JP2010147424A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】塗布ブロック及び現像ブロックの各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値と、塗布ブロック及び現像ブロックの夫々の基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短時間と、から各加熱モジュールの滞在サイクル数あるいはその滞在サイクル数及び使用する加熱モジュールの数を決定する。
【選択図】図8
Description
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS1を実行する制御部を設けたことを特徴とする。
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS2を実行してもよい。
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS3を実行する制御部を設けたことを特徴とする。
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS4を実行してもよい。
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS5を実行する制御部を設けたことを特徴とする。
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS6を実行することを特徴としてもよい。
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS7を実行する制御部を設けたことを特徴とする。
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS8を実行することを特徴としてもよい。
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS1を実行する工程と、を備えたことを特徴とする。
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS2を実行する工程と、を備えていてもよい。
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS3を実行する工程と、を備えたことを特徴とする。
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS4を実行する工程と、を備えていてもよい。
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS5を実行する工程と、を備えている。
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS6を実行する工程と、
を備えていてもよい。
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS7を実行する工程と、を備えている。
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS8を実行する工程と、を備えている。
また、現像ブロックに設けられた加熱モジュールでの滞在サイクル数、あるいはその滞在サイクル数に加えて使用する加熱モジュールの台数を制御することによって、その加熱モジュールの後段のモジュールへの搬入間隔が広がることを防ぐことができ、その結果としてキャリアへと戻る基板の搬入間隔を短くすることができるのでスループットの向上を図ることができる。
COTブロックF2のモジュール及びそのMUTを示した図7の表と、モードM1が選択されたときに搬送スケジュールが設定される工程を示した図8のフローチャートとを参照しながら説明する。オペレータが入力手段からモードM1を選択すると(ステップS1)、制御部5は指定マルチ数と、記憶部54に記憶されているCOTブロックF2における各モジュールのMUTと、から次式(1)を実行し、各モジュールについてMUTC(T)を算出する(ステップS2)。
MUTC=MUT÷指定マルチ数・・・(1)
従って、受け渡しモジュールCPL21のMUTC=30秒÷2=15秒、塗布モジュールCOT22のMUTC=66秒÷3=22秒、加熱モジュールPAB23のMUTC=60秒÷5=12秒、バッファモジュールSBU24のMUTC=0秒÷1=0秒として演算される。
加熱モジュールPABでのウエハ滞在サイクル数
=加熱モジュールPABのウエハの処理時間
÷加熱モジュールPABのサイクルタイム・・・(2)
ここでは、PAB23の処理時間は60秒、PAB23のサイクルタイムは22秒であるため、PAB23でのウエハ滞在サイクル数は60秒÷22秒=2.7・・・≒3サイクルとなる。
加熱モジュールPEBでのウエハ滞在サイクル数
=加熱モジュールPEBのウエハの処理時間
÷加熱モジュールPEBのサイクルタイム・・・(3)
この例ではPEBでの滞在サイクル数は3として演算されたものとする。
PAB、PEBでの夫々の温度整定に要するサイクル数
=PAB、PEBの夫々の温度整定に要する時間
÷PAB、PEBの夫々のサイクルタイム・・・(4)
そして、制御部5の搬送スケジュール作成部53は、この演算されたPAB23及びPEB12でのウエハ滞在サイクル数と、PAB23及びPEB12での温度変更に要するサイクル数と、搬送アームE2及びE1のサイクルタイムとに基づいて、搬送スケジュールを設定する(ステップS8)。
搬送アームE2によりウエハA1,A2,A3がCPL21AまたはCPL21BからCOT22A,22B,22Cに順に搬送される。
[サイクルn+3]
搬送アームE2がウエハA4をCPL21Aから受け取り、その後COT22AからウエハA1を受け取った後、COT22AにウエハA4を受け渡す。そして、搬送アームE2はウエハA1をPAB23Aに受け渡す。
サイクルn+3と同様に、各サイクルで搬送アームE2がウエハA5,A6をCPL21Aまたは21Bから受け取り、その後COT22B,22CからウエハA2,A3を受け取った後、COT22B,22CにウエハA5,A6を受け渡す。そして、搬送アームE2はウエハA2,A3をPAB23B,23Cに受け渡す。
搬送アームE2がウエハA7をCPL21Aから受け取り、その後COT22AからウエハA4を受け取った後、COT22AにウエハA7を受け渡す。そして、搬送アームE2はPAB23Aから加熱処理済みのウエハA1を受け取った後ウエハA4をPAB23Dに受け渡し、然る後ウエハA1をSBU24に受け渡す。
搬送アームE2がウエハA8をCPL21Aから受け取り、その後COT22BからウエハA5を受け取った後、COT22BにウエハA8を受け渡す。そして、搬送アームE2はPAB23Bから加熱処理済みのウエハA2を受け取った後ウエハA5をPAB23Eに受け渡し、然る後ウエハA2をSBU24に受け渡す。
サイクルn+8〜n+10ではサイクルn+6、n+7と略同様にCPL21、COT22、PAB23、SBU24間で搬送が行われるので詳細な説明を省略する。
[サイクルn+11]
搬送アームE2がウエハB1をCPL21Aから受け取り、COT22BにそのウエハB1を受け渡した後、COT22CからウエハA9を受け取る。その後、搬送アームE2はPAB23Aから加熱処理済みのウエハA6を受け取り、ウエハA6が搬出されたPAB23AではロットBの処理温度への整定が開始される。然る後、搬送アームE2はウエハA9をPAB23Dに受け渡した後、ウエハA6をSBU24に受け渡す。
搬送アームE2がウエハB2をCPL21Aまたは21Bから受け取り、続いてCOT22AからウエハA10を受け取った後、ウエハB2をCOT22Cに受け渡す。その後、搬送アームE2はPAB23Bから加熱処理済みのウエハA7を受け取り、ウエハA7が搬出されたPAB23Bでは熱板の温度整定が開始される。然る後、搬送アームE2はウエハA10をPAB23Eに受け渡した後、ウエハA7をSBU24に受け渡す。
搬送アームE2がウエハB3をCPL21Aから受け取り、COT22Aに受け渡す。その後、搬送アームE2はPAB23Cから加熱処理済みのウエハA8を受け取り、ウエハA8が搬出されたPAB23Cでは温度整定が開始される。然る後、搬送アームE2はウエハA8をSBU24に受け渡す。また、PAB23Aでの温度整定が終了する。
搬送アームE2がウエハB4をCPL21Aから受け取り、続いてCOT22BからウエハB1を受け取った後、COT22BにウエハB4を受け渡す。その後、搬送アームE2はPAB23AにウエハB1を受け渡し、続いてPAB23Dから加熱処理済みのウエハA9を受け取り、ウエハA9が搬出されたPAB23Dでは熱板の温度整定が開始される。然る後、搬送アームE2はウエハA9をSBU24に受け渡す。また、PAB23Bでの温度整定が終了する。
搬送アームE2がウエハB5をCPL21Aから受け取り、続いてCOT22CからウエハB2を受け取った後、ウエハB5をCOT22Cに受け渡す。その後、搬送アームE2はPAB23BにウエハB2を受け渡し、続いてPAB23Eから加熱処理済みのウエハA10を受け取り、ウエハA10が搬出されたPAB23Eでは熱板の温度整定が開始される。然る後、搬送アームE2はウエハA10をSBU24に受け渡す。また、PAB23Cでの温度整定が終了する。
搬送アームE2がCOT22AからウエハB3を受け取り、PAB23Cに受け渡す。また、PAB23Dでの温度整定が終了する。
[サイクルn+17]
搬送アームE2がCOT22BからウエハB4を受け取り、続いてPAB23Aから加熱処理されたウエハB1を受け取る。その後、搬送アームE2がPAB23DにウエハB4を搬送した後、ウエハB1をSBU24に搬送する。また、PAB23Eでの温度整定が終了する。
n+18以降のサイクルではこのサイクルn+17と同様にウエハの搬送が行われるので詳細な説明を省略する。
搬送アームE1がウエハA9をTRS11Aまたは11Bから受け取り、然る後PEB12Aから加熱処理済みのウエハA6を受け取り、ウエハA6が搬出されたPEB12Aでは温度整定が開始される。搬送アームE1はCPL13BからウエハA4を受け取り、ウエハA6をCPL13Bに受け渡す。そして、DEV14AからウエハA1を受け取り、ウエハA4を当該DEV14Aに受け渡す。然る後搬送アームE1はウエハA1をCPL15Aに受け渡す。
搬送アームE1がPEB12Cから加熱処理済みのウエハA8を受け取り、ウエハA8が搬出されたPEB12Cでは温度整定が開始される。搬送アームE1はCPL13BからウエハA6を受け取り、ウエハA8をCPL13Bに受け渡す。そして、DEV14CからウエハA3を受け取り、ウエハA6を当該DEV14Cに受け渡す。然る後搬送アームE1はウエハA3をCPL15Aに受け渡す。また、PEB12Aで温度整定が終了する。
搬送アームE1がウエハB1をTRS11Aから受け取り、PEB12Aに受け渡し、然る後PEB12DからウエハA9を取り出すと、PEB12Dで温度整定が開始される。搬送アームE1はCPL13AからウエハA7を受け取り、ウエハA9をCPL13Aに受け渡す。そして、DEV14AからウエハA4を受け取り、ウエハA7を当該DEV14Aに受け渡す。然る後、搬送アームE1はウエハA4をCPL15Bに受け渡す。また、PEB12Bで温度整定が終了する。
続いてモードM2が選択されたときの搬送スケジュールが設定される工程について、COTフローの各モジュールとその各モジュールのMUTとを示した表である図11及び前記設定工程を示したフローチャートである図12を参照しながらモードM1との差異点を中心に説明する。ただし、説明の便宜上COT22のMUTはモードM1の説明とは異なり、63秒として記憶部54に記憶されているものとする。
続いてモードM3が選択されたときの搬送スケジュールが設定される工程についてモードM1が選択されたときとの差異点を中心に説明する。オペレータによりモードM3が選択されると、制御部5は上記のステップS2〜S7を実行して、PAB及びPEBでのウエハ滞在サイクル数を決定する。
サイクルnでPAB23D,23EにおいてロットBの加熱温度に整定が開始され、サイクルn+2で温度整定が終了する。
[サイクルn+3〜n+5]
ウエハA1,A2,A3が順次PAB23A、23B、23Cに搬入され、加熱処理を受ける。
[サイクルn+6〜n+8]
加熱処理を終えたウエハA1,A2,A3が順次SBU24に搬入され、ウエハA4,A5,A6が順次PAB23A,23B,23Cに搬入される。
[サイクルn+9〜n+11]
加熱処理を終えたウエハA4,A5,A6が順次SBU24に搬入され、ウエハA7,A8,A9が順次PAB23A,23B,23Cに搬入される。
ウエハA10がPAB23Aに搬入され、加熱処理を受ける。また、加熱処理を終えたウエハA7がSBU24に搬入される。
[サイクルn+13]
加熱処理を終えたウエハA8がPAB23Bから取り出され、PAB23Bで温度整定が開始され、ウエハA8はSBU24に搬入される。
加熱処理を終えたウエハA9がPAB23Cから取り出された後、PAB23DにウエハB1が搬入される。そしてウエハA9はSBU24に搬入される。
[サイクルn+15]
加熱処理を終えたウエハA10がPAB23Aから取り出された後、PAB23EにウエハB2が搬入される。そしてウエハA10はSBU24に搬入される。また、PAB23Bの温度整定が終了する。
ウエハB3、B4、B5が順次PAB23B、23D、23Eに搬入され、加熱処理を受ける。また、加熱処理を終えたウエハB1、B2が順次SBU24に搬入される。サイクルn+18以降のサイクルについてはサイクルn+18と略同様の搬送なので説明を省略する。
続いてモードM4が選択されたときの搬送スケジュールが設定される工程についてモードM3が選択されたときとの差異点を中心に説明する。オペレータによりモードM4が選択されると、制御部5は上記のステップT2〜T7を実行して、PAB及びPEBでのウエハ滞在サイクル数を決定する。つまり、モードM3と異なり、各フローのモジュールのMUT及びASTに基づいてウエハ滞在サイクル数が決定され、以降はモードM3と同じようにこのウエハ滞在サイクルなどに基づいて搬送スケジュールが決定される。そして、この搬送スケジュールは、モードM3と同様に、決定されたPAB23、PEB12でのウエハ滞在サイクル数と同じ数のPAB、PEBが夫々一つのロットの処理に使用されるように設定される。つまり、PABの滞在サイクル数及びPEBの滞在サイクル数が3、温度整定に要するサイクル数が3である場合にはモードM3の搬送スケジュールと同じく図13、図14に示すように搬送スケジュールが設定される。
C キャリア
CPL 受け渡しモジュール
COT 塗布モジュール
C1 キャリアブロック
C2 処理ブロック
C3 インターフェイスブロック
C4 露光機
CPL 受け渡しモジュール
DEV 現像モジュール
E1〜E3 搬送アーム
PAB PEB 加熱モジュール
SBU バッファモジュール
TRS 受け渡しモジュール
1 塗布、現像装置
42 受け渡しアーム
46 インターフェイスアーム
5 制御部
55 入力手段
Claims (20)
- 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS1を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記制御部は、前記Aに従って滞在サイクル数を決定して、モードS1を実行する代わりに、
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS2を実行することを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS3を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記制御部は、前記Aに従って滞在サイクル数を決定して、モードS3を実行する代わりに、
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS4を実行することを特徴とする請求項3記載の塗布、現像装置。 - 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS5を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記制御部は、前記Aに従って滞在サイクル数を決定して、モードS5を実行する代わりに、
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS6を実行することを特徴とする請求項5記載の塗布、現像装置。 - 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS7を実行する制御部を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記制御部は、前記Aに従って滞在サイクル数を決定して、モードS7を実行する代わりに、
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定し、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS8を実行することを特徴とする請求項7記載の塗布、現像装置。 - 前記モードS1〜モードS8のいずれかを選択して実行する選択手段が設けられたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
- 塗布ブロック及び現像ブロックは互いに上下に積層され、
受け渡し手段から受け渡された基板を塗布ブロックの受け渡し台に搬送するための補助搬送手段を備えていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。 - 塗布ブロックとして、レジスト膜を形成するための塗布ブロックと、レジスト膜を形成する前または後に塗布膜を形成するための塗布ブロックと、が設けられ、これら塗布ブロックは互いに上下に積層されていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
- 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS1を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記A工程及びモードS1を実行する工程を備える代わりに
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS2を実行する工程と、を備えたことを特徴とする請求項12記載の塗布、現像方法。 - 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS3を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記A工程及びモードS3を実行する工程を備える代わりに、
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて使用可能な全ての加熱モジュールを用いて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定するモードS4を実行する工程と、を備えたことを特徴とする請求項14記載の塗布、現像方法。 - 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.前記塗布ブロックにおけるモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該塗布ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS5を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記A工程及びモードS5を実行する工程を備える代わりに、
B.前記現像ブロックにおけるモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、当該現像ブロックの基板搬送手段が搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を前記加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS6を実行する工程と、
を備えたことを特徴とする請求項16記載の塗布、現像方法。 - 複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台と、このキャリア載置台上のキャリアとの間で基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含む受け渡しブロックと、
塗布液を塗布する塗布モジュールと、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含み、前記塗布モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意される塗布ブロックと、
露光機に基板を受け渡すための露光機搬入ステージと、露光機から基板を受け取るための露光機搬出ステージと、これらステージに対して基板の受け渡しを行う基板移載機構と、
露光後の基板を加熱処理する加熱モジュールと、加熱処理された基板に現像液を供給する現像モジュールと、モジュール間の基板の搬送を行うために互いに独立して進退できる少なくとも2個の基板保持部を有する基板搬送手段と、を含むと共に前記現像モジュール及び加熱モジュールは各々複数台用意され、前記塗布ブロックとは独立して設けられた現像ブロックと、を備え、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、塗布ブロック及び現像ブロック毎に、予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板搬送手段が上流側のモジュールに置かれている基板を下流側のモジュールに順次1枚ずつ搬送して1周することにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、こうして基板搬送手段が周回することにより、基板が各モジュールの間を移動し、
前記加熱モジュールは、先発ロットの基板に対して処理を終えた後に、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に当該モジュールにおいて整定処理が行われる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
A.露光機をモジュールとして取り扱い、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々について、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記受け渡しブロックから露光機に至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を塗布ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる塗布ブロック内の基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして塗布ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS7を実行する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記A工程及びモードS7を実行する工程を備える代わりに、
B.前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に設けられたモジュール群の各々についても同様に、そのモジュールにて行われる処理に必要なプロセス時間を当該モジュールが用意されている台数で除した値(T)を求めると共に各値(T)の中の最大値(TMAX)を求め、
前記露光機から前記受け渡しブロックに至るまでの基板経路に配置された基板を搬送するための手段の各々について、搬送スケジュールにて設定されたモジュール群に対して順次上流側から下流側に基板を受け渡すことにより1周するときの最短搬送時間を求めて、これら最短搬送時間の中で最も長い最短搬送時間と前記最大値(TMAX)とのうちの長い方を現像ブロックに含まれる加熱モジュールのサイクルタイムとし、当該加熱モジュールにおける加熱処理に必要なプロセス時間を前記サイクルタイムで除した値を切り上げた値を、当該加熱モジュールに対して基板を搬入してから搬出されるまでに行われる現像ブロックの基板搬送手段の周回動作の回数である滞在サイクル数として決定する工程と、
こうして現像ブロックについて加熱モジュールの滞在サイクル数を決定し、さらに滞在サイクル数に基づいて先発ロットの基板及び後発ロットの基板を加熱処理する加熱モジュールの台数を決定するモードS8を実行する工程と、を備えたことを特徴とする請求項18記載の塗布、現像方法。 - 処理部にて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置台から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、請求項12ないし19のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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