JP2009239036A - Led基板 - Google Patents

Led基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2009239036A
JP2009239036A JP2008083504A JP2008083504A JP2009239036A JP 2009239036 A JP2009239036 A JP 2009239036A JP 2008083504 A JP2008083504 A JP 2008083504A JP 2008083504 A JP2008083504 A JP 2008083504A JP 2009239036 A JP2009239036 A JP 2009239036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
led substrate
hole
reflection member
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008083504A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Yoshida
英樹 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lincstech Circuit Co Ltd
Original Assignee
Hitachi AIC Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi AIC Inc filed Critical Hitachi AIC Inc
Priority to JP2008083504A priority Critical patent/JP2009239036A/ja
Publication of JP2009239036A publication Critical patent/JP2009239036A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、反射率と放熱性が高い反射部材を選択できることにより、発光効率が高く、輝度の経時的な変化が少ないうえ、高放熱性で劣化の少ないLED基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、反射部材と、この反射部材に接着層により接着される配線板とを備え、上記配線板が、反射部材を露出させる貫通孔を有し、この貫通孔内であって、反射部材の直上にLED素子を配置するLED基板である。
【選択図】図1

Description

本発明は、LED素子に代表される発光素子を搭載するLED基板に関し、より詳細には、搭載した発光素子から発光される光を効率よく反射し、かつ放熱性のよい反射部材を有するLED基板に関する。
発光素子から発光される光を反射させる反射部材として、銅箔に銅めっきや金めっきを使用したLED基板が知られているが、このようなLED基板では、LED素子からの光が赤色系の反射光となり、反射率が低下する。このため、十分な発光輝度が得難い。そこで、反射部材の表面に、銀、ニッケルなどの銀白色系の金属めっき薄膜を備えたLED基板が開示されている(特許文献1、2)。
特開2006−080117号公報 特開2007−189006号公報
しかしながら、反射部材の表面が銀の場合、反射率が比較的高く、初期の発光輝度は得られるものの、点灯時間と共に発光輝度が低下する経時変化が生じ易い。このため、照明用途の場合は、輝度半減寿命4万時間が目標とされるが、このような要求には対応が難しい。
また、照明用途では、発光輝度の大きいことが要求されるが、同時に発熱も大きくなるため、LED基板としての劣化が生じ易い。このため、劣化抑制のために、放熱性向上が要求されるが、上記従来技術では、反射部材にめっきを行うため、使用できる反射部材の材質が限られていた。したがって、アルミニウムのような放熱性の高い部材を使用することが難しかった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、反射率と放熱性が高い反射部材を選択できることにより、発光効率が高く、輝度の経時的な変化が少ないうえ、高放熱性で劣化の少ないLED基板を提供することを目的とする。
本発明は、次のものに関する。
(1) 反射部材と、この反射部材に接着層により接着される配線板とを備え、上記配線板が、反射部材を露出させる貫通孔を有し、この貫通孔内であって、反射部材の直上にLED素子を配置するLED基板。
(2) (1)において、配線板が、絶縁層と、その片面に回路形成面を有する片面板であり、前記回路形成面と反対の面を反射部材に接着するLED基板。
(3) (1)又は(2)において、回路形成面の高さが、LED素子高さ以下であるLED基板。
(4) (1)乃至(3)の何れかにおいて、反射部材が、その表面に酸化皮膜を有するLED基板。
(5) (1)乃至(4)の何れかにおいて、貫通孔の周縁が、回路形成面の配線回路との間に離間を有するLED基板。
本発明によれば、反射率と放熱性が高い反射部材を選択できることにより、発光効率が高く、輝度の経時的な変化が少ないうえ、高放熱性で劣化の少ないLED基板を提供することができる。
図1に、本発明のLED基板16の一例の断面図を示す。本発明のLED基板16は、反射部材4と、この反射部材4に接着層2により接着される配線板15とを備え、上記配線板15が、反射部材4を露出させる貫通孔3を有し、この貫通孔3内であって、反射部材4の直上にLED素子6を配置するLED基板16である。
本発明の反射部材4は、LED素子6からの発光を反射するとともに、生じた熱を放熱するためのものである。反射部材4は、LED素子6からの発光を反射し、放熱性を有し、かつ後述する接着層2により接着可能なものであれば使用できる。例えば、銅や金等の赤色系金属材料や、銀、ニッケル、アルミニウムなどの銀白色系の金属材料が挙げられる。LED素子6からの発光が青色の場合(超高輝度LED素子)は、反射部材4として、銀、ニッケル、アルミニウムなどの銀白色系の金属材料が望ましい。また、室内照明用途等で、高い発光強度とともに高放熱性が要求される場合は、反射面を鏡面に調整した、いわゆる高反射アルミニウムであって、板厚が0.1〜0.8mmのものを用いるのが望ましい。なお、高反射アルミニウムとは、金属アルミニウムの表面を鏡面に仕上げたうえで、その表面に反射率の高い酸化皮膜を形成したものである。これにより、超高輝度LED素子を搭載した場合でも、LED素子6からの発光を効率で反射でき、放熱性もよいので、高い発光強度とともに高放熱性が実現できる。このように、反射率と放熱性が高い反射部材4を選択できることにより、発光効率が高く、輝度の経時的な変化が少ないうえ、高放熱性で劣化の少ないLED基板16を提供することができる。
本発明の接着層2は、配線板15と反射部材4とを接着するものである。配線板15の絶縁層1と接着層2とを直接接着するものに限定されず、これらの間に銅箔や銅めっき等の他の部材を介在して接着するものを含む。接着層2としては、仮接着可能であるものであればよく、一般のパッケージ基板の製造において、構成材間の接着に使用されているものを使用することができる。例えば、高分子量エポキシ樹脂を主成分とする接着シート2等を使用することができる。接着シート2としては、AS−3000、AS2600W(日立化成工業株式会社製 商品名)等が例示できる。接着シート2の厚みは、LED素子6の発光面の高さが約0.1mmであるため、これと同等以下の0.01〜0.10mmとするのが好ましい。
本発明の配線板15は、絶縁層1と、その表層に形成された配線回路14と、これらを貫通する貫通孔3とを有する。絶縁層1は、一般のパッケージ基板に用いられるものを使用することができ、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を含浸させた、いわゆるガラスエポキシ基板やガラスポリイミド基板を用いることができる。配線回路14は、LED素子6への電力を供給するものであり、銅箔や銅めっきをエッチングすること等により形成され、表面にはワイアボンディングやはんだ付け性を付与するため、ニッケル−金めっき12等により被覆される。配線回路14は、絶縁層1の片面または両面に形成され、配線回路14を形成した面を、回路形成面8という。貫通孔3は、配線板15と反射部材4が接着層2により一体化された際に、反射部材4が露出する領域を設けるためのものであり、この領域内にLED素子6を搭載するものである。例えば、絶縁基板をルータ、ドリル、レーザ等で加工することにより形成することができる。
反射部材4は、接着層2によって配線板15と接着され、貫通孔3内に表面が露出する。このような構成により、反射部材4の表面を、高反射状態(鏡面状態)のまま、貫通孔3内に露出させることができる。また、接着層2により配線板15と接着したままの状態で、めっき等を行わずに反射部材4として使用するので、反射部材4の材質を選択する際の自由度が拡大する。これにより、高反射率でかつ高放熱性である高反射アルミニウムを使用することも可能であり、LED素子6からの発光が青色の場合でも、LED素子6からの発光を高効率で反射できるので、高い発光強度が実現でき、また、反射率の経時変化も抑制される。さらに、LED素子6からの発熱が大きくても、放熱性が優れるので、長期間使用しても、熱による基板自体の劣化が少ないLED基板16を提供できる。
本発明において、LED(Light Emitting Diode)素子は、光を放射する発光素子6の一種をいう。本発明で使用するLED素子6としては、一般にLED基板16に使用されるものが使用できるが、特には青色の、いわゆる超高輝度LED素子であると、高反射率でかつ高放熱性である特徴を生かすことができるため望ましい。
LED素子6は、貫通孔3内であって、反射部材4の直上に搭載される。つまり、貫通孔3内であって、反射部材4の露出面5に、直接、ダイボンド剤等により搭載される。これにより、LED素子6の上部が開放された状態となる。このため、LED素子6から上方への発光に、反射部材4からの反射が加わり、開放された上方への発光を高効率で実現できる。
配線板15が、絶縁層1と、その片面に回路形成面8を有する片面板であり、前記回路形成面8と反対の面を反射部材4に接着するのが望ましい。これにより、絶縁層1と接着層2とが接着されるので、配線回路14と接着層2とを接着する場合に比べて、高い接着強度を得ることができる。配線回路14と接着層2とを接着する場合は、配線回路14の表面を、化学研磨や機械研磨等により粗面化することで、接着強度を満足することが可能となる。
回路形成面8の高さが、LED素子6高さ以下であるのが望ましい。これにより、LED素子6の上面が回路形成面8と同等以上の高さになるため、少なくとも、LED素子6の上面からの発光は貫通孔3の内壁に妨げられることがないため、上方に向かう発光輝度を確保できる。
反射部材4が、その表面に酸化皮膜を有するのが望ましい。つまり、反射部材4が金属の場合に、金属自体がLED素子6からの発光を反射するのではなく、金属表面に形成した酸化皮膜の反射率が高いことによって、LED素子6からの発光を高効率で反射するのが望ましい。金属は一般に腐食を起こすいため、経時的に反射率が変化しやすいが、安定な酸化皮膜を形成し、この酸化皮膜に反射機能を持たせることにより、金属の腐食の進行を抑制し、反射率の経時変化を抑制することが可能になる。このような酸化皮膜は、例えば、高反射アルミニウムを使用することで実現できる。
貫通孔3の周縁が、回路形成面8の配線回路14との間に離間9を有するのが望ましい。これにより、配線板15に貫通孔3を設ける際に、ルータやドリルで加工する場合、加工する部分に配線回路14がないので、バリが発生し難いため、配線板15を複数枚重ねて貫通孔3を加工する際の加工性が向上する。また、レーザで貫通孔3を加工する場合も、加工する部分に配線回路14がないので、絶縁層1のみを加工することになるため、加工が容易となる。このため、貫通孔3の仕上りが良好で、バリ除去の必要がないため、低コストでの加工が可能となる。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されない。
絶縁基板の両面に、18μmの銅箔を有した、厚さ0.06mmのCCL−HL820(三菱ガス化学株式会社製 商品名)を準備し、一方の面(L1面)だけを全面マスキングし、他方の面(L2面)の全面の銅箔をエッチングで除去した。一方の面(L1面)にエッチングにより、配線回路14を形成し、片面板を作成した。
次に、配線回路14を形成した回路形成面8に、ソルダーレジスト18を形成し、必要部分に金めっき処理を行った。使用したソルダーレジスト18は、DSR−2200 W10−13(タムラ化研株式会社製 商品名)である。
次に、ニッケル−金めっき12処理後、全面エッチングを行った面(L2面)に、接着シート2を仮付けした。使用した接着シート2は、AS−3000(日立化成工業株式会社製 商品名)の25μmタイプである。仮付け条件は、140℃、4MPa、30分である。
次に、接着シート2を仮付けした状態で、LED搭載部となるアルミ面を露出させるための貫通孔3の穴あけを行った。穴あけは、ドリルまたはエンドミル、レーザのいずれを用いてもよい。貫通孔3は、長径6mm×短径1mm〜長径20mm×短径2mmである。
次に、穴あけ後、高反射アルミニウムと、接着シート2を仮付けした状態の配線板15を、加熱加圧して本接着した。使用した高反射アルミニウムは、ACA425OE(ACA社製 商品名)、または、MIRO2(ALANOD社製 商品名)である。板厚は、0.8mmのものを用いた。本接着は、180℃、4MPa、60分の条件で行う。これにより、貫通孔3内に、高反射アルミニム板の鏡面仕上げの面が露出したLED基板16が形成される。
本発明の実施例に係るLED基板の断面図である。
符号の説明
1.絶縁層、2.接着層(接着シート)、3.貫通孔、4.反射部材、5.反射部材の露出面(貫通孔内露出面)、6.LED素子、8.回路形成面、9.離間、12.ニッケル−金めっき、13.金ワイヤ、14.配線回路、15.配線板、16.LED基板、17…ボンディングパッド、18…ソルダーレジスト

Claims (5)

  1. 反射部材と、この反射部材に接着層により接着される配線板とを備え、上記配線板が、反射部材を露出させる貫通孔を有し、この貫通孔内であって、反射部材の直上にLED素子を配置するLED基板。
  2. 請求項1において、配線板が、絶縁層と、その片面に回路形成面を有する片面板であり、前記回路形成面と反対の面を反射部材に接着するLED基板。
  3. 請求項1又は2において、回路形成面の高さが、LED素子高さ以下であるLED基板。
  4. 請求項1乃至3の何れかにおいて、反射部材が、その表面に酸化皮膜を有するLED基板。
  5. 請求項1乃至4の何れかにおいて、貫通孔の周縁が、回路形成面の配線回路との間に離間を有するLED基板。
JP2008083504A 2008-03-27 2008-03-27 Led基板 Pending JP2009239036A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008083504A JP2009239036A (ja) 2008-03-27 2008-03-27 Led基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008083504A JP2009239036A (ja) 2008-03-27 2008-03-27 Led基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009239036A true JP2009239036A (ja) 2009-10-15

Family

ID=41252629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008083504A Pending JP2009239036A (ja) 2008-03-27 2008-03-27 Led基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009239036A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814574A (zh) * 2010-04-16 2010-08-25 惠州市华阳多媒体电子有限公司 一种发光二极管基板散热结构及其制作方法
WO2012011363A1 (ja) * 2010-07-23 2012-01-26 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
CN102403436A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 昆山科技大学 半导体发光元件的散热座的制作方法
JP2012079779A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板及びその製造方法
JP2012079780A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板及びその製造方法
JP2012195587A (ja) * 2011-03-14 2012-10-11 Samsung Led Co Ltd 発光素子パッケージおよびその製造方法
JP2012209472A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板
JP2012212823A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板の製造方法及びled搭載用基板
JP2012212824A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板
JP2013183089A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Idec Corp 発光装置、照明装置、発光装置集合体および発光装置の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117041A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Agilent Technol Inc 高出力発光ダイオードデバイス
JP2006005290A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2007510297A (ja) * 2003-11-07 2007-04-19 トリドニック オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放熱板を有する発光ダイオードの構成
JP2007109701A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用基板
JP2007109945A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Fujifilm Holdings Corp 光源
JP2007123329A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用配線板及びそれを使用した発光装置
JP2007300106A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Taida Electronic Ind Co Ltd 発光装置
JP2008022037A (ja) * 2007-10-03 2008-01-31 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
JP2008041546A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Showa Denko Kk 発光装置、表示装置、およびカバー取付部材

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117041A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Agilent Technol Inc 高出力発光ダイオードデバイス
JP2007510297A (ja) * 2003-11-07 2007-04-19 トリドニック オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放熱板を有する発光ダイオードの構成
JP2006005290A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2007109701A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用基板
JP2007109945A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Fujifilm Holdings Corp 光源
JP2007123329A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用配線板及びそれを使用した発光装置
JP2007300106A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Taida Electronic Ind Co Ltd 発光装置
JP2008041546A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Showa Denko Kk 発光装置、表示装置、およびカバー取付部材
JP2008022037A (ja) * 2007-10-03 2008-01-31 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814574A (zh) * 2010-04-16 2010-08-25 惠州市华阳多媒体电子有限公司 一种发光二极管基板散热结构及其制作方法
CN102959747A (zh) * 2010-07-23 2013-03-06 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
WO2012011363A1 (ja) * 2010-07-23 2012-01-26 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
TWI513064B (zh) * 2010-07-23 2015-12-11 Sharp Kk A light emitting device and a manufacturing method thereof
JP5756803B2 (ja) * 2010-07-23 2015-07-29 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
US9065031B2 (en) 2010-07-23 2015-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device with liquid-repellent layer and manufacturing method therefore
CN102403436A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 昆山科技大学 半导体发光元件的散热座的制作方法
JP2012079779A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板及びその製造方法
JP2012079780A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板及びその製造方法
JP2012195587A (ja) * 2011-03-14 2012-10-11 Samsung Led Co Ltd 発光素子パッケージおよびその製造方法
JP2012209472A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板
JP2012212824A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板
JP2012212823A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Hitachi Chem Co Ltd Led搭載用基板の製造方法及びled搭載用基板
JP2013183089A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Idec Corp 発光装置、照明装置、発光装置集合体および発光装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009239036A (ja) Led基板
JP4674282B2 (ja) 線光源用ledモジュール
US8894245B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4960099B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
JP5177319B2 (ja) 金属基板及び光源装置
JP4877571B2 (ja) 発光素子搭載用基板
JP3872490B2 (ja) 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置
JP2006339224A (ja) Led用基板およびledパッケージ
US20100149823A1 (en) Lamp unit, circuit board, and method of manufaturing circuit board
JP2005039100A (ja) 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
JP2007109656A (ja) Ledバックライトユニット
JP2011044593A (ja) Led基板及びledパッケージ
WO2011004798A1 (ja) 素子搭載用セラミックス基板、led搭載用セラミックス基板、ledランプ及びヘッドライト並びに電子部品
JP2004259958A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2007184319A (ja) 半導体発光装置
KR101101297B1 (ko) 고방열 금속 인쇄회로기판
JP2012227294A (ja) Led基板、発光モジュール、led基板の製造方法、及び発光モジュールの製造方法
JP2009033199A (ja) 発光素子搭載用基板
WO2011077900A1 (ja) 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
JP5057129B2 (ja) 部品素子搭載用配線板
JP2012212824A (ja) Led搭載用基板
JP2007165735A (ja) Led実装基板及びその製造方法
US20090008671A1 (en) LED packaging structure with aluminum board and an LED lamp with said LED packaging structure
JP2011029420A (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP4835917B2 (ja) 発光素子搭載用配線板及びそれを使用した発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090930

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120809

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130218

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130314