CN103296186A - 发光装置集合体和照明装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光装置集合体和照明装置。发光装置集合体是具有多个发光装置的发光装置集合体。各发光装置包括：电路基板，其具有供与外部的电源相连接的一对电极，经由电极向该电路基板供给来自电源的电力；半导体元件，其支承于电路基板之上且与电路基板电连接；以及密封层，其用于在电路基板上密封半导体元件。多个发光装置以在一方向上连续的方式配置。密封层以在俯视时彼此相邻的发光装置的密封层相接触的方式配置。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置集合体和照明装置，详细而言，本发明涉及一种将多个发光装置以在一方向上连续的方式配置而成的发光装置集合体和由该发光装置集合体制得的照明装置。
背景技术
公知的是发光二极管装置通过将单个或多个发光二极管元件（LED）配置在基板上并利用密封树脂层将其密封而制得。
具体而言，例如，提出有一种发光装置，该发光装置具有发光部，该发光部通过以下方式形成：在绝缘基板上平行配置直线状的布线图案而形成多个布线图案，将与布线图案电连接的状态下的多个发光元件搭载在该布线图案之间并用密封体密封上述布线图案和发光元件（例如，参照日本特开2008－227412号公报）。
另一方面，这样的发光装置要求小型化和低成本化。但是，在日本特开2008－227412号公报记载的发光装置中，发光部划分在比绝缘基板的周端缘靠内侧的位置，具体而言，发光部以在俯视时密封体的周端缘不与绝缘基板的周端缘相接触的方式配置在绝缘基板的内侧。
并且，在绝缘基板的比该发光部靠外侧的区域中，在绝缘基板上直接设置有一对电极（正电极外部连接盘和负电极外部连接盘），该电极与电源之间通过连接布线而连接起来。因此，谋求小型化和低成本化的程度有限。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够谋求发光装置的小型化和低成本化的发光装置集合体和由该发光装置集合体制得的照明装置。
本发明的发光装置集合体是包括多个发光装置的发光装置集合体，其特征在于，各上述发光装置包括：电路基板，其具有供与外部的电源相连接的一对电极，经由上述电极向该电路基板供给来自上述电源的电力；半导体元件，其支承于上述电路基板之上且与上述电路基板电连接；以及密封层，其用于在上述电路基板上密封上述半导体元件，多个上述发光装置以在一方向上连续的方式配置，上述密封层以在俯视时彼此相邻的上述发光装置的上述密封层相接触的方式配置。
这样的发光装置集合体中，多个发光装置以在一方向上连续的方式配置，且彼此相邻的发光装置的密封层以相接触的方式配置。
即，在这样的发光装置集合体中，一个发光装置中的密封层的端缘的至少一点以濒临该发光装置的电路基板的端缘的方式配置，由此，使彼此相邻的发光装置的密封层相接触。
因此，例如，与密封层的端缘未以濒临电路基板的端缘的方式形成情况相比，能够缩小供电极形成的区域、即电路基板上的密封层的外侧的区域。
结果，能够降低电路基板的相对于一个发光装置的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
另外，在本发明的发光装置集合体中，优选的是，上述密封层具有在俯视时至少与另一密封层相邻的一边，且彼此相邻的上述发光装置的上述密封层以在上述一边上线接触的方式配置。
在这样的发光装置集合体中，一个发光装置的密封层的端缘的一边以濒临该发光装置的电路基板的端缘的一边的方式配置，由此，彼此相邻的发光装置的密封层在一边上线接触。
因此，例如，与密封层的端缘以一点濒临电路基板的端缘的方式形成的情况相比，能够进一步缩小供电极形成的区域、即电路基板中的密封层的外侧的区域。
结果，能够进一步降低电路基板的相对于一个发光装置的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
另外，在本发明的发光装置集合体中，优选的是，上述密封层俯视为大致多边形状。
若密封层俯视为大致多边形状，则能够自片材高产量地进行冲裁而形成密封层。结果，能够谋求低成本化。
另外，在本发明的发光装置集合体中，优选的是，上述密封层俯视为（4+2n）边形状，其中，n是包括0的自然数。
若密封层为（4+2n）边形（n是包括0的自然数），则密封层的对称性较高，因此能够确保优异的光指向性。
另外，在本发明的发光装置集合体中，优选的是，上述密封层俯视为大致正六边形状。
若密封层俯视为大致正六边形状，则与例如密封层为正四边形的情况等相比，能够在一个电路基板周围高效地配置密封层。因此，能够自片材高产量地进行冲裁而形成密封层。结果，能够进一步谋求低成本化。
另外，本发明的照明装置的特征在于，包括上述发光装置集合体中的至少一个上述发光装置。
由于这样的照明装置能够由上述发光装置集合体制得，因此能够谋求小型化和低成本化。
附图说明
图1是本发明的发光装置集合体的一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正六边形状的形态）的概略图，其中，图1的（a）是表示利用密封层进行密封前的俯视图，图1的（b）是表示利用密封层进行密封后的俯视图，图1的（c）是表示图1的（b）的沿A－A’线的剖视图。
图2是表示图1所示的发光装置集合体的制造方法的制造工序图，其中，图2的（a）表示将发光二极管安装于电路基板并另行准备树脂片的工序，图2的（b）表示利用密封树脂层来覆盖发光二极管的工序，图2的（c）表示压接树脂片的工序，图2的（d）表示使密封树脂层固化的工序。
图3是多个图1所示的发光装置集合体连续而形成的形态的俯视图。
图4是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正八边形状的形态）的俯视图。
图5是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正十边形状的形态）的俯视图。
图6是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正十二边形状的形态）的俯视图。
图7是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致矩形状且以夹持密封层的方式形成有外部电极的形态）的俯视图。
图8是多个图7所示的发光装置集合体连续而形成的形态的俯视图。
图9是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致矩形状且以不夹持密封层的方式形成有外部电极的形态）的俯视图。
图10是多个图9所示的发光装置集合体连续而形成的形态的概略俯视图。
图11是表示以单个为单位分割后的发光装置的俯视图。
图12是表示以多个为单位分割后的发光装置的俯视图。
具体实施方式
图1是本发明的发光装置集合体的一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正六边形状的形态）的概略图，其中，图1的（a）是表示利用密封层进行密封前的俯视图，图1的（b）是表示利用密封层进行密封后的俯视图，图1的（c）是表示图1的（b）的沿A－A’线的剖视图。
此外，在图1的（a）中，用虚线表示要配置后述的密封层3的位置，另外，在图1的（b）和图1的（c）中，省略了后述的电线6而进行记载。
在图1中，发光装置集合体1是通过将多个（例如八个）发光装置10连续成一体而形成的。
此外，在以下的说明中，在言及方向时，以将发光装置集合体1水平载置的情况为基准，以图1的（a）中的纸面上下方向为纵向，以图1的（a）中的纸面左右方向为横向。此外，纵向和横向包括在水平方向中。另外，以图1的（c）中的纸面上下方向为上下方向。
各发光装置10包括：电路基板4；作为半导体元件的发光二极管元件2，其支承于电路基板4之上且与电路基板4电连接；以及密封层3，其用于在电路基板4上密封发光二极管元件2。
电路基板4以与各发光装置10相对应的方式以沿纵向和横向延伸的俯视呈大致矩形的平板形状设有多个（八个），另外，多个（八个）电路基板4以在横向上互相连续的方式形成为一体。电路基板4只要使用通常应用于光半导体装置的基板即可，例如氧化铝等陶瓷基板，例如聚酰亚胺等树脂基板，例如在芯体上使用了金属板而成的金属芯体基板等。
电路基板4在其上表面包括：未图示的布线图案；外部电极5，其作为供与外部的电源（未图示）相连接的一对电极；以及内部电极（未图示），其与发光二极管元件2电连接。
如图1的（b）所示，外部电极5在层叠于电路基板4的密封层3（后述）的外侧的区域设有多个（一对）并以夹持密封层3的方式相对配置，在后面对外部电极5进行详述。
并且，经由外部电极5向电路基板4（的布线图案（未图示））供给来自电源的电力，电力经由内部电极（未图示）供给到发光二极管元件2。
发光二极管元件2形成为俯视呈大致矩形的平板形状，在电路基板4的上表面，该发光二极管元件2在横向上互相隔开间隔地并列配置有多个（三个），并以在纵向上互相隔开间隔地并列配置多列（三列）。
这样的发光二极管元件2经由电线6与在横向上彼此相邻的发光二极管元件2以串联的方式电连接，且与未图示的内部电极电连接。这样的发光二极管元件2被供给来自电路基板4的电力而发光。
发光二极管元件2的1边的长度例如是0.1mm~5mm。发光二极管元件2的厚度例如是10μm~1000μm。
发光二极管元件2的在纵向上和横向上的间隔例如是0.1mm~20mm，优选是0.5mm~5mm。
密封层3是用于在电路基板4之上密封发光二极管元件2的树脂层，形成为在俯视时，密封层3的端缘的至少一点濒临电路基板4的端缘的形状。
如图1的（b）所示，这样的密封层3形成为具有在俯视时至少与另一密封层相邻的一边的形状、更具体而言形成为作为俯视呈大致多边形状的俯视呈大致正六边形状。
若密封层3俯视为大致多边形状，则能够自片材高产量地进行冲裁而形成密封层3。结果，能够谋求低成本化。
即，在发光装置集合体1的制造中，密封层3通常由较大的片材制造，通过将该较大的片材冲裁成适当的尺寸而用作密封层3。
在这种情况下，在使密封层3形成为例如俯视呈大致圆形状、俯视呈大致半圆形状等时，在其圆形状的外侧部分，产生不能被冲裁为密封层3的部分、即产生损失。
另一方面，若使密封层3形成为俯视多边形状，则能够自较大片材无间隙（例如蜂窝状）地取出密封层3，因此能够抑制损失而无浪费地使用密封层3，从而能够谋求低成本化。
另外，俯视正六边形状是俯视为（4+2n）边形（n是包括0的自然数）、即对称形状的多边形状。
若密封层3为（4+2n）边形（n是包括0的自然数），则密封层3的对称性较高，因此能够确保优异的光指向性。
更具体而言，在密封层3俯视为具有奇数边的多边形状（例如三角形状、五边形状、七边形状等）的情况下，密封层3在俯视时仅相对于一方向呈对称形状。
与此相对，在密封层3为（4+2n）边形（n是包括0的自然数）、即俯视为具有偶数边的多边形状（例如正六边形状）的情况下，密封层3在俯视时相对于一方向和与该一方向正交的方向这两个方向（图1的（b）中的纸面纵横方向）分别呈对称形状。即，与上述那样的仅相对于一方向呈对称形状的情况相比，密封层3的对称性较高，因此，能够确保优异的光指向性。
此外，在俯视为（4+2n）边形（n是包括0的自然数）中、即对称形状的多边形中，除了图1的（b）所示的正六边形状之外，还包括例如俯视为四边形状、六边形状（与正六边形状不同的六边形状）、八边形状、十边形状、十二边形状等多边形状。
尤其是，若密封层3俯视为大致正六边形状，则与例如密封层3为正四边形的情况等相比，能够在一个电路基板4周围高效地配置密封层3。因此，能够自片材高产量地进行冲裁而形成密封层3。结果，能够进一步谋求低成本化。
另外，在密封层3形成为俯视呈正六边形状且电路基板4形成为俯视呈大致矩形状的情况下，如图1的（b）所示，密封层3的最长的对角线长度L1形成为与电路基板4的一边（沿纵向延伸的边）的长度相同。另外，密封层3的彼此相对的边之间的距离L2形成为与电路基板4的另一边（沿横向延伸的边）的长度相同。
并且，这样的密封层3以覆盖发光二极管元件2的方式层叠于电路基板4的安装有发光二极管元件2的一侧的表面，由此，密封层3配置为在两点（朝向纵向弯曲的两个角的顶点）和两边（沿纵向延伸两个边）内接于各发光装置10的电路基板4。
通过如此配置密封层3，从而将没有被密封层3密封的区域即暴露部15划分在密封层3的外侧。
更具体而言，暴露部15在各电路基板4的纵向两侧和横向两侧中的4个角部被划分为俯视呈大致三角形状，该三角形状由电路基板4的外周和密封层3的一边围成。另外，彼此相邻的发光装置10的暴露部15被划分为在横向上连续。
并且，在一个发光装置10中被划分的暴露部15中的、位于纵向一侧和横向一侧的暴露部15以及位于纵向另一侧和横向另一侧的暴露部15中，以夹持密封层3的方式相对配置有两个外部电极5。
另外，在这样的发光装置集合体1中，密封层3以多个（八个）密封层3互相连续的方式形成为一体。
并且，在这样的发光装置集合体1中，多个发光装置10以在一方向上连续的方式配置，且彼此相邻的发光装置10的密封层3以在俯视时至少一点接触的方式、具体而言以在一边上线接触的方式配置。
即，在这样的发光装置集合体1中，一个发光装置10中的密封层3的端缘的至少一点以濒临该发光装置10的电路基板4的端缘的方式配置，由此，彼此相邻的发光装置10的密封层3在至少1点接触。
因此，例如，与密封层3的端缘未以濒临电路基板4的端缘的方式形成的情况相比，能够缩小用于形成外部电极5的区域、即电路基板4上的密封层3的外侧的区域。
结果，能够降低电路基板4的相对于一个发光装置10的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
尤其是，在该发光装置集合体1中，一个发光装置10中的密封层3的端缘的一边以濒临该发光装置10的电路基板4的端缘的一边的方式配置，由此，彼此相邻的发光装置10的密封层3在一边上线接触。
因此，与例如密封层3的端缘以在一点濒临电路基板4的端缘的方式形成的情况相比，能够进一步缩小用于形成外部电极5的区域、即电路基板4上的密封层3的外侧的区域。
结果，能够进一步降低电路基板4的相对于一个发光装置10的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
图2是表示图1所示的发光装置集合体的制造方法的制造工序图。
此外，在之后的各附图中，对于与上述各部分相对应的构件，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
接下来，参照图2说明发光装置集合体1的制造方法。
要制造发光装置集合体1，首先，如图2的（a）所示，在上述电路基板4上安装多个上述发光二极管元件2，以制造半导体基板9。
另外，为了制造发光装置集合体1，另行准备作为密封片的树脂片11。
如图2的（a）所示，树脂片11形成为片状，其包括剥离薄膜12和层叠于剥离薄膜12的与上述密封层3形状大致相同的密封树脂层13。
剥离薄膜12由例如下述树脂薄膜形成：聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、丙烯酸类薄膜、有机硅树脂薄膜、苯乙烯树脂薄膜、氟树脂薄膜等。需要说明的是，剥离薄膜12的表面也可以被施以离型处理。
剥离薄膜12的厚度例如为20μm~100μm，优选为30μm~50μm。若剥离薄膜12的厚度处于上述范围内，则能够抑止成本的增大并且实现良好的处理性（将剥离薄膜12从树脂片11上剥离时的处理性）。
密封树脂层13是由包含密封树脂的密封树脂组合物形成的。
作为密封树脂，可列举出：例如能够通过加热而塑化的热塑性树脂，例如通过加热而固化的热固性树脂，例如通过活性能量射线（例如紫外线、电子束等）的照射而固化的活性能量射线固化性树脂等。
作为热塑性树脂，例如可列举出醋酸乙烯酯树脂、乙烯·醋酸乙烯酯共聚物（EVA）、氯乙烯树脂、EVA·氯乙烯树脂共聚物等。
作为热固性树脂以及活性能量射线固化性树脂，例如可列举出有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等。
作为这些密封树脂，可优选列举出热固性树脂，更优选列举出有机硅树脂。
另外，作为包含有机硅树脂作为密封树脂的密封树脂组合物，例如可列举出2阶段固化型有机硅树脂组合物、1阶段固化型有机硅树脂组合物等热固性有机硅树脂组合物等。
2阶段固化型有机硅树脂组合物是指，具有2阶段的反应机构，在第1阶段的反应中B阶化（半固化），在第2阶段的反应中C阶化（最终固化）的热固性有机硅树脂组合物。
另外，B阶是密封树脂组合物可溶于溶剂的A阶与最终固化的C阶之间的状态，是固化以及凝胶化只进行一点点、在溶剂中溶胀但没有完全溶解、加热时软化但不熔融的状态。
作为2阶段固化型有机硅树脂组合物的未固化体（第1阶段的固化前），例如可列举出缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物。
缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物是通过加热能够进行缩合反应以及加成反应的热固性有机硅树脂组合物，更具体而言，是通过加热而进行缩合反应，能变为B阶（半固化），然后通过进一步的加热，进行加成反应（具体而言，例如氢化硅烷化反应），能形成C阶（最终固化）的热固性有机硅树脂组合物。
作为这样的缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，可举出：例如第1缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有硅醇两末端聚硅氧烷、含烯基三烷氧基硅烷，有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂；例如第2缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有硅醇基两末端聚硅氧烷、含乙烯系不饱和烃基的硅化合物（以下称乙烯系硅化合物。）、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及加成催化剂（氢化硅烷化催化剂）；例如第3缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有两末端硅醇型硅油、含烯基二烷氧基硅烷、有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂；例如第4缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有在1分子中具有至少2个烯基甲硅烷基的有机聚硅氧烷、在1分子中具有至少2个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和固化延迟剂；例如第5缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第1有机聚硅氧烷、不包含乙烯系不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、以及氢化硅烷化抑制剂；例如第6缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个硅醇基的第1有机聚硅氧烷、不包含乙烯系不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化抑制剂、以及氢化硅烷化催化剂；例如第7缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有硅化合物、以及硼化合物或铝化合物；例如第8缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，其含有聚铝硅氧烷以及硅烷偶联剂；等。
这些缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物能够单独使用或并用两种以上。
作为缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物，可优选列举出第2缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物。
在第2缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂组合物中，硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物以及含环氧基硅化合物是缩合原料（供给至缩合反应的原料），乙烯系硅化合物及有机氢硅氧烷是加成原料（供给至加成反应的原料）。
另一方面，1阶段固化型有机硅树脂组合物是指，具有1阶段的反应机构，在第1阶段的反应中最终固化的热固性有机硅树脂组合物。
作为1阶段固化型有机硅树脂组合物，例如可列举出加成反应固化型有机硅树脂组合物等。
加成反应固化型有机硅树脂组合物含有例如作为主剂的含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷、和作为交联剂的有机氢硅氧烷。
作为含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷，可列举出例如含有烯基的聚二甲基硅氧烷、含有烯基的聚甲基苯基硅氧烷、含有烯基的聚二苯基硅氧烷等。
加成反应固化型有机硅树脂组合物中，通常，含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷和有机氢硅氧烷以分开的封装来提供。具体而言，以含有主剂（含有乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷）的A液、和含有交联剂（有机氢硅氧烷）的B液的这两种液体的形式提供。需要说明的是，两者的加成反应所必需的公知的催化剂添加在含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷中。
对于这样的加成反应固化型有机硅树脂组合物，将主剂（A液）和交联剂（B液）混合制备混合液，在由混合液成形为上述密封树脂层13的形状的工序中，含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷与有机氢硅氧烷进行加成反应，加成反应固化型有机硅组合物固化。形成有机硅弹性体（固化体）。
另外，根据需要能够在密封树脂组合物中以适当的比例含有荧光体、填充剂。
作为荧光体，可列举出例如能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体等。作为这样的荧光体，可列举出例如在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂例如铈（Ce）、铕（Eu）等金属原子而得到的荧光体。
具体而言，作为荧光体，可列举出：例如Y3Al5O12:Ce（YAG（钇·铝·石榴石）:Ce）、（Y，Gd）3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2（Si,Ge）3O12:Ce等具有石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体，例如（Sr,Ba）2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体，例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体，例如ZnS:Cu，Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体，例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化合物荧光体，例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体，例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce。
作为填充剂，可列举出例如有机硅微粒、玻璃、氧化铝、二氧化硅（熔融硅、结晶性二氧化硅、超微粉无定形二氧化硅、疏水超微粉二氧化硅等）、氧化钛、氧化锆、滑石、粘土、硫酸钡等，这些填充剂能够单独使用或并用两种以上。优选列举出有机硅微粒、二氧化硅。
另外，在密封树脂组合物中，能够以适当的比例添加例如改性剂、表面活性剂、染料、颜料、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的添加物。
进而，密封树脂层13由例如最终固化前或最终固化后的热固性有机硅树脂组合物形成，优选由最终固化前的热固性有机硅树脂组合物形成。
进一步优选的是，在热固性有机硅树脂组合物为2阶段固化型有机硅树脂组合物时，密封树脂层13由2阶段固化型有机硅树脂组合物的1阶段固化体形成，或在热固性有机硅树脂组合物为1阶段固化型有机硅树脂组合物时，密封树脂层13由1阶段固化型有机硅树脂组合物的未固化体（固化前）形成。
特别优选的是，密封树脂层13为2阶段固化型有机硅树脂组合物的1阶段固化体。
形成密封树脂层13时，例如通过铸造、旋涂、辊涂等方法在剥离薄膜12上涂覆适当的厚度的上述密封树脂组合物（根据需要包含荧光剂、填充剂等），根据需要加热干燥。由此能够形成片状的密封树脂层13。
密封树脂层13的硬度为其压缩弹性模量变成例如0.01MPa以上、优选为0.01MPa~1.0MPa、更优选为0.04MPa~0.2MPa的硬度。
另外，密封树脂层13形成为能够一并密封多个发光二极管元件2和多个电线6的尺寸。
另外，树脂片11的厚度并不特别限定，但其例如是100μm~2000μm，优选是300μm~1000μm。
并且，要制造发光装置集合体1，如图2的（a）所示，使树脂片11以其密封树脂层13在上下方向上同发光二极管元件2隔开间隔地与发光二极管元件2相对，接下来，如图2的（b）所示，使树脂片11下降（压下）而利用密封树脂层13来覆盖发光二极管元件2和电线（未图示）。
接下来，如图2的（c）所示，相对于半导体基板9压接树脂片11。此外，压接优选在减压环境下实施。
压接是通过对密封树脂层13被压向半导体基板9侧（下侧）的（被压缩的）量进行适当控制来实施的。
压接的温度例如是0℃~40℃，优选是15℃~35℃。
另外，在压接中，根据需要来保持压下树脂片11（压入）的状态。
压接的保持时间例如是10秒~10分钟，优选是10秒~5分钟。
此外，在压接时，使用公知的冲压机，对此未图示。
并且，要制造发光装置集合体1，如图2的（d）所示，根据需要（例如，在树脂片11的密封树脂层13含有热固化性树脂的情况下），利用加热使密封树脂层13固化而形成密封层3。
固化条件是上述密封树脂层13的热固化性树脂达到完全固化的条件，是密封树脂层13在含有缩合·加成反应固化型有机硅树脂组合物的情况下进行加成反应（氢化硅烷化反应）的条件。
具体而言，加热温度例如是80℃~200℃，优选是100℃~180℃，加热时间例如是0.1小时~20小时，优选是1小时~10小时。
之后，在将剥离薄膜12从密封层3剥离后，完成发光装置集合体1的制作。
并且，如上所述，在如此制得的发光装置集合体1中，多个发光装置10以在一方向上连续的方式配置，且彼此相邻接的发光装置10的密封层3以在一边上线接触的方式配置，因此，能够降低电路基板4的相对于一个发光装置10的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
图3是多个图1所示的发光装置集合体连续而形成的形态的俯视图。
另外，例如如图3所示，能够以在纵向上多个（例如两个）相连续的方式来形成这样的发光装置集合体1。另外，在这种情况下，能够以互相连续的方式一体地形成多个（例如，8列×2行）的电路基板4。
在这种情况下，划分在密封层3的外侧的暴露部15在各电路基板4的4个角部被划分为俯视呈大致三边形状，并且，在纵向上相邻的发光装置10的暴露部15和在横向上相邻的发光装置10的暴露部15以俯视呈大致菱形状相连续。
并且，在一个发光装置10中被划分的暴露部15中的、位于纵向一侧和横向一侧的暴露部15以及位于纵向另一侧和横向另一侧的暴露部15中，以夹持密封层3的方式相对配置有两个外部电极5。
图4是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正八边形状的形态）的俯视图。图5是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正十边形状的形态）的俯视图。图6是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致正十二边形状的形态）的俯视图。
在上述说明中，说明了密封层3俯视为大致正六边形状的情况，作为密封层3的形状，只要彼此相邻的发光装置10的密封层3能够在至少一点接触，则并不受特别的限制，例如如图4所示，密封层3能够形成为俯视呈大致正八边形状，另外，例如如图5所示，密封层3能够形成为俯视呈大致正十边形状，此外，例如如图6所示，密封层3能够形成为俯视呈大致正十二边形状。
在如此形成密封层3的情况下，暴露部15也被划分在密封层3的外侧、具体而言被划分在各电路基板4的纵向两侧和横向两侧中的4个角部。另外，彼此相邻的发光装置10的暴露部15被划分为在横向上连续。
并且，在一个发光装置10划分的暴露部15中的、位于纵向一侧和横向一侧的暴露部15以及位于纵向另一侧和横向另一侧的暴露部15中，以夹持密封层3的方式相对配置有两个外部电极5。
与上述同样地，通过这样的发光装置集合体1，也能够降低电路基板的相对于一个发光装置的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
图7是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致矩形状且以夹持密封层的方式形成有外部电极的形态）的俯视图。图8是多个图7所示的发光装置集合体连续而形成的形态的俯视图。
另外，作为密封层3的形状，例如如图7所示，能够形成为俯视呈大致矩形状。
在如此形成密封层3的情况下，暴露部15被划分在密封层3的外侧，具体而言，在各电路基板4的纵向两侧被划分为俯视呈大致矩形状。另外，彼此相邻的发光装置10的暴露部15被划分为在横向上连续。
并且，在一个发光装置10中被划分的暴露部15中的、位于纵向一侧的暴露部15中的横向一侧以及位于纵向另一侧的暴露部15中的横向另一侧，以夹持密封层3的方式相对配置有两个外部电极5。
与上述同样地，通过这样的发光装置集合体1，也能够降低电路基板的相对于一个发光装置的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
并且，如图8所示，能够以例如在纵向上多个（例如两个）相连续的方式来形成这样的发光装置集合体1。
在这种情况下，划分在密封层3的外侧的暴露部15在各电路基板4的纵向两侧被划分为俯视呈大致矩形状。并且，在电路基板4的纵向中央部（两个发光装置集合体1相连续的交界附近），暴露部15以被上述纵向两侧的暴露部15夹持的方式被划分成俯视呈大致矩形状。另外，彼此相邻的发光装置10的暴露部15被划分为在横向上连续。
并且，在一个发光装置10中被划分的两个暴露部15中的、位于纵向一侧的暴露部15中的横向一侧以及位于纵向另一侧的暴露部15中的横向另一侧，以夹持密封层3的方式相对配置有两个外部电极5。
与上述同样地，通过这样的发光装置集合体1，也能够降低电路基板的相对于一个发光装置的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
图9是本发明的发光装置集合体的另一实施方式（密封层形成为俯视呈大致矩形状且以不夹持密封层的方式形成有外部电极的形态）的俯视图。
另外，上述说明中，以在一对外部电极5之间夹持密封层3的方式形成了该一对外部电极5，但如图9所示，也能够是，例如，使密封层3形成为俯视呈大致矩形状，并以不在一对外部电极5之间夹持密封层3的方式形成该外部电极5。
即，在图9所示的发光装置集合体1中，被划分在密封层3的外侧的暴露部15仅在纵向一侧（纸面上侧）被划分成俯视呈大致矩形状，另外，外部电极5以在横向上隔开间隔地配置的方式汇集在纵向一侧（纸面上侧）。
因此，与将暴露部15划分在纵向一侧（纸面上侧）和另一侧（纸面下侧）这两侧的情况相比，能够进一步降低电路基板4的相对于一个发光装置10的面积（使用量），从而能够谋求小型化和低成本化。
图10是多个图9所示的发光装置集合体连续而形成的形态的概略俯视图。
另外，如图10所示，能够以例如在纵向上多个（例如两个）相连续的方式来形成这样的发光装置集合体1。
并且，在这种情况下，能够使纵向一侧（纸面上侧）的发光装置集合体1的暴露部15形成在一侧（纸面上侧）且将外部电极5以在横向上隔开间隔地配置的方式汇集在一侧（纸面上侧），并且，能够使纵向另一侧（纸面下侧）的发光装置集合体1的暴露部15形成在另一侧（纸面下侧）且将外部电极5以在横向上隔开间隔地配置的方式汇集在另一侧（纸面下侧）。
在这种情况下，划分在密封层3的外侧的暴露部15在各电路基板4的纵向两侧被划分为俯视呈大致矩形状。另一方面，在电路基板4的纵向中央部（两个发光装置集合体1相连续的交界附近）未划分出暴露部15。
因此，在这种情况下，能够简化利用密封层3进行的密封工序，从而能够谋求提高产量。
即，如上述图8所示，在电路基板4的纵向中央部（两个发光装置集合体1相连续的交界附近）划分有暴露部15的情况下，对于一个发光装置集合体1（1行×8列），需要使用一个密封层3。
另一方面，如上述图10所示，在电路基板4的纵向中央部（两个发光装置集合体1相连续的交界附近）未划分出暴露部15的情况下，能够使一个密封层3用于两个发光装置集合体1（2行×8列），因此能够简化利用密封层3进行的密封工序，从而能够谋求提高产量。
并且，本发明包含利用上述发光装置集合体1制得的照明装置、具体而言具有至少一个上述发光装置10的照明装置。
即，例如，能够将使多个发光装置10在横向上连续的状态（例如，如图1参照）下的发光装置集合体1直接用作照明装置，另外，也能够将多个发光装置集合体1以在纵向上连续的状态（例如，参照图3）用作照明装置。
并且，如图11所示，例如，能够将上述发光装置集合体1的各发光装置10以单个为单位分割后的状态用作照明装置，另外，例如如图12所示，也能够将发光装置10以多个（例如四个）为单位分割后的状态用作照明装置。
这样的照明装置是由上述发光装置集合体制得的，因此能够谋求小型化和低成本化。
此外，在上述说明中，相对于一个发光装置10，使用了多个发光二极管元件2，但根据发光装置10的用途等的不同，发光二极管元件2的数量并不特别限定，也可以是，例如，相对于一个发光装置10，使用单个发光二极管元件2。
此外，虽然作为本发明的例示实施方式提供了上述说明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员清楚本发明的变形例是包括在本发明的权利要求书中。
Claims (6)
1.一种发光装置集合体，其具有多个发光装置，其特征在于，
各上述发光装置包括：
电路基板，其具有供与外部的电源相连接的一对电极，经由上述电极向该电路基板供给来自上述电源的电力；
半导体元件，其支承于上述电路基板之上且与上述电路基板电连接；以及
密封层，其用于在上述电路基板上密封上述半导体元件，
多个上述发光装置以在一方向上连续的方式配置，
上述密封层以在俯视时彼此相邻的上述发光装置的上述密封层相接触的方式配置。
2.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
上述密封层具有在俯视时至少与另一密封层相邻的一边，且彼此相邻的上述发光装置的上述密封层以在上述一边上线接触的方式配置。
3.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
上述密封层俯视为大致多边形状。
4.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
上述密封层俯视为（4+2n）边形状，其中，n是包括0的自然数。
5.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
上述密封层俯视为大致正六边形状。
6.一种照明装置，其特征在于，包括权利要求1～5中任一项所述的发光装置集合体中的至少一个上述发光装置。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6181678A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | Toshiba Corp | 半導体発光表示装置 |
| US20080233678A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Nichia Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US20090224653A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Bily Wang | LED chip package structure in order to prevent the light-emitting efficiency of fluorescent powder from decreasing due to high temperature and method for making the same |
| WO2011111659A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及びアニール装置 |
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Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
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| WO2006091538A2 (en) * | 2005-02-22 | 2006-08-31 | Kevin Doyle | An led pool or spa light having a unitary lens body |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6181678A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | Toshiba Corp | 半導体発光表示装置 |
| US20080233678A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Nichia Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US20090224653A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Bily Wang | LED chip package structure in order to prevent the light-emitting efficiency of fluorescent powder from decreasing due to high temperature and method for making the same |
| WO2011111659A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及びアニール装置 |
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