい。
なお、成形樹脂組成物中の蛍光体の体積割合は、下記式（１）により算定することができる。
式（１）：
蛍光体の体積割合＝（蛍光体の質量割合／蛍光体の比重）÷{（蛍光体の質量割合／蛍光体の比重）＋（成形樹脂の質量割合／成形樹脂の比重）}
次いで、得られた成形樹脂組成物を、剥離フィルム３１の上に塗布し、乾燥して、第１蛍光体層３２を得る。成形樹脂組成物を剥離フィルム３１上に塗布する方法としては、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの方法が挙げられる。剥離フィルム３１上に塗布された成形樹脂組成物は、特に限定されないが、例えば、８０〜１５０℃、好ましくは、９０〜１５０℃で、例えば、５〜６０分加熱されることにより、乾燥される。
得られた第１蛍光体層３２の厚さは、例えば、３０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜７００μｍ、さらに好ましくは、３００〜６００μｍである。また、得られた第１蛍光体層３２中の蛍光体の体積割合は、蛍光体の種類にもよるが、蛍光体が（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕである場合には、例えば、０．１〜９９．９体積％、好ましくは、１〜９９体積％、さらに好ましくは、２〜１５体積％である。
次に、図１２．Ｂに示すように、第１蛍光体層３２の上に第２蛍光体層３３が形成される。第２蛍光体層３３は、必須成分として、蛍光体と封止樹脂とを含有している。蛍光体としては、例えば、上記した第１蛍光体層３２で例示される蛍光体と同様の蛍光体が挙げられる。
封止樹脂としては、上記した第１蛍光体層３２で例示される成形樹脂と同様の樹脂が挙げられ、好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。これらの封止樹脂は、単独（１種類のみ）で用いることもでき、２種以上併用することもできる。封止樹脂がシリコーン樹脂を含有すると、物理特性と電気的特性とから、幅広い温度・湿度条件や過酷な環境に耐えることができるという効果がある。
シリコーン樹脂としては、好ましくは、２つの反応系（硬化反応における反応系）を有するシリコーン樹脂、および、変性シリコーン樹脂が挙げられる。２つの反応系を有するシリコーン樹脂としては、例えば、シラノール縮合とヒドロシリル化反応との２つの反応系を有するシリコーン樹脂（例えば、後述する実施例において調製される封止樹脂など）が挙げられる。
変性シリコーン樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂のシロキサン骨格中の一部のＳｉ原子が置換されたヘテロシロキサン骨格（例えば、Ｓｉ原子がＢ原子に置換されたボロシロキサン、Ｓｉ原子がＡｌ原子に置換されたアルミノシロキサン、Ｓｉ原子がＰ原子に置換されたホスファーシロキサン、Ｓｉ原子がＴｉ原子に置換されたチタナーシロキサンなど）を有するシリコーン樹脂が挙げられる。
また、第２蛍光体層３３には、任意成分として、例えば、シリコーン樹脂微粒子などの有機粒子、例えば、シリカ微粒子、硫酸バリウム、炭酸バリウム、チタン酸バリウムなどの無機粒子を配合することができる。これらの有機粒子および無機粒子は、単独（１種類のみ）で用いることもでき、２種以上併用することもできる。
第２蛍光体層３３を形成するには、まず、封止樹脂、もしくは、封止樹脂の溶液に、蛍光体を配合して、混合し、封止樹脂組成物を調製する。封止樹脂組成物中の蛍光体の質量割合（固形分換算）は、上記した成形樹脂組成物中の蛍光体の質量割合と同様に、目的とする第２蛍光体層３３に含まれる蛍光体の体積割合から、逆算して設定すればよい。
なお、封止樹脂組成物中の蛍光体の体積割合は、下記式（２）により算定することができる。
式（２）：
蛍光体の体積割合＝（蛍光体の質量割合／蛍光体の比重）÷{（蛍光体の質量割合／蛍光体の比重）＋（封止樹脂の質量割合／封止樹脂の比重）}
次いで、得られた封止樹脂組成物を、第１蛍光体層３２の上に塗布し、乾燥して、第２蛍光体層３３を得る。封止樹脂組成物を第１蛍光体層３２の上に塗布する方法としては、例えば、上記した成形樹脂組成物を剥離フィルム３１の上に塗布する方法と同様の方法を用いることができる。
第１蛍光体層３２上に塗布された封止樹脂組成物は、例えば、５０〜１６０℃、好ましくは、８０〜１５０℃で、例えば、５〜３００分加熱されることにより、乾燥される。得られた第２蛍光体層３３の厚さは、半導体発光素子の封止性や作業性、半導体発光素子の白色化の観点から、例えば、３０〜２０００μｍ、好ましくは、２００〜１０００μｍ、さらに好ましくは、４００〜８００μｍである。
第２蛍光体層３３の厚さと、第１蛍光体層３２の厚さとの比率は、例えば、５：５〜９：１、好ましくは、５．５：４．５〜７：３である。また、得られた第２蛍光体層３３中の蛍光体の体積割合は、蛍光体の種類にもよるが、蛍光体が（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕである場合には、例えば、０．１〜９９．９体積％、好ましくは、０．１〜４体積％である。
第１蛍光体層３２中の蛍光体の含有割合と、第２蛍光体層３３中の蛍光体の含有割合とは、封止したＬＥＤ１４１を発光させたときに白色光となるように、全光束測定におけるＣＩＥ−ｙが０．３２〜０．３７となるように調整されていることが好ましい。全光束測定におけるＣＩＥ−ｙは、例えば、瞬間マルチ測光システム（ＭＣＰＤ−９８００、大塚電子社製）などを用いて、積分球方式で測定される。
なお、封止シート１３０は、剥離フィルム３１を除いて、大きく分けて２層構造であるが、第２蛍光体層３３は、複数の層を積層することにより、上記の厚さに形成することもできる。
封止シート１３０の形状およびサイズは、封止対象（ＬＥＤ１４１）の形状、サイズおよび個数に応じて適宜調節可能である。
得られた封止シート１３０において、第１蛍光体層３２中の蛍光体の体積と、第２蛍光体層３３中の蛍光体の体積との比率は、例えば、９０：１０〜５５：４５、好ましくは、８０：２０〜６０：４０に調整されている。
図１３．Ａおよび図１３．Ｂは、連続基板１２０に封止シート１３０が貼付される様子を説明する図である。図１４は、発光装置集合体１１０の概略構成図である。これらの図では、ＬＥＤ１４１やワイヤの様子を簡略化して示している。
図１３．Ａに示すように、ＬＥＤ１４１を封止するには、まず、互いに間隔を隔てて配置される複数のＬＥＤ１４１が実装されている連続基板１２０を、略平板形状のプレス装置のベース板９１上に載置し、連続基板１２０の上方に、第２蛍光体層３３とＬＥＤ１４１とが上下方向に対向するように、封止シート１３０が配置される。
次いで、ベース板９１との間で封止シート１３０を挟むように、プレス板９２をベース板９１に向かって近接させて、封止シート１３０を連続基板１２０に向かって押圧し、その後、プレス板９２を加熱する。プレス板９２の温度は、例えば、１２０〜２００℃、好ましくは、１４０〜１８０℃である。プレス板９２の封止シート１３０に対する押圧力は、例えば、０．０１〜１０ＭＰａ、好ましくは、０．１〜４ＭＰａである。
これにより、図１３．Ｂに示すように、ＬＥＤ１４１が、第２蛍光体層３３内に埋没される。引き続き第１蛍光体層３２および第２蛍光体層３３を加熱することにより、第１蛍光体層３２を硬化させて第１蛍光層４２を形成するとともに、第２蛍光体層３３を硬化させて第２蛍光層４３を形成する。第１蛍光層４２と第２蛍光層４３とにより、２層構造の封止層１３０が構成される。第２蛍光層４３は封止層１３０の下層である。第２蛍光層４３は、連続基板１２０の上面に接し、実質的にＬＥＤ１４１の周囲を覆ってＬＥＤ１４１を封止する層である。第１蛍光層４２は封止層１３０において下層上に位置する上層である。最後に、剥離フィルム３１を剥離して、図１４に示すように、発光装置集合体１１０を得る。
発光装置集合体１１０では、ＬＥＤ１４１と第１蛍光層４２との対向方向（図１４における紙面上下方向）における第１蛍光層４２の表面と、ＬＥＤ１４１との距離Ｘは、例えば、５００〜２０００μｍ、好ましくは、６００〜１０００μｍである。対向方向と直交する方向（図１４における紙面左右方向）における第２蛍光層４３の表面（正確には、図３に示す封止層１３の全周のエッジ）と、ＬＥＤ１４１（第２蛍光層４３の側面に最も近接するＬＥＤ１４１）との距離Ｙは、例えば、５００〜５０００μｍ、好ましくは、１０００〜３０００μｍである。距離Ｘと距離Ｙとの比率は、例えば、１：１０〜４：１、好ましくは、１：５〜２：１である。
封止シート１３０では、第１蛍光体層３２中の蛍光体の体積と、第２蛍光体層３３中の蛍光体の体積との比率が、９０：１０〜５５：４５に調整されている。そのため、発光装置１１では、第１蛍光層４２中の蛍光体の体積と、第２蛍光層４３中の蛍光体の体積との比率が、９０：１０〜５５：４５に調整されている。その結果、発光装置１１からの光の色度が視野角に応じて変動することを低減することができる。
なお、第１蛍光体層３２中の蛍光体の含有割合が上記範囲（９０）を超過すると、発光装置１１を視認する角度（視野角）によって、発光装置１１からの光の色度が大きく変動するという不具合がある。第２蛍光体層３３中の蛍光体の含有割合が上記範囲（４５）を超過すると、発光装置１１を視認する角度（視野角）によって、発光装置１１からの光の色度が大きく変動するという不具合がある。
発光装置１１では、図１４に示すように、第２蛍光層４３の側面と、ＬＥＤ１４１との距離Ｙは、第１蛍光層４２の表面と、ＬＥＤ１４１との距離Ｘよりも長い。そのため、第１蛍光層４２を通過せずに第２蛍光層４３の側面を通過する光を、第２蛍光層４３の蛍光体により白色化することができる。
次に、封止シート１３０の各実施例および各比較例について説明する。封止シート１３０はこれらの実施例等により何ら限定されるものではない。
１．成形樹脂の調製
ＥＲＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５（旭化成ワッカー社製、ジメチルシロキサン骨格誘導体）のＡ液とＢ液とを１：１の比率で混合して、成形樹脂を調製した。得られた成形樹脂の比重は、１．０ｇ／ｃｍ３であった。
２．封止樹脂の調製
４０℃に加温したシラノール基両末端ポリシロキサン（下記式（１）中、Ｒ１がすべてメチル、ｎの平均が１５５、数平均分子量１１，５００、シラノール基当量０．１７４ｍｍｏｌ／ｇ）２０３１ｇ（０．１７７モル）に対して、ビニルトリメトキシシラン１５．７６ｇ（０．１０６モル）、および、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン２．８０ｇ（０．０１１８モル）とを配合して、撹拌混合した。
なお、ビニルトリメトキシシランおよび（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシランのメトキシシリル基（ＳｉＯＣＨ３）に対する、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサンのシラノール基（ＳｉＯＨ）のモル比（シラノール基のモル数／メトキシシリル基の総モル数）は、１／１であった。
撹拌混合後、水酸化テトラメチルアンモニウムのメタノール溶液（縮合触媒、濃度１０質量％）０．９７ｍＬ（触媒含量：０．８８ミリモル、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン１００モルに対して０．５０モルに相当）を加え、４０℃で１時間撹拌した。得られた混合物（オイル）を４０℃の減圧下（１０ｍｍＨｇ）で、１時間撹拌しながら、揮発分（メタノールなど）を除去した。
その後、系を常圧に戻した後、反応物に、オルガノハイドロジェンシロキサン（信越化学工業社製、数平均分子量２，０００、ヒドロシリル基当量７．１４ｍｍｏｌ／ｇ）４４．５ｇ（０．０２２モル）を加え、４０℃で１時間撹拌した。
なお、オルガノハイドロジェンシロキサンのヒドロシリル基（ＳｉＨ基）に対する、ビニルトリメトキシシランのビニル基（ＣＨ２＝ＣＨ−）のモル比（ＣＨ２＝ＣＨ−／ＳｉＨ）は、１／３であった。
その後、系に、白金−カルボニル錯体のシロキサン溶液（付加触媒、白金濃度２質量％）０．１３ｍＬ（白金として、オルガノハイドロジェンシロキサン１００質量部に対して５．８×１０−３質量部に相当）を加えて、４０℃で１０分間攪拌して、封止樹脂を得た。
得られた封止樹脂の比重は、１．０ｇ／ｃｍ３であった。
Figure 2013183089
３．各実施例および各比較例
実施例１
（封止シートの作成）
成形樹脂８５ｇに蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕ（バリウムオルソシリケート）比重：４．８ｇ／ｃｍ３）１５ｇを配合し、１時間、撹拌混合して、蛍光体を１５質量％含有した成形樹脂組成物を調製した。
得られた成形樹脂組成物を剥離フィルム（ポリエステルフィルム：ＳＳ４Ｃ、ニッパ社製、厚さ５０μｍ）上に４００μｍの厚さで塗工し、１００℃で１０分間乾燥して、剥離フィルム上に積層された第１蛍光体層を形成した（図１２．Ａ参照）。
次いで、封止樹脂９３ｇに蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕ（バリウムオルソシリケート））７ｇを配合し、混合して、蛍光体を７質量％含有した封止樹脂組成物を調製した。
得られた封止樹脂組成物を第１蛍光体層の上に６００μｍの厚さで塗工し、１３５℃で５分乾燥した。これにより、封止樹脂組成物を半硬化させて、第２蛍光体層を形成した（図１２．Ｂ参照）。
これにより、封止シートを得た。
第１蛍光体層に含まれる蛍光体の体積と、第２蛍光体層に含まれる蛍光体の体積との比率を、表１に示す。
（発光装置の作成）
ＬＥＤアレイ基板（外寸２２ｍｍ×１５ｍｍのメタル基板に、１２ｍｍφ、深さ１５０μｍの凹部が形成され、凹部内に３ｍｍ間隔で、９つ（３つ（縦）×３つ（横））の青色発光ダイオードチップが搭載されたＬＥＤアレイ基板）に対して、封止シートを、第２蛍光体層が青色発光ダイオードチップに対向するように配置した（図１３．Ａ参照）。
金属製のプレス板を用いて、封止シートを、１６０℃で加熱しながら、青色発光ダイオードチップに向かって０．１ＭＰａの圧力で５分間押圧し、青色発光ダイオードチップを封止した。
最後に、剥離フィルムを剥離して、発光装置を得た。
実施例２
（封止シートの作成）
成形樹脂組成物に蛍光体を１６．５質量％含有させ、封止樹脂組成物に蛍光体を６質量％含有させた以外は、上記した実施例１と同様にして、封止シートを得た。
第１蛍光体層に含まれる蛍光体の体積と、第２蛍光体層に含まれる蛍光体の体積との比率を、表１に示す。
（発光装置の作成）
上記した実施例１と同様にして、得られた封止シートを用いて青色発光ダイオードチップを封止し、発光装置を得た。
実施例３
（封止シートの作成）
成形樹脂８３ｇに蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕ（バリウムオルソシリケート））１７ｇを配合し、１時間、撹拌混合して、蛍光体を１７質量％含有した成形樹脂組成物を調製した。
得られた成形樹脂組成物を剥離フィルム（ポリエステルフィルム：ＳＳ４Ｃ、ニッパ社製、厚さ５０μｍ）上に５００μｍの厚さで塗工し、１００℃で１０分間乾燥して、剥離フィルム上に積層された第１蛍光体層を形成した（図１２．Ａ参照）。
次いで、封止樹脂９５ｇに蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４:Ｅｕ（バリウムオルソシリケート））５ｇを配合し、混合して、蛍光体を５質量％含有した封止樹脂組成物を調製した。
得られた封止樹脂組成物を第１蛍光体層の上に６００μｍの厚さで塗工し、１３５℃で５分乾燥した。これにより、封止樹脂組成物を半硬化させて、第２蛍光体層を形成した（図１２．Ｂ参照）。
これにより、封止シートを得た。
第１蛍光体層に含まれる蛍光体の体積と、第２蛍光体層に含まれる蛍光体の体積との比率を表１に示す。
実施例４
（封止シートの作成）
成形樹脂組成物に蛍光体を２０質量％含有させ、封止樹脂組成物に蛍光体を３質量％含有させた以外は、上記した実施例３と同様にして、封止シートを得た。
第１蛍光体層に含まれる蛍光体の体積と、第２蛍光体層に含まれる蛍光体の体積との比率を、表１に示す。
（発光装置の作成）
上記した実施例１と同様にして、得られた封止シートを用いて青色発光ダイオードチップを封止し、発光装置を得た。
比較例１
（封止シートの作成）
成形樹脂組成物に蛍光体を２３質量％含有させ、封止樹脂組成物に蛍光体を１質量％含有させた以外は、上記した実施例３と同様にして、封止シートを得た。
第１蛍光体層に含まれる蛍光体の体積と、第２蛍光体層に含まれる蛍光体の体積との比率を、表１に示す。
（発光装置の作成）
上記した実施例１と同様にして、得られた封止シートを用いて青色発光ダイオードチップを封止し、発光装置を得た。
比較例２
（封止シートの作成）
成形樹脂組成物に蛍光体を６３質量％含有させ、封止樹脂組成物に蛍光体を含有させなかった以外は、上記した実施例１と同様にして、封止シートを得た。
第１蛍光体層に含まれる蛍光体の体積と、第２蛍光体層に含まれる蛍光体の体積との比率を、表１に示す。
（発光装置の作成）
上記した実施例１と同様にして、得られた封止シートを用いて青色発光ダイオードチップを封止し、発光装置を得た。
比較例３
（封止シートの作成）
封止樹脂組成物に蛍光体を１３．５質量％含有させ、第１蛍光体層を形成せずに剥離フィルムの上に第２蛍光体層を形成した以外は、上記した実施例１と同様にして、封止シートを得た。
第１蛍光体層に含まれる蛍光体の体積と、第２蛍光体層に含まれる蛍光体の体積との比率を、表１に示す。
（発光装置の作成）
上記した実施例１と同様にして、得られた封止シートを用いて青色発光ダイオードチップを封止し、発光装置を得た。
４．発光装置の発光測定評価
（１）配光特性評価
各実施例および各比較例で得られた発光装置を２７０ｍＡで点灯し、ＬＥＤ配光測定システム（ＧＰ−１０００、大塚電子社製）により、０°（第１蛍光層と発光ダイオードとの対向方向）から８５°（対向方向と直交する方向）の範囲で、視野角度を変更しながら色度（ＣＩＥ−ｙ）を測定した。結果を図１５に示す。
また、測定された最大色度と最小色度との差（最大色度差）を表１に示す。最大色度差が小さいほど視野角度による色度変化が小さく、配光特性が優れている。
また、発光装置の側面（対向方向と直交する方向の面）から出射される光の色を目視により、下記の基準に従って評価した。結果を表１に示す。
（目視評価の評価基準）
○：光が白色に見える。
×：光が青色または黄色に見える。
（２）全光束測定
各実施例および各比較例で得られた発光装置を２７０ｍＡで点灯し、瞬間マルチ測光システム（ＭＣＰＤ−９８００、大塚電子社製）により、積分球方式で色度（ＣＩＥ−ｙ）を測定した。結果を表１に示す。
Figure 2013183089
以上、発光装置１１および照明装置２０について説明したが、発光装置１１の封止層１３の上層である第１蛍光層４２の単位面積当たりの蛍光体の含有量が、封止層１３の下層である第２蛍光層４３の単位面積当たりの蛍光体の含有量よりも多いため、発光装置１１および照明装置２０から出射される光の色度が視野角に応じて変動することを、容易に低減することができる。なお、「単位面積当たりの蛍光体の含有量」とは、基板１２の法線に沿って平面視した場合の単位面積当たりの蛍光体の含有量を指す。
さらに、ＬＥＤ１４１が鏡面領域１２３内に配置されるため、第１蛍光層４２および第２蛍光層４３にて生じる蛍光を効率よく所望の出射方向へと導出することができる。その結果、発光装置１１の発光効率を向上することができる。封止層１３は鏡面領域１２３上に配置されるため、封止層１３と基板１２との接合強度が向上する。
また、封止シート１３０を利用して封止層１３を形成するため、蛍光体を塗布する場合と比べて、作業時間が削減され、かつ、蛍光体の沈降速度や樹脂量のばらつきによる明るさや発光色のばらつきも低減することができる。封止層１３は比較的厚いためＬＥＤ１４１からの光が十分に分散し、ＬＥＤ上に蛍光体を塗布する場合に比べて、封止層１３の発光ムラも低減される。封止層１３は矩形であるため、封止シート１３０のロスを削減することができる。また、封止層１３が基板１２のエッジ１２６まで存在するため、発光面積を大きくすることができる。
図１６は、他の例に係る発光装置１１ａを示す平面図である。発光装置１１ａの基板１２は細長い。封止層１３は基板１２の長手方向に沿って基板１２の上面に配置される。封止層１３の両側には、外側電極１２１が設けられる。
図１７は、封止層１３を取り除いた状態（すなわち、封止シート１３０の貼付前の状態）の発光装置１１ａを示す平面図である。基板１２の上面は、基板１２の長手方向に延びる細長い鏡面領域１２３を含む。鏡面領域１２３の図１７における上下両側には、細長い内側電極１２２が配置される。外側電極１２１と内側電極１２２とは電気的に繋がっている。鏡面領域１２３内には、複数のＬＥＤ１４１が配置される。基板１２の基本構造は図５と同様である。すなわち、基板１２の主要部分はアルミニウム基板１５１であり、鏡面領域１２３はアルミニウム基板１５１の表面である。封止シート１３０および封止層１３の構造も図３の発光装置１１の場合と同様である。
図１７に示す例では、ＬＥＤ１４１は鏡面領域１２３に沿って一列に配置される。一対の内側電極１２２の間にて、ＬＥＤ１４１は３個ずつ直列に接続される。もちろん、ＬＥＤ１４１の接続はこの形態には限定されず、一対の内側電極１２２に各ＬＥＤ１４１が独立して接続されてもよく、２個または４個以上のＬＥＤ１４１が一対の内側電極１２２の間にて直列に接続されてもよい。ＬＥＤ１４１の電極間を接続するワイヤ１４２、および、内側電極１２２とＬＥＤ１４１の電極とを接続するワイヤ１４２は、鏡面領域１２３と非接触である。図４の場合と同様に、鏡面領域１２３内に接続パッドを設けないことにより、発光装置１１ａからの光の導出効率を向上することができる。
封止層１３は、鏡面領域１２３に沿って基板１２の上面に接合される。一対の内側電極１２２は封止層１３にて覆われる。これにより、ＬＥＤ１４１の接続に関連する部位全体が封止層１３にて保護される。基板１２では、４個の外側電極１２１が基板１２の四隅近傍に設けられる。複数の発光装置１１ａを長手方向に並べてライン状の照明装置を得る場合、隣接する基板１２の外側電極１２１同士が、配線で接続される。封止層１３は基板１２の両端のエッジまで存在するため、複数の発光装置１１ａが長手方向に接して並べられる場合、封止層１３も長手方向にほぼ連続するように存在し、ライン状の照明のつなぎ目が目立たなくなる。なお、ライン状の発光領域を有する発光装置１１ａでは、ＬＥＤ１４１は鏡面領域１２３に沿って配置されるのであれば様々な態様にて配置されてよい。例えば、二列以上に、あるいは、千鳥状に配置されてもよい。
発光装置１１ａの製造方法は、基板１２の形状やＬＥＤ１４１の配置が異なるという点を除いて、図３の発光装置１１の場合と同様である。
まず、図１８示すように、複数の基板１２に対応する基板部１２ａを含む連続基板１２０が準備される。鏡面領域１２３内にＬＥＤ１４１が配置される（図６：ステップＳ１１）。さらに、内側電極１２２とＬＥＤ１４１の電極、および、ＬＥＤ１４１の電極同士がワイヤ１４２にて接続される（ステップＳ１２）。２層構造の封止シート１３０が鏡面領域１２３を覆うように基板部１２ａの上面に貼付され（ステップＳ１３）、ＬＥＤ１４１の周囲が第２蛍光体層３３により覆われる。加熱により封止シート１３０が硬化されて封止層１３となる（ステップＳ１４）。ただし、図８の場合と異なり、１つの封止シート１３０が１つの発光装置１１ａの封止層１３となる。最後に、連続基板１２０の各基板部１２ａが分離されることにより、発光装置１１ａが得られる（ステップＳ１５）。
発光装置１１ａにおいても、封止層１３の上層である第１蛍光層４２の単位面積当たりの蛍光体の含有量が、封止層１３の下層である第２蛍光層４３の単位面積当たりの蛍光体の含有量よりも多いため、発光装置１１ａから出射される光の色度が視野角に応じて変動することが容易に低減される。さらに、ＬＥＤ１４１が鏡面領域１２３内に配置されるため、第１蛍光層４２および第２蛍光層４３にて生じる蛍光を効率よく導出することができる。封止層１３は鏡面領域１２３上に配置されるため、封止層１３と基板１２との接合強度が向上される。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
半導体発光素子は発光ダイオードには限定されない。半導体装置製造技術を利用した他の発光素子であってもよい。基板１２は、アルミニウム以外の金属や熱伝導性に優れた他の材料を主要部として有するものであってもよい。なお、発光装置１１は、連続基板１２０から製造されるのではなく、基板１２を用いて個別に製造されてもよい。この場合、図６のステップＳ１５は省かれる。
封止層１３は、実質的に２層構造として捉えることができるのであれば、厳密な意味で２層構造である必要はない。例えば、封止層１３が、下方の層ほど蛍光体の含有量が少ない３層を有し、上の２層が、蛍光体を多く含有する上層と捉えられ、下の１層がＬＥＤ１４１を封止する下層と捉えられてもよい。１つの鏡面領域１２３に配置されるＬＥＤ１４１の個数は１つでもよい。
上記実施の形態では、剥離フィルム３１の上に第１蛍光体層３２および第２蛍光体層３３を順次積層したが、例えば、第１蛍光体層３２と第２蛍光体層３３とを、それぞれ別のフィルムに形成し、その後、第１蛍光体層３２と第２蛍光体層３３とを熱圧着などの方法により貼り合わせてもよい。また、上記実施の形態では、ＬＥＤ１４１を封止シート１３０で封止した後に剥離フィルム３１を剥離したが、封止シート１３０から剥離フィルム３１を剥離した後に、ＬＥＤ１４１を封止してもよい。
上記実施の形態では、略平板形状のプレス板９２で、封止シート１３０を基板１２に対して加圧したが、プレス板９２に代えて、所定形状の成形金型を用いて加圧することもできる。
上記実施形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
１１ 発光装置
１２ 基板
１２ａ 基板部
１３ 封止層
２０ 照明装置
２１ 筐体
２７ 窓部
４２ 第１蛍光層
４３ 第２蛍光層
１１０ 発光装置集合体
１２０ 連続基板
１２２ 内側電極
１２３ 鏡面領域
１３０ 封止シート（封止層）
１４１ ＬＥＤ
１４２ ワイヤ
１５１ アルミニウム基板
１５３ 絶縁層
１５４ 配線
Ｓ１１〜Ｓ１５ ステップ

Claims (12)

  1. 発光装置であって、
    上面が鏡面領域を含む基板と、
    前記鏡面領域内に配置された半導体発光素子と、
    前記基板の前記上面に接合される封止層と、
    を備え、
    前記封止層が、
    前記基板の前記上面に接して前記半導体発光素子の周囲を覆い、蛍光体を含有する下層と、
    前記下層上に位置し、前記下層よりも単位面積当たりの蛍光体の含有量が多い上層と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項１に記載の発光装置であって、
    前記基板が、
    アルミニウム基板と、
    前記アルミニウム基板上に配置された絶縁層と、
    前記絶縁層上に形成された配線と、
    を含み、
    前記鏡面領域が、前記アルミニウム基板の表面であることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項１または２に記載の発光装置であって、
    前記封止層が矩形であり、前記封止層の互いに反対側の一対のエッジが、前記基板の一対のエッジと一致することを特徴とする発光装置。
  4. 請求項３に記載の発光装置であって、
    前記鏡面領域が、前記基板の前記一対のエッジまで存在することを特徴とする発光装置。
  5. 請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置であって、
    前記鏡面領域内に、直列接続される複数の半導体発光素子が配置され、
    前記複数の半導体発光素子を接続するワイヤが、前記鏡面領域と非接触であることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の発光装置であって、
    前記半導体発光素子の電極に接続される前記基板上の電極が、前記封止層にて覆われることを特徴とする発光装置。
  7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置であって、
    前記鏡面領域が細長く、
    複数の半導体発光素子が、前記鏡面領域に沿ってに配置され、
    前記封止層が、前記鏡面領域に沿って前記基板の前記上面上に接合されていることを特徴とする発光装置。
  8. 照明装置であって、
    請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置と、
    前記発光装置が内部に配置される筐体と、
    前記筐体に取り付けられ、前記発光装置からの光が透過する窓部と、
    を備えることを特徴とする照明装置。
  9. 発光装置集合体であって、
    上面が鏡面領域を含み、複数の発光装置の基板に対応する複数の部位を有する連続基板と、
    前記鏡面領域内に配置された複数の半導体発光素子と、
    前記複数の発光装置の基板に対応する前記複数の部位を跨いで前記連続基板の前記上面に接合される封止層と、
    を備え、
    前記封止層が、
    前記連続基板の前記上面に接して前記複数の半導体発光素子の周囲を覆い、蛍光体を含有する下層と、
    前記下層上に位置し、前記下層よりも単位面積当たりの蛍光体の含有量が多い上層と、
    を備えることを特徴とする発光装置集合体。
  10. 請求項９に記載の発光装置集合体であって、
    前記鏡面領域が、前記複数の発光装置の基板に対応する前記複数の部位を跨いで前記連続基板の前記上面に存在することを特徴とする発光装置集合体。
  11. 発光装置の製造方法であって、
    基板の上面に設けられた鏡面領域内に、半導体発光素子を配置する工程と、
    前記半導体発光素子と、前記基板の電極とを接続する工程と、
    前記基板の前記上面に２層構造の封止シートを配置することにより、前記封止シートの下層にて前記半導体発光素子の周囲を覆う工程と、
    前記封止シートを硬化させることにより、前記封止シートを前記上面に接合された封止層とする工程と、
    を備え、
    前記封止層の前記下層および上層が、蛍光体を含有し、
    前記上層の単位面積当たりの蛍光体の含有量が、前記下層よりも多いことを特徴とする発光装置の製造方法。
  12. 発光装置の製造方法であって、
    複数の発光装置の基板に対応する複数の部位を有する連続基板の上面に設けられた鏡面領域内に、複数の半導体発光素子を配置する工程と、
    前記複数の半導体発光素子と、前記連続基板の電極とを接続する工程と、
    前記複数の発光装置の基板に対応する前記複数の部位を跨いで前記連続基板の前記上面に２層構造の封止シートを配置することにより、前記封止シートの下層にて前記複数の半導体発光素子の周囲を覆う工程と、
    前記封止シートを硬化させることにより、前記封止シートを前記上面に接合された封止層とする工程と、
    前記連続基板および前記封止層を切断することにより、前記複数の部位を分離する工程と、
    を備え、
    前記封止層の前記下層および上層が、蛍光体を含有し、
    前記上層の単位面積当たりの蛍光体の含有量が、前記下層よりも多いことを特徴とする発光装置の製造方法。
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TW102107372A TW201338129A (zh) 2012-03-02 2013-03-01 發光裝置集合體及照明裝置
CN2013100665034A CN103296186A (zh) 2012-03-02 2013-03-01 发光装置集合体和照明装置
TW102107373A TW201338216A (zh) 2012-03-02 2013-03-01 發光裝置、照明裝置、發光集合體及發光裝置之製造方法
CN2013100662892A CN103296177A (zh) 2012-03-02 2013-03-01 发光装置、照明装置、发光装置集合体及发光装置的制造方法
CN201320095609.2U CN203150612U (zh) 2012-03-02 2013-03-01 发光装置集合体和照明装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017063193A (ja) * 2015-09-21 2017-03-30 隆達電子股▲ふん▼有限公司 Ｌｅｄチップパッケージ
JP2018525816A (ja) * 2015-08-18 2018-09-06 ジアンスー チェリティ オプトロニクス カンパニー リミテッドＪｉａｎｇｓｕ Ｃｈｅｒｒｉｔｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 直列ローリングによって有機シリコン樹脂光変換体でｌｅｄを貼り合せてパッケージするプロセス方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014135471A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 発光装置、発光装置集合体および電極付基板
KR101778848B1 (ko) * 2015-08-21 2017-09-14 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 어셈블리 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094207A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Sharp Corp 発光装置
JP2009231785A (ja) * 2007-04-16 2009-10-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び発光体
JP2009239036A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ基板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168400A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
JP3983793B2 (ja) * 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
JP4309864B2 (ja) 2005-03-28 2009-08-05 株式会社東芝 照明装置、撮像装置及び携帯端末
US7408204B2 (en) * 2006-08-08 2008-08-05 Huga Optotech Inc. Flip-chip packaging structure for light emitting diode and method thereof
TWI326923B (en) 2007-03-07 2010-07-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode
JP5190993B2 (ja) 2008-11-20 2013-04-24 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP5684700B2 (ja) 2009-03-31 2015-03-18 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
US20110284887A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Shang-Yi Wu Light emitting chip package and method for forming the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231785A (ja) * 2007-04-16 2009-10-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び発光体
JP2009094207A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Sharp Corp 発光装置
JP2009239036A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018525816A (ja) * 2015-08-18 2018-09-06 ジアンスー チェリティ オプトロニクス カンパニー リミテッドＪｉａｎｇｓｕ Ｃｈｅｒｒｉｔｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 直列ローリングによって有機シリコン樹脂光変換体でｌｅｄを貼り合せてパッケージするプロセス方法
JP2017063193A (ja) * 2015-09-21 2017-03-30 隆達電子股▲ふん▼有限公司 Ｌｅｄチップパッケージ

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