CN109791886B - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

实施方式所涉及的基板处理方法包括液处理工序、第一置换工序、防水化工序、第二置换工序以及干燥工序。在液处理工序中，对基板供给含有水分的处理液。在第一置换工序中，对液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换处理液。在防水化工序中，对第一置换工序后的基板供给防水化液来使基板防水化。在第二置换工序中，对防水化工序后的基板供给比第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换防水化液。在干燥工序中，将有机溶剂从第二置换工序后的基板去除。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。
背景技术
以往，在半导体的制造工序中，进行通过将被供给至基板上的处理液去除来使基板干燥的干燥处理。在该干燥处理中，存在以下的担忧：形成于基板上的图案会因处理液的表面张力而破坏。
因此，公知有以下方法：在干燥处理前，通过向基板供给防水化液来使基板表面防水化(例如，参照专利文献1)。通过向被实施了防水化的基板供给表面张力比纯水小的溶剂，能够抑制图案破坏。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-044065号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，近年来，形成于基板的图案的微细化不断发展。图案的微细化越发展，越容易产生由表面张力导致的图案破坏。因此，在上述的以往技术中，在抑制图案破坏这一点还有进一步的改善余地。
实施方式的一个方式的目的在于提供一种能够抑制图案的破坏并且使基板干燥的基板处理方法以及基板处理装置。
用于解决问题的方案
实施方式的一个方式所涉及的基板处理方法包括液处理工序、第一置换工序、防水化工序、第二置换工序以及干燥工序。在液处理工序中，对基板供给含有水分的处理液。在第一置换工序中，对液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换处理液。在防水化工序中，对第一置换工序后的基板供给防水化液来使基板防水化。在第二置换工序中，对防水化工序后的基板供给比第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换防水化液。在干燥工序中，将有机溶剂从第二置换工序后的基板去除。
发明的效果
根据实施方式的一个方式，能够抑制图案的破坏并且使基板干燥。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理***的概要结构的图。
图2是表示处理单元的概要结构的示意图。
图3是表示处理单元的结构例的示意图。
图4A是表示第一IPA供给源和第二IPA供给源的结构的一例的图。
图4B是表示变形例所涉及的IPA供给源的结构的一例的图。
图5是表示处理单元所执行的处理的过程的流程图。
图6A是第一置换处理的说明图。
图6B是防水化处理的说明图。
图6C是第二置换处理的说明图。
图7是变形例所涉及的防水化处理的说明图。
具体实施方式
下面参照附图对本申请所公开的基板处理方法以及基板处理装置的实施方式详细地进行说明。此外，并不是由以下所示的实施方式来限定本发明。
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理***的概要结构的图。下面，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
如图1所示，基板处理***1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3相邻地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置多个承载件C，所述多个承载件C将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(下面记作晶圆W)以水平状态收容。
搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，在所述搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的搬送。
处理单元16对由基板搬送装置17搬送来的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理***1具备控制装置4。控制装置4例如为计算机，其具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存有对在基板处理***1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储部19中所存储的程序来控制基板处理***1的动作。
此外，该程序可以是记录于计算机可读取的存储介质中并从该存储介质安装至控制装置4的存储部19中的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在以上述方式构成的基板处理***1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，并将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17从交接部14取出被载置于交接部14的晶圆W，并将该晶圆W搬入至处理单元16中。
在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆W进行处理后，利用基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出并将其载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完毕的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。
接着，参照图2来对处理单元16的概要结构进行说明。图2是表示处理单元16的概要结构的示意图。
如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。
腔室20收容基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21用于在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆W保持为水平。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，支柱部32的基端部被驱动部33以能够旋转的方式支承，在支柱部32的顶端部将保持部31支承为水平。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使被支承于支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持于保持部31的晶圆W旋转。
处理流体供给部40对晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯50配置为包围保持部31，收集因保持部31的旋转而从晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集到的处理液从该排液口51向处理单元16的外部排出。另外，在回收杯50的底部形成有将从FFU 21供给的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
接着，参照图3来对处理单元16的具体的结构的一例进行说明。图3是表示处理单元16的结构例的示意图。
如图3所示，FFU 21经由阀22与下降流气体供给源23连接。FFU 21将从下降流气体供给源23供给的下降流气体(例如干燥空气)喷出至腔室20内。
在基板保持机构30所具备的保持部31的上表面设置从侧面保持晶圆W的保持构件311。通过该保持构件311将晶圆W以与保持部31的上表面稍微分离的状态水平保持。此外，将晶圆W以形成有图案的一面朝向上方的状态保持于保持部31。
处理流体供给部40具备多个(在此为五个)喷嘴41a～41e、水平地支承喷嘴41a～41e的臂42以及使臂42转动和升降的转动升降机构43。
喷嘴41a经由阀44a和流量调整器45a而与药液供给源46a连接。喷嘴41b经由阀44b和流量调整器45b而与CDIW供给源46b连接。喷嘴41c经由阀44c和流量调整器45c而与第一IPA供给源46c连接。喷嘴41d经由阀44d和流量调整器45d而与防水化液供给源46d连接。喷嘴41e经由阀44e和流量调整器45e而与第二IPA供给源46e连接。
从药液供给源46a供给的药液被从喷嘴41a喷出。作为药液，例如能够使用DHF(稀氢氟酸)、SC1(氨/过氧化氢/水的混合液)等。从CDIW供给源46b供给的CDIW(室温的纯水)被从喷嘴41b喷出。
从第一IPA供给源46c供给的第一温度的IPA(异丙醇)被从喷嘴41c喷出。具体地说，喷嘴41c喷出室温(例如20℃～25℃左右)的IPA。下面，有时将第一温度的IPA记载为“IPA(RT)”。
从防水化液供给源46d供给的防水化液被从喷嘴41d喷出。此外，防水化液例如是用稀释剂将用于使晶圆W的表面防水化的防水化液稀释为规定的浓度而得到的。作为防水化液，能够使用甲硅烷基化剂(或硅烷偶联剂)。另外，作为稀释剂，能够使用醚类溶剂、属于酮的有机溶剂等。此外，在此，设为从喷嘴41d喷出室温的防水化液。
从第二IPA供给源46e供给的第二温度的IPA被从喷嘴41e喷出。第二温度是比作为IPA的温度的第一温度高的温度。具体地说，喷嘴41e喷出被加热至70℃的IPA。下面，有时将第二温度的IPA记载为“IPA(HOT)”。
在此，参照图4A来对第一IPA供给源46c和第二IPA供给源46e的结构例进行说明。图4A是表示第一IPA供给源46c和第二IPA供给源46e的结构的一例的图。
如图4A所示，第一IPA供给源46c和第二IPA供给源46e具备贮存IPA的罐461以及从罐461引出并返回至罐461的循环线路462。在循环线路462中设置有泵463和过滤器464。泵463用于形成从罐461引出并通过循环线路462而返回至罐461的循环流。过滤器464配置于泵463的下游侧，去除IPA中包含的微粒等异物。
第二IPA供给源46e除了上述的结构以外还具备加热部465。加热部465例如为直线排列式加热器等加热器，设置在循环线路462中的比过滤器464靠下游侧的位置。该加热部465将在循环线路462中循环的IPA加热至第二温度(70℃)。
第一IPA供给源46c的循环线路462与多个分支线路466连接。各分支线路466将流过循环线路462的IPA(RT)供给至对应的处理单元16。同样地，第二IPA供给源46e的循环线路462与多个分支线路467连接。各分支线路467将流过循环线路462的IPA(HOT)供给至对应的处理单元16。
在此，设为处理单元16分别与供给IPA(RT)的第一IPA供给源46c和供给IPA(HOT)的第二IPA供给源46e连接，但处理单元16也可以与单个IPA供给源连接。参照图4B来对这种情况下的结构例进行说明。图4B是表示变形例所涉及的IPA供给源的结构的一例的图。
如图4B所示，处理单元16具备IPA供给源46f来代替第一IPA供给源46c和第二IPA供给源46e。
IPA供给源46f具备贮存IPA的罐461和从罐461引出并返回至罐461的循环线路462。在循环线路462中设置有泵463和过滤器464。泵463用于形成从罐461引出并通过循环线路462而返回至罐461的循环流。过滤器464设置于泵463的下游侧，去除IPA中包含的微粒等污染物质。
IPA供给源46f的循环线路462与多个第一分支线路468连接。各第一分支线路468将流过循环线路462的IPA(RT)供给至对应的处理单元16。另外，第二分支线路469分别与各第一分支线路468连接，在各第二分支线路469设置有加热部465。各第二分支线路469将由加热部465加热至第二温度的IPA(HOT)供给至对应的处理单元16。
像这样，IPA供给源46f可以设为具备供IPA(RT)循环的一个循环线路462、向处理单元16供给IPA(RT)的第一分支线路468以及向处理单元16供给IPA(HOT)的第二分支线路469的结构。通过设为该结构，与图4A所示的结构相比，能够简化结构。
另外，当流过循环线路462的液体为高温时，液体中的异物发生凝聚或设置于循环线路462中的过滤器464发生热膨胀，因此液体中的异物容易从过滤器464通过。换言之，异物的去除率下降。与此相对地，如图4B所示，不将加热部465设置于过滤器464，而是设置于第二分支线路469，由此，能够抑制异物的去除率的下降。
此外，多个第二分支线路469也可以不与第一分支线路468连接而是与循环线路462连接。
如图3所示，处理单元16还具备背面供给部60。背面供给部60***贯通于保持部31和支柱部32的中空部321。在背面供给部60的内部形成有沿上下方向延伸的流路61，HDIW供给源64经由阀62和流量调整器63而与该流路61连接。从HDIW供给源64供给的HDIW被从背面供给部60喷出。HDIW例如为被加热至第二温度的纯水。
接着，参照图5以及图6A～图6C来对处理单元16所执行的处理的内容进行说明。图5是表示处理单元16所执行的处理的过程的流程图。图6A是第一置换处理的说明图，图6B是防水化处理的说明图，图6C是第二置换处理的说明图。
此外，通过控制部18读取保存在控制装置4的存储部19中的程序，并且控制部18基于读取出的命令来控制处理单元16等来执行图5所示的基板清洗处理。控制部18包括各种电路、具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)以及输入输出端口等的微型计算机。另外，存储部19例如通过RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储器元件或硬盘、光盘等存储装置来实现。
如图5所示，首先，基板搬送装置17(参照图1)将晶圆W搬入处理单元16的腔室20内(步骤S101)。将晶圆W以图案形成面朝向上方的状态保持在保持构件311(参照图3)。之后，控制部18控制驱动部33来使基板保持机构30以规定的转速旋转。
接着，在处理单元16中进行药液处理(步骤S102)。在药液处理中，首先，处理流体供给部40的喷嘴41a位于晶圆W的中央上方。之后，通过将阀44a打开规定时间来向晶圆W的表面供给DHF等药液。供给至晶圆W的表面的药液(例如DHF)通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩展至晶圆W的整个表面。由此，晶圆W的表面被处理(例如清洗)。之后，在处理单元16中进行冲洗处理(步骤S103)。在冲洗处理中，首先，处理流体供给部40的喷嘴41b位于晶圆W的中央上方，通过将阀44b打开规定时间来向晶圆W的表面供给CDIW。供给至晶圆W的表面的CDIW通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩展至晶圆W的整个表面。由此，残留于晶圆W的表面的药液通过CDIW而被清洗掉。
接着，在处理单元16中进行第一置换处理(步骤S104)。在第一置换处理中，首先，处理流体供给部40的喷嘴41c位于晶圆W的中央上方。之后，通过将阀44c打开规定时间来向晶圆W的表面供给IPA(RT)。供给至晶圆W的表面的IPA(RT)通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩展至晶圆W的整个表面(参照图6A)。由此，晶圆W表面的液体被置换为与在后续的防水化处理中喷出至晶圆W的防水化液具有亲和性的IPA。此外，IPA也具有与DIW的亲和性，因此，也容易进行从DIW向IPA的置换。
此外，在第一置换处理中，为了缩短处理时间，可以对晶圆W的背面供给HDIW来促进从DIW向IPA的置换。在这种情况下，可以在以固定期间对晶圆W的背面供给HDIW后，在停止向晶圆W表面供给IPA之前停止向晶圆W背面供给HDIW。通过提前停止HDIW的供给，能够降低晶圆W的温度，因此，能够抑制防水化液与IPA的反应的进展并且缩短处理时间。
在此，在第一置换处理中，也考虑供给被加热至高温的IPA。然而，IPA具有与防水化液发生反应的性质，IPA的温度越高越促进该反应。因而，当在第一置换处理中向晶圆W供给高温的IPA时，存在以下的担忧：在之后的防水化处理中，在防水化液与晶圆W发生反应来在晶圆W的表面形成防水化层之前，防水化液与IPA的反应进展，防水化液与晶圆W表面无法发生反应而阻碍防水化。
因此，在本实施方式中，设为在第一置换处理中使用第一温度即室温的IPA。由此，在之后的防水化处理中能够高效地使晶圆W的表面防水化。
此外，虽然将第一温度设为室温，但第一温度不需一定是室温。从不阻碍晶圆W表面的防水化的观点出发，优选的是，第一温度至少在35℃以下。IPA的温度越低，则与防水化液的反应越难以进展，如果至少为35℃以下，则能够适当地抑制图案破坏。也可以在第一IPA供给源46c的分支线路466、或IPA供给源46f的第一分支线路468设置将IPA加热至35℃以下的规定温度的加热部。
另外，第一温度也可以是室温以下的温度。在这种情况下，可以在第一IPA供给源46c的分支线路466、或IPA供给源46f的第一分支线路468设置将IPA冷却至室温以下的规定温度的冷却部。
接着，在处理单元16中进行防水化处理(步骤S105)。在防水化处理中，首先进行第一防水化处理，之后进行第二防水化处理。
在第一防水化处理中，首先，处理流体供给部40的喷嘴41d位于晶圆W的中央上方。之后，通过将阀44d打开规定时间来向晶圆W的表面供给室温的防水化液。供给至晶圆W的表面的室温的防水化液通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩展至晶圆W的整个表面(参照图6B上图)。
像这样，设为在第一防水化处理中向晶圆W供给室温的防水化液。由此，与供给高温的防水化液的情况相比，能够抑制残留于晶圆W上的IPA与防水化液的反应。即，能够抑制晶圆W表面的防水化受到阻碍。
在第一防水化处理中，通过向晶圆W的表面供给防水化液，甲硅烷基与晶圆W表面的OH基键合，在晶圆W的表面形成防水膜。第一防水化处理例如持续足以将残留于晶圆W的表面的IPA去除的时间。
在此，在第一防水化处理中，设为供给室温的防水化液，但在第一防水化处理中供给的防水化液的温度只要为35℃以下即可，也可以加热至不超过35℃的程度。
接着，在第二防水化处理中，紧接在第一防水化处理之后从喷嘴41d向晶圆W的表面供给室温的防水化液，并且进一步将阀62打开规定时间，由此向晶圆W的背面供给HDIW。供给至晶圆W的背面的HDIW通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩展至晶圆W的整个背面(参照图6B下图)。由此，晶圆W被加热至第二温度，通过加热后的晶圆W，晶圆W上的防水化液也被加热至第二温度。防水化液的温度越高，越促进防水化液与晶圆W的反应。因而，通过对防水化液进行加热，防水化液与晶圆W的反应得到促进，因此能够在更短时间内使晶圆W防水化。也就是说，能够更高效地使晶圆W的表面防水化。
在此，虽然设为将防水化液加热至第二温度即70℃，但只要在第二防水化处理中供给的防水化液的温度为至少比在第一防水化处理中供给的防水化液的温度高并且比在之后的第二置换处理中使用的IPA的沸点(82.4℃)低的温度即可，如果在该范围内，则能够适当地抑制图案破坏。
像这样，在本实施方式所涉及的防水化处理中，设为至少在到残留于晶圆W上的IPA被去除为止的期间供给35℃以下的防水化液，之后，通过对晶圆W进行加热来将防水化液加热至比35℃高的温度。由此，能够更高效地使晶圆W的表面防水化。
接着，处理单元16进行第二置换处理(步骤S106)。在第二置换处理中，首先，处理流体供给部40的喷嘴41e位于晶圆W的中央上方。之后，通过将阀44e打开规定时间来向晶圆W的表面供给IPA(HOT)。供给至晶圆W的表面的IPA(HOT)通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩展至晶圆W的整个表面(参照图6C)。由此，残留于晶圆W的表面的防水化液通过IPA(HOT)而被清洗掉。
温度越高则IPA的表面张力越小。因而，在第二置换处理中，通过向晶圆W供给被加热至比IPA的沸点低的第二温度的IPA，能够抑制因进入至图案间的IPA的表面张力而产生图案破坏。
为了得到图案破坏的抑制效果，优选的是，第二温度至少为60℃以上。如果为60℃以上，则从晶圆W的中心至周缘部均能够确保高温。并且，在晶圆W的表面通过干燥处理而露出时，能够将晶圆W表面的温度维持得比周围空气的露点高，因此，能够减少由结露引起的水痕的数量。
接着，在处理单元16中进行干燥处理(步骤S107)。在干燥处理中，通过以规定时间使晶圆W的转速增加来将残留于晶圆W的IPA甩掉而使晶圆W干燥。
之后，在处理单元16中进行搬出处理(步骤S108)。在搬出处理中，在停止晶圆W的旋转后，利用基板搬送装置17(参照图1)将晶圆W从处理单元16搬出。当该搬出处理完成时，对一张晶圆W进行的一系列的基板处理完成。
如上所述，本实施方式所涉及的处理单元16具备基板保持机构30(旋转机构的一例)和处理流体供给部40(处理液供给部、第一有机溶剂供给部以及第二有机溶剂供给部的一例)。基板保持机构30使晶圆W(基板的一例)旋转。处理流体供给部40对晶圆W供给CDIW(含有水分的处理液的一例)。处理流体供给部40对供给了CDIW后的晶圆W供给室温(第一温度的一例)的IPA(有机溶剂的一例)。处理流体供给部40对晶圆W供给防水化液来使晶圆W防水化。处理流体供给部40对被实施了防水化后的晶圆W供给比第一温度高的70℃(第二温度的一例)的IPA。
因而，根据本实施方式所涉及的处理单元16，能够抑制图案的破坏并且使晶圆W干燥。
(变形例)
在上述的实施方式中设为：在防水化处理中，在对第一置换处理后的晶圆W供给室温的防水化液后，一边对晶圆W进行加热一边对晶圆W供给防水化液。但是，防水化处理的过程不限定于上述的例子。因此，下面参照图7来对防水化处理的变形例进行说明。图7是变形例所涉及的防水化处理的说明图。
如图7所示，在变形例所涉及的防水化处理中，进行第一防水化处理和第二防水化处理。
变形例所涉及的第一防水化处理与上述的实施方式所涉及的第一防水化处理相同(参照图7上图)。因此，省略关于第一防水化处理的说明。
在变形例所涉及的第二防水化处理中，代替对晶圆W供给在第一防水化处理中供给的室温的防水化液(防水化液(RT))，而对晶圆W供给被加热至第二温度的防水化液(防水化液(HOT))。供给至晶圆W的防水化液(HOT)通过伴随晶圆W的旋转的离心力而扩展至晶圆W的整个表面(参照图7下图)。
像这样，防水化处理可以包括：第一防水化处理，对第一置换处理后的晶圆W供给防水化液；以及第二防水化处理，对第一防水化处理后的晶圆W供给温度比在第一防水化处理中供给的防水化液的温度高的防水化液。
此外，在这种情况下，处理单元16的处理流体供给部40除了与防水化液供给源46d连接之外还与供给防水化液(HOT)的防水化液(HOT)供给源连接。防水化液(HOT)例如可以从喷出防水化液(RT)的喷嘴41d喷出，也可以在处理流体供给部40另外设置用于喷出防水化液(HOT)的喷嘴。
在上述的实施方式中，设为使用IPA来作为在第一置换处理和第二置换处理中向晶圆W供给的有机溶剂，但在第一置换处理和第二置换处理中向晶圆W供给的有机溶剂不限定于IPA，只要是对水和防水化液这两方具有亲和性的有机溶剂即可。
本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广范围的方式不限定于如以上那样表述和记述的特定的详情和代表性的实施方式。因而，只要不脱离由所附权利要求书及其等同物定义的总括性的发明的概念性的思想或范围，就能够进行各种变更。
附图标记说明
W：晶圆；1：基板处理***；4：控制装置；16：处理单元；18：控制部；30：基板保持机构；40：处理流体供给部；46a：药液供给源；46b：CDIW供给源；46c：第一IPA供给源；46d：防水化液供给源；46e：第二IPA供给源。

Claims (7)

1.一种基板处理方法，包括：
液处理工序，对基板供给含有水分的处理液；
第一置换工序，对所述液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换所述处理液；
防水化工序，对所述第一置换工序后的基板供给防水化液来使所述基板防水化；
第二置换工序，对所述防水化工序后的基板供给比所述第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换所述防水化液；以及
干燥工序，将所述有机溶剂从所述第二置换工序后的基板去除，
其中，
所述第一温度是35℃以下的温度，
所述第二温度是60℃以上的温度。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一温度是与所述第二温度相比不阻碍所述基板与所述防水化液的反应的温度。
3.一种基板处理方法，包括：
液处理工序，对基板供给含有水分的处理液；
第一置换工序，对所述液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换所述处理液；
防水化工序，对所述第一置换工序后的基板供给防水化液来使所述基板防水化；
第二置换工序，对所述防水化工序后的基板供给比所述第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换所述防水化液；以及
干燥工序，将所述有机溶剂从所述第二置换工序后的基板去除，
其中，
所述防水化工序包括：
第一防水化工序，供给所述防水化液；以及
第二防水化工序，对所述第一防水化工序后的基板供给比在所述第一防水化工序中供给的防水化液温度高的防水化液。
4.一种基板处理方法，包括：
液处理工序，对基板供给含有水分的处理液；
第一置换工序，对所述液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换所述处理液；
防水化工序，对所述第一置换工序后的基板供给防水化液来使所述基板防水化；
第二置换工序，对所述防水化工序后的基板供给比所述第一温度高的第二温度的有机溶剂来置换所述防水化液；以及
干燥工序，将所述有机溶剂从所述第二置换工序后的基板去除，
其中，
所述防水化工序包括：
第一防水化工序，以不对所述基板进行加热的方式供给所述防水化液；以及
第二防水化工序，对于所述第一防水化工序后的基板，一边对该基板进行加热一边供给所述防水化液。
5.一种基板处理装置，具备：
旋转机构，其使基板旋转；
处理液供给部，其对所述基板供给含有水分的处理液；
第一有机溶剂供给部，其对供给了所述处理液后的所述基板供给第一温度的有机溶剂；
防水化液供给部，其对所述基板供给防水化液来使所述基板防水化；以及
第二有机溶剂供给部，其对被实施了防水化的所述基板供给比所述第一温度高的第二温度的有机溶剂，
其中，
所述第一温度是35℃以下的温度，
所述第二温度是60℃以上的温度。
6.一种基板处理装置，具备：
旋转机构，其使基板旋转；
处理液供给部，其对所述基板供给含有水分的处理液；
第一有机溶剂供给部，其对供给了所述处理液后的所述基板供给第一温度的有机溶剂；
防水化液供给部，其对所述基板供给防水化液来使所述基板防水化；以及
第二有机溶剂供给部，其对被实施了防水化的所述基板供给比所述第一温度高的第二温度的有机溶剂，
其中，
所述防水化液供给部对所述基板供给防水化液包括：
第一防水化工序，供给所述防水化液；以及
第二防水化工序，对所述第一防水化工序后的基板供给比在所述第一防水化工序中供给的防水化液温度高的防水化液。
7.一种基板处理装置，具备：
旋转机构，其使基板旋转；
处理液供给部，其对所述基板供给含有水分的处理液；
第一有机溶剂供给部，其对供给了所述处理液后的所述基板供给第一温度的有机溶剂；
防水化液供给部，其对所述基板供给防水化液来使所述基板防水化；以及
第二有机溶剂供给部，其对被实施了防水化的所述基板供给比所述第一温度高的第二温度的有机溶剂，
其中，
所述防水化液供给部对所述基板供给防水化液包括：
第一防水化工序，以不对所述基板进行加热的方式供给所述防水化液；以及
第二防水化工序，对于所述第一防水化工序后的基板，一边对该基板进行加热一边供给所述防水化液。
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