JP2010114414A - 半導体基板の表面処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる
【選択図】図1
Description
特に効果がある。
2 基板保持部
3 処理槽
Claims (27)
- 薬液を用いて半導体基板を洗浄し、
純水を用いて前記薬液を除去し、
前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、
純水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理方法。 - 前記撥水性保護膜の形成前及び形成後の少なくともいずれか一方に、アルコールを用い
て前記半導体基板をリンスすることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の表面処理
方法。 - 界面活性剤又はシランカップリング剤を用いて前記撥水性保護膜を形成することを特徴
とする請求項1又は2に記載の半導体基板の表面処理方法。 - 前記アルコールを用いて前記半導体基板をリンスした後、前記撥水性保護膜を形成する
前に、前記アルコールをシンナーに置換することを特徴とする請求項2に記載の半導体基
板の表面処理方法。 - シランカップリング剤を用いて前記撥水性保護膜を形成することを特徴とする請求項4
に記載の半導体基板の表面処理方法。 - スピン乾燥法、蒸発乾燥法、もしくは減圧乾燥法を用いるか、またはイソプロピルアル
コールもしくはハイドロフルオロエーテルを含む溶剤を用いて前記半導体基板上の純水を
前記溶剤に置換し、前記溶剤を蒸発乾燥させることで、前記半導体基板の乾燥を行うこと
を特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の表面処理方法。 - 表面の所定の領域に複数の凸形状パターンを有する半導体基板表面を、薬液を用いて洗浄し、
前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理方法。 - 前記薬液は酸化効果をもつことを特徴とする請求項7に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記薬液は過酸化水素(H2O2)、或いは酸化剤を含む薬液であることを特徴とする請求項8に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 界面活性剤を用いて前記撥水性保護膜を形成することを特徴とする請求項7に記載の半導体基板の表面処理方法。
- シランカップリング剤を用いて前記撥水性保護膜を形成することを特徴とする請求項7に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記半導体基板の洗浄後、前記撥水性保護膜の形成前に、リンス液を用いて前記半導体基板をリンスすることを特徴とする請求項7に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記半導体基板の洗浄後かつ前記撥水性保護膜の形成前、及び前記撥水性保護膜の形成後かつ前記水を用いたリンスの前の少なくともいずれか一方において、アルコールを用いて前記半導体基板をリンスすることを特徴とする請求項11に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記半導体基板の洗浄後かつ前記撥水性保護膜の形成前に、アルコールを用いて前記半導体基板をリンスし、前記アルコールをシンナーに置換することを特徴とする請求項11に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 表面の所定の領域に複数の凸形状パターンを有する半導体基板表面を、洗浄薬液を用いて洗浄し、
前記洗浄薬液を用いて前記半導体基板を洗浄後、処理薬液を用いて前記凸形状のパターン表面の少なくとも一部を改質し、
改質した前記凸形状パターン表面に撥水性保護膜を形成し、
前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、
前記半導体基板を乾燥させる半導体基板の表面処理方法。 - 前記処理薬液は酸化効果をもつことを特徴とする請求項15に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記処理薬液は過酸化水素(H2O2)、或いは酸化剤を含む薬液であることを特徴とする請求項16に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 界面活性剤を用いて前記撥水性保護膜を形成することを特徴とする請求項15に記載の半導体基板の表面処理方法。
- シランカップリング剤を用いて前記撥水性保護膜を形成することを特徴とする請求項15に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記凸形状パターン表面の改質後、前記撥水性保護膜の形成前に、リンス液を用いて前記半導体基板をリンスすることを特徴とする請求項15に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記凸形状パターン表面の改質後かつ前記撥水性保護膜の形成前、及び前記撥水性保護膜の形成後かつ前記水を用いたリンスの前の少なくともいずれか一方において、アルコールを用いて前記半導体基板をリンスすることを特徴とする請求項19に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記凸形状パターン表面の改質後かつ前記撥水性保護膜の形成前に、アルコールを用いて前記半導体基板をリンスし、前記アルコールをシンナーに置換することを特徴とする請求項19に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記凸形状パターンは、ドライエッチングプロセスを用いて形成されたものであることを特徴とする請求項7または15に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記凸形状パターンの少なくとも一部は、シリコンを含む膜により形成されていることを特徴とする請求項7または15に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記シリコンを含む膜は、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜の少なくともいずれか1つを有することを特徴とする請求項24に記載の半導体基板の表面処理方法。
- スピン乾燥法、蒸発乾燥法、もしくは減圧乾燥法を用いるか、またはイソプロピルアルコールもしくはハイドロフルオロエーテルを含む溶剤を用いて前記半導体基板上の水を前記溶剤に置換し、前記溶剤を蒸発乾燥させることで、前記半導体基板の乾燥を行うことを特徴とする請求項7または15に記載の半導体基板の表面処理方法。
- 前記半導体基板の乾燥後に前記撥水性保護膜を除去することを特徴とする請求項7または15に記載の半導体基板の表面処理方法。
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Cited By (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071172A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2011192835A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置 |
WO2011145500A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
WO2011155407A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
WO2012002243A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 |
WO2012002346A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法 |
WO2012002145A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液 |
JP2012015335A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液、および、ウェハ表面の洗浄方法 |
JP2012033881A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 |
JP2012033883A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2012080033A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012084789A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2012134353A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び装置 |
JP2012178432A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成薬液 |
JP2012178431A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2012209299A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013519217A (ja) * | 2010-02-01 | 2013-05-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 高アスペクト比ナノ構造におけるパターン崩壊の低減方法 |
JP2013118347A (ja) * | 2010-12-28 | 2013-06-13 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
WO2013115021A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP2013157625A (ja) * | 2013-04-09 | 2013-08-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013161833A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP2013161834A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP2013537724A (ja) * | 2010-08-27 | 2013-10-03 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 乾燥間の高アスペクト比構造崩壊を防止する方法 |
KR101370994B1 (ko) | 2010-06-30 | 2014-03-10 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 보호막 형성용 약액 및 웨이퍼 표면의 세정 방법 |
WO2014050587A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JP2014064032A (ja) * | 2013-12-10 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
US8741070B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-06-03 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium |
JPWO2012157507A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-07-31 | 東亞合成株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
US8821974B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-09-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method |
JP2014197571A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US8932390B2 (en) | 2011-01-12 | 2015-01-13 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
US9228120B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-01-05 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
JP2016072489A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2016072446A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP2016082223A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US9349582B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-05-24 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming water repellent protecting film, and process for cleaning wafers using the same |
JP2016106414A (ja) * | 2010-12-28 | 2016-06-16 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
JP2016146505A (ja) * | 2016-04-11 | 2016-08-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP2016149543A (ja) * | 2011-01-12 | 2016-08-18 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
KR20160114517A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 실릴화제 약액의 조제 방법 및 표면 처리 방법 |
US9478407B2 (en) | 2009-10-28 | 2016-10-25 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
JP2017022409A (ja) * | 2013-08-27 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
US9583331B2 (en) | 2013-01-18 | 2017-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
JP2017073504A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20170143469A (ko) | 2016-06-21 | 2017-12-29 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 실릴화제 용액, 표면 처리 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
KR20180081121A (ko) | 2015-11-10 | 2018-07-13 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 액체를 피정제물로 하는 정제 방법, 규소 화합물 함유액을 피정제물로 하는 정제 방법, 실릴화제 약액, 막형성용 재료 또는 확산제 조성물의 제조 방법, 필터 미디어, 및 필터 디바이스 |
KR20180101323A (ko) | 2016-01-13 | 2018-09-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체기판재료에 발알코올성을 부여하는 액체조성물 및 이 액체조성물을 이용한 반도체기판의 표면처리방법 |
WO2018216326A1 (ja) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
JP2018198325A (ja) * | 2018-08-20 | 2018-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2019140401A (ja) * | 2019-04-10 | 2019-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
US10453729B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-10-22 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP2020155649A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 |
US10835908B2 (en) | 2013-08-27 | 2020-11-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
KR20210031951A (ko) | 2018-08-31 | 2021-03-23 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US11018017B2 (en) | 2016-09-26 | 2021-05-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
US11155717B2 (en) | 2016-06-13 | 2021-10-26 | Fujifilm Corporation | Storage container storing liquid composition and method for storing liquid composition |
WO2021235476A1 (ja) * | 2020-05-21 | 2021-11-25 | セントラル硝子株式会社 | 半導体基板の表面処理方法、及び表面処理剤組成物 |
WO2021235479A1 (ja) | 2020-05-21 | 2021-11-25 | セントラル硝子株式会社 | 半導体基板の表面処理方法、及び表面処理剤組成物 |
KR20220015946A (ko) | 2020-07-31 | 2022-02-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치 |
KR20220094152A (ko) | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2023511979A (ja) * | 2020-07-02 | 2023-03-23 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 半導体構造の処理方法及び形成方法 |
WO2023090171A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
US11862484B2 (en) | 2013-01-25 | 2024-01-02 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
JP7475252B2 (ja) | 2020-10-02 | 2024-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
US11978636B2 (en) | 2020-07-02 | 2024-05-07 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Methods for processing semiconductor structures and methods for forming semiconductor structures |
Families Citing this family (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4884180B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI416608B (zh) * | 2008-09-22 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體 |
US7892937B2 (en) * | 2008-10-16 | 2011-02-22 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
US9053924B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-06-09 | Central Glass Company, Limited | Cleaning agent for silicon wafer |
SG173043A1 (en) * | 2009-01-21 | 2011-08-29 | Central Glass Co Ltd | Silicon wafer cleaning agent |
JP5377052B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP5254120B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5242508B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP5404361B2 (ja) | 2009-12-11 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP5424848B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP5404364B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP4927158B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
JP5506461B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
JP5361790B2 (ja) | 2010-04-28 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理方法 |
JP2011249454A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 超臨界乾燥方法 |
JP5434800B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理方法及び疎水化処理装置 |
JP5422497B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2014-02-19 | 株式会社東芝 | 基板乾燥方法 |
KR20130046431A (ko) * | 2010-06-28 | 2013-05-07 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 발수성 보호막 형성제, 발수성 보호막 형성용 약액과 당해 약액을 이용한 웨이퍼의 세정 방법 |
JP5662081B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2015-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN103098180B (zh) | 2010-09-08 | 2016-03-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法 |
JP5741590B2 (ja) | 2010-09-08 | 2015-07-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法 |
KR101845394B1 (ko) | 2010-09-08 | 2018-04-05 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 미세 구조체의 패턴 붕괴 억제용 처리액 및 이를 이용한 미세 구조체의 제조 방법 |
JP2012101197A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Toshiba Corp | 排ガス処理装置、方法、及び半導体製造システム |
JP5620234B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置 |
JP5320383B2 (ja) | 2010-12-27 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US8828144B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-09-09 | Central Grass Company, Limited | Process for cleaning wafers |
JP5905666B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-04-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2012222329A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
JP5611884B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2014-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP5813495B2 (ja) | 2011-04-15 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
JP5843277B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-01-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 |
JP2013105909A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013157480A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
KR101497288B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2015-02-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체 |
JP6119285B2 (ja) | 2012-03-27 | 2017-04-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法 |
JP5898549B2 (ja) | 2012-03-29 | 2016-04-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2014039014A (ja) | 2012-07-20 | 2014-02-27 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜及び保護膜形成用薬液 |
US20140060575A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Semes Co. Ltd | Substrate treating method |
KR101525152B1 (ko) * | 2012-12-12 | 2015-06-04 | 영창케미칼 주식회사 | 커패시터 쓰러짐 방지용 코팅 조성물 |
JP6400919B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2018-10-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6013289B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2016-10-25 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
JP6191372B2 (ja) | 2013-10-04 | 2017-09-06 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
KR102107227B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2020-05-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 블록 코폴리머를 이용한 패턴 형성을 위한 구조, 패턴 형성 방법, 및 이를 이용한 반도체소자 제조방법 |
US9460997B2 (en) | 2013-12-31 | 2016-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Interconnect structure for semiconductor devices |
JP2017516310A (ja) * | 2014-05-12 | 2017-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | フレキシブルなナノ構造の乾燥を改善するための方法及びシステム |
US9768270B2 (en) * | 2014-06-25 | 2017-09-19 | Sandisk Technologies Llc | Method of selectively depositing floating gate material in a memory device |
US10026629B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
JP6410694B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP6376960B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016139774A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-08-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン処理方法、半導体基板製品の製造方法およびパターン構造の前処理液 |
JP6687486B2 (ja) | 2016-08-31 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
KR102628534B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2024-01-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 기판의 처리 방법 |
JP6875811B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 |
TW201825197A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-07-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
CN109791886B (zh) * | 2016-09-30 | 2023-08-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
KR20190072532A (ko) | 2016-10-21 | 2019-06-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 처리제 및 기판의 처리 방법 |
KR101884854B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2018-08-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102284210B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2021-08-03 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 기판 식각 용액 |
EP3596254A4 (en) * | 2017-03-17 | 2020-12-30 | Versum Materials US, LLC | SELECTIVE DEPOSITION ON SILICON-CONTAINING SURFACES |
EP3602606B1 (en) * | 2017-03-24 | 2024-06-26 | FUJIFILM Electronic Materials U.S.A., Inc. | Surface treatment methods and compositions therefor |
JP6943012B2 (ja) * | 2017-05-10 | 2021-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記憶媒体 |
JP6949559B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP7029251B2 (ja) | 2017-08-28 | 2022-03-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6934376B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7116534B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2022-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6953255B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-10-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10748757B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-08-18 | Honeywell International, Inc. | Thermally removable fill materials for anti-stiction applications |
US10727044B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-07-28 | Honeywell International Inc. | Fill material to mitigate pattern collapse |
US11037779B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-06-15 | Micron Technology, Inc. | Gas residue removal |
US10784101B2 (en) | 2017-12-19 | 2020-09-22 | Micron Technology, Inc. | Using sacrificial solids in semiconductor processing |
US10964525B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-03-30 | Micron Technology, Inc. | Removing a sacrificial material via sublimation in forming a semiconductor |
US10475656B2 (en) | 2017-12-19 | 2019-11-12 | Micron Technology, Inc. | Hydrosilylation in semiconductor processing |
US10957530B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-03-23 | Micron Technology, Inc. | Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor |
US10941301B2 (en) * | 2017-12-28 | 2021-03-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Surface treatment method, surface treatment agent, and method for forming film region-selectively on substrate |
SG11202005938SA (en) | 2018-01-05 | 2020-07-29 | Fujifilm Electronic Materials Usa Inc | Surface treatment compositions and methods |
KR102434297B1 (ko) * | 2018-01-09 | 2022-08-18 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP7182879B2 (ja) * | 2018-01-09 | 2022-12-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7182880B2 (ja) * | 2018-01-09 | 2022-12-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10497558B2 (en) | 2018-02-26 | 2019-12-03 | Micron Technology, Inc. | Using sacrificial polymer materials in semiconductor processing |
KR102573280B1 (ko) * | 2018-03-21 | 2023-09-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR20190138743A (ko) * | 2018-06-06 | 2019-12-16 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 기판의 처리 방법 및 린스액 |
JP7030633B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20200035494A1 (en) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Surface Treatment Compositions and Methods |
CN113394074A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的处理方法 |
JP2022027088A (ja) | 2020-07-31 | 2022-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
CN114068345A (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的处理方法及形成方法 |
JP2022139067A (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
JP2023070641A (ja) | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板パターン倒壊抑制用充填膜形成材料及び半導体基板の処理方法 |
KR102666521B1 (ko) * | 2022-03-23 | 2024-05-16 | 주식회사 에스이에이 | 기판 표면 처리장치 |
KR102655599B1 (ko) | 2023-07-17 | 2024-04-08 | 와이씨켐 주식회사 | 반도체 패턴 쓰러짐 방지용 코팅 조성물 및 이를 이용하여 코팅된 패턴 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3011728B2 (ja) * | 1989-12-13 | 2000-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理装置 |
JPH06302598A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07142349A (ja) | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法 |
JPH07273083A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パターン形成法 |
JPH07335603A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Toshiba Corp | 半導体基板の処理方法および処理剤 |
JP2000040679A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3485471B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2004-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2000089477A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
US6468362B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
US6858089B2 (en) * | 1999-10-29 | 2005-02-22 | Paul P. Castrucci | Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning |
JP4541422B2 (ja) * | 2000-05-15 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US6620260B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-09-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate rinsing and drying method |
JP2002006476A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Hitachi Ltd | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 |
JP3866130B2 (ja) | 2001-05-25 | 2007-01-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR100451950B1 (ko) * | 2002-02-25 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 |
US20040003828A1 (en) * | 2002-03-21 | 2004-01-08 | Jackson David P. | Precision surface treatments using dense fluids and a plasma |
JP4016701B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2007-12-05 | 信越半導体株式会社 | 貼り合せ基板の製造方法 |
JP4084235B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-04-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 保護膜積層微細構造体および該構造体を用いた微細構造体の乾燥方法 |
US7163018B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-01-16 | Applied Materials, Inc. | Single wafer cleaning method to reduce particle defects on a wafer surface |
JP4330959B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2009-09-16 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置、半導体基板、ならびに半導体装置 |
JP2005136246A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3857692B2 (ja) | 2004-01-15 | 2006-12-13 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2005276857A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
KR101063591B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2011-09-07 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 금속간 유전체로서 사용된 낮은 k 및 극도로 낮은 k의 오가노실리케이트 필름의 소수성을 복원하는 방법 및 이로부터 제조된 물품 |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080207005A1 (en) * | 2005-02-15 | 2008-08-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wafer Cleaning After Via-Etching |
JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
KR20080067367A (ko) * | 2005-11-01 | 2008-07-18 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 불포화 불화 탄화수소를 포함하는 용매 조성물 |
JP4882480B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体 |
JP4866165B2 (ja) | 2006-07-10 | 2012-02-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 |
JP2008078503A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Toshiba Corp | 半導体製造工程における廃液処理方法、及び基板処理装置 |
JP2008091600A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4923936B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 |
JP2008156708A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
US8567420B2 (en) * | 2008-03-31 | 2013-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning apparatus for semiconductor wafer |
-
2008
- 2008-10-24 US US12/257,493 patent/US7838425B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-12 JP JP2009140992A patent/JP4403202B1/ja active Active
- 2009-06-15 KR KR1020090052862A patent/KR101118437B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-16 TW TW102106750A patent/TWI604517B/zh active
- 2009-06-16 TW TW098120153A patent/TWI397117B/zh active
- 2009-10-06 US US12/574,543 patent/US7749909B2/en active Active
- 2009-10-22 JP JP2009243777A patent/JP4455669B1/ja active Active
- 2009-10-22 JP JP2009243787A patent/JP4455670B1/ja active Active
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010018847A patent/JP2010114467A/ja active Pending
- 2010-05-26 US US12/801,178 patent/US7985683B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-18 JP JP2012114546A patent/JP5622791B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-19 JP JP2014190842A patent/JP5801461B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-26 JP JP2015166689A patent/JP5855310B2/ja active Active
- 2015-11-25 JP JP2015229761A patent/JP2016066811A/ja active Pending
Cited By (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071172A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US9478407B2 (en) | 2009-10-28 | 2016-10-25 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
US10236175B2 (en) | 2009-10-28 | 2019-03-19 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
JP2013519217A (ja) * | 2010-02-01 | 2013-05-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 高アスペクト比ナノ構造におけるパターン崩壊の低減方法 |
JP2011192835A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置 |
JP2012033873A (ja) * | 2010-05-19 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液 |
WO2011145500A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
US9691603B2 (en) | 2010-05-19 | 2017-06-27 | Central Glass Company, Limited | Chemical for forming protective film |
KR101483484B1 (ko) | 2010-05-19 | 2015-01-16 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 보호막 형성용 약액 |
US9228120B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-01-05 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
JP5821844B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2015-11-24 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
CN102934207A (zh) * | 2010-06-07 | 2013-02-13 | 中央硝子株式会社 | 保护膜形成用化学溶液 |
WO2011155407A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JPWO2011155407A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-08-01 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JP2016036038A (ja) * | 2010-06-07 | 2016-03-17 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
US9748092B2 (en) | 2010-06-07 | 2017-08-29 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
CN102934207B (zh) * | 2010-06-07 | 2016-04-06 | 中央硝子株式会社 | 保护膜形成用化学溶液 |
WO2012002243A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 |
JP2012033881A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 |
JP2012033883A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
WO2012002346A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法 |
WO2012002145A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液 |
JP2012015335A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液、および、ウェハ表面の洗浄方法 |
JP2012033880A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液 |
US9090782B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-07-28 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming water repellent protective film |
KR101370994B1 (ko) | 2010-06-30 | 2014-03-10 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 보호막 형성용 약액 및 웨이퍼 표면의 세정 방법 |
JP5648053B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-01-07 | セントラル硝子株式会社 | ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法 |
US8821974B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-09-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method |
US9005703B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-04-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method |
US9455134B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-09-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method |
JP2013537724A (ja) * | 2010-08-27 | 2013-10-03 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 乾燥間の高アスペクト比構造崩壊を防止する方法 |
JP2012080033A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012084789A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
US9190262B2 (en) | 2010-10-14 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device |
JP2012134353A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び装置 |
US8741070B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-06-03 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium |
JP2013118347A (ja) * | 2010-12-28 | 2013-06-13 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2016106414A (ja) * | 2010-12-28 | 2016-06-16 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
US9496131B2 (en) | 2011-01-12 | 2016-11-15 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
US8932390B2 (en) | 2011-01-12 | 2015-01-13 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
JP2016149543A (ja) * | 2011-01-12 | 2016-08-18 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
JP2012178432A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成薬液 |
JP2012178431A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2012209299A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US9349582B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-05-24 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming water repellent protecting film, and process for cleaning wafers using the same |
US10077365B2 (en) | 2011-04-28 | 2018-09-18 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming water repellent protecting film, and process for cleaning wafers using the same |
JPWO2012157507A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-07-31 | 東亞合成株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
JP2013161834A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP2013161833A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
WO2013115021A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP2014197571A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2014067801A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液 |
WO2014050587A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
US10032658B2 (en) | 2013-01-18 | 2018-07-24 | Toshiba Memory Corporation | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
US9818627B2 (en) | 2013-01-18 | 2017-11-14 | Toshiba Memory Corporation | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
US9583331B2 (en) | 2013-01-18 | 2017-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
US11862484B2 (en) | 2013-01-25 | 2024-01-02 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
JP2013157625A (ja) * | 2013-04-09 | 2013-08-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2017022409A (ja) * | 2013-08-27 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
US10835908B2 (en) | 2013-08-27 | 2020-11-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
JP2014064032A (ja) * | 2013-12-10 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
JP2016072489A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2016072446A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
US10121648B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-11-06 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2016082223A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US9868090B2 (en) | 2015-03-24 | 2018-01-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Process for preparing chemical liquid of silylating agent and surface treatment method |
KR20160114517A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 실릴화제 약액의 조제 방법 및 표면 처리 방법 |
US10366877B2 (en) | 2015-10-08 | 2019-07-30 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2017073504A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10525418B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Purification method for purifying liquid, purification method for purifying silicon compound-containing liquid, method for producing silylating agent liquid, film forming material or diffusing agent composition, filter medium and filter device |
KR20180081121A (ko) | 2015-11-10 | 2018-07-13 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 액체를 피정제물로 하는 정제 방법, 규소 화합물 함유액을 피정제물로 하는 정제 방법, 실릴화제 약액, 막형성용 재료 또는 확산제 조성물의 제조 방법, 필터 미디어, 및 필터 디바이스 |
KR20180101323A (ko) | 2016-01-13 | 2018-09-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체기판재료에 발알코올성을 부여하는 액체조성물 및 이 액체조성물을 이용한 반도체기판의 표면처리방법 |
US11094526B2 (en) | 2016-01-13 | 2021-08-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid composition for imparting alcohol-repellency to semiconductor substrate material, and method for treating surface of semiconductor substrate using said liquid composition |
JP2016146505A (ja) * | 2016-04-11 | 2016-08-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
US11155717B2 (en) | 2016-06-13 | 2021-10-26 | Fujifilm Corporation | Storage container storing liquid composition and method for storing liquid composition |
KR20170143469A (ko) | 2016-06-21 | 2017-12-29 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 실릴화제 용액, 표면 처리 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
US11018017B2 (en) | 2016-09-26 | 2021-05-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
KR20200010293A (ko) | 2017-05-26 | 2020-01-30 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체기판에 발알코올성을 부여하는 표면처리방법 |
US11174399B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-11-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate |
WO2018216326A1 (ja) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
US10453729B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-10-22 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP2018198325A (ja) * | 2018-08-20 | 2018-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20210031951A (ko) | 2018-08-31 | 2021-03-23 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP7302997B2 (ja) | 2019-03-20 | 2023-07-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 |
JP2020155649A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 |
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