JP6400919B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
基板を水平状態で支持するテーブルと、
このテーブルを水平面内で回転させる回転機構と、
回転している前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する加熱部と、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記加熱部による、前記揮発性溶媒が残留する前記基板の加熱が、前記溶媒供給部による、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給中には行われず、前記揮発性溶媒の供給完了後に開始され、それ以外には開始されないように制御することを特徴とする。
水平面内で回転している基板の表面に処理液を供給する工程と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
を有し、
前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒が残留する前記基板の加熱が、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給中には行われず、前記揮発性溶媒の供給完了後に開始され、それ以外には開始されないことを特徴とする。
第1の実施形態について図1ないし図4を参照して説明する。
第2の実施形態について図5を参照して説明する。
第3の実施形態について図6を参照して説明する。
第4の実施形態について図7ないし図9を参照して説明する。
第5の実施形態について図10を参照して説明する。
第6の実施形態について図11を参照して説明する。
5 回転機構
8 溶媒供給部
10 照射部
10A 照射部
11 移動機構
11A 移動機構
12 制御部
W 基板
Claims (10)
- 基板を水平状態で支持するテーブルと、
このテーブルを水平面内で回転させる回転機構と、
回転している前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する加熱部と、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記加熱部による、前記揮発性溶媒が残留する前記基板の加熱が、前記溶媒供給部による、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給中には行われず、前記揮発性溶媒の供給完了後に開始され、それ以外には開始されないように制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、前記処理液供給部による前記基板への前記処理液の供給が終了する前から、前記溶媒供給部による前記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始されるように前記溶媒供給部を制御することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板の表面に対して不活性ガスを供給するガス供給部を有し、
前記制御部は、前記溶媒供給部による前記揮発性溶媒の供給が開始される前に、前記ガス供給部による前記不活性ガスの供給が開始されるように前記ガス供給部を制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記加熱部を前記基板の表面に対して上下方向に移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記加熱部を前記基板の表面に沿って移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記加熱部は、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射する照射部であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給部は前記処理液を吐出する第1のノズル、前記溶媒供給部は前記揮発性溶媒を吐出する第2のノズル、前記加熱部は前記基板を加熱する照射部をそれぞれ有し、前記第1のノズルと前記第2のノズルは、いずれも前記照射部内に設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記加熱部は、前記基板を加熱する照射部を有し、この照射部は、前記テーブルと、このテーブルに支持される前記基板との間に、前記基板の前記テーブル側の面に対して光を照射するように設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 水平面内で回転している基板の表面に処理液を供給する工程と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
を有し、
前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒が残留する前記基板の加熱が、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給中には行われず、前記揮発性溶媒の供給完了後に開始され、それ以外には開始されないことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射することを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。
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