JP4560022B2 - 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体 - Google Patents

塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、例えば半導体ウエハやLCD基板(液晶ディスプレイ用ガラス基板)などの基板に対してレジスト液の塗布処理及び露光後の現像処理を行う塗布、現像装置、塗布、現像装置の制御方法及び記憶媒体に関する。
半導体デバイスやLCD基板などの基板に対してレジスト液を塗布し、フォトマスクを用いてそのレジスト膜を露光し、それを現像することによって所望のレジストパターンを基板上に作製する一連の処理は、レジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
塗布、現像装置は、ウエハキャリアが載置され、このウエハキャリアとの間で半導体ウエハ(以下ウエハという)の受け渡しを行う受け渡しアームを備えたキャリアステーションと、ウエハに対してレジストの塗布や現像処理を行う処理ステーションと、露光装置に接続されるインターフェイスステーションと、を一列に配列して構成されている。
そしてレジストパターンが形成された基板については、所定の検査、例えばレジストパターンの線幅、レジストパターンと下地パターンとの重なり具合、及び現像欠陥などの検査が行われ、合格と判定された基板のみが次工程に送られる。このような検査は、塗布、現像装置とは別個に設けられたスタンドアローンの検査装置により行われる場合が多いが、塗布、現像装置内に検査装置を設けるインラインシステムを採用した方が便利である。
そこで特許文献1には、キャリアステーションと処理ステーションとの間に、複数の検査装置と搬送アームとを備えた検査ステーションを介在させた構成が記載されている。ここに記載されているシステムは、キャリアステーションから検査ステーションを介して処理ステーションに基板を搬送し、処理を終えた基板を一旦キャリアステーションのキャリア内に戻した後、ここから基板を検査ステーションに搬送して検査を行うものである。
図19は、このようなシステムを実際に構築した場合の構成例を示している。図19は塗布、現像装置を平面的に見た概略図であり、11はキャリアステーション、12は検査ステーション、13は処理ステーション、14は、露光装置に接続されるインターフェイスステーションである。また10はウエハキャリア、15はキャリアステーション11内の受け渡しアーム、16は検査ステーション内の搬送アームである。TRSa、TRSb、TRSc及びTRSdは受け渡しモジュール、E1、E2及びE3は、検査モジュールであり、これらは便宜上平面に展開してあるが、例えば受け渡しモジュールは4段構成とされ、検査モジュールは3段構成とされる。
図の塗布、現像装置においては、キャリア20内のウエハは、受け渡しアーム15→TRSa→搬送アーム16→処理ステーション13の経路で搬送される。そしてウエハは、処理ステーション13にてレジスト塗布に必要な種々の処理が各モジュールにて行われ、インターフェイスステーション14から露光装置に払い出されて、再び処理モジュール13に戻り、現像処理に必要な種々の処理がモジュールにて行われる。その後、ウエハは搬送アーム16→TRSb→搬送アーム15→キャリア20に戻される。
この場合、キャリア20内のウエハには、処理される順序が決められており、例えば25枚収納用のウエハであれば、1番から25番まで割り当てられている。そして1番から順番に処理ステーション13に搬送され、予め決められたモジュールを順番に移動していく。処理ステーション13内の搬送アーム(メインアーム)は、予め設定された一連のモジュールの間を順番にサイクリックに移動するサイクル搬送を行い、これによりウエハが順番に移動していくことになる。なおメインアームは2枚のアームによりモジュール内のウエハを交換するという動作を行う。メインアームの搬送路を循環路と呼ぶことにすると、搬送アームが循環路を1周するサイクルタイムが予め決められており、また後戻りする動作、及び番号の大きいウエハ(後にキャリア20から取り出されたウエハ)が番号の小さいウエハ(先にキャリア20から取り出されたウエハ)を飛び越して搬送する動作は行われない。このような動作を禁止しているのは、搬送プログラムが極めて煩雑になり、現実的ではないからである。なお今、塗布、現像装置において1時間当たり150枚の処理が要求されており、そのため上述のサイクル搬送におけるサイクルタイムは、例えば3600秒/150枚=24秒に設定される。
一方キャリア20に戻されたウエハは、全数あるいは選択されたウエハが受け渡しアーム15により受け渡しモジュールTRScに払い出され、搬送アーム16により検査モジュールに搬送される。そしてウエハの中には、例えば検査モジュールE1のみの検査をおこなうもの、検査モジュールE2のみの検査を行うもの、検査モジュールE3のみの検査を行うもの、検査モジュールE2に続いて検査モジュールE3を行うものなどがある。検査ステーション12内のウエハの搬送においても、処理ステーション13内のサイクル搬送と同様な手法が採用されており、前記サイクル搬送に同期して行われていた。
ところで上記のような搬送を行うと、搬送アーム15の搬送工程数が多くなってしまう。つまり搬送アーム15が検査ステーション12にウエハを搬送している間は、キャリア20への搬送を行えず、またキャリア20への搬送を行う場合は、検査ステーション12への搬送を行うことができないため、ウエハが各ステーションにおけるモジュールで1サイクル以上、待機しなければならない状態が発生し、従ってスループットの向上を妨げる要因となる。
また検査モジュールE1〜E3は上述のように夫々異なる検査を行うためのものであり、検査に要する時間は、通常夫々異なる。従って例えば所定のウエハについて、検査モジュールE1に続いて検査モジュールE2で検査を行うように設定したとすると、そのウエハが検査モジュールE1で検査を終えたときに、検査モジュールE2が他のウエハを検査中であるため当該検査モジュールE2への搬送を行うことができず、検査モジュールE2の検査が終わるまで検査モジュールE1で待機しなければならず、従ってこのウエハが検査モジュールE1に待機しているサイクルにおいては後続のウエハを当該検査モジュールE1に搬入することができなくなる結果として、スループットが低下するおそれがあった。
なお特許文献2にはキャリアステーションと処理ステーションとの間に検査ステーションを設けて、処理ステーション→検査ステーション→キャリアステーションの順で基板を搬送する塗布、現像装置が記載されているが、上記の問題を解決できるものではなく、検査モジュール間の検査時間の違いによって検査モジュール内で待ち時間が発生してしまうおそれがある。
特開2005−175052(段落0042、図4) 特開2002−26107(段落0045)
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、検査モジュールにて基板が無駄に滞在する時間を削減し、これにより塗布、現像装置のスループットを向上することのできる技術を提供することにある。
本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う第1の基板搬送手段を備えたキャリアステーションと、
前記第1の基板搬送手段から受け渡された基板に対するレジストの塗布、レジストが塗布されかつ露光された後の基板に対する現像、またはその前後の処理を行う複数の処理モジュールと、これら処理モジュールに対し、順次基板を搬送する第2の基板搬送手段と、を備えた処理ステーションと、
この処理ステーションにて現像を終えた基板が置かれる第1の受け渡し部と、
前記キャリアステーションの第1の基板搬送手段により基板が受け取られる第2の受け渡し部と、
現像を終えた基板に対して検査を行い、検査に要する時間が互いに異なる複数の検査モジュールと、基板を一時的に滞留させるバッファユニットと、バッファユニットと、前記第1の受け渡し部、第2の受け渡し部及び検査モジュールの間で基板の受け渡しを行う第3の基板搬送手段と、を備えた、処理ステーションで処理された基板をキャリアステーションに受け渡す検査ステーションと、
前記第3の基板搬送手段を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第1の受け渡し部の基板を搬送するときには、
(a1)その基板が検査対象の基板か否かを判断し、
(a2)検査対象の基板でなければ、その基板を第2の受け渡し部に搬送し、
(a3)検査対象の基板であれば、検査にかかる検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに搬送するステップ、を実行し、
検査ステーション内のモジュールの基板を搬送するときには、
(b1)その基板に割り当てられている検査が全て終了しているか否かを判断し、
(b2)検査が終了していればその基板を前記第2の受け渡し部に搬送し、
(b3)検査が終了していなければ、終了していない検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに位置させるステップ、を実行する機能を備えていることを特徴とする。
この塗布、現像装置において前記制御部は、
前記(a3)において検査モジュールが空いていないと判断したら、バッファユニットに搬送するステップに代えて、
バッファユニットが空いているか否かを判断し、空いていれば前記基板をバッファユニットに搬送し、空いていなければ第2の受け渡し部に未検査基板として搬送するステップを実行してもよく、その場合、例えば前記(a3)においてバッファユニットが空いていなければアラームを発するアラーム発生手段が設けられており、また前記第2の受け渡し部に搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板は、キャリアステーションに搬送されてもよく、この場合は例えば、検査対象基板は、キャリアに搬送される。
例えば前記制御部は、キャリアステーションに搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板を、検査ステーションに搬送するステップを実行し、この場合は例えば未検査基板として取り扱われる検査対象基板を検査ステーションに搬送する前記ステップを実行するか否かを選択するための選択手段が設けられている。さらに第1の基板搬送手段によりキャリアから取り出された基板が受け渡される第3の受け渡し部と、この受け渡し部から基板を前記検査ステーションを横切って処理ステーションに搬送するためのシャトル搬送手段と、を備えた構成であってもよく、この場合はバッファユニットと第2の受け渡し部と第3の受け渡し部とは、互いに上下に積層されていてもよい。また、例えばバッファユニットと第2の受け渡し部と第3の受け渡し部と少なくとも一つの検査モジュールとは、互いに上下に積層されている。
本発明の塗布、現像装置の制御方法は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う第1の基板搬送手段を備えたキャリアステーションと、
前記第1の基板搬送手段から受け渡された基板に対するレジストの塗布、レジストが塗布されかつ露光された後の基板に対する現像、またはその前後の処理を行う複数の処理モジュールと、これら処理モジュールに対し、順次基板を搬送する第2の基板搬送手段と、を備えた処理ステーションと、
この処理ステーションにて現像を終えた基板が置かれる第1の受け渡し部と、
前記キャリアステーションの第1の基板搬送手段により基板が受け取られる第2の受け渡し部と、
現像を終えた基板に対して検査を行い、検査に要する時間が互いに異なる複数の検査モジュールと、基板を一時的に滞留させるバッファユニットと、バッファユニットと、前記第1の受け渡し部、第2の受け渡し部及び検査モジュールの間で基板の受け渡しを行う第3の基板搬送手段と、を備えた、処理ステーションで処理された基板をキャリアステーションに受け渡す検査ステーションと、を備えた塗布、現像装置を制御する方法であって、
前記第1の受け渡し部の基板を搬送するときには、
(a1)その基板が検査対象の基板か否かを判断する工程と、
(a2)検査対象の基板でなければ、その基板を第2の受け渡し部に搬送する工程と、
(a3)検査対象の基板であれば、検査にかかる検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに搬送する工程と
を備え、
検査ステーション内のモジュールの基板を搬送するときには、
(b1)その基板に割り当てられている検査が全て終了しているか否かを判断する工程と、
(b2)検査が終了していればその基板を前記第2の受け渡し部に搬送する工程と、
(b3)検査が終了していなければ、終了していない検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに位置させる工程と、を備えていることを特徴とする。
この塗布、現像装置の制御方法においては、例えば前記(a3)において検査モジュールが空いていないと判断したら、バッファユニットに搬送する工程に代えて、
バッファユニットが空いているか否かを判断し、空いていれば前記基板をバッファユニットに搬送し、空いていなければ第2の受け渡し部に未検査基板として搬送する工程を行ってもよく、この場合、例えば前記(a3)においてバッファユニットが空いていなければアラームを発する工程を含んでいる。
また前記第2の受け渡し部に搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板は、キャリアステーションに搬送され、この基板は、例えばキャリアステーションに搬送された検査対象基板はキャリアに搬送される。
また例えばキャリアステーションに搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板を、検査ステーションに搬送する工程を含んでいてもよく、この場合は、例えば検査対象基板を検査ステーションに搬送する前記工程を実行するか否かを選択する工程を含まれる。またこの制御方法は、第1の基板搬送手段によりキャリアから取り出された基板を第3の受け渡し部に受け渡す工程と
この受け渡し部から基板を前記検査ステーションを横切って処理ステーションに搬送する工程と、をさらに備えていてもよい。
本発明の記憶媒体は、基板に対するレジストの塗布、レジストが塗布されかつ露光された後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、既述の塗布、現像装置の制御方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明は、処理ステーションで処理を受けた基板を、キャリアステーションに受け渡す検査ステーションにおいて、検査に要する時間が互いに異なる複数の検査モジュールと、基板を一時的に滞留させるバッファユニットと、制御部によりその動作が制御される基板搬送手段が設けられ、検査モジュールが基板の処理を行う間、後続の、その検査モジュールによる検査対象となっている基板は、前記基板搬送手段によりバッファユニットに搬送され、当該バッファユニットに滞留されることで、検査モジュールにおける基板の滞留を抑えることができるため、検査モジュールで効率よくウエハWの検査を行うことができる。さらに本発明は、現像を終えた基板が処理ステーションから検査ステーションに搬入されて検査を受けた後、キャリアステーションに搬入されるため、キャリアステーションの搬送手段が現像を終えた基板を再度検査ステーションに搬入するような構成に比べてその搬送手段の負荷が抑えられる。従ってスループットの低下を抑えることができる。
以下、本発明に係る塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムの実施の形態について説明する。図1は、このシステムの一実施の形態における平面図を示し、図2は同概略斜視図、図3は同概略側面図である。この塗布、現像装置は、基板例えばウエハであるウエハWが25枚密閉収納されたキャリア20を搬入出するためのキャリアステーションS1と、複数個例えば5個のブロックB1,B1,B2〜B5及び搬送ブロックM1を縦に配列して構成された処理ステーションS2と、インターフェイスステーションS3と、露光装置S4と、レジストパターンが形成された基板を検査する検査ステーションS5とを備えている。
前記キャリアステーションS1には、前記キャリア20を複数個載置可能な載置台21と、この載置台21から見て前方の壁面に設けられる開閉部22と、開閉部22を介してキャリア20からウエハWを取り出すための、第1の基板搬送手段であるトランスファーアームCとが設けられている。このトランスファーアームCは、後述する検査ステーションの受け渡しステージTRS1A,TRS8,TRS9との間でウエハWの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア20の配列方向に移動自在に構成されている。
キャリアステーションS1の奥側には検査ステーションS5を介して筐体24にて周囲を囲まれる処理ステーションS2が接続されている。処理ステーションS2は、この例では下方側から、現像処理を行うための第1のブロック(DEV層)B1、第2のブロック(DEV層)B2、搬送ブロックM1、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜(以下「下部反射防止膜」という)の形成処理を行うための第3のブロック(BCT層)B3、レジスト液の塗布処理を行うための第4のブロック(COT層)B4、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜(以下「上部反射防止膜」という)の形成処理を行うための第5のブロック(TCT層)B5、として割り当てられている。
これらブロックB1〜B5及び搬送ブロックM1はキャリアステーションS1からインターフェイスステーションS3へ向かって伸びている。ここで前記DEV層B1が現像用のブロック、TCT層B2、BCT層B3、COT層B4、が感光材料例えばレジストからなる塗布膜を形成するための塗布膜形成用のブロックに相当する。なお各ブロック間は仕切り板(ベース体)25により区画されている。
続いて第1〜第5のブロックB(B1〜B5)の構成について説明するが本実施形態においてこれらのブロックB1〜B5には共通部分が多く含まれており、各ブロックBは略同様のレイアウトで構成されている。そこでDEV層B2を例として図4を参照しながら説明する。このDEV層B2の中央部には、横方向、詳しくはDEV層B2の長さ方向(図中Y方向)に、キャリアステーションS1とインターフェイスステーションS3とを接続するためのウエハWの搬送用通路R1が形成されている。
この搬送用通路R1のキャリアステーションS1側から見て、手前側(キャリアステーションS1側)から奥側に向かって右側には、液処理ユニットとして現像液の塗布処理を行うための複数個の塗布部31を備えた現像ユニットDEV3が搬送用通路R1に沿って設けられている。またDEV層B1の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系の熱系処理ユニットを多段化した4個の棚ユニットU1,U2,U3,U4が搬送用通路R1に沿って設けられている。即ち現像ユニットDEV3と棚ユニットU1〜U4とが搬送用通路R1を介して対向して配列されている。棚ユニットU1〜U4は現像ユニットDEV3にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための熱系処理ユニットが2段に積層されており、またその棚ユニットU1〜U4の下部にはブロックB2内の排気を行う排気ユニット32が積層されている。
上述の熱系処理ユニットの中には、例えば露光後のウエハWを加熱処理するPEBと呼ばれる加熱ユニット、現像処理後のウエハWを乾燥させるために加熱処理したりする加熱ユニット、これらの加熱ユニットにおける処理の前後でウエハWを所定温度に調整するための冷却ユニット(CPL)等が含まれている。なお本実施形態では例えばDEV層B2における棚ユニットU1にはPEBが、U2,U3にはそれ以外の加熱ユニット33が2段に積層されて設けられ、棚ユニットU4には冷却ユニット(CPL)が2段に積層されている。
前記搬送用通路R1には各ブロック用の搬送手段であるメインアームA2が設けられており、このメインアームA2は、棚ユニットU1〜U4の各処理ユニット、現像ユニットDEV3、後述する棚ユニットU5の受け渡しステージTRS2及び棚ユニットU6の受け渡しステージTRS7との間でウエハWの受け渡しを行うように構成されている。受け渡しステージTRS2及び後述のTRS1は、特許請求の範囲でいう第1の受け渡し部を構成する。
搬送用通路R1検査ステーションS5と隣接する領域は、第1のウエハ受け渡し領域R2となっていて、この領域R2には、図1及び図3に示すようにメインアームA2及び搬送手段51とがアクセスできる位置に棚ユニットU5が設けられると共に、この棚ユニットU5に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降搬送手段である受け渡しアームD1を備えている。
この棚ユニットU5において、DEV層B2には受け渡しステージTRS2が設けられている。受け渡しステージTRS2は、ウエハWの温度を予定した温度に調節する機構を備えたステージを備えており、さらに各アームとウエハWの受け渡しを行うために、前記ステージ上を突没自在なピンが設けられている。
なお,この例では図3に示すようにブロックB1には受け渡しステージTRS1が、ブロックB3〜B5には受け渡しステージTRS3〜TRS5が設けられており、受け渡しステージTRS3〜TRS5は、各層に設けられたメインアームA3〜A5及び受け渡しアームD1とウエハWの受け渡しができるように構成されている。なおTRS1〜5は図3では1基のみ示しているが実際には複数段設けられている。また詳しくは後述するように搬送ブロックM1には受け渡しステージTRS1Bが設けられている。各層のメインアームAは特許請求の範囲でいう第2の基板搬送手段に相当する。
前記受け渡しアームD1はブロックB1からブロックB5の各層を移動して、各層に設けられた受け渡しステージTRS1〜TRS5及び受け渡しステージTRS1Bに対してウエハWの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。
さらにDEV層B2の搬送用通路R1のインターフェイスステーションS3と隣接する領域は、第2のウエハ受け渡し領域R3となっていて、この領域R3には、棚ユニットU6が設けられている。棚ユニットU6には図3に示すように、DEV層B1、DEV層B2に夫々対応する受け渡しステージTRS6、TRS7が設けられており、これらのTRS6、TRS7は、各層のメインアームA1〜A2及びインターフェイスアームGがアクセスできるように構成されている。また搬送ブロックM1に対応する位置に受け渡しステージTRS1Cが設けられている。なおTRS2〜TRS7、TRS1B,TRS1C及び後述のTRS1Aは、例えば既述のTRS1と同様に構成されている。
続いて搬送ブロックM1について説明する。DEV層B2とBCT層B3との間にはウエハWをキャリアステーションS1からインターフェイスステーションS3へ直行して搬送するための搬送ブロックM1が設けられている。この搬送ブロックM1は、DEV層B1及びBCT層B2の搬送用通路R1とは仕切り板により仕切られた搬送領域M2と直行搬送手段であるシャトルアーム41とを備えている。シャトルアーム41は、棚ユニットU5に設けられた受け渡しステージTRS1Bから棚ユニットU6に設けられた受け渡しステージTRS1CへウエハWを直行して搬送する。なお前記仕切り板は図4では省略している。
また処理ステーションS2における棚ユニットU6の奥側には、インターフェイスステーションS3を介して露光装置S4が接続されている。インターフェイスステーションS3には、処理ステーションS2の棚ユニットU6と露光装置S4とに対してウエハWの受け渡しを行うためのインターフェイスアームGが備えられており、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。なお既述の受け渡しアームD1も、鉛直軸回りに回転しない他は、インターフェイスアームGと同様に構成されている。
このインターフェイスアームGは、処理ステーションS2と露光装置S4との間に介在するウエハWの搬送手段をなすものであり、この実施形態では、搬送ブロックM1の受け渡しステージTRS1CからウエハWを受け取り露光装置S4へ搬入する一方で、露光装置S4からウエハWを受け取り、DEV層B1,B2の受け渡しステージTRS6,TRS7に受け渡すように構成されている。
続いて他のブロックについて簡単に説明する。DEV層B1はDEV層B2と同様に構成されている。またBCT層B3、COT層B4、TCT層B5は、DEV層B1と略同様に構成されており、差異としては液処理ユニットとして現像ユニットDEV3の代わりに反射防止膜用の薬液を塗布して反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットや、レジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット(COT)が設けられる点、薬液の塗布の手法が異なる点が挙げられ、また棚ユニットU1〜U4を構成する加熱系、冷却系のユニットにおける処理条件が異なる点などが挙げられる。COT層B4にはPEBの代わりにレジスト塗布後の加熱処理を行うPABと呼ばれる加熱ユニットが設けられている。
続いて検査ステーションS5について図5も参照しながら説明する。この検査ブロックS5は例えば処理ブロックS2側を奥側とすると、手前側中央部には検査モジュールE1及び棚ユニットU7が設けられており、棚ユニットU7には例えば上から、所定の枚数のウエハWを収容できる、例えば複数段のバッファユニットBU及び2段に積層された受け渡しステージTRS8,TRS9がこの順に設けられている。受け渡しステージTRS8,TRS9は特許請求の範囲でいう第2の受け渡し部に相当する。
この検査ステーションS5において手前側から奥側を見て左右に検査モジュールE3,E2が夫々設けられている。また検査ステーションS5の中央部には例えばウエハWを保持する1枚のアームを有する搬送手段51が設けられており、この搬送手段51はDEV層B1の受け渡しステージTRS1、DEV層B2の受け渡しステージTRS2、棚ユニットU7の受け渡しステージTRS8,TRS9及び検査モジュールE1〜E3の間でウエハWの受け渡しを行うことができるように構成されている。
この例では、検査モジュールE1は、ウエハW上のマクロ欠陥を検出するマクロ検査モジュールであり、検査モジュールE2はウエハW上に形成された膜の厚みやパターンの線幅を測定する膜厚・線幅検査モジュールであり、検査モジュールE3は露光の重ね合わせのずれつまり今回形成されたパターンと下地のパターンとの位置ずれを検出する、重ね合わせ検査モジュールである。この場合、検査モジュールE1、E2、E3の検査にかかる時間は、例えば夫々36秒、90秒及び118秒である。このように検査モジュールE1、E2、E3における検査時間が異なるため、後から搬入した順番の大きい(遅い)ウエハWの検査が、先に搬入した順番の小さい(早い)ウエハWよりも早く終了する場合が生じるのである。
なお受け渡しステージTRS8,TRS9には、キャリアステーションS1のトランスファーアームCがアクセスできるようになっており、搬送手段51から処理ステーションS2の受け渡しステージTRS1またはTRS2から直接搬送されたウエハWまたは検査モジュールE1〜E3により検査を受けたウエハWは、これら受け渡しステージTRS8,TRS9に受け渡された後、トランスファーアームCによりキャリア20に戻される。この検査ブロックE1〜E3でウエハWを受け渡す際のルールについては後述する。
例えば検査モジュールE1〜E3の上方には、例えば仕切り板などにより区画された搬送領域M3が形成されており、この搬送領域M3には、トランスファーアームCがアクセスできる位置に第3の受け渡し部である受け渡しステージTRS1Aが設けられている。なお前記仕切り板の図示は図5では便宜上省略している。また搬送領域M3には、シャトル搬送手段である搬送手段52が設けられており、搬送手段52は、受け渡しステージTRS1AからウエハWを受け取り、処理ステーションS2の棚ユニットU5の受け渡しステージTRS1Bに直行し、ウエハWを受け渡す。
本装置は、コンピュータを含む制御部100を備えており、各ブロックB1〜B5のメインアームA、検査ステーションの搬送手段51,52の搬送動作も含めて一連の工程は、この制御部100の記憶部に格納されたコンピュータプログラムにより制御される。そして各受け渡しステージTRS、加熱ユニットなどの処理ユニット及び検査モジュールE1〜E3などのウエハが受け渡されるモジュールを受け渡しモジュールと呼ぶとすると、この受け渡しモジュールについては、ウエハWが受け渡されたとき、あるいは払い出されたときにそのモジュールについてのアウトレディ信号、インレディ信号が夫々出力される。つまりあるモジュールについてインレディ信号が出力されたときは、前段のモジュールからウエハWの受け入れが可能であることを示し、アウトレディ信号が出力されたときはそのモジュールでの処理が終わり、ウエハWを搬出可能であることを示す。これらのレディ信号に基づいて、今どのモジュールからどのモジュールへの搬送が可能かを判断できることになり、その判断と後述のルールとに基づいて搬送動作が決まってくる。
この制御部100はキャリアからウエハWが塗布、現像装置に搬入されるまでに、キャリア20に収容されるウエハWが25枚であるなら、その25枚についてキャリアステーションS1に搬入される順に基板番号を割り当てると共に図6に示すように、先頭のウエハ「1」〜最後のウエハ「25」について夫々どの検査モジュールEにより検査を行うか、あるいはまったく検査モジュールによる検査を行わないかを設定する。
ここで図7を参照しながら、キャリアステーションS1及び処理ステーションS2におけるウエハWの搬送経路を説明する。キャリア20からキャリアステーションS1のトランスファーアームCによりTRS1Aに搬送されたウエハWは、搬送手段52→処理ステーションS2の受け渡しステージTRS1B受け渡しアームD1→BCT層B3の受け渡しステージTRS3→BCT層B5のメインアームA5に受け渡される。そしてBCT層B5では、メインアームA5により→冷却ユニット→液処理ユニットである反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット→棚ユニットU5の受け渡しステージTRS5の順序で搬送されて、下部反射防止膜が形成される。
続いて受け渡しステージTRS5のウエハWは受け渡しアームD1により、COT層B4の受け渡しステージTRS4に搬送され、次いで当該COT層B4のメインアームA4に受け渡される。そしてCOT層B4では、メインアームA4により、ウエハWは冷却ユニット→レジスト塗布ユニット(COT)→加熱ユニット(PAB)の順序で搬送されて下部反射防止膜の上層にレジスト膜が形成された後、冷却ユニット、周縁露光ユニットに搬送されて周縁部が露光され、さらに棚ユニットU5の受け渡しステージTRS4に搬送される。
次いで受け渡しステージTRS4のウエハWは受け渡しアームD1により、TCT層B3の受け渡しステージTRS3に搬送され、当該TCT層B3のメインアームA3に受け渡される。そしてTCT層B3では、メインアームA3により、冷却ユニット→液処理ユニットである第2の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニットの順序で搬送されてレジスト膜の上層に上部反射防止膜が形成された後に、メインアームA3→受け渡しステージTRS3→受け渡しアームD1→受け渡しステージTRS1B→シャトルアーム41→受け渡しステージTRS1Cの順で搬送された後、インターフェイスアームGにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
なお上記搬送は一例であり、例えばブロックB3〜ブロックB5のいずれかにウエハWに対して疎水化処理を行う疎水化処理ユニット(ADH)を設けて、レジスト塗布前に反射防止膜を形成する代わりにTRS1B→ADH→CPL→レジスト塗布ユニット(COT)の順に搬送を行ってもよい。
露光処理後のウエハWはインターフェイスアームGにより棚ユニットU6の受け渡しステージTRS6またはTRS7に搬送され、このステージTRS7(TRS6)のウエハWは、DEV層B1(DEV層B2)のメインアームA1(A2)に受け取られ、当該DEV層B1(B2)にて、棚ユニットU1〜U4に含まれる加熱ユニットPEB→冷却ユニットCPL→現像ユニットDEV3→加熱ユニット33→冷却ユニットCPLの順序で搬送され、所定の現像処理が行われ、レジストパターンが形成される。こうして現像処理が行われたウエハWは棚ユニットU5の受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送される。背景技術の項目においても述べたが、キャリア20よりキャリアステーションS1にウエハWが搬入されてからこの受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬入されるまでの工程を1サイクルとすると、背景技術の項目においても述べたが、本装置により1時間当たり150枚のウエハWを処理しようとすると、この1サイクルの時間は24秒に設定される。
続いて図8を参照しながら検査ステーションS5におけるウエハWの搬送を説明する。図8(a)は、受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送された各ウエハWについて、サイクルごとに制御部100がその搬送先を判定するパターンを示したフローチャートであり、このフローチャートに示すように制御部100は、受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送されたウエハWについて、予め設定された図6の表に基づいて検査を行うウエハであるか検査を行わないウエハであるかを判定し、検査を行わないウエハと判定した場合、制御部100は搬送手段51により、そのウエハWを受け渡しステージTRS8またはTRS9に搬送する。
制御部100が、検査を行うウエハと判定したならば検査対象のモジュールが空いているか判定する。複数の検査モジュールで検査を行うように設定されている場合は、若い番号の検査モジュールについて判定を行う。判定した結果、検査モジュールが空いているならば搬送手段51により、ウエハWはその検査モジュールに搬送され、検査モジュールが空いていないならばバッファユニットBUに搬送される。
図8(b)は、検査モジュールE1〜E3及びバッファユニットBUに搬入されたウエハについて、サイクルごとに制御部100がその搬送先を判定するパターンを示したフローチャートである。制御部100が、前記ウエハについて設定されたすべての検査が終了したと判定した場合は、搬送手段51を介してそのウエハWを受け渡しステージTRS8またはTRS9に搬送する。検査が終了していないと判定した場合は、その検査を行う検査モジュールが空いているか判定し、空いていたらその検査モジュールに搬送し、空いていなかったらバッファユニットBUに搬送する。また制御部100はバッファユニットBUに搬入されているウエハについても、次に検査を行う検査モジュールが空いているか判定し、空いていたらそのウエハを検査モジュールに搬送し、空いてなかったらバッファユニットBUに残留させる。
続いて制御部100が図6のようにウエハ「1」〜ウエハ「25」について各検査モジュールEへの搬送を設定した場合に、サイクル毎に、具体的にウエハWが検査ステーションS6における各受け渡しモジュールに受け渡される様子を具体的に説明する。
サイクル1では、既述の経路を通ってレジストパターンが形成された先頭のウエハWであるウエハ「1」が、受け渡しステージTRS1あるいはTRS2に搬入される。以後は説明の便宜上、受け渡しステージTRS1、TRS2にウエハWが交互に搬入されるものとする。この時点では検査モジュールE1〜E3、受け渡しステージTRS8、TRS9のいずれにもウエハWは入っていない。
次のサイクル2では、処理ステーションS2の受け渡しステージTRS2から搬送手段51にウエハ「1」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「1」は検査モジュールE1により処理を行うことが決定されているが、この時点で検査モジュールE1は空であり、検査モジュールE1からはインレディ信号が出力されているため、制御部100により搬送手段51は、図8のフローチャートに従って、ウエハ「1」を検査モジュールE1に搬送する。
サイクル3では、受け渡しステージTRS1から搬送手段51にウエハ「2」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「2」は検査モジュールE2により処理を行うことが決定されているが、この時点で検査モジュールE2は空であり、検査モジュールE2からはインレディ信号が出力されているため、制御部100により搬送手段51は、図8のフローチャートに従って、ウエハ「2」を検査モジュールE2に搬送する。検査モジュールE1ではウエハ「1」の検査が終了しないのでそのままの状態である。
サイクル4では、受け渡しステージTRS2から搬送手段51にウエハ「3」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「3」は検査モジュールE3により処理を行うことが決定されているが、この時点で検査モジュールE3は空であり、検査モジュールE3からはインレディ信号が出力されているため、搬送手段51は、図8のフローチャートに従って、ウエハ「3」を検査モジュールE3に搬送する。またこのサイクル4では、検査モジュールE1においてウエハ「1」の検査が終了し、アウトレディ信号が出力される。図6よりウエハ「1」は、検査モジュールE1のみにおいて検査を行うことが決定されており、この時点では受け渡しステージTRS8は空である、つまりインレディ信号を出力しているため、搬送手段51は、図8のフローに従い、検査を終えたウエハ「1」を受け渡しステージTRS8に搬送する。検査モジュールE2、E3ではウエハ「2」、「3」の検査が終了しないのでそのままの状態である。
サイクル5では、受け渡しステージTRS1から搬送手段51にウエハ「4」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「4」は検査モジュールE1により処理を行うことが決定されているが、この時点で検査モジュールE1は空であり、検査モジュールE1からはインレディ信号が出力されているため、制御部100により搬送手段51は、図8のフローチャートに従って、ウエハ「4」を検査モジュールE1に搬送する。また受け渡しステージTRS8のウエハはトランスファーアームCによりキャリア20に戻される。
サイクル6では受け渡しステージTRS2から搬送手段51にウエハ「5」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「5」は検査モジュールE1により処理を行うことが決定されているが、検査モジュールE1は引き続きウエハ「4」を処理している。この場合、図8のフローチャートに従い、制御部100により搬送手段51は、ウエハ「5」をバッファユニットBUに搬送する。
サイクル7では検査モジュールE1によるウエハ「4」の検査及び検査モジュールE2によるウエハ「2」の検査が夫々終了し、これらのモジュールがアウトレディ信号を出力する。図6に示すようにウエハ「2」は他に検査を行わないので、図8のフローチャートに従い、制御部100により搬送手段51はそのウエハ「2」を受け渡しステージTRS8に搬送し、検査モジュールE1,E2はインレディ信号を出力する。またウエハ「4」は検査モジュールE3により検査を行うように設定されているが、このサイクル7では検査モジュールE3は引き続きウエハ「3」の検査を行っているため、制御部100により搬送手段51は、ウエハ「4」をバッファユニットBUに搬入する。続いて搬送手段51は、図8のフローチャートに従い、空になった検査モジュールE1に先のサイクル6でバッファユニットBUに搬入されたウエハ「5」を搬入する。
またサイクル7では受け渡しステージTRS1から搬送手段51にウエハ「6」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「6」は検査モジュールE2により処理を行うことが決定されているが、この時点で検査モジュールE2は空であり、検査モジュールE2からはインレディ信号が出力されているため、制御部100により搬送手段51は、図8のフローチャートに従って、ウエハ「6」を検査モジュールE2に搬送する。
サイクル8では検査モジュールE3は引き続き、ウエハ「3」の検査を行っているため、前サイクルでバッファユニットBUに格納されたウエハ「4」は引き続きバッファユニットBUに留められる。また受け渡しステージTRS2から搬送手段51にウエハ「7」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「7」は検査モジュールE1で検査することが決定されているが、検査モジュールE1はウエハ「5」を検査中であるため、図8のフローチャートに従い、制御部100により搬送手段51は、このウエハ「7」をバッファユニットBUに搬送する。
サイクル9では検査モジュールE1、E3においてウエハ「5」、ウエハ「3」における処理が夫々終了し、これらの検査モジュールからアウトレディ信号が出力される。例えば搬送手段51は番号の若いウエハ「3」を受け渡しステージTRS8に搬入し、またウエハ「5」を受け渡しステージTRS9に搬送する。また受け渡しステージTRS1から搬送手段51にウエハ「8」が受け渡される。図6に示したようにウエハ「8」は検査モジュールE1により処理を行うことが決定されているが、この時点で検査モジュールE1はウエハ「5」を検査中であるため、図8のフローチャートに従い、制御部100により搬送手段51は、このウエハ「8」をバッファユニットBUに搬送する。
これ以降のサイクルの説明は省略するが、引き続き制御部100は、図8のフローに従い、搬送手段51の搬送を制御する。図9は、既述のように搬送されたウエハ「1」〜ウエハ「25」の搬送結果を示すものであり、サイクル毎に、受け渡しステージTRS8、TRS9及び検査モジュールE1、E2、E3の各々に置かれるウエハWを示しており、この表に示すように30サイクルを費やすことで25枚のウエハWの処理が完了し、キャリア20に収容される。
上述の塗布、現像装置は処理ステーションS2で処理を受けたウエハWを、キャリアステーションに受け渡す検査ステーションS5において検査に要する時間が互いに異なる複数の検査モジュールE1〜E3と、ウエハWを一時的に滞留させるバッファユニットBUとが設けられ、検査モジュールが基板を処理している間、その検査モジュールにより検査するように決定された後続のウエハWが、検査ステーションS6に搬入されても、その後続のウエハWをバッファユニットBUに一旦搬送して滞留させることで、検査モジュールE1〜E3におけるウエハWの滞留を抑えることができる。またこの搬送方式は、ウエハWがキャリア20に戻された後、トランスファーアームCがそのウエハWを再度検査を行うために検査ステーションS5へ搬送するものではないため、キャリアステーションS1のトランスファーアームCの負荷を抑えることができる。従ってスループットの低下を抑えることができる。
また検査ステーションS5には検査ステーションS5からキャリアステーションS1へウエハWを受け渡すための複数の受け渡しステージであるTRS8、TRS9が設けられており、一つのサイクルにおいて受け渡しステージTRS8にすでにウエハWが搬送されている場合は受け渡しステージTRS9にウエハWを搬送し、このステージTRS8、TRS9の上流側の各検査モジュールE1〜E3にウエハWが滞留することが抑えられるため、よりスループットの低下を抑えることができる。
さらに搬送手段51を設けて、この搬送手段51によりウエハWをキャリアステーションS1から処理ステーションS2への搬送を行っており、搬送手段52を利用して、このようなステーションS1,S2間の搬送を行う場合に比べて、搬送手段52の負荷を抑えることができるため、スループットの向上を図ることができる。
続いて本発明の効果を示すために比較例として他の塗布、現像装置について図10を参照しながら説明する。図10は、この塗布、現像装置の縦断平面概略図であり、キャリアステーションS1、処理ステーションS2、インターフェイスステーションS3は既述の塗布、現像装置とほぼ同様に構成され、同様の経路でウエハWの搬送が行われる。
この塗布、現像装置の検査ステーションS7は、4個の受け渡しモジュールTRSa〜TRSdと、検査モジュールE1〜E3と、これらモジュールTRSa〜TRSd、E1〜E3及び後述の棚モジュールの受け渡しステージTRSの間でウエハの受け渡しを行う搬送手段61と、を備えている。
この比較例である塗布、現像装置では、図10に示すように本発明の実施形態の塗布、現像装置と同様に反射防止膜形成ユニット→COT→PAB→CPL→インターフェイスステーションS3→露光装置S3→インターフェイスステーションS3→PEB→CPL→DEVの順に搬送されレジストパターンが形成された後、処理ステーションS2の受け渡しステージTRSに搬送される。
前記受け渡しステージTRSに載置されたウエハWを搬送手段61は次のようなルールでウエハWの搬送を行う。
前記搬送手段61は、
a)前記キャリアステーションS1と処理ステーションS2との間のウエハWの受け渡しを優先するように制御される。
b)ウエハWに割り当てられた処理の順番の小さいウエハWから検査モジュールE1(E2、E3)に対して搬入を行い、
c)ウエハWに割り当てられた処理の順番に拘わらず、検査が終了しているウエハWを検査モジュールE1(E2、E3)から搬出するように制御される。
またキャリアステーションS1のトランスファーアームCは、
a)キャリア20から処理前のウエハWを受け取って受け渡しモジュールTRSaに受け渡し、
b)受け渡しモジュールTRSbから処理済みのウエハWを受け取ってキャリア20に戻し、
c)処理済みのウエハWをキャリア20から受け渡しモジュールTRScに受け渡し、
d)検査されたウエハWを受け渡しモジュールTRSdからキャリア20に戻す という搬送を行う。
図11は、上記比較例の塗布、現像装置において、図6で示したように検査を行うウエハWを決定してウエハWの搬送を行って得られた搬送結果である。TRScの欄を見ると、サイクル6,11,17など各所にウエハWが搬入されてないサイクルが確認される。これはトランスファーアームCが他の搬送動作を行っていたため、このサイクル中にTRScにウエハWの搬入作業が行えなかったために発生している。そして表中、三角で囲った箇所は、次に搬送すべき搬送モジュールにウエハWが存在するため、ウエハWをそのモジュール内に留めなければならないことを示している。このような状況により検査モジュールE1〜E3にウエハWが搬入されないサイクルが存在し、それ故に全25枚のウエハWの処理を終えるために上記実施形態の塗布、現像装置のサイクルよりも多い46サイクルが費やされている。従って本発明の効果が示された。
図12は、塗布、現像装置の他の構成の一例を示しており、既述の実施形態と同じ構成を有する各部には同じ符号を付して示している。この塗布、現像装置には検査ステーションS5と略同様に構成された検査ステーションS6が設けられており、検査ステーションS6の構成を検査ステーションS5との差異点を中心に以下に説明する。搬送手段51が搬送を行う領域を搬送領域M4とすると、この塗布、現像装置の検査ステーションS6には検査モジュールE1が設けられておらず、受け渡しステージTRS8,TRS9上には複数基のバッファユニットBUが積層されて設けられている。
この搬送手段52は、搬送領域M3を通過してBCT層B3の受け渡しステージTRS3にウエハWを受け渡すようになっており、受け渡しステージTRS3に受け渡されたウエハWは、以後記述の実施形態と同様の経路で搬送されて各層で処理を受け、受け渡しステージTRS1(TRS2)に受け渡される。前記搬送領域M3の上方には、後述する搬送手段53がウエハWの搬送を行う区画された領域である搬送領域M5が形成されている。
以降、図13及び図14も参照しながら各搬送領域M4,M5について説明する。図13(a)、図13(b)は、夫々搬送領域M4、搬送領域M5の構成を示しており、図14は検査ステーションS6を処理ステーションS2側からキャリアステーションS1側に向けて見た図である。搬送領域M5にはその中央に搬送手段53が設けられ、搬送手段53の手前側(キャリアステーションS1側)に受け渡しステージTRS10、TRS11が積層されて設けられている。また処理ステーションS2に向かって右側には検査モジュールE1が設けられている。搬送手段53はこれらの受け渡しステージTRS10、TRS11、検査モジュールE1との間でウエハWの受け渡しができるように鉛直軸周りに回転自在、昇降自在、進退自在に構成されている。
また図14に示すようにこの検査ステーションS6内には搬送領域M1、M2間を昇降自在な受け渡しアームD2が設けられており、この受け渡しアームD2は受け渡しステージTRS9〜TRS11及びバッファユニットBUとの間でウエハWの受け渡しを行う。検査ステーションS6でのウエハWの受け渡しは、既述の実施形態におけるウエハWの受け渡しと同じルールに従って行われるが、搬送経路は若干異なっており、受け渡しステージTRS1(TRS2)から検査モジュールE1にウエハWを搬送する場合は、搬送手段51→バッファユニットBU→受け渡しアームD2→受け渡しステージTRS10またはTRS11→搬送手段53→検査モジュールE1の順に搬送が行われる。
また検査モジュールE1からバッファユニットBUにウエハWを搬送する場合は、上記の経路を逆にたどってバッファユニットBUにウエハWが受け渡される。検査モジュールE1から検査モジュールE2(E3)に搬送を行う場合は、バッファユニットBUに搬送する場合と同様の経路でバッファユニットBUまでウエハWが搬送され、その後バッファユニットBU→搬送手段51→検査モジュールE2(E3)の順に搬送が行われる。検査ステーションをこのように構成しても既述の実施形態と同様の効果が得られる。
さらに他の塗布、現像装置の構成の一例を図15に示す。この塗布、現像装置には検査ステーションが設けられておらず、トランスファーアームCがキャリア20のウエハWをBCT層B3の受け渡しステージTRS3に受け渡す。またTCT層B5が設けられておらず、ステージTRS3に受け渡されたウエハWは、既述の実施形態の経路に沿ってレジスト膜が形成され、受け渡しステージTRS4に搬入後受け渡しステージTRS1Bに搬送され、その後は既述の経路に沿ってDEV層B1(B2)の受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送される。
この塗布、現像装置にはTCT層B5の代わりに検査層Fが設けられている。図16は検査層Fの構成の一例であり、他の層との差異点を述べると、棚ユニットU1〜U4に代えて検査モジュールE2、E3が設けられており、また液処理ユニットが設けられておらず、代わりに検査モジュールE1及び複数段に積層されたバッファユニットBUが、搬送通路R1に沿って設けられている。メインアームA5はバッファユニットBU及び検査モジュールE1〜E3との間でウエハWの受け渡しを行う。
この塗布、現像装置においては受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送されたウエハWで検査を行う予定のものは、受け渡しアームD1→受け渡しステージTRS5→メインアームA5の順に搬送され、メインアームA5により既述のルールに従って検査モジュールE1〜E3のいずれか、あるいはバッファユニットBUに搬送される。受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送されたウエハWで検査を行う予定になっていないものはトランスファーアームCによりキャリア20に戻される。
続いてさらに他の実施形態の塗布、現像装置について説明する。この実施形態においては以降に述べるような差異を除いて例えば最初に説明した塗布、現像装置と同様に構成されているものとする。最初の実施形態のバッファユニットBUは、検査を行うように決定され、検査ステーションS5に搬入された際に検査モジュールEに入ることができないすべてのウエハWを収容できるように構成されているが、この実施形態におけるバッファユニットBUは、検査モジュールEに入ることができない一部のウエハWのみを収容できるものとする。
図17は、この実施形態における受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送された各ウエハWについて、サイクルごとに制御部100がその搬送先を判定するパターンを示したフローチャートである。制御部100は、受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送されたウエハWについて、検査を行うように設定されたウエハであるか検査を行わないように設定されたウエハであるかを判定し、検査を行うウエハと判定したならば、検査対象の検査モジュールが空いているか判定し、検査モジュールが空いていないと判定したならば続いてバッファユニットBUが空いているかどうかを判定する。
バッファユニットBUが空いていると判定された場合においては、制御部100により搬送手段51が、そのウエハWをバッファユニットBUに搬送し、バッファユニットBUが空いてないと判定された場合においては、制御部100により搬送手段51が、そのウエハWを受け渡しステージTRS8(TRS9)に搬送する。受け渡しステージTRS8(TRS9)に搬送されたウエハWは、トランスファーアームCによりキャリア20に戻される。つまり検査対象となっているウエハWについて、検査モジュールEが空いておらず且つバッファユニットBUが空いていない場合においては、検査が行われずにキャリア20に戻される。なお最初の実施形態と同様に検査対象となっていないウエハWは、受け渡しステージTRS1(TRS2)→受け渡しステージTRS8(TRS9)に受け渡され、また検査対象となっているウエハWで検査モジュールEが空いている場合には、その検査モジュールEに受け渡される。
この実施形態においては例えばアラーム発生装置及び塗布、現像装置の状態などを示すモニタが設けられており、上記のように検査モジュールE及びバッファユニットBUが空いてないために検査を行うべきウエハWが検査を受けずにキャリア20に戻されると、制御部100はそのウエハWに割り当てられた基板番号を記憶すると共にアラーム発生装置に制御信号を送信し、制御信号を受信したアラーム発生装置はアラームを発生させる。また制御部100は、記憶した基板番号を前記モニタに表示させる。
この実施形態の塗布、現像装置は、上記のように制御部100に記憶されたウエハWについて再度検査ステーションS5に搬送して検査を行うことができるように構成されている。図18は、そのような搬送及び検査が行われる工程を示したフローチャートであり、図中点線で囲った部分をステップT1とすると、このステップT1は、例えば前記アラーム発生後に、塗布、現像装置のオペレータがマニュアルで操作することにより実行される。ステップT1より後段のステップは、制御部100に備えられた搬送プログラムにより自動的に実施される。
例えば、この塗布、現像装置には、上記のようにモニタに基板番号が表示された、検査を受けていないウエハ(以降未検査ウエハと称する)について、再度検査を行うかどうかを選択できる選択手段であるスイッチが設けられており、オペレータがスイッチを動かさない場合、キャリア20に収納されたウエハWはそのままの状態である。オペレータがスイッチをONにすると、前記プログラムが実行され、サイクルごとに制御部100が、図18のステップT1より後段の各ステップTの判定を行う。先ず制御部100は、1つのキャリア20に収納されたウエハのロット中において割り当てられた基板番号が最後であるウエハ「25」がキャリア20、バッファユニットBU、検査モジュールEのいずれかに存在するかを判定して(ステップT2)、いずれにも存在しないと判定した場合、未検査ウエハはキャリア20に収納されたままの状態に置かれる。
キャリア20、バッファユニットBU、検査モジュールEのいずれかにウエハ「25」が存在すると判定された場合、続けて制御部100は、受け渡しステージTRS8またはTRS9が空いているかどうかの判定を行い(ステップT3)、受け渡しステージTRS8及びTRS9が空いていないと判定した場合、未検査ウエハはキャリア20に収納されたままの状態に置かれる。
ステージTRS8またはTRS9が空いていると判定された場合、制御部100は、さらに続けて未検査ウエハについて検査対象に設定された検査モジュールEが空いているかどうかを判定する(ステップT4)。なおキャリア20に未検査ウエハが複数ある場合、若い番号の未検査ウエハについての判定が行われる。空いていると判定した場合は、その判定を行ったサイクルにおける検査ステーションS5内のウエハの搬送が終了した後、その未検査ウエハは、最先でトランスファーアームC→受け渡しステージTRS8(TRS9)→搬送手段51の順で受け渡され、当該未検査ウエハは、搬送手段51により検査モジュールEに搬送される。
未検査ウエハの検査対象となっている検査モジュールEが、空いていないと判定された場合、制御部100は続けてバッファユニットBUが空いているかどうかの判定を行い(ステップT5)、空いていないと判定された場合には未検査ウエハはそのままキャリア20に留まり、空いていると判定された場合には、未検査ウエハは制御部100により、その判定を行ったサイクルにおける検査ステーションS5内のウエハの搬送が終了した後、その未検査ウエハを、最先でトランスファーアームC→受け渡しステージTRS8(TRS9)→搬送手段51の順で受け渡し、未検査ウエハは、搬送手段51によりバッファユニットBUに搬送される。
バッファユニットBU及び検査モジュールEに搬送された未検査ウエハは、既述の実施形態で説明した図8(b)のフローチャートに従って搬送される。既述のように検査ステーションS5においては若い番号のウエハの搬送が優先して行われるが、例えば未検査ウエハよりも、未検査ウエハ以外のウエハの搬送が優先して行われる。また未検査ウエハが複数ある場合、その未検査ウエハの中では番号の若いウエハの搬送が優先して行われる。つまり未検査ウエハがウエハ「13」、ウエハ「14」であり、ウエハ「25」が未検査ウエハでないとすると、優先度の高い方からウエハ「25」、ウエハ「13」、ウエハ「14」の順に図8(b)のフローチャートに従って、検査ステーションS5の各モジュールへの搬送が行われる。
このように塗布、現像装置を構成しても、検査するように設定されたウエハWの一部のみがキャリアステーションS1から検査ステーションS5に戻るので、スループットの低下を抑えることができる。なお未検査ウエハが複数存在する場合、例えばオペレータが、未検査ウエハごとに検査を行うか行わないかを設定できるようにしてもよい。
またアラーム発生後、オペレータが未検査ウエハについて検査を行うかどうかをマニュアルで選択する代わりに、未検査ウエハについての検査を行うか行わないかを予め、例えばキャリア20が塗布、現像装置に搬入される前に設定できるような構成であってもよい。なお上記実施形態では前記ロット内の最後のウエハWが未検査ウエハとなって検査を受けないままキャリア20に収納される可能性があるので、ウエハWがキャリア20、バッファユニットBU、検査モジュールEに存在するかを確認し、キャリア20内のすべてのウエハについて未検査ウエハになるか、未検査ウエハとならずに検査が行われるか決定された後に未検査ウエハの検査ステーションS5への搬送が行われる。つまり検査ステーションS5の状態が略決定された後に、未検査ウエハを検査ステーションS5に搬送しているが、未検査ウエハを搬送するタイミングとしては、このようなタイミングに限らず、これよりも前に、例えばキャリア20に格納されるロットの中盤のウエハWが検査ステーション内のいずれかのモジュールに搬入された時点で、ステップT3〜T5を実行し、未検査ウエハを検査ステーションS5へ搬送してもよい。
本発明の塗布、現像装置の一実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す外観斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置の処理ステーションにおける処理ブロック及び搬送ブロックの構成を示した斜視図である。 前記塗布、現像装置の検査ステーションの斜視図である。 前記塗布、現像装置の制御部により割り当てられた検査モジュールへの搬入表である。 前記塗布、現像装置の概略搬送経路図である。 前記制御部が、検査ステーションの搬送手段を制御するフローチャートである。 前記塗布、現像装置の搬送スケジュール表である。 比較例の塗布、現像装置の搬送経路の概略図である。 比較例の塗布、現像装置の搬送スケジュール表である。 他の実施の形態である塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられた検査ステーションの横断平面図である。 前記検査ステーションの縦断背面図である。 さらに他の実施の形態である塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられた検査層の横断平面図である。 検査ステーションにおける基板の他の搬送経路を示したフローチャートである。 塗布、現像装置のキャリアステーションから検査ステーションへの基板の搬送経路を示したフローチャートである。 従来の塗布、現像装置の搬送経路の概略図である。
符号の説明
E1,E2,E3 検査モジュール
51,52 搬送手段
BU バッファユニット
A メインアーム
TRS 受け渡しステージ

Claims (19)

  1. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う第1の基板搬送手段を備えたキャリアステーションと、
    前記第1の基板搬送手段から受け渡された基板に対するレジストの塗布、レジストが塗布されかつ露光された後の基板に対する現像、またはその前後の処理を行う複数の処理モジュールと、これら処理モジュールに対し、順次基板を搬送する第2の基板搬送手段と、を備えた処理ステーションと、
    この処理ステーションにて現像を終えた基板が置かれる第1の受け渡し部と、
    前記キャリアステーションの第1の基板搬送手段により基板が受け取られる第2の受け渡し部と、
    現像を終えた基板に対して検査を行い、検査に要する時間が互いに異なる複数の検査モジュールと、基板を一時的に滞留させるバッファユニットと、バッファユニットと、前記第1の受け渡し部、第2の受け渡し部及び検査モジュールの間で基板の受け渡しを行う第3の基板搬送手段と、を備えた、処理ステーションで処理された基板をキャリアステーションに受け渡す検査ステーションと、
    前記第3の基板搬送手段を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記第1の受け渡し部の基板を搬送するときには、
    (a1)その基板が検査対象の基板か否かを判断し、
    (a2)検査対象の基板でなければ、その基板を第2の受け渡し部に搬送し、
    (a3)検査対象の基板であれば、検査にかかる検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに搬送するステップ、を実行し、
    検査ステーション内のモジュールの基板を搬送するときには、
    (b1)その基板に割り当てられている検査が全て終了しているか否かを判断し、
    (b2)検査が終了していればその基板を前記第2の受け渡し部に搬送し、
    (b3)検査が終了していなければ、終了していない検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに位置させるステップ、を実行する機能を備えていることを特徴とする塗布、現像装置。
  2. 前記制御部は、
    前記(a3)において検査モジュールが空いていないと判断したら、バッファユニットに搬送するステップに代えて、
    バッファユニットが空いているか否かを判断し、空いていれば前記基板をバッファユニットに搬送し、空いていなければ第2の受け渡し部に未検査基板として搬送するステップを実行することを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
  3. 前記(a3)においてバッファユニットが空いていなければアラームを発するアラーム発生手段が設けられていることを特徴とする請求項2記載の塗布、現像装置。
  4. 前記第2の受け渡し部に搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板は、キャリアステーションに搬送されることを特徴とする請求項2または3記載の塗布、現像装置。
  5. キャリアステーションに搬送された検査対象基板は、キャリアに搬送されることを特徴とする請求項4記載の塗布、現像装置。
  6. 前記制御部は、キャリアステーションに搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板を、検査ステーションに搬送するステップを実行することを特徴とする請求項4または5に記載の塗布、現像装置。
  7. 未検査基板として取り扱われる検査対象基板を検査ステーションに搬送する前記ステップを実行するか否かを選択するための選択手段が設けられていることを特徴とする請求項6記載の塗布、現像装置。
  8. 第1の基板搬送手段によりキャリアから取り出された基板が受け渡される第3の受け渡し部と、この受け渡し部から基板を前記検査ステーションを横切って処理ステーションに搬送するためのシャトル搬送手段と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
  9. バッファユニットと第2の受け渡し部と第3の受け渡し部とは、互いに上下に積層されていることを特徴とする請求項8に記載の塗布、現像装置。
  10. バッファユニットと第2の受け渡し部と第3の受け渡し部と少なくとも一つの検査モジュールとは、互いに上下に積層されていることを特徴とする請求項8または9記載の塗布、現像装置。
  11. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う第1の基板搬送手段を備えたキャリアステーションと、
    前記第1の基板搬送手段から受け渡された基板に対するレジストの塗布、レジストが塗布されかつ露光された後の基板に対する現像、またはその前後の処理を行う複数の処理モジュールと、これら処理モジュールに対し、順次基板を搬送する第2の基板搬送手段と、を備えた処理ステーションと、
    この処理ステーションにて現像を終えた基板が置かれる第1の受け渡し部と、
    前記キャリアステーションの第1の基板搬送手段により基板が受け取られる第2の受け渡し部と、
    現像を終えた基板に対して検査を行い、検査に要する時間が互いに異なる複数の検査モジュールと、基板を一時的に滞留させるバッファユニットと、バッファユニットと、前記第1の受け渡し部、第2の受け渡し部及び検査モジュールの間で基板の受け渡しを行う第3の基板搬送手段と、を備えた、処理ステーションで処理された基板をキャリアステーションに受け渡す検査ステーションと、を備えた塗布、現像装置を制御する方法であって、
    前記第1の受け渡し部の基板を搬送するときには、
    (a1)その基板が検査対象の基板か否かを判断する工程と、
    (a2)検査対象の基板でなければ、その基板を第2の受け渡し部に搬送する工程と、
    (a3)検査対象の基板であれば、検査にかかる検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに搬送する工程と
    を備え、
    検査ステーション内のモジュールの基板を搬送するときには、
    (b1)その基板に割り当てられている検査が全て終了しているか否かを判断する工程と、
    (b2)検査が終了していればその基板を前記第2の受け渡し部に搬送する工程と、
    (b3)検査が終了していなければ、終了していない検査モジュールが空いているか否かを判断し、空いていればその検査モジュールに搬送する一方、空いていなければバッファユニットに位置させる工程と、を備えていることを特徴とする塗布、現像装置の制御方法。
  12. 前記(a3)において検査モジュールが空いていないと判断したら、バッファユニットに搬送する工程に代えて、
    バッファユニットが空いているか否かを判断し、空いていれば前記基板をバッファユニットに搬送し、空いていなければ第2の受け渡し部に未検査基板として搬送する工程を行うことを特徴とする請求項11記載の塗布、現像装置の制御方法。
  13. 前記(a3)においてバッファユニットが空いていなければアラームを発する工程を含むことを特徴とする請求項12記載の塗布、現像装置の制御方法。
  14. 前記第2の受け渡し部に搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板は、キャリアステーションに搬送されることを特徴とする請求項12または13記載の塗布、現像装置の制御方法。
  15. キャリアステーションに搬送された検査対象基板はキャリアに搬送されることを特徴とする請求項14記載の塗布、現像装置の制御方法。
  16. キャリアステーションに搬送された未検査基板として取り扱われる検査対象基板を、検査ステーションに搬送する工程を含むことを特徴とする請求項14または15に記載の塗布、現像装置の制御方法。
  17. 検査対象基板を検査ステーションに搬送する前記工程を実行するか否かを選択する工程を含むことを特徴とする請求項16記載の塗布、現像装置の制御方法。
  18. 第1の基板搬送手段によりキャリアから取り出された基板を第3の受け渡し部に受け渡す工程と
    この受け渡し部から基板を前記検査ステーションを横切って処理ステーションに搬送する工程と、をさらに備えることを特徴とする請求項11ないし17のいずれか一つに記載の塗布、現像装置の制御方法。
  19. 基板に対するレジストの塗布、レジストが塗布されかつ露光された後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項11ないし18のいずれか一に記載の塗布、現像装置の制御方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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TW096129197A TWI416593B (zh) 2006-09-12 2007-08-08 塗布顯影裝置及塗布顯影裝置之控制方法與記憶媒體
DE112007002124T DE112007002124T5 (de) 2006-09-12 2007-09-11 Steuerverfahren für ein Beschichtungs- und Entwicklungssystem zum Steuern eines Beschichtungs- und Entwicklungssystems
US12/438,031 US8377501B2 (en) 2006-09-12 2007-09-11 Coating and developing system control method of controlling coating and developing system
PCT/JP2007/067670 WO2008032714A1 (fr) 2006-09-12 2007-09-11 Appareil de revêtement/développement, procédé de commande d'appareil de revêtement/développement et support de stockage
KR1020097007376A KR101266735B1 (ko) 2006-09-12 2007-09-11 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억 매체
CN2007800338711A CN101517703B (zh) 2006-09-12 2007-09-11 涂敷、显影装置和涂敷、显影装置的控制方法

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4983724B2 (ja) * 2008-05-27 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP2010093125A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Toray Eng Co Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5433290B2 (ja) * 2009-04-20 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び制御装置
JP5187274B2 (ja) * 2009-05-28 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5168300B2 (ja) * 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US20120059510A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-08 Atsushi Kitani Mainframe premove for a cluster tool
JP5821689B2 (ja) * 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN104516207B (zh) * 2013-09-27 2017-03-08 北大方正集团有限公司 一种侦测感应***及控制曝光机工作的方法
JP5758509B2 (ja) * 2014-01-17 2015-08-05 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
JP5852219B2 (ja) * 2014-12-24 2016-02-03 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
CN106898563B (zh) * 2015-12-18 2019-12-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 产品验收***及产品验收方法
JP7050735B2 (ja) * 2019-10-02 2022-04-08 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP7297650B2 (ja) * 2019-11-27 2023-06-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
JP7482702B2 (ja) * 2020-06-30 2024-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209154A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005093920A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005101048A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 検査装置、基板処理装置および基板検査方法
JP2005175052A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
JP2006019622A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG94851A1 (en) 2000-07-12 2003-03-18 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3679690B2 (ja) 2000-07-12 2005-08-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6790286B2 (en) * 2001-01-18 2004-09-14 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Substrate processing apparatus
JP3911624B2 (ja) * 2001-11-30 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209154A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005093920A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005101048A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 検査装置、基板処理装置および基板検査方法
JP2005175052A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
JP2006019622A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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