JP2018014480A - 反射層および蛍光体層付光半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な指向性および正面照度を有し、位置精度の向上が図られた光半導体装置を製造することができる反射層および蛍光体層付光半導体素子を提供すること。【解決手段】反射層および蛍光体層付光半導体素子1は、発光面21および発光面21に対して上下方向に間隔を隔てて対向配置される対向面22を有する光半導体素子2と、発光面21を少なくとも被覆する蛍光体層3と、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、左右方向外側および前後方向外側に配置される反射層4とを備え、蛍光体層3は、光半導体素子2の上側に配置される内側部分31と、発光面21に沿って光半導体素子の外側に延びる仮想面6上にまたは仮想面6を含むように配置される外側部分32とを有する。【選択図】図1
Description
本発明は、反射層および蛍光体層付光半導体素子に関する。
従来から、高エネルギーの光を発光できる発光装置として、白色発光装置(白色光半導体装置)が知られている。白色発光装置には、例えば、電力をLEDに供給するダイオード基板と、それに実装され、青色光を発光するLED(発光ダイオード)と、青色光を黄色光に変換でき、LEDを被覆する蛍光体層と、LEDを封止する封止層と、LEDの周囲に設けられ、光を前方に反射させる反射層とが設けられている。そのような白色発光装置は、LEDから発光されて封止層および蛍光体層を透過した青色光と、蛍光体層において青色光の一部が波長変換された黄色光との混色によって、高エネルギーの白色光を発光する。
そして、近年、投光照明や天井照明のように、指向性が高く、照度が良好な白色発光装置が求められている。そのような発光装置としては、例えば、特許文献1の発光装置が提案されている。
特許文献1の発光装置では、発光ダイオード素子の上面(発光面)に、下面が発光ダイオード素子の上面と同一形状のパターンであり上面が広幅となるように形成された蛍光体層が配置されており、発光ダイオード素子の側面に、反射樹脂層が配置されている。
しかし、特許文献1の発光装置では、蛍光体層は、発光ダイオード素子の上面と、蛍光体層の下面とが同一のパターンに形成されている。したがって、蛍光体層を発光ダイオード素子の上面に配置する際に、蛍光体層の位置が幅方向にずれると、発光ダイオード素子の上面に、蛍光体層が配置されない箇所が存在し、その結果、所望の光学特性を発揮できないという不具合が生じる。そのため、特許文献1の発光装置は、幅方向において、高い位置精度が必要となり、その改善が望まれている。
本発明の目的は、良好な指向性および正面照度を有し、位置精度の向上が図られた光半導体装置を製造することができる反射層および蛍光体層付光半導体素子を提供することにある。
本発明[1]は、発光面および前記発光面に対して上下方向に間隔を隔てて対向配置される対向面を有する光半導体素子と、前記発光面を少なくとも被覆する蛍光体層と、前記光半導体素子および前記蛍光体層の両方に対して、前記上下方向に直交する直交方向外側に配置される反射層とを備え、前記蛍光体層は、前記光半導体素子の上側に配置される内側部分と、前記発光面に沿って前記光半導体素子の外側に延びる仮想面上にまたは前記仮想面を含むように配置される外側部分とを有する、反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子によれば、反射層が、光半導体素子および蛍光体層の両方に対して、これらの直交方向外側に配置されている。このため、蛍光体層および光半導体素子の側面から放射または反射される光を上側に反射することができる。よって、指向性および正面照度が良好である。
また、蛍光体層が、光半導体素子の外側に延びる仮想面上に配置される外側部分、または、仮想面を含むように配置される外側部分を有する。このため、蛍光体層の下面は、光半導体素子の発光面に対して広くなっている。よって、蛍光体層を発光ダイオード素子の発光面に配置する際に、仮に蛍光体層の位置が所望の位置に対して直交方向にずれたとしても、蛍光体層の外側部分が光半導体素子の発光面を確実に被覆することができる。その結果、直交方向において、光半導体素子に対する蛍光体層の位置精度の向上が図られている。
本発明[2]は、下記式(1)および(2)を満たす、上記[1]に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
90° < θ1 < 160° (1)
A ≦ Y (2)
(式中、θ1は、前記光半導体素子の前記発光面の端縁と前記反射層の上端縁の内端縁とを結ぶ直線と、前記発光面とがなす角度を示す。
A ≦ Y (2)
(式中、θ1は、前記光半導体素子の前記発光面の端縁と前記反射層の上端縁の内端縁とを結ぶ直線と、前記発光面とがなす角度を示す。
Aは、前記発光面と、前記蛍光体層の上面との上下方向距離を示す。
Yは、前記発光面と、前記反射層の上端縁の内端縁との上下方向距離を示す。)
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、反射層および蛍光体層付光半導体素子から照射される光の配向角が良好となるため、指向性がより一層良好となる。
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、反射層および蛍光体層付光半導体素子から照射される光の配向角が良好となるため、指向性がより一層良好となる。
本発明[3]は、前記反射層が、100μm厚みにおける450nm波長の光で照射したときの反射率が80%以上である、上記[1]または[2]に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、正面照度がより一層良好となる。
本発明[4]は、下記式(3)を満たす、上記[1]〜[3]のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
B < X (3)
(式中、Bは、前記光半導体素子の前記対向面の端縁と、前記反射層の下端縁の内端縁との距離を示す。Xは、前記光半導体素子の前記発光面の端縁と、前記蛍光体層の前記仮想面上における外端縁との前記直交方向距離を示す。)
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、指向性および正面照度がより一層良好となる。
(式中、Bは、前記光半導体素子の前記対向面の端縁と、前記反射層の下端縁の内端縁との距離を示す。Xは、前記光半導体素子の前記発光面の端縁と、前記蛍光体層の前記仮想面上における外端縁との前記直交方向距離を示す。)
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、指向性および正面照度がより一層良好となる。
本発明[5]は、前記反射層が、前記光半導体素子における前記発光面と前記対向面との間の側面全面に接触している、上記[1]〜[4]のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、指向性および正面照度がより一層良好となる。
本発明[6]は、前記蛍光体層が、前記光半導体素子における前記発光面と前記対向面との間の側面全面に接触している、上記[1]〜[3]のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、光の取り出し効率が良好となる。
本発明[7]は、前記蛍光体層の上側に配置される拡散層をさらに備える、上記[1]〜[6]のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、指向性および正面照度がより一層良好となる。
本発明[8]は、下記式(4)を満たす、上記[7]に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子を含んでいる。
A + C ≦ Y (4)
(式中、Cは、前記拡散層の上下方向長さを示す。)
(式中、Cは、前記拡散層の上下方向長さを示す。)
このような反射層および蛍光体層付光半導体素子は、正面照度がより一層良好となる。
本発明の反射層および蛍光体層付光半導体素子によれば、光半導体素子に対する蛍光体層の位置精度の向上を図りつつ、良好な指向性および正面照度を有する光半導体装置を製造することができる。
<第1実施形態>
図1Bにおいて、紙面上下方向は、上下方向(第1方向、厚み方向)であり、紙面上側が上側(第1方向一方側、厚み方向一方側)、紙面下側が下側(第1方向他方側、厚み方向他方側)である。紙面左右方向は、左右方向(第1方向に直交する第2方向、上下方向に対する直交方向の一例)であり、紙面左側が左側(第2方向一方側)、紙面右側が右側(第2方向他方側)である。紙厚方向は、前後方向(第1方向および第2方向に直交する第3方向、上下方向に対する直交方向の一例)であり、紙面手前側が前側(第3方向一方側)、紙面奥側が後側(第3方向他方側)である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
図1Bにおいて、紙面上下方向は、上下方向(第1方向、厚み方向)であり、紙面上側が上側(第1方向一方側、厚み方向一方側)、紙面下側が下側(第1方向他方側、厚み方向他方側)である。紙面左右方向は、左右方向(第1方向に直交する第2方向、上下方向に対する直交方向の一例)であり、紙面左側が左側(第2方向一方側)、紙面右側が右側(第2方向他方側)である。紙厚方向は、前後方向(第1方向および第2方向に直交する第3方向、上下方向に対する直交方向の一例)であり、紙面手前側が前側(第3方向一方側)、紙面奥側が後側(第3方向他方側)である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
図1A−図1Bを参照して、本発明の反射層および蛍光体層付き光半導体素子(以下単に、二層付素子ともいう。)の第1実施形態について説明する。
なお、二層付素子は、光半導体装置(発光装置)ではなく、つまり、光半導体装置に備えられる基板(電極基板)を含んでいない。具体的には、二層付素子は、光半導体素子と、蛍光体層と、反射層(反射部材)とを備え、必要により、拡散層を備える。二層付素子は、好ましくは、光半導体素子、蛍光体層および反射層からなるか、光半導体素子、蛍光体層、反射層および拡散層からなる。つまり、二層付素子は、光半導体装置の基板に備えられる電極とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、二層付素子は、光半導体装置の一部品、すなわち、光半導体装置を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
図1A−図1Bに示すように、二層付素子1は、光半導体素子2と、蛍光体層3と、反射層4とを備えている。
光半導体素子2は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するLED(発光ダイオード素子)やLD(半導体レーザー素子)である。好ましくは、光半導体素子2は、青色光を発光する青色LEDである。一方、光半導体素子2は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器(半導体素子)を含まない。
光半導体素子2は、左右方向および前後方向に沿う略平板形状を有している。また、光半導体素子2は、平面視略矩形状(好ましくは、平面視略正方形状)を有している。光半導体素子2は、発光面21と、対向面22と、側面23とを備えている。
発光面21は、光半導体素子2における上面である。発光面21は、平坦な形状を有している。発光面21には、蛍光体層3(後述)が設けられている。
対向面22は、光半導体素子2における下面であって、電極24が形成されている面である。対向面22は、発光面21に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。電極24は、複数(2個)設けられており、対向面22から下側に向かってわずかに突出する形状を有している。
側面23は、発光面21の周端縁と、対向面22の周端縁とを連結している。
光半導体素子2の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み(上下方向長さ)が、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.2μm以上、より好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。光半導体素子2の左右方向および/または前後方向における長さは、それぞれ、例えば、200μm以上、好ましくは、500μm以上であり、また、例えば、3000μm以下、好ましくは、2000μm以下である。
蛍光体層3は、光半導体素子2の発光面21および側面23を被覆するように、光半導体素子2の上側および側方に配置されている。蛍光体層3は、平面視略矩形状(好ましくは、平面視略正方形状)を有しており、上下方向に投影したときに、光半導体素子2を含むように形成されている。蛍光体層3は、光半導体素子2の上側に配置される内側部分31と、内側部分31の外側に配置される外側部分32とを備えている。
内側部分31は、左右方向および前後方向に沿う略平板形状を有しており、平面視において、光半導体素子2と同一形状となるように形成されている。すなわち、内側部分31の下面全面は、光半導体素子2の発光面21全面と接触し、それを被覆している。
外側部分32は、上下方向に延びる平面視略矩形枠状を有している。外側部分32は、上側部分32aと下側部分32bとを備えている。また、外側部分32は、上側部分32aおよび下側部分32bとの間において、発光面21に沿って光半導体素子2の左右方向および前後方向の外側に延びる仮想面6を含む。すなわち、外側部分32は、仮想面6によって、上側部分32aと下側部分32bとに上下方向に区画される。
外側部分32の上側部分32aは、内側部分31の外側に配置されており、内側部分31の周端縁と上側部分32aの内周端縁とが一体的に連続している。
外側部分32の下側部分32bは、光半導体素子2の側面23と接触し、それを被覆するように、光半導体素子2の外側に配置されている。すなわち、下側部分32bの内周端面は、光半導体素子2の側面23全面に接触している。
蛍光体層3の内側部分31の厚み、すなわち、発光面21と蛍光体層3の上面との上下方向距離(図1Bで示すA)は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、150μm以下である。
上記上下方向距離Aと、発光面21の左右方向または前後方向の長さ(直交方向距離)との比は、例えば、1:100〜30:100、好ましくは、5:100〜15:100である。
蛍光体層3の外側部分32の左右方向または前後方向の長さ、すなわち、光半導体素子2の発光面21の端縁(点m)と、蛍光体層3の仮想面6上における外端縁(点k)との左右方向または前後方向の距離(図1Bで示すX)は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上、より好ましくは、70μm以上であり、また、例えば、2000μm以下、好ましくは、1500μm以下、より好ましくは、500μm以下、さらに好ましくは、150μm以下である。
上記距離Xと、発光面21の左右方向または前後方向の長さとの比は、例えば、
1:100〜150:100、好ましくは、5:100〜100:100、より好ましくは、7:100〜50:100である。
1:100〜150:100、好ましくは、5:100〜100:100、より好ましくは、7:100〜50:100である。
蛍光体層3は、例えば、蛍光体および樹脂を含有する蛍光組成物から形成されている。
蛍光体は、光半導体素子2から発光される光を波長変換する。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr,Ca)2SiO4;Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(バリウムオルソシリケート(BOS))などのシリケート蛍光体、例えば、Y3Al5O12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
蛍光体の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下でもある。
蛍光体は、単独で使用または2種以上を併用することができる。
蛍光体の配合割合は、蛍光組成物に対して、例えば、10質量%以上、好ましくは、20質量%以上であり、また、例えば、80質量%以下、好ましくは、70質量%以下である。
樹脂は、蛍光組成物において蛍光体を均一に分散させるマトリクスであって、例えば、樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂としては、2段反応硬化性樹脂、1段反応硬化性樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。
2段反応硬化性樹脂は、2つの反応機構を有しており、第1段の反応で、Aステージ状態からBステージ化(半硬化)し、次いで、第2段の反応で、Bステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる。つまり、2段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりBステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Bステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるAステージ状態と、完全硬化したCステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がCステージ状態の圧縮弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
1段反応硬化性樹脂は、1つの反応機構を有しており、第1段の反応で、Aステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる。このような1段反応硬化性樹脂は、第1段の反応の途中で、その反応が停止して、Aステージ状態からBステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第1段の反応が再開されて、Bステージ状態からCステージ化(完全硬化)することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含む。また、1段反応硬化性樹脂は、1段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Bステージ状態となることができず、一度に、Aステージ状態からCステージ化(完全硬化)する熱硬化性樹脂を含むこともできる。
好ましくは、熱硬化性樹脂としては、Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂が挙げられる。
Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル基を分子内に含むフェニル系シリコーン樹脂、例えば、メチル基を分子内に含むメチル系シリコーン樹脂などが挙げられる。
熱硬化性樹脂は、単独で使用または2種以上を併用することができる。
樹脂の配合割合は、蛍光体(および添加剤)の配合割合の残部であり、蛍光組成物に対して、例えば、20質量%以上、好ましくは、30質量%以上であり、また、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下である。
蛍光組成物には、光拡散性粒子(後述)、充填材(後述)、チクソ性付与粒子(後述)などの公知の添加剤(後述)を、適宜の割合で含有することもできる。
光拡散性粒子を含有する場合、光拡散性粒子の配合割合は、蛍光組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、60質量%以下、好ましくは、50質量%以下である。
充填材を含有する場合、充填材の配合割合は、蛍光組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、60質量%以下、好ましくは、50質量%以下である。
チクソ性付与粒子を含有する場合、チクソ性付与粒子の配合割合は、蛍光組成物に対して、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、また、例えば、10質量%以下、好ましくは、3質量%以下である。
反射層4は、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、左右方向外側および前後方向外側に配置されている。反射層4は、上下方向に延びる平面視略矩形枠状を有している。
反射層4の内周端縁(面)は、蛍光体層3の側面の全面と接触し、それを被覆している。また、反射層4は、左右方向または前後方向に投影したときに、光半導体素子2および蛍光体層3を含むように配置されている。また、反射層4の上端縁は、上下方向において、蛍光体層3の上面と一致し、反射層4の下端縁は、上下方向において、蛍光体層3の下面および光半導体素子2の対向面22と一致する。すなわち、反射層4は、その上面が蛍光体層3の上面と面一となり、かつ、その下面が蛍光体層3の下面および光半導体素子2の対向面22と面一となるように、形成されている。
また、反射層4は、好ましくは、下記式(1)、より好ましくは、下記式(1´)、さらに好ましくは、下記式(1´´)を満たす。
90° < θ1 < 160° (1)
100° < θ1 < 160° (1´)
100° < θ1 < 150° (1´´)
θ1は、光半導体素子2の発光面21の端縁(点m)と反射層4の上端縁の内端縁(点n)とを平面視において左右方向または前後方向に沿って結ぶ直線L1(図1B参照)と、発光面21とがなす角度を示す。
100° < θ1 < 160° (1´)
100° < θ1 < 150° (1´´)
θ1は、光半導体素子2の発光面21の端縁(点m)と反射層4の上端縁の内端縁(点n)とを平面視において左右方向または前後方向に沿って結ぶ直線L1(図1B参照)と、発光面21とがなす角度を示す。
また、光半導体素子2の発光面21と、反射層4の上端縁の内端縁(点n)との上下方向距離Y(すなわち、反射層4の内端縁と仮想面6との交点(点k)と、反射層4の上端縁の内端縁(点n)との距離Y)は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上、より好ましくは、150μm以上であり、また、例えば、800μm以下、好ましくは、500μm以下、より好ましくは、250μm以下である。距離Yを上記下限以上とすることにより、色味を良好にし、かつ、色のばらつきを低減することができる。一方、距離Yを上記上限以下とすることにより、放熱性を良好にし、かつ、二層付素子1の信頼性を向上させることができる。
なお、第1実施形態では、A = Y の関係式(2´)を満たす。
また、反射層4は、光半導体素子2の対向面22に対して略直角をなすように、上下方向に延びている。すなわち、反射層4の内端縁の面と、蛍光体層3の最下面とがなす角度θ2は、製造容易性、指向性および照度の観点から、例えば、88°以上92°以下であり、好ましくは、90°である。
反射層4の左右方向または前後方向の長さ(特に、上端縁における左右方向または前後方向長さ、図1Bで示すD)は、指向性の観点から、例えば、0μmを超過し、好ましくは、50μm以上、より好ましくは、100μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、300μm以下である。
反射層4の下端縁の内端縁から、光半導体素子2の対向面22の端縁までの左右方向または前後方向の距離(図1Bで示すB)は、例えば、0μmを超過し、好ましくは、10μm以上、より好ましくは、50μm以上、さらに好ましくは、70μm以上であり、また、例えば、2000μm以下、好ましくは、1500μm以下、より好ましくは、500μm以下、さらに好ましくは、150μm以下である。
反射層4は、100μm厚みとして450nm波長の光で照射したときの反射率が、例えば、70%以上、好ましくは、80%以上、より好ましくは、90%以上であり、また、例えば、100%以下である。反射率を上記範囲内とすることにより、正面照度をより一層良好にすることができる。反射率の測定方法は、紫外可視近赤外分光光度計を用いて、積分球における光路確認方法にて、450nm波長での反射率を測定することにより求めることができる。
反射層4は、100μm厚みとして450nm波長の光で照射したときの光透過率が、例えば、20%以下、好ましくは、10%以下である。光透過率の測定方法は、実施例にて詳述する。
反射層4は、例えば、光反射成分および樹脂を含有する反射組成物から形成されている。
光反射成分は、光を透過せずに反射する粒子であって、例えば、白色無機粒子、白色有機粒子などの白色粒子などが挙げられる。好ましくは、照度、耐久性の観点から、白色無機粒子が挙げられる。
白色無機粒子を構成する材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白(塩基性炭酸鉛)、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などが挙げられる。照度の観点から、好ましくは、酸化物が挙げられ、より好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
光反射成分の平均粒子径は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.2μm以上であり、また、例えば、10μm以下、好ましくは、2.0μm以下である。
本発明において、粒子の平均粒子径は、D50値として算出され、具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。
光反射成分の含有割合は、反射組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上、より好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、30質量%以下である。
樹脂は、反射組成物において光反射成分を均一に分散させるマトリクスであって、例えば、樹脂は、蛍光組成物に含まれる樹脂と同一である。
樹脂の配合割合は、光反射成分(および添加剤)の配合割合の残部であり、例えば、反射組成物に対して、例えば、10質量%以上、好ましくは、20質量%以上、より好ましくは、25質量%以上であり、また、例えば、99質量%以下、好ましくは、75質量%以下、より好ましくは、50質量%未満である。
反射組成物には、光拡散性粒子、充填材、チクソ性付与粒子などの添加剤を適宜の割合で含有することもできる。
光拡散性粒子は、光を拡散する透明性の粒子であって、例えば、樹脂との屈折率差が高い粒子が挙げられる。光拡散性粒子と樹脂との屈折率差は、例えば、0.04以上、好ましくは、0.10以上であり、また、例えば、0.50以下である。これにより、反射層4内における光の拡散を向上させて、反射率をより一層向上させることができる。
具体的には、光拡散性無機粒子、光拡散性有機粒子などが挙げられる。
光拡散性無機粒子としては、例えば、シリカ粒子、複合無機酸化物粒子(ガラス粒子など)が挙げられる。
複合無機酸化物粒子は、好ましくは、ガラス粒子であって、具体的には、シリカ、あるいは、シリカおよび酸化ホウ素を主成分として含有し、また、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどを副成分として含有する。複合無機酸化物粒子における主成分の含有割合は、複合無機酸化物粒子に対して、例えば、40質量%以上、好ましくは、50質量%以上であり、また、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下である。副成分の含有割合は、上記した主成分の含有割合の残部である。
光拡散性有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。
光拡散性粒子の屈折率は、例えば、1.40以上1.60以下である。光拡散性粒子と樹脂との屈折率差は、例えば、0.04以上、好ましくは、0.10以上であり、また、例えば、0.50以下である。屈折率は、例えば、アッベ屈折計によって測定される。
光拡散性粒子としては、光拡散性、耐久性の観点から、好ましくは、光拡散性無機粒子が挙げられ、より好ましくは、シリカ粒子、複合無機酸化物粒子が挙げられる。
光拡散性粒子の平均粒子径は、例えば、1.0μm以上、好ましくは、5.0μm以上であり、また、例えば、100μm以下、好ましくは、50μm以下である。
反射組成物が光拡散性粒子を含有する場合、光拡散性粒子の含有割合は、反射組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、10質量%以上、より好ましくは、20質量%を超過し、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、40質量%以下である。
充填材は、透明性の粒子であって、樹脂との屈折率差が低い粒子である。具体的には、樹脂との屈折率差が、0.03以下、好ましくは、0.01以下である粒子である。これにより、反射層4の透明性を確保しつつ、反射層4の剛性を向上することができる。
充填材の屈折率は、例えば、1.40以上、好ましくは、1.45以上であり、また、例えば、1.60以下、好ましくは、1.55以下である。
このような充填材としては、光拡散性粒子と同様の材料の粒子が挙げられ、好ましくは、無機粒子、より好ましくは、シリカ粒子、複合無機酸化物粒子(ガラス粒子など)が挙げられる。
充填材の平均粒子径は、例えば、1.0μm以上、好ましくは、5.0μm以上であり、また、例えば、100μm以下、好ましくは、50μm以下である。
なお、本発明に用いる粒子において、光拡散性粒子か充填材かは、たとえ材料が同一であったとしても、樹脂の屈折率差に応じて適宜区別される。
反射組成物が充填材を含有する場合、充填材の含有割合は、反射組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、10質量%以上、より好ましくは、20質量%を超過し、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、40質量%以下である。
チクソ性付与粒子は、反射組成物にチクソ性を付与または向上させるための粒子であって、好ましくは、反射性の観点から、ヒュームドシリカ(煙霧シリカ)などのナノシリカなどが挙げられる。
ヒュームドシリカとしては、例えば、ジメチルジクロロシラン、シリコーンオイルなどの表面処理剤により表面が疎水化された疎水性煙霧シリカ、および、表面処理されていない親水性煙霧シリカのいずれであってもよい。
ナノシリカ(特にヒュームドシリカ)の平均粒子径は、例えば、1nm以上、好ましくは、5nm以上であり、また、例えば、200nm以下、好ましくは、50nm以下である。また、ナノシリカ(特にヒュームドシリカ)の比表面積(BET法)は、例えば、50m2/g以上、好ましくは、200m2/g以上であり、また、例えば、500m2/g以下である。
反射組成物がチクソ性付与粒子を含有する場合、反射組成物におけるチクソ性付与粒子の含有割合は、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、また、例えば、10質量%以下、好ましくは、3質量%以下である。
二層付素子1から放出される光の半値角は、例えば、130度以下、好ましくは、125度以下、より好ましくは、120度以下であり、また、例えば、90度以上、好ましくは、100度以上である。半値角の測定方法は、実施例にて詳述する。
二層付素子1から放出される光の配向角(COA)は、例えば、0.10度以下、好ましくは、0.05度以下、より好ましくは、0.03度以下であり、また、例えば、0.01度以上である。配向角の測定方法は、実施例にて詳述する。
二層付素子1から放出される光の正面照度は、例えば、60%を超過し、好ましくは、100%以上、より好ましくは、110%以上、さらに好ましくは、120%以上であり、また、例えば、130%以下である。正面照度の測定方法は、実施例にて詳述する。
<第1実施形態の製造方法>
図2A〜図2Gを参照して、第1実施形態の二層付素子1の製造方法を説明する。第1実施形態の二層付素子1の製造方法は、例えば、仮固定シート用意工程、仮固定工程、蛍光体層形成工程、蛍光体層除去工程、反射層形成工程、切断工程を備える。
図2A〜図2Gを参照して、第1実施形態の二層付素子1の製造方法を説明する。第1実施形態の二層付素子1の製造方法は、例えば、仮固定シート用意工程、仮固定工程、蛍光体層形成工程、蛍光体層除去工程、反射層形成工程、切断工程を備える。
まず、図2Aに示すように仮固定シート用意工程では、仮固定シートを用意する。
仮固定シート40は、公知または市販のものを用意でき、例えば、支持基材41と、支持基材41の上に配置される感圧接着剤層42とを備えている。
支持基材41としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム(PETなど)などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。
感圧接着剤層42は、支持基材41の上面全面に配置されている。感圧接着剤層42は、支持基材41の上面において、シート形状を有している。感圧接着剤層42は、例えば、処理(例えば、紫外線の照射や加熱など)によって感圧接着力が低減するような感圧接着剤から形成されている。感圧接着剤層42の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下である。
次いで、図2Bに示すように、仮固定工程では、複数の光半導体素子2を、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて、仮固定シート40の上に仮固定する。
具体的には、複数の光半導体素子2の対向面22を、感圧接着剤層42の上面に感圧接着する。この際、複数の電極24が感圧接着剤層42に埋没するように、光半導体素子2を感圧接着剤層42に対して押圧する。
次いで、図2Cが示すように、蛍光体層形成工程では、蛍光体層3を、光半導体素子2を被覆するように仮固定シート40の上に配置する。
具体的には、蛍光体層3が剥離シートの上に配置された蛍光体転写シートを用意し、続いて、蛍光体層3に光半導体素子2が埋没するように、光半導体素子2が配置された仮固定シート40に対して蛍光体転写シートを押圧して積層し、続いて、剥離シートを蛍光体層3から剥離する。
蛍光体転写シートの作製については、例えば、蛍光組成物と溶媒とを配合し、蛍光組成物のワニスを調製し、ワニスを、剥離シートの表面に塗布し、乾燥させる。その後、蛍光組成物が、Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、蛍光組成物を、Bステージ化する(半硬化させる)。具体的には、蛍光組成物を、加熱する。これにより、剥離シートの上に、蛍光体層3が形成される。
このようにして、光半導体素子2の発光面21および側面23、ならびに、仮固定シート40の上面(光半導体素子2から露出している上面)が蛍光体層3によって被覆される。すなわち、蛍光体層付光半導体素子集合体9が得られる。
次いで、図2Dに示すように、蛍光体層除去工程では、蛍光体層付光半導体素子集合体9の蛍光体層3の一部を除去する。
具体的には、蛍光体層3を所望の寸法となるように、互いに隣接する光半導体素子2の間における蛍光体層3を除去する。例えば、広幅のダイシングソー(ダイシングブレード)43(図2D参照)を用いて、蛍光体層3を平面視略碁盤目形状に切削する。
これにより、蛍光体層付光半導体素子集合体9において、蛍光体層3が除去された部分に隙間44が形成される。
次いで、図2Eに示すように、反射層形成工程では、隙間44に反射層4を形成する。
具体的には、所望パターンの反射層4が剥離シートの上に配置された反射層転写シートを用意し、続いて、隙間44に反射層4が充填されるように、蛍光体層付光半導体素子集合体9に対して反射層転写シートを押圧して積層し、続いて、剥離シートを反射層4から剥離する。
反射層転写シートについては、例えば、反射組成物と溶媒とを配合し、反射組成物のワニスを調製し、ワニスを、剥離シートの表面に塗布し、乾燥させる。その後、反射組成物が、Bステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、反射組成物を、Bステージ化する(半硬化させる)。具体的には、反射組成物を、加熱する。これにより、反射層4を形成する。その後、公知の方法によって、反射層4を隙間44に対応したパターンとなるように、パターニングする。
なお、反射層転写シートを使用せずに、反射組成物のワニスを隙間44に直接ポッティングして、ワニスを加熱乾燥することもできる。
その後、蛍光体層3および/または反射層4が、熱硬化性樹脂を含有し、Bステージ状態またはAステージ状態である場合は、例えば、オーブンなどによって、さらなる加熱を実施して、蛍光体層3および/または反射層4を硬化(完全硬化、Cステージ化)する。
これにより、仮固定シート40の上に、複数の光半導体素子2と、蛍光体層3と、反射層4とが積層される。すなわち、反射層および蛍光体層付光半導体素子集合体10が得られる。
次いで、図2Fに示すように、切断工程では、反射層および蛍光体層付光半導体素子集合体10を切断(個片化)する。
具体的には、互いに隣接する光半導体素子2の間において、図2Eの仮想線が示すように、反射層4を切断する。これにより、複数の光半導体素子2ごとに個片化される。
反射層4を切断するには、例えば、幅狭の円盤状のダイシングソーを用いるダイシング装置、例えば、カッターを用いるカッティング装置、例えば、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。
続いて、図2Fの仮想線が示すように、仮固定シート40を光半導体素子2から剥離する。
これにより、二層付素子1が得られる。
なお、図2Gが参照されるように、二層付素子1を、ダイオード基板などの電極基板7にフリップチップ実装することにより、発光ダイオード装置などの光半導体装置8が得られる。
電極基板7は、略平板形状を有し、具体的には、絶縁基板の上面に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、プラスチック基板(例えば、ポリイミド樹脂基板)などからなる。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。導体層は、単数の光半導体素子2と電気的に接続するための電極(図示せず)を備えている。電極基板7の厚みは、例えば、25μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、2000μm以下、好ましくは、1000μm以下である。
<作用効果>
第1実施形態の二層付素子1では、反射層4が、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、これらの左右方向および前後方向の外側に配置されている。このため、蛍光体層3および光半導体素子2の側面23から放射または反射される光を上側に反射することができる。よって、指向性および正面照度が良好である。
第1実施形態の二層付素子1では、反射層4が、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、これらの左右方向および前後方向の外側に配置されている。このため、蛍光体層3および光半導体素子2の側面23から放射または反射される光を上側に反射することができる。よって、指向性および正面照度が良好である。
また、蛍光体層3が、光半導体素子2の側面23の全面に接触している。このため、光の取り出し効率が良好となる。
また、蛍光体層3が、光半導体素子2の外側に延びる仮想面6を含むように配置される外側部分32を有する。このため、蛍光体層3を光半導体素子2の発光面21に配置する際に(例えば図2Cや図2Dを参照)、仮に、蛍光体層3が光半導体素子2の発光面21から左右方向または前後方向にずれたとしても、光半導体素子2の発光面21に蛍光体層3が被覆されない非被覆部分が発生することを抑制することができる。すなわち、蛍光体層3の外側部分32が光半導体素子2の発光面21を確実に被覆することができる。その結果、左右方向および前後方向において、光半導体素子2に対する蛍光体層3の位置精度の向上が図られている。
そして、二層付素子1は、ダイオード基板などの電極基板7に対して実装することにより発光ダイオード装置などの光半導体装置8を製造するための部品であって、この二層付素子1によれば、位置精度の向上を図りつつ、良好な指向性および正面照度を有する光半導体装置8を製造することができる。
また、二層付素子1は、電極基板7に実装する前に、テスト用機器に接続するなどして発光性能(指向性、照度、色味など)の確認が可能である。そのため、所望の性能に不適合な光半導体装置8が発生した際において、その光半導体装置8に組み込まれた電極基板7の回収作業などを予め防止できるため、二層付素子1は、光半導体装置8の製造用の部品として有用である。
<第1実施形態の変形例>
第1実施形態の変形例において、第1実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態の変形例において、第1実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図1Bの実施形態では、光半導体素子2、蛍光体層3および反射層4が平面視略正方形状に形成されているが、例えば、これらの一部または全部を平面視略長方形状に形成することもできる。
この場合、光半導体素子2の発光面21の端縁(点m)と、蛍光体層3の発光面21上における外端縁(点k)との距離Xが、最も短くなるように、点mおよび点kを選択する。そして、その選択した点m、点kおよびその際における側断面図に基づいて、θ1、θ2、A、B、D、X、Y、L1などを決定する。そして、少なくともXが最も短くなるように点mおよび点kを選択した条件において、式(1)〜(2´)を満たすことが好ましい。さらには、その選択した側断面図と直交する側断面図において上記θ1などを決定した場合でも、式(1)〜(2´)を満たすことがより好ましい。
図1Bの実施形態では、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面と面一となるように形成されているが、例えば、図3に示すように、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面よりも下側に位置するように形成することもできる。
図3の実施形態では、A < Y の関係式(2´´)を満たす。
また、図1Bの実施形態では、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面と面一となるように形成されているが、例えば、図4に示すように、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面よりも上側に位置するように形成することもできる。
図4の実施形態では、Y < A の関係式を満たす。
図3および図4の実施形態も本発明に含まれ、図1Bの実施形態と同様の作用効果を奏する。
本発明では、指向性の観点から、好ましくは、図1B(A=Y)、図3の実施形態(A<Y)が挙げられる。すなわち、A ≦ Y の関係式(2)を満たす実施形態が好ましい。
また、A ≦ Y の関係式(2)を満たすとき、反射層4の上端縁の内端縁(点n)から蛍光体層3の上面までの上下方向距離(Y−A)は、例えば、100μm以下、好ましくは、50μm以下であり、また、例えば、0μm以上である。上記距離を上記範囲内とすることにより、ハンドリング性を良好にすることができる。また、搬送コレットなどの搬送器具を用いた把持および運搬を容易にすることができる。
図1Bの実施形態では、蛍光体層3の上面は露出しているが、例えば、図5に示すように、蛍光体層3の上面に拡散層5を配置することもできる。
拡散層5は、左右方向および前後方向に沿う略平板形状を有しており、平面視において、蛍光体層3の内側部分31と同一形状となるように形成されている。また、拡散層5の上面が、上下方向において、反射層4の上端縁と一致する。すなわち、拡散層5は、その上面が反射層4の上面と面一となるように、形成されている。
拡散層5の厚み(上下方向長さ、図5で示すC)は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、240μm以下、好ましくは、150μm以下である。
拡散層5は、100μm厚みとして450nm波長の光で照射したときの光透過率が、例えば、60%以上、好ましくは、80%以上であり、また、例えば、100%以下である。
拡散層5は、例えば、透明樹脂および光拡散性粒子を含有する拡散透明組成物から形成されている。
透明樹脂は、反射層4で上記した樹脂と同一のものが挙げられ、好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
透明樹脂の配合割合は、例えば、拡散透明組成物に対して、例えば、5質量%以上、好ましくは、10質量%以上、より好ましくは、25質量%以上であり、また、例えば、99質量%以下、好ましくは、80質量%以下、より好ましくは、50質量%未満である。
光拡散性粒子は、反射層4で上記した光拡散性粒子と同一のものが挙げられる。この中でも、良好な光透過率および前方拡散性の観点から、好ましくは、透明樹脂(例えば、シリコーン樹脂)との屈折率差が高い光拡散性無機粒子が挙げられ、より好ましくは、酸化ケイ素粒子、複合無機酸化物粒子が挙げられ、さらに好ましくは、酸化ケイ素粒子および複合無機酸化物粒子の組み合わせが挙げられる。
光拡散性粒子の含有割合は、拡散透明組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、20質量%以上、より好ましくは、50質量%を超過し、また、例えば、95質量%以下、好ましくは、90質量%以下、より好ましくは、75質量%以下、さらに好ましくは、40質量%以下である。
また、拡散透明組成物は、充填材、チクソ性付与粒子などの公知の添加剤を、適宜の割合で含有することもできる。
充填材は、反射層4で上記した充填材と同一のものが挙げられ、好ましくは、シリカ粒子、複合無機酸化物粒子(ガラス粒子など)が挙げられる。
充填材を含有する場合、充填材の配合割合は、拡散透明組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、10質量%以上、より好ましくは、20質量%を超過し、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、40質量%以下である。
チクソ性付与粒子は、反射層4で上記したチクソ性付与粒子と同一のものが挙げられ、好ましくは、ナノシリカが挙げられる。
チクソ性付与粒子を含有する場合、チクソ性付与粒子の配合割合は、拡散透明組成物に対して、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、また、例えば、10質量%以下、好ましくは、3質量%以下である。
図5の実施形態も本発明に含まれ、図1Bの実施形態と同様の作用効果を奏する。指向性および正面照度がより一層良好となる観点から、好ましくは、図5の実施形態が挙げられる。
また、図5の実施形態では、拡散層5は、その上面が反射層4の上面と面一となるように形成されているが、例えば、図示しないが、拡散層5は、その上面が反射層4の上面よりも上側または下側に位置するように形成することもできる。
本発明では、指向性の観点から、好ましくは、図5の実施形態(A+C=Y)、拡散層5の上面が反射層4の上面よりも下側に位置する実施形態(A+C<Y))が挙げられる。すなわち、A + C ≦ Y の関係式(4)を満たす実施形態が好ましい。
さらには、反射層4の上端縁の内端縁(点n)と、拡散層5の上面との上下方向距離{Y−(A+C)}は、例えば、100μm以下、好ましくは、50μm以下であり、また、例えば、0μm以上である。上記距離を上記範囲内とすることにより、ハンドリング性を良好にすることができる。また、搬送コレットなどの搬送器具を用いた把持および運搬を容易にすることができる。
<第2実施形態>
図6A−図6Bを参照して、本発明の二層付素子1の第2実施形態について説明する。
図6A−図6Bを参照して、本発明の二層付素子1の第2実施形態について説明する。
第2実施形態において、第1実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図6A−図6Bに示すように、二層付素子1は、光半導体素子2と、蛍光体層3と、反射層4とを備えている。
蛍光体層3は、光半導体素子2の発光面21を被覆するように、光半導体素子2の上側に配置されている。蛍光体層3は、左右方向および前後方向に沿う略平板形状を有している。また、蛍光体層3は、平面視略矩形状を有し、上下方向に投影したときに、光半導体素子2を含むように形成されている。蛍光体層3は、光半導体素子2の上側に配置される内側部分31と、内側部分31の外側に配置される外側部分32とを備えている。
内側部分31は、左右方向および前後方向に沿う略平板形状を有しており、平面視において、光半導体素子2と同一形状となるように形成されている。すなわち、内側部分31の下面全面は、光半導体素子2の発光面21の全面を被覆している。
外側部分32は、内側部分31の外側に配置されており、内側部分31の周端縁と外側部分32の内周端縁とが一体的に連続している。外側部分32は、平面視略矩形枠状の略平板状を有し、内側部分31と同一の厚み(上下方向長さ)を有する。また、外側部分32は、仮想面6の上に配置されている。すなわち、外側部分32の下面は、仮想面6と一致する。
外側部分32と内側部分31との左右方向または前後方向の長さの比は、例えば、1:100〜50:100、好ましくは、7:100〜25:100である。
反射層4は、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、左右方向外側および前後方向外側に配置されている。反射層4は、上下方向に延びる平面視略矩形枠状を有している。
反射層4は、上部4aと、上部4aの下側に配置される下部4bとを有している。
上部4aは、蛍光体層3の左右方向外側および前後方向外側に配置され、蛍光体層3の側面の全面と接触し、それを被覆している。すなわち、上部4aの内周端面は、蛍光体層3の側面全面に接触している。
上部4aは、左右方向または前後方向に投影したときに、蛍光体層3を含むように形成されている。具体的には、上下方向において、上部4aの上端縁(反射層4の上端縁)は、蛍光体層3の上面と一致し、下部4bの下端縁は、蛍光体層3の下面と一致する。
下部4bは、その上端が上部4aの下端と一体的に連続しており、左右方向内側および前後方向内側に向かって、上部4aよりも広幅となるように、形成されている。下部4bは、光半導体素子2の左右方向外側および前後方向外側に配置され、光半導体素子2の側面23の全面と接触し、それを被覆している。すなわち、下部4bの内周端面は、光半導体素子2の側面23全面に接触している。
下部4bは、左右方向または前後方向に投影したときに、光半導体素子2を含むように形成されている。具体的には、上下方向において、下部4bの上端縁は、光半導体素子2の発光面21と一致し、下部4bの下端縁(反射層4の下端縁)は、光半導体素子2の対向面22と一致する。すなわち、反射層4は、その上面が蛍光体層3の上面と面一となり、かつ、その下面が蛍光体層3の下面および光半導体素子2の対向面22と面一となるように、形成されている。
また、反射層4は、好ましくは、上記式(1)、より好ましくは、上記式(1´)、さらに好ましくは、上記式(1´´)を満たす。
反射層4において、光半導体素子2の発光面21と、反射層4の上端縁の内端縁との上下方向距離Yは、第1実施形態と同様である。すなわち、第2実施形態では、A = Y の関係式(2´)を満たす。
反射層4の内端縁の面と蛍光体層3の最下面とがなす角度θ2、および、反射層4の左右方向または前後方向の長さ(特に上端縁における左右方向または前後方向の長さ)Dは、第1実施形態と同様である。
なお、反射層4の下端縁の内端縁から、光半導体素子2の対向面22の端縁までの左右方向または前後方向の距離Bは、0μmである。上記距離Xは、第1実施形態と同様である。左右方向または前後方向の距離Bについては、 B < X の関係式(3)を満たす。
<第2実施形態の製造方法>
図7A〜図7Eを参照して、第2実施形態の二層付素子1の製造方法を説明する。第2実施形態の二層付素子1の製造方法は、例えば、蛍光体層用意工程、光半導体素子配置工程、蛍光体層除去工程、反射層形成工程、切断工程を備える。
図7A〜図7Eを参照して、第2実施形態の二層付素子1の製造方法を説明する。第2実施形態の二層付素子1の製造方法は、例えば、蛍光体層用意工程、光半導体素子配置工程、蛍光体層除去工程、反射層形成工程、切断工程を備える。
まず、図7Aに示すように、蛍光体層用意工程では、蛍光体層3を用意する。
例えば、第1実施形態で上記した蛍光体層形成工程における蛍光体層転写シートを用いる。
次いで、図7Bに示すように、光半導体素子配置工程では、蛍光体層3の上に、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて、複数の光半導体素子2を配置する。
具体的には、蛍光体層3の上面と、光半導体素子2の発光面21とが接触するように、複数の光半導体素子2を蛍光体層3の上に整列配置する。これにより、蛍光体層付光半導体素子集合体9が得られる。
次いで、図7Cに示すように、蛍光体層除去工程では、蛍光体層付光半導体素子集合体9の蛍光体層3の一部を除去する。
例えば、第1実施形態の蛍光体層除去工程で上記したように、広幅のダイシングソー(ダイシングブレード)43(図7B参照)を用いて、蛍光体層3を平面視略碁盤目形状に切削する。
これにより、蛍光体層付光半導体素子集合体9において、蛍光体層3が除去された部分に隙間44が形成される。
次いで、図7Dに示すように、反射層形成工程では、隙間44、および、隣接する複数の光半導体素子2の間に反射層4を形成する。
例えば、第1実施形態で上記したように、反射層転写シートによる転写、または、反射射組成物のワニスによるポッティングを実施する。その後、蛍光体層3および/または反射層4が、熱硬化性樹脂を含有し、Bステージ状態またはAステージ状態である場合は、例えば、オーブンなどによって、さらなる加熱を実施して、蛍光体層3および/または反射層4を硬化(完全硬化、Cステージ化)する。
これにより、反射層および蛍光体層付光半導体素子集合体10が得られる。
次いで、図7Fに示すように、切断工程では、反射層および蛍光体層付光半導体素子集合体10を切断(個片化)する。
これにより、二層付素子1が得られる。
<作用効果>
第2実施形態の二層付素子1では、反射層4が、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、これらの左右方向外側および前後方向外側に接触するように配置されている。このため、蛍光体層3および光半導体素子2の側面23から放射または反射される光を上側に反射することができる。よって、指向性および正面照度が良好である。
第2実施形態の二層付素子1では、反射層4が、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、これらの左右方向外側および前後方向外側に接触するように配置されている。このため、蛍光体層3および光半導体素子2の側面23から放射または反射される光を上側に反射することができる。よって、指向性および正面照度が良好である。
また、反射層4が、光半導体素子2の側面23の全面に接触している。このため、指向性および正面照度がより一層良好である。
また、二層付素子1は、 B < X の関係式(3)を満たしている。よって、正面照度がより一層良好である。
また、蛍光体層3が、光半導体素子2の外側に延びる仮想面6上に配置される外側部分32を有する。このため、蛍光体層3の下面は、光半導体素子2の発光面21に対して広くなっている。よって、蛍光体層3を光半導体素子2の発光面21に配置する際に(例えば図7Bを参照)、仮に、蛍光体層3が光半導体素子2の発光面21から左右方向または前後方向にずれたとしても、光半導体素子2の発光面21に蛍光体層3が被覆されない非被覆部分の発生を抑制することができる。よって、蛍光体層3の外側部分32が光半導体素子2の発光面21を確実に被覆することができる。その結果、左右方向および前後方向において、光半導体素子2に対する蛍光体層3の位置精度の向上が図られている。
そして、二層付素子1は、ダイオード基板などの電極基板7に対して実装することにより発光ダイオード装置などの光半導体装置8を製造するための部品であって、この二層付素子1によれば、位置精度の向上を図りつつ、良好な指向性および正面照度を有する光半導体装置8を製造することができる。
また、二層付素子1は、電極基板7に実装する前に、テスト用機器に接続するなどして発光性能(指向性、照度、色味など)の確認が可能である。そのため、所望の性能に不適合な光半導体装置8が発生した際において、その光半導体装置8に組み込まれた電極基板7の回収作業などを予め防止できるため、二層付素子1は、光半導体装置8の製造用の部品として有用である。
<第2実施形態の変形例>
第2実施形態の変形例において、第2実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態の変形例において、第2実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図6Bの実施形態では、蛍光体層3の外側部分32の側面は、上下方向に沿って垂直となるように形成されているが、例えば、図8に示すように、蛍光体層3の外側部分32の側面、ひいては、反射層4の上部4aの内端面は、上側に向かって広がるテーパ状に形成することもできる。
図8の実施形態も本発明に含まれ、図1Bの実施形態と同様の作用効果を奏する。
また、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面と面一となるように形成されているが、例えば、図示しないが、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面よりも上側または下側に位置するように形成することもできる。
この実施形態も、図1Bの実施形態と同様の作用効果を奏する。
本発明では、指向性の観点から、好ましくは、図6Bの実施形態(A=Y)、または、蛍光体層3の上面が反射層4の上面よりも下側である実施形態(A<Y)が挙げられる。すなわち、A ≦ Y の関係式(2)を満たす実施形態が好ましい。
図6Bの実施形態では、蛍光体層3の上面は露出しているが、例えば、図9に示すように、蛍光体層3の上面に拡散層5を配置することもできる。
図9の実施形態も本発明に含まれ、図6Bの実施形態と同様の作用効果を奏する。指向性および正面照度がより一層良好となる観点から、好ましくは、図9の実施形態が挙げられる。
また、図9の実施形態では、拡散層5は、その上面が反射層4の上面と面一となるように形成されているが、例えば、図示しないが、拡散層5は、その上面が反射層4の上面よりも上側または下側に位置するように形成することもできる。
本発明では、指向性の観点から、好ましくは、図9の実施形態(A+C=Y)、拡散層5の上面が反射層4の上面よりも下側に位置する実施形態(A+C<Y)が挙げられる。すなわち、A + C ≦ Y の関係式(4)を満たす実施形態が好ましい。
<第3実施形態>
図10A−図10Bを参照して、本発明の二層付素子1の第3実施形態について説明する。
図10A−図10Bを参照して、本発明の二層付素子1の第3実施形態について説明する。
第3実施形態において、第1実施形態および第2実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図10A−図10Bに示すように、二層付素子1は、光半導体素子2と、蛍光体層3と、反射層4とを備えている。
蛍光体層3は、光半導体素子2の発光面21の全部、および、側面23の一部を被覆するように、光半導体素子2の上側および側方に配置されている。蛍光体層3は、光半導体素子2の上側に配置される内側部分31と、内側部分31の外側に配置される外側部分32とを一体的に備えている。
外側部分32は、上下方向に延びる平面視略矩形枠状を有している。外側部分32は、上側部分32aと下側部分32bとを備えている。また、外側部分32は、上側部分32aおよび下側部分32bとの間において、発光面21に沿って光半導体素子2の左右方向および前後方向の外側に延びる仮想面6を含む。
外側部分32の下側部分32bは、光半導体素子2の側面23の上部と接触し、それを被覆するように、光半導体素子2の外側に配置されている。すなわち、下側部分32bの内周端面は、光半導体素子2の側面23の上部に接触している。上側部分32aは、その下端が、下側部分32bの上端と一体的に連結しており、上側に向かうように形成されている。
反射層4は、光半導体素子2および蛍光体層3の両方に対して、左右方向外側および前後方向外側に配置されている。反射層4は、上下方向に延びる平面視略矩形枠状を有している。
反射層4は、上部4aと、上部4aの下側に配置される下部4bとを有している。
上部4aは、蛍光体層3の左右方向外側および前後方向外側に配置され、蛍光体層3の側面の全面と接触し、それを被覆している。
下部4bは、その上端が上部4aの下端と一体的に連続しており、左右方向内側および前後方向内側に向かって、上部4aよりも広幅となるように、形成されている。下部4bは、光半導体素子2の左右方向外側および前後方向外側に配置され、光半導体素子2の側面23の下部と接触し、それを被覆している。
<第3実施形態の製造方法>
図11A〜図11Gを参照して、第2実施形態の二層付素子1の製造方法を説明する。第3実施形態の二層付素子1の製造方法は、例えば、仮固定シート用意工程、仮固定工程、蛍光体層形成工程、蛍光体層除去工程、反射層形成工程、切断工程を備える。
図11A〜図11Gを参照して、第2実施形態の二層付素子1の製造方法を説明する。第3実施形態の二層付素子1の製造方法は、例えば、仮固定シート用意工程、仮固定工程、蛍光体層形成工程、蛍光体層除去工程、反射層形成工程、切断工程を備える。
まず、図11Aに示すように、仮固定シート用意工程では、図2Aと同様にして、仮固定シート40を用意する。
次いで、図11Bに示すように、仮固定工程では、図2Bと同様にして、複数の光半導体素子2を、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて、仮固定シート40の上に仮固定する。
次いで、図11Cが示すように、蛍光体層形成工程では、蛍光体層3を、光半導体素子2の上部を被覆するように、スペーサー45の上に配置する。
具体的には、まず、仮固定シート40の上に、スペーサー45を配置する。
その後、蛍光体層3が剥離シートの上に配置された蛍光体転写シートを用意し、続いて、蛍光体層3に光半導体素子2の上部が埋没するように、スペーサー45に対して蛍光体転写シートを押圧して積層し、続いて、剥離シートを蛍光体層3から剥離する。
蛍光体転写シートの作製について、第3実施形態における蛍光体転写シートの蛍光体層として、好ましくは、第1実施形態で用いる蛍光体転写シートのBステージ状態の蛍光体層よりも、硬化の程度が進んだBステージ状態の蛍光体層を用いる。すなわち、第3実施形態の蛍光体層の貯蔵剪断弾性力を、第1実施形態の蛍光体層の貯蔵剪断弾性力よりも、好ましくは、高くなるように調節する。これにより、図11Cに示すように、光半導体素子2の上部のみを蛍光体層3によって被覆することができ、かつ、蛍光体層3は、仮固定シート40の支持を必要とせずに、その形状を平板状に維持することができる。
このようにして、光半導体素子2の発光面21全面および側面23上部が、蛍光体層3によって被覆される。すなわち、蛍光体層付光半導体素子集合体9が得られる。
次いで、図11Dに示すように、蛍光体層除去工程では、図2Dと同様にして、蛍光体層付光半導体素子集合体9の蛍光体層3の一部を除去する。これにより、蛍光体層付光半導体素子集合体9において、蛍光体層3が除去された部分に隙間44が形成される。
次いで、図11Eおよび図11Fに示すように、反射層形成工程では、隙間44、および、隣接する光半導体素子2間の間隔46に反射層4を形成する。
具体的には、例えば、図11Eに示すように、蛍光体層付光半導体素子集合体9の上面に保護シート47を配置し、続いて、真空チャンバー48内部などの真空密閉空間49に、蛍光体層付光半導体素子集合体9を配置し、続いて、反射組成物のワニス4aを、蛍光体層付光半導体素子集合体9を取り囲むように、仮固定シート40の上に配置し、続いて、真空密閉空間49の真空状態を解除して大気圧下に戻す。これにより、反射組成物のワニス4aが、大気圧の圧力によって、隙間44および間隔46に流入し、充填される。
その後、保護シート47を剥がし、続いて、反射組成物のワニス4aを加熱乾燥して、反射層4を形成する。
その後、蛍光体層3および/または反射層4が、熱硬化性樹脂を含有し、Bステージ状態またはAステージ状態である場合は、例えば、オーブンなどによって、さらなる加熱を実施して、蛍光体層3および/または反射層4を硬化(完全硬化、Cステージ化)する。
これにより、図11Fに示すように、仮固定シート40の上に、複数の光半導体素子2と、蛍光体層3と、反射層4とが積層される。すなわち、反射層および蛍光体層付光半導体素子集合体10が得られる。
次いで、図11Gに示すように、切断工程では、図2Fと同様にして、反射層および蛍光体層付光半導体素子集合体10を切断(個片化)する。
続いて、図11Gの仮想線が示すように、仮固定シート40を光半導体素子2から剥離する。
これにより、二層付素子1が得られる。
第3実施形態の二層付素子1も、第1実施形態の二層付素子1と同様の作用効果を奏する。なお、蛍光体層3が、光の取り出し効率が良好となる観点から、好ましくは、光半導体素子2の側面23全面に接触している第1実施形態の二層付素子1が挙げられる。
また、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面と面一となるように形成されているが、例えば、図示しないが、蛍光体層3は、その上面が反射層4の上面よりも上側または下側に位置するように形成することもできる。
また、第3実施形態では、図示しないが、蛍光体層3の上に拡散層5を備えることもできる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
(蛍光組成物の調製)
各実施例および各比較例の蛍光組成物において、同一の色度(CIE,y=0.31)となるように、シリコーン樹脂(商品名「OE6635A/B」、東レ・ダウコーニング社製、屈折率1.54)34〜45質量部、蛍光体(商品名「YAG432」、ネモト・ルミマテリアル社製)8〜30質量部、ガラス(SiO2/Al2O3/CaO/MgO=60/20/15/5(質量%)、平均粒子径20μm、屈折率1.55、充填材)35〜46質量部、ナノシリカ(フュームドシリカ、平均粒子径20nm、商品名「R976S」、日本アエロジル社製)1質量部を、全量が100質量部となるように混合して、蛍光組成物を調製した。
各実施例および各比較例の蛍光組成物において、同一の色度(CIE,y=0.31)となるように、シリコーン樹脂(商品名「OE6635A/B」、東レ・ダウコーニング社製、屈折率1.54)34〜45質量部、蛍光体(商品名「YAG432」、ネモト・ルミマテリアル社製)8〜30質量部、ガラス(SiO2/Al2O3/CaO/MgO=60/20/15/5(質量%)、平均粒子径20μm、屈折率1.55、充填材)35〜46質量部、ナノシリカ(フュームドシリカ、平均粒子径20nm、商品名「R976S」、日本アエロジル社製)1質量部を、全量が100質量部となるように混合して、蛍光組成物を調製した。
(反射組成物Aの調製)
シリコーン樹脂(上記と同一)65質量部、ガラス(上記と同一)30質量部、酸化チタン(商品名「R706」、デュポン社製、平均粒子径0.36μm、光反射成分)4質量部、ナノシリカ(上記と同一)1質量部を混合して、反射組成物Aを調製した。
シリコーン樹脂(上記と同一)65質量部、ガラス(上記と同一)30質量部、酸化チタン(商品名「R706」、デュポン社製、平均粒子径0.36μm、光反射成分)4質量部、ナノシリカ(上記と同一)1質量部を混合して、反射組成物Aを調製した。
(反射組成物Bの調製)
シリコーン樹脂(上記と同一)39質量部、ガラス(上記と同一)30質量部、酸化チタン(上記と同一)30質量部、ナノシリカ(上記と同一)1質量部を混合して、反射組成物Bを調製した。
シリコーン樹脂(上記と同一)39質量部、ガラス(上記と同一)30質量部、酸化チタン(上記と同一)30質量部、ナノシリカ(上記と同一)1質量部を混合して、反射組成物Bを調製した。
(拡散層の作製)
シリコーン樹脂(上記と同一)39質量部、ガラス(上記と同一)30質量部、シリカ(球状溶融シリカ、「FB−3SDC」、デンカ社製、平均粒子径3.4μm、屈折率1.45、光拡散性無機粒子)30質量部、ナノシリカ(上記と同一)1質量部を混合し、撹拌脱泡して、拡散透明組成物(ワニス)を調製した。
シリコーン樹脂(上記と同一)39質量部、ガラス(上記と同一)30質量部、シリカ(球状溶融シリカ、「FB−3SDC」、デンカ社製、平均粒子径3.4μm、屈折率1.45、光拡散性無機粒子)30質量部、ナノシリカ(上記と同一)1質量部を混合し、撹拌脱泡して、拡散透明組成物(ワニス)を調製した。
拡散透明組成物をポリエステルフィルム上にて塗布して、90℃で30分間加熱することにより、半硬化状態の拡散層を製造した。
(実施例1〜10および比較例1〜3)
光半導体素子として、左右方向長さおよび前後方向長さ(発光面)がそれぞれ1143μm、上下方向長さが150μmであるLED素子を用いた。上記した蛍光組成物、および、反射組成物A、Bを用いて、図2A〜図2F、図7A〜図7Eまたは図12〜図13に従って、表1に記載の形状および寸法となるように、実施例および比較例の反射層および蛍光体層付光半導体素子を製造した。なお、実施例10については、図7Aにおいて蛍光体層を用意した後に半硬化状態の拡散層を蛍光体層の下面に配置し、図7Dにおいて拡散層も硬化した以外は、図7A〜図7Eに従って反射層および蛍光体層付光半導体素子を製造した。比較例3については、反射層を設けずに、蛍光体層付光半導体素子を製造した。
光半導体素子として、左右方向長さおよび前後方向長さ(発光面)がそれぞれ1143μm、上下方向長さが150μmであるLED素子を用いた。上記した蛍光組成物、および、反射組成物A、Bを用いて、図2A〜図2F、図7A〜図7Eまたは図12〜図13に従って、表1に記載の形状および寸法となるように、実施例および比較例の反射層および蛍光体層付光半導体素子を製造した。なお、実施例10については、図7Aにおいて蛍光体層を用意した後に半硬化状態の拡散層を蛍光体層の下面に配置し、図7Dにおいて拡散層も硬化した以外は、図7A〜図7Eに従って反射層および蛍光体層付光半導体素子を製造した。比較例3については、反射層を設けずに、蛍光体層付光半導体素子を製造した。
得られた各実施例および各比較例について、以下の項目を測定した。
(厚みの測定)
蛍光体層および拡散層の厚みは、測定計(リニアゲージ、シチズン社製)により測定した。
蛍光体層および拡散層の厚みは、測定計(リニアゲージ、シチズン社製)により測定した。
(反射層の反射率の測定)
反射組成物AおよびBを塗布および硬化させて、測定用の厚み100μmの反射層AおよびBを作製した。この反射率測定用の反射層AおよびBにおいて、紫外可視近赤外分光光度計(UV−vis)(「V−670」、日本分光社製)を用いて、積分球における光路確認方法(波長範囲380〜800nm)にて、450nm波長での反射率を測定した。結果を表1に示す。
反射組成物AおよびBを塗布および硬化させて、測定用の厚み100μmの反射層AおよびBを作製した。この反射率測定用の反射層AおよびBにおいて、紫外可視近赤外分光光度計(UV−vis)(「V−670」、日本分光社製)を用いて、積分球における光路確認方法(波長範囲380〜800nm)にて、450nm波長での反射率を測定した。結果を表1に示す。
(反射層および拡散層の光透過率の測定)
拡散透明組成物を塗布および硬化させて、測定用の厚み100μmの拡散層を作製した。上記測定用の反射層AおよびBならびに測定用の拡散層において、 波長450nmにおける光透過率(%)を、分光光度計(U−4100、日立ハイテク社製)を用いて測定した。
拡散透明組成物を塗布および硬化させて、測定用の厚み100μmの拡散層を作製した。上記測定用の反射層AおよびBならびに測定用の拡散層において、 波長450nmにおける光透過率(%)を、分光光度計(U−4100、日立ハイテク社製)を用いて測定した。
その結果、反射層AおよびBの光透過率は、20%以下であり、拡散層の光透過率は、60%以上であった。
(色度の測定)
瞬間マルチ測光システム(「MCPD−9800」、大塚電子社製)によって、下記の測定条件にて、色度(CIE、y)を測定した。
瞬間マルチ測光システム(「MCPD−9800」、大塚電子社製)によって、下記の測定条件にて、色度(CIE、y)を測定した。
電流値:300mA
電圧:3.5V
露光時間:19ms
積算回数:16回
(半値角、配向角、正面照度の測定)
瞬間マルチ測定システム(「MCPD−9800」、大塚電子社製)によって、下記の条件にて、半値角、配向角および正面照度を測定した。
電圧:3.5V
露光時間:19ms
積算回数:16回
(半値角、配向角、正面照度の測定)
瞬間マルチ測定システム(「MCPD−9800」、大塚電子社製)によって、下記の条件にて、半値角、配向角および正面照度を測定した。
電流値:300mA
電圧:3.5V
測定距離:316mm
露光時間:300ms
積算回数:1回
サンプルセッティングの水平角:90°
垂直角:−90°〜90°
電圧:3.5V
測定距離:316mm
露光時間:300ms
積算回数:1回
サンプルセッティングの水平角:90°
垂直角:−90°〜90°
1 二層付素子
2 光半導体素子
3 蛍光体層
4 反射層
5 拡散層
6 仮想面
21 発光面
22 対向面
31 内側部分
32 外側部分
2 光半導体素子
3 蛍光体層
4 反射層
5 拡散層
6 仮想面
21 発光面
22 対向面
31 内側部分
32 外側部分
Claims (8)
- 発光面および前記発光面に対して上下方向に間隔を隔てて対向配置される対向面を有する光半導体素子と、
前記発光面を少なくとも被覆する蛍光体層と、
前記光半導体素子および前記蛍光体層の両方に対して、前記上下方向に直交する直交方向外側に配置される反射層とを備え、
前記蛍光体層は、
前記光半導体素子の上側に配置される内側部分と、
前記発光面に沿って前記光半導体素子の外側に延びる仮想面上にまたは前記仮想面を含むように配置される外側部分と
を有することを特徴とする、反射層および蛍光体層付光半導体素子。 - 下記式(1)および(2)を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子。
90° < θ1 < 160° (1)
A ≦ Y (2)
(式中、θ1は、前記光半導体素子の前記発光面の端縁と前記反射層の上端縁の内端縁とを結ぶ直線と、前記発光面とがなす角度を示す。
Aは、前記発光面と、前記蛍光体層の上面との上下方向距離を示す。
Yは、前記発光面と、前記反射層の上端縁の内端縁との上下方向距離を示す。) - 前記反射層は、100μm厚みにおける450nm波長の光で照射したときの反射率が80%以上であることを特徴とする、請求項1または2に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子。
- 下記式(3)を満たすことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子。
B < X (3)
(式中、Bは、前記光半導体素子の前記対向面の端縁と、前記反射層の下端縁の内端縁との距離を示す。
Xは、前記光半導体素子の前記発光面の端縁と、前記蛍光体層の前記仮想面上における外端縁との前記直交方向距離を示す。) - 前記反射層は、前記光半導体素子における前記発光面と前記対向面との間の側面全面に接触していることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子。
- 前記蛍光体層は、前記光半導体素子における前記発光面と前記対向面との間の側面全面に接触していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子。
- 前記蛍光体層の上側に配置される拡散層をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子。
- 下記式(4)を満たすことを特徴とする、請求項7に記載の反射層および蛍光体層付光半導体素子。
A + C ≦ Y (4)
(式中、Cは、前記拡散層の上下方向長さを示す。)
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