TWI545808B - 發光元件轉印片材之製造方法、發光裝置之製造方法、發光元件轉印片材及發光裝置 - Google Patents

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Description

發光元件轉印片材之製造方法、發光裝置之製造方法、發光元件轉印片材及發光裝置
本發明係關於一種發光元件轉印片材之製造方法、發光裝置之製造方法、發光元件轉印片材及發光裝置，詳細而言，本發明係關於一種發光元件轉印片材之製造方法及藉此獲得之發光元件轉印片材、及發光裝置之製造方法及藉此獲得之發光裝置。
近年來，作為可發出高能量之光之發光裝置，已知有白色發光裝置。於白色發光裝置中例如設置有二極體基板、積層於其上且發出藍色光之LED(Light-emitting Diode，發光二極體)、可將藍色光轉換成黃色光且被覆LED之螢光體層、及密封LED之密封層。此種白色發光裝置係由藉由密封層而密封且自二極體基板供給電力之LED發光，藉由將穿透密封層及螢光體層之藍色光與螢光體層中藍色光之一部分經波長轉換而成之黃色光進行混色而發出高能量之白色光。
作為製造此種白色發光裝置之方法，例如提出有以下方法(例如參照日本專利特開2005-191420號公報)。
即，提出有如下方法：首先，形成包含基板部、及自其周部朝上側突出之白色之反射框部的基體，繼而，以於反射框部之內側隔開間隔之方式將半導體發光元件打線接合(Wire Bonding)於基板部之中央藉由反射框部而形成之凹部之底部。
繼而，將螢光體與液狀之環氧樹脂之混合物藉由塗佈填充於凹部，繼而，使螢光體自然沈降於凹部之底部，其後，使環氧樹脂加熱硬化。
於藉由日本專利特開2005-191420號公報所提出之方法而獲得之白色發光裝置中，藉由沈降而形成之以高濃度含有螢光體之螢光體層(波長轉換層)劃分為半導體發光元件之上側之區域，以高濃度含有環氧樹脂之密封部劃分為螢光體層之上側之區域。
並且，於該白色發光裝置中，半導體發光元件放射狀地發出藍色光，其中，自半導體發光元件朝上方發出之藍色光之一部分於螢光體層中轉換成黃色光，同時剩餘部分通過螢光體層。又，自半導體發光元件朝側方發出之藍色光於反射框部反射，繼而朝上側照射。並且，日本專利特開2005-191420號公報之白色發光裝置藉由將該等藍色光及黃色光進行混色而發出白色光。
然而，於藉由日本專利特開2005-191420號公報之製造方法而獲得之白色發光裝置中，光半導體發光元件與反射框部係隔開間隔而配置，故而自光半導體發光元件朝側方發出之光之一部分於反射框部反射前被密封部吸收。其結果，存在光之提取效率降低之不良情況。
本發明之目的在於提供一種可提高發光裝置之光之提取效率的發光元件轉印片材及其製造方法、及使用該發光元件轉印片材而獲得之發光裝置及其製造方法。
本發明之發光元件轉印片材之製造方法之特徵在於包含如下步驟：準備包含於厚度方向一側之面連接有電極部之光半導體層與積層於上述光半導體層之厚度方向另一側之面上之螢光體層的發光元件片材；將上述發光元件片材分割成複數個，形成複數個包含上述電極部、上述光半導體層及上述螢光體層之發光元件；將複數個上述發光元件以上述螢光體層與上述基材相對向之方式相互隔開間隔而配置於基材上；於上述基材上，以被覆上述發光元件之方式形成含有光反射成分之反射樹脂層；及以上述電極部之厚度方向一側之面自上述反射樹脂層露出之方式將上述反射樹脂層去除一部分。
又，本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於包含如下步驟：藉由上述發光元件轉印片材之製造方法而製造發光元件轉印片材；將上述發光元件轉印片材分割成複數個包含至少一個上述發光元件之單片；使上述單片與設置有端子之基底基板於厚度方向對向配置，電性連接上述電極部與上述端子而將上述發光元件覆晶安裝於上述基底基板上。
又，本發明之發光元件轉印片材之特徵在於包含：基材；複數個發光元件，其含有光半導體層、連接於上述光半導體層之厚度方向一側之面之電極部、及積層於上述光半導體層之厚度方向另一側之面上之螢光體層，且以上述螢光體層與上述基材相對向之方式相互隔開間隔而配置於上述基材上；及反射樹脂層，其含有光反射成分，且於上述基材上被覆上述發光元件，並且使上述電極部之厚度方向一側之面露出。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：使將上述發光元件轉印片材分割成複數個而獲得之包含至少一個上述發光元件之單片與設置有端子之基底基板於厚度方向上對向配置，電性連接上述電極部與上述端子而將上述發光元件覆晶安裝於上述基底基板上。
於本發明之發光元件轉印片材之製造方法及藉此而獲得之本發明之發光元件轉印片材中，以被覆發光元件之方式形成含有光反射成分之反射樹脂層。
因此，於使用此種發光元件轉印片材之發光裝置之製造方法及藉此而獲得之發光裝置中，自光半導體層所發出之光於被其他構件吸收前，藉由反射樹脂層之光反射成分而反射。其結果，可提高光之提取效率。
圖1係本發明之發光裝置之一實施形態之剖面圖，圖2係表示本發明之發光元件轉印片材之一實施形態之剖面圖，(a)表示分割前之發光元件轉印片材，(b)表示分割時之發光元件轉印片材。
於圖1中，作為該發光裝置之發光二極體裝置1包含作為基底基板之二極體基板2與含有下述發光元件3之單片9。
二極體基板2呈大致平板狀，具體而言係由在絕緣基板上積層導體層作為電路圖案而成之積層板形成。絕緣基板例如包含矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板等，較佳為包含陶瓷基板，具體而言包含藍寶石(Al2O3)基板。導體層例如由金、銅、銀、鎳等導體形成。該等導體可單獨使用或併用。
又，導體層包含端子6。
端子6係於絕緣基板之上表面上，在面方向上隔開間隔而形成，形成為對應於下述電極部8之圖案。再者，雖未圖示，但端子6經由導體層而電性連接於電力供給部。
單片9包含覆晶安裝於二極體基板2上之至少一個(圖1中為一個)發光元件3、與設置於該發光元件3之側方之反射樹脂層4。
發光元件3包含光半導體層7、連接於光半導體層7之厚度方向一側之面(背面(圖1中之下表面))之電極部8、及積層於光半導體層7之厚度方向另一側之面(表面(圖1中之上表面))之螢光體層5。
雖未圖示，但光半導體層7例如包含於厚度方向依序積層之緩衝層、N形半導體層、發光層及P形半導體層。光半導體層7由公知之半導體材料形成，且藉由磊晶成長法等公知之成長法而形成。光半導體層7之厚度例如為0.1~500 μm，較佳為0.2~200 μm。
電極部8與光半導體層7電性連接，以於厚度方向投影時包含於光半導體層7中之方式形成。又，電極部8例如包含連接於P形半導體層之陽極電極、及形成於N形半導體層上之陰極電極。
電極部8由公知之導體材料形成，其厚度例如為10~1000 nm。
螢光體層5形成於光半導體層7之厚度方向另一側之整個面(表面(圖1中之上表面))上，形成為於厚度方向投影時與光半導體層7之外形形狀為相同圖案之俯視大致矩形狀。
螢光體層5例如由含有螢光體之螢光體組合物形成。
螢光體組合物較佳為含有螢光體及樹脂。
作為螢光體，例如可列舉可將藍色光轉換成黃色光之黃色螢光體。作為此種螢光體，例如可列舉於複合金屬氧化物或金屬硫化物等中摻雜有例如鈰(Ce)或銪(Eu)等金屬原子之螢光體。
具體而言，作為螢光體，可列舉例如Y3Al5O12:Ce(YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔‧鋁‧石榴石)：Ce)、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12：Ce等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體，例如(Sr,Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7：Eu等矽酸鹽螢光體，例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4：Eu等鋁酸鹽螢光體，例如ZnS：Cu,Al、CaS：Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物螢光體，例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體，例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物螢光體，例如K2SiF6: Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系螢光體等。較佳為列舉石榴石型螢光體，進而較佳為列舉Y3Al5O12:Ce(YAG)。
螢光體可單獨使用或併用兩種以上。
螢光體之調配比例例如相對於螢光體組合物，例如為1~50質量%，較佳為5~30質量%。又，螢光體相對於樹脂100質量份之調配比例例如為1~100質量份，較佳為5~40質量份。
樹脂為使螢光體分散之基質，例如可列舉聚矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂等透明樹脂等。就耐久性之觀點而言，較佳為列舉聚矽氧樹脂。
聚矽氧樹脂於分子內主要含有包含矽氧鍵(-Si-O-Si-)之主鏈、及與主鏈之矽原子(Si)鍵結之包含烷基(例如甲基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有機基之支鏈。
具體而言，作為聚矽氧樹脂，例如可列舉脫水縮合型聚矽氧樹脂、加成反應型聚矽氧樹脂、過氧化物硬化型聚矽氧樹脂、濕氣硬化型聚矽氧樹脂、硬化型聚矽氧樹脂等。
較佳為列舉加成反應型聚矽氧樹脂等。
聚矽氧樹脂於25℃下之動黏度例如為10~30 mm2/s。
樹脂可單獨使用或併用兩種以上。
樹脂之調配比例相對於螢光體組合物，例如為50~99質量%，較佳為57~95質量%。
螢光體組合物可藉由以上述調配比例調配螢光體及樹脂並攪拌混合而製備。
螢光體層5之厚度例如為0.1~1000 μm，較佳為0.2~800 μm。
又，發光元件3之厚度(螢光體層5、光半導體層7及電極部8之總厚度)例如為20~500 μm，較佳為50~300 μm。
反射樹脂層4設置於二極體基板2之上表面上俯視時形成有發光元件3之區域以外之區域，具體而言，設置於發光元件3之左右方向兩外側及前後方向兩側，並密接於發光元件3之左表面、右表面、前表面及後表面之各面。藉此，反射樹脂層4使發光元件3之上表面露出。
此種反射樹脂層4例如含有光反射成分，具體而言，反射樹脂層4由含有樹脂及光反射成分之反射樹脂組合物形成。
作為樹脂，例如可列舉熱硬化性聚矽氧樹脂、環氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、熱硬化性胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂，較佳為列舉熱硬化性聚矽氧樹脂、環氧樹脂。
光反射成分例如為白色之化合物，作為此種白色之化合物，具體而言可列舉白色顏料。
作為白色顏料，例如可列舉白色無機顏料，作為此種白色無機顏料，可列舉例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯等氧化物，例如鉛白(碳酸鉛)、碳酸鈣等碳酸鹽，例如高嶺土(高嶺石)等黏土礦物等。
作為白色無機顏料，較佳為列舉氧化物，進而較佳為列舉氧化鈦。
若為氧化鈦，則可獲得較高之白度、較高之光反射性、優異之隱蔽性(隱蔽力)、優異之著色性(著色力)、較高之分散性、優異之耐候性、較高之化學穩定性等特性。
此種氧化鈦具體為TiO2(氧化鈦(IV)、二氧化鈦)。
氧化鈦之結晶結構並無特別限定，例如為金紅石、板鈦礦(Brookite)、銳鈦礦(Anatase)等，較佳為金紅石。
又，氧化鈦之晶系並無特別限定，例如為正方晶系、斜方晶系等，較佳為正方晶系。
氧化鈦之結晶結構及晶系只要為金紅石及正方晶系，則即便於反射樹脂層4長期曝露於高溫下之情形時，亦可有效地防止對光(具體而言為可見光，尤其是波長為450 nm附近之光)之反射率降低。
光反射成分為粒子狀，其形狀並無限定，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。光反射成分之最大長度之平均值(於球狀之情形時為其平均粒徑)例如為1~1000 nm。最大長度之平均值係使用雷射繞射散射式粒度分佈計而測定。
光反射成分之調配比例相對於樹脂100質量份，例如為0.5~90質量份，就著色性及光反射性之觀點而言，較佳為1.5~70質量份。
又，光反射成分之調配比例相對於反射樹脂組合物100質量份，例如為0.5~90質量份，就光反射率及操作性之觀點而言，較佳為1.5~70質量份。
上述光反射成分均勻地分散混合於樹脂中。
又，於反射樹脂組合物中亦可進而添加填充劑。即，可將填充劑與光反射成分(具體而言為白色顏料)併用。
填充劑可列舉除上述白色顏料以外之公知之填充劑，具體而言，可列舉無機填充劑，作為此種無機填充劑，例如可列舉二氧化矽粉末、滑石粉末、氧化鋁粉末、氮化鋁粉末、氮化矽粉末等。
作為填充劑，就降低反射樹脂層4之線膨脹係數之觀點而言，較佳為列舉二氧化矽粉末。
作為二氧化矽粉末，例如可列舉熔融二氧化矽粉末、結晶二氧化矽粉末等，較佳為列舉熔融二氧化矽粉末(即石英玻璃粉末)。
作為填充劑之形狀，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。就優異之填充性及流動性之觀點而言，較佳為列舉球狀。
因此，作為二氧化矽粉末，較佳為列舉球狀熔融二氧化矽粉末。
填充劑之最大長度之平均值(於球狀之情形時為平均粒徑)例如為5~60 μm，較佳為15~45 μm。最大長度之平均值係使用雷射繞射散射式粒度分佈計而測定。
填充劑之添加比例係以填充劑及光反射成分之總量例如相對於樹脂100質量份成為10~80質量份之方式而調整，就降低線膨脹係數及確保流動性之觀點而言，以相對於樹脂100質量份較佳為成為25~75質量份、進而較佳為成為40~60質量份之方式加以調整。
又，就光反射率及操作性之觀點而言，填充劑之添加比例係填充劑及光反射成分之總量相對於反射樹脂組合物100質量份，較佳為1.5~70質量份。
反射樹脂組合物係藉由調配上述樹脂、光反射成分、及根據需要而添加之填充劑並均勻混合而製備。
又，反射樹脂組合物係製備為B階段狀態。
此種反射樹脂組合物例如形成為液狀或半固體狀，其動黏度例如為10~30 mm2/s。
以如上所述之方式，發光元件3之外側面由反射樹脂層4所密封。
再者，如圖1中之虛線所示，於光半導體層7之下側形成有對應於電極部8之厚度之下部間隙12。
於該下部間隙12中亦填充有反射樹脂層4，又，於上述下部間隙12中，反射樹脂層4亦密接於自電極部8露出之光半導體層7之下表面及電極部8之側面。
反射樹脂層4之厚度與上述發光元件3之厚度(螢光體層5、光半導體層7及電極部8之總厚度)相同，具體而言，例如為20~500 μm，較佳為50~300 μm。
如圖2(a)及(b)所示，上述單片9可藉由將發光元件轉印片材10分割成複數個而獲得。
發光元件轉印片材10為用以將發光元件3(及反射樹脂層4)轉印至二極體基板2(參照圖1)上之轉印片材，且藉由以如下所述之方式進行分割而形成複數個(例如3個)單片9。
發光元件轉印片材10包含作為基材之脫模基材14、由脫模基材14支持之複數個(例如3個)發光元件3、及被覆發光元件3之側面之反射樹脂層4。
具體而言，於發光元件轉印片材10中，複數個(例如3個)發光元件3於脫模基材14上，以螢光體層5與脫模基材14相對向之方式相互隔開間隔而配置。又，如上所述，反射樹脂層4於脫模基材14上，以電極部8之厚度方向一側之面(背面(圖2(a)中之上表面)露出之方式被覆發光元件3。
支持該等發光元件3及反射樹脂層4之脫模基材14例如為大致矩形狀之脫模片材(脫模膜)，上表面及下表面形成為平坦狀。
脫模基材14由可藉由加熱而容易地剝離之熱剝離片材形成。熱剝離片材包含支持層15與積層於支持層15之上表面上之黏著層16。
支持層15例如由聚酯等耐熱性樹脂形成。
黏著層16例如由常溫(25℃)下具有黏著性，加熱時黏著性降低(或失去黏著性)之熱膨脹性黏著劑等形成。
上述熱剝離片材可使用市售品，具體而言可使用Revalpha系列(註冊商標，日東電工公司製造)等。
熱剝離片材藉由支持層15而經由黏著層16確實地支持單片9(發光元件3及反射樹脂層4)，並且如下所述，基於因加熱引起之黏著層16之黏著性之降低而自單片9(發光元件3及反射樹脂層4)剝離。
又，由如下成分形成脫模基材14：例如聚烯烴(具體而言為聚乙烯、聚丙烯)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，Ethylene-Vinyl Acetate)等乙烯基聚合物，例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等聚酯，例如聚四氟乙烯等氟樹脂等樹脂材料等。又，脫模基材14亦可由例如鐵、鋁、不鏽鋼等金屬材料等形成。
脫模基材14之厚度例如為10~1000 μm。
圖3係表示圖2所示之發光元件轉印片材10之製造方法之步驟圖。
繼而，參照圖3對製造上述發光元件轉印片材10之方法進行說明。
於該方法中，首先如圖3(a)所示，準備發光元件片材11。
發光元件片材11為整體包含複數個(例如8個)發光元件3之發光元件3之集合體片材，如下所述，藉由分割而形成複數個(例如8個)發光元件3。
具體而言，發光元件片材11包含於面方向上較長之片狀之光半導體層7(光半導體片材)、以對應於各發光元件3之方式連接於該光半導體層7之厚度方向一側之面(背面(圖3(a)中之下表面))上之複數個電極部8、積層於光半導體層7之厚度方向另一側之面(表面(圖3(a)中之上表面))上的於面方向上較長之片狀之螢光體層5。
此種發光元件片材11例如可藉由如下方式獲得：首先，使上述螢光體組合物成形為於面方向上較長之片狀，例如加熱至50~150℃而乾燥，藉此形成螢光體層5，繼而，藉由公知之方法將於面方向上較長之片狀之光半導體層7積層於螢光體層5之厚度方向一側之面上(背面(圖3(a)中之下表面))，其後，將電極部8連接於光半導體層7之厚度方向一側之面上(背面(圖3(a)中之下表面))。
繼而，於該方法中，如圖3(a)之一點鏈線所示，將發光元件片材11分割成複數個，形成複數個(例如8個)發光元件3，詳細而言，形成複數個(例如8個)包含電極部8、光半導體層7及螢光體層5之發光元件3。
作為分割發光元件片材11之方法，並無特別限制，可採用公知之方法。
再者，於以下步驟(圖3(b)~圖3(d))中使上述藉由分割而獲得之複數個(例如8個)發光元件3反轉上下方向。
繼而，於該方法中，如圖3(b)所示，將複數個(例如3個)發光元件3以發光元件3之螢光體層5與脫模基材14相對向之方式相互隔開間隔而配置於脫模基材14上。
再者，各發光元件3之間隔並無特別限制，可視目的及用途而適當設定。
繼而，於該方法中，如圖3(c)所示，於脫模基材14上，以被覆發光元件3之方式形成反射樹脂層4。
作為形成反射樹脂層4之方法，並無特別限制，例如將上述反射樹脂組合物以被覆發光元件3之方式藉由例如印刷、分注器等塗佈方法而塗佈於脫模基材14上。
繼而，於該方法中，如圖3(d)所示，以電極部8之厚度方向一側之面(背面(圖3(d)中之上表面))自反射樹脂層4露出之方式，藉由公知之蝕刻法等將反射樹脂層4去除一部分。
詳細而言，以電極部8之厚度方向一側之面(背面(圖3(d)中之上表面))與反射樹脂層4之厚度方向一側之面(背面(圖3(d)中之上表面))成為同一平面之方式，將反射樹脂層4去除一部分。
藉此，可於脫模基材14上，以被覆發光元件3，並且使電極部8之厚度方向一側之面(背面(圖3(d)中之上表面))露出之方式形成反射樹脂層4，從而製造發光元件轉印片材10。
於此種發光元件轉印片材10之製造方法及藉此而獲得之發光元件轉印片材10中，以被覆發光元件3之方式形成含有光反射成分之反射樹脂層4。
因此，如下所述，於使用此種發光元件轉印片材10之發光二極體裝置1之製造方法及藉此而獲得之發光二極體裝置1中，自光半導體層7所發出之光於被其他構件吸收前，藉由反射樹脂層4之光反射成分而反射。其結果，可提高光之提取效率。
又，於使用此種發光元件轉印片材10之發光二極體裝置1之製造方法及藉此而獲得之發光二極體裝置1中，預先準備形成為片狀之螢光體層，故而可較薄地、短時間內且簡便地形成螢光體層。因此，可抑制製造成本之上升。
又，於使用此種發光元件轉印片材10之發光二極體裝置1之製造方法及藉此而獲得之發光二極體裝置1中，可藉由反射樹脂層4而將反射樹脂層4良好地填充於光半導體層7之下側之下部間隙12中。
又，於使用此種發光元件轉印片材10之發光二極體裝置1之製造方法及藉此而獲得之發光二極體裝置1中，可藉由反射樹脂層4密封發光元件3，故而無需另外使用密封樹脂等來密封發光元件，因此可謀求削減成本及工時。
圖4係表示圖1所示之發光二極體裝置1之製造方法之製造步驟圖。
繼而，參照圖4對使用上述發光元件轉印片材10來製造發光二極體裝置1之方法進行說明。
於該方法中，首先，如圖4(a)所示，準備藉由上述方法(上述圖3(a)~(d)所示之方法)而製造之發光元件轉印片材10。
繼而，於該方法中，如圖4(b)所示，將發光元件轉印片材10分割成複數個(例如3個)包含至少一個發光元件3(於圖4(a)中為一個)之單片9。
於該步驟中，如上所述，單片9包含發光元件3與密封發光元件3之反射樹脂層4，並由脫模基材14所支持。
繼而，於該方法中，如圖4(c)所示，準備設置有端子6之二極體基板2，使單片9與二極體基板2於厚度方向上對向配置。
並且，將發光元件3之電極部8與二極體基板2之端子6電性連接而將發光元件3覆晶安裝於二極體基板2上(參照實線箭頭)。
又，於該步驟中，於反射樹脂層4之樹脂包含熱硬化性樹脂之情形時，由於為B階段狀態，故而使單片9與二極體基板2於厚度方向上壓接，藉此，將反射樹脂層4填充於光半導體層7之下側之下部間隙12(參照虛線)中。
其後，例如藉由加熱而降低脫模基材14中之黏著層16之黏著性，使脫模基材14自單片9剝離，藉此將發光元件3及反射樹脂層4轉印至二極體基板2上(參照虛線箭頭)。
又，根據需要加熱B階段狀態之反射樹脂層4而使其硬化。
藉此，如圖4(d)所示，可獲得發光二極體裝置1。
於此種發光二極體裝置1及其製造方法中，由於使用上述發光元件轉印片材10，故而自光半導體層7發出之光於被其他構件吸收前，藉由反射樹脂層4之光反射成分而反射。其結果，可提高光之提取效率。
又，於此種發光二極體裝置1及其製造方法中，預先準備形成為片狀之螢光體層，故而可較薄地、短時間內且簡便地形成螢光體層。因此，可抑制製造成本之上升。
又，於此種發光二極體裝置1及其製造方法中，可藉由反射樹脂層4而將反射樹脂層4良好地填充於光半導體層7之下側之下部間隙12中。
又，於此種發光二極體裝置1及其製造方法中，可藉由反射樹脂層4而密封發光元件3，故而無需另外使用密封樹脂等來密封發光元件，因此可謀求削減成本及工時。
實施例
實施例1(發光元件轉印片材之製造)
準備含有包含緩衝層(GaN)、N形半導體層(n-GaN)、發光層(InGaN)及P形半導體層(p-GaN：Mg)之光半導體層、與包含陽極電極及陰極電極之電極部的擴展為厚度為0.2 mm、最大長度為100 mm之片狀之光半導體層(光半導體片材)。
繼而，將螢光體層積層於光半導體層(光半導體片材)之表面上。
詳細而言，藉由調配包含Y3Al5O12:Ce之螢光體粒子(球形狀，平均粒徑為8 μm)26質量份、及聚矽氧樹脂(加成反應型聚矽氧樹脂，動黏度(25℃)為20 mm2/s，Wacker Asahikasei Silicone公司製)74質量份並均勻攪拌，從而製備螢光體組合物。
繼而，將製備之螢光體組合物藉由印刷而塗佈於光半導體層之表面上形成螢光體皮膜後，使螢光體皮膜於100℃下乾燥而形成螢光體層。藉此，獲得發光元件片材(參照圖3(a))。
繼而，將發光元件片材分割(切割)成複數個，而形成複數個包含電極部、光半導體層及螢光體層之發光元件(參照圖3(a)一點鏈線)。
繼而，將複數個發光元件以螢光體層與脫模基材相對向之方式，相互隔開間隔而配置於上表面及下表面形成為平坦狀且包含氟樹脂之厚度為50 μm之脫模基材上(參照圖3(b))。
繼而，製備反射樹脂組合物，將該反射樹脂組合物印刷於脫模基材上，形成被覆發光元件之B階段狀態之反射樹脂層(參照圖3(c))。
反射樹脂組合物係藉由將熱硬化性聚矽氧樹脂100質量份、及球狀且平均粒徑為300 nm之氧化鈦(TiO2：金紅石之正方晶系)粒子20質量份均勻地混合而製備。
繼而，以電極部之厚度方向一側之面自反射樹脂層露出之方式，藉由蝕刻將反射樹脂層去除一部分(參照圖3(d))。
其後，藉由加熱使反射樹脂層硬化，藉此獲得發光元件轉印片材。
實施例2
將藉由實施例1而獲得之發光元件轉印片材(參照圖4(a))分割成複數個包含至少一個發光元件之單片、及支持該單片之脫模基材(參照圖4(b))。
繼而，使所獲得之單片與厚度為1 mm之二極體基板於厚度方向上對向配置，而將發光元件覆晶安裝(覆晶安裝亦可稱為覆晶封裝)於二極體基板之上表面上(參照圖4(c))。再者，二極體基板具備包含藍寶石之絕緣基板、及於其上表面上含有包含銅、鎳及金之端子之導體層。
藉此，獲得發光二極體裝置(參照圖4(d))。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅為例示，不可限定地加以解釋。該技術領域之業者所知曉之本發明之變形例包含於下述申請專利範圍中。
1‧‧‧發光二極體裝置
2‧‧‧二極體基板
3‧‧‧發光元件
4‧‧‧反射樹脂層
5‧‧‧螢光體層
6‧‧‧端子
7‧‧‧光半導體層
8‧‧‧電極部
9‧‧‧單片
10‧‧‧發光元件轉印片材
11．．．發光元件片材
12．．．下部間隙
14．．．脫模基材
15．．．支持層
16．．．黏著層
圖1係本發明之發光裝置之一實施形態之剖面圖。
圖2係表示本發明之發光元件轉印片材之一實施形態的剖面圖， (a)表示分割前之發光元件轉印片材， (b)表示分割時之發光元件轉印片材。
圖3係表示圖2所示之發光元件轉印片材之製造方法的步驟圖，(a)表示準備發光元件片材之步驟，(b)表示將分割發光元件片材而獲得之發光元件配置於脫模基材上之步驟，(c)表示以被覆發光元件之方式形成反射樹脂層之步驟，(d)表示將反射樹脂層去除一部分之步驟。
圖4係表示圖1所示之發光裝置之製造方法的製造步驟圖，(a)表示製造發光元件轉印片材之步驟，(b)表示將發光元件轉印片材分割成單片之步驟，(c)表示將發光元件覆晶安裝於二極體基板上之步驟。
(d)表示自發光元件剝離脫模基材之步驟。
3．．．發光元件
4．．．反射樹脂層
5．．．螢光體層
7．．．光半導體層
8．．．電極部
10．．．發光元件轉印片材
11．．．發光元件片材
14．．．脫模基材
15．．．支持層
16．．．黏著層

Claims (5)

  1. 一種發光元件轉印片材之製造方法，其特徵在於包含如下步驟：準備包含於厚度方向一側之面連接有電極部之光半導體層與積層於上述光半導體層之厚度方向另一側之面上之螢光體層的發光元件片材；將上述發光元件片材分割成複數個，形成複數個包含上述電極部、上述光半導體層及上述螢光體層之發光元件；將複數個上述發光元件以上述螢光體層與上述基材相對向之方式相互隔開間隔而配置於基材上；於上述基材上，以被覆上述發光元件之方式形成含有光反射成分之反射樹脂層；及以上述電極部之厚度方向一側之面自上述反射樹脂層露出之方式將上述反射樹脂層去除一部分。
  2. 一種發光裝置之製造方法，其特徵在於包含如下步驟：藉由發光元件轉印片材之製造方法而製造發光元件轉印片材；將上述發光元件轉印片材分割成複數個包含至少一個上述發光元件之單片；使上述單片與設置有端子之基底基板於厚度方向上對向配置，電性連接上述電極部與上述端子而將上述發光元件覆晶安裝於上述基底基板上；且上述發光元件轉印片材之製造方法包含如下步驟： 率備包含於厚度方向一側之面連接有電極部之光半導體層與積層於上述光半導體層之厚度方向另一側之面上之螢光體層的發光元件片材；將上述發光元件片材分割成複數個，形成複數個包含上述電極部、上述光半導體層及上述螢光體層之發光元件；將複數個上述發光元件以上述螢光體層與上述基材相對向之方式相互隔開間隔而配置於基材上；於上述基材上，以被覆上述發光元件之方式形成含有光反射成分之反射樹脂層；及以上述電極部之厚度方向一側之面自上述反射樹脂層露出之方式將上述反射樹脂層去除一部分。
  3. 一種發光元件轉印片材，其特徵在於包含：由可藉由加熱而容易地剝離之熱剝離片材形成之脫模基材；複數個發光元件，其含有光半導體層、連接於上述光半導體層之厚度方向一側之面之電極部、及積層於上述光半導體層之厚度方向另一側之面上之螢光體層，且以上述螢光體層與上述脫模基材相對向之方式相互隔開間隔而配置於上述脫模基材上；及反射樹脂層，其含有光反射成分，於上述脫模基材上被覆上述發光元件，並且使上述電極部之厚度方向一側之面露出。
  4. 如請求項3之發光元件轉印片材，其中上述熱剝離片材 包含支持層與黏著層。
  5. 一種發光裝置，其特徵在於使將發光元件轉印片材分割成複數個而獲得之包含至少一個上述發光元件之單片與設置有端子之基底基板於厚度方向上對向配置，電性連接上述電極部與上述端子，而將上述發光元件覆晶安裝於上述基底基板上，該發光元件轉印片材包含：基材；複數個發光元件，其含有光半導體層、連接於上述光半導體層之厚度方向一側之面之電極部、及積層於上述光半導體層之厚度方向另一側之面上之螢光體層，且以上述螢光體層與上述基材相對向之方式相互隔開間隔而配置於上述基材上；及反射樹脂層，其含有光反射成分，於上述基材上被覆上述發光元件，並且使上述電極部之厚度方向一側之面露出。
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