TWI416608B - 半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體 - Google Patents

Description

半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體

本發明係關於將包含基板本體與基板本體上的圖形之半導體基板進行液體處理的半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體，尤關於可防止基板本體上的圖形倒塌之半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體。

近年來，在半導體裝置的製程中，使在半導體基板表面形成的圖形微小化，而且，脆弱性變顯著。

例如在半導體裝置的製造步驟中，設有多個在半導體基板形成圖形之步驟。在該等步驟之間，施以使用藥液洗淨等液體處理步驟。該步驟係在圖形形成後將半導體基板浸入藥液，並藉由清洗液除去該藥液，其後將清洗液乾燥。

但是，當在基板本體上形成的圖形具有較高的寬高(aspect)比時，在乾燥清洗液時，在圖形之間有清洗液的表面張力產生作用。當此表面張力較強時，相鄰接的圖形被拉近，圖形將有可能倒塌。此時，將無法在乾燥清洗液後，使圖形形成為期望的形狀。

專利文獻1：日本特開平7-273083號公報

本發明係考慮此點，目的在於提供半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體，可在從半導體基板除去該第1液體而加以乾燥時，藉由殘存在基板本體上的圖形間的第1液體之表面張力，防止圖形倒塌。

本發明的半導體基板之液體處理方法，其特徵在於包含以下步驟：將藥液供給到包含基板本體與該基板本體上的圖形之半導體基板；將純水供給到該半導體基板；將用於進行斥水處理的斥水處理液供給到該半導體基板；將具有被斥特性的第1液體供給到經該斥水處理的半導體基板；從該半導體基板除去該第1液體而加以乾燥。

在本發明之半導體基板之液體處理方法中，亦可使經該斥水處理的半導體基板上的該圖形表面形成斥水層。

在本發明之半導體基板之液體處理方法中，亦可在令該第1液體相對於該圖形表面的該斥水層之接觸角為θ時，使cosθ=0~0.5。

在本發明之半導體基板之液體處理方法中，亦可在令該第1液體相對於該圖形表面的該斥水層之接觸角為θ時，使cosθ=0。

在本發明之半導體基板之液體處理方法中，亦可在供給該純水的步驟與供給該斥水處理液的步驟之間，設有步驟將可和純水與斥水處理液兩者相混溶的第1取代促進液，供給到半導體基板。

在本發明的半導體基板之液體處理方法中，亦可在供給該斥水處理液的步驟與供給該第1液體的步驟之間，設有步驟將可和該斥水處理液與該第1液體兩者相混溶的第2取代促進液，供給到半導體基板。

在本發明的半導體基板之液體處理方法中，亦可在乾燥該半導體基板的步驟之前，利用具有該被斥特性的第1液體被覆在基板本體上。

在本發明的半導體基板之液體處理方法中，亦可在供給前述各液體的步驟中，利用該液體而取代在該液體之前供給的液體。

在本發明的半導體基板之液體處理方法中，該斥水處理液亦可含有矽烷化劑、界面活性劑、或氟聚合物藥液。

在本發明的半導體基板之液體處理方法中，亦可至少在供給該斥水處理液的步驟之前，設有步驟將惰性氣體供給到該半導體基板周圍。

本發明的半導體基板之液體處理裝置，係包含：基板保持機構，保持包含基板本體與該基板本體上的圖形之半導體基板；供給機構，包含藥液供給機構、純水供給機構、斥水處理液供給機構及第1液體供給機構，將藥液、純水、斥水處理液及第1液體，各自供給到保持在該基板保持機構的該半導體基板；以及控制機構，控制該供給機構；控制機構，控制該供給機構的該藥液供給機構，將該藥液供給到該半導體基板，控制該供給機構的該純水供給機構，將該純水供給到該半導體基板，控制該供給機構的該斥水處理液供給機構，將用於進行斥水處理的該斥水處理液供給到該半導體基板，控制該供給機構的該第1液體供給機構，將具有被斥特性的該第1液體供給到經斥水處理的該半導體基板。

在本發明的半導體基板之液體處理裝置中，該供給機構亦可包含第1取代促進液供給機構，將可和該純水與該斥水處理液兩者相混溶的第1取代促進液，供給到該半導體基板。

在本發明的半導體基板之液體處理裝置中，該供給機構亦可包含第2取代促進液供給機構，將可和該斥水處理液與該第1液體兩者相混溶的第2取代促進液，供給到該半導體基板。

本發明的記憶媒體，係存放有使用於半導體基板之液體處理方法且在電腦上進行動作之電腦程式，其特徵在於該半導體基板之液體處理方法包含以下步驟：將藥液供給到包含基板本體與該基板本體上的圖形之半導體基板；將純水供給到該半導體基板；將用於進行斥水處理的斥水處理液供給到該半導體基板；將具有被斥特性的第1液體，供給到經該斥水處理的半導體基板；從該半導體基板除去該第1液體而加以乾燥。

依據本發明，將用於斥水處理的斥水處理液供給到半導體基板，使得其後供給的第1液體與圖形表面之間接觸角令表面張力難以生效。藉此，當其後將具有被斥特性的第1液體供給到半導體基板，更其後乾燥半導體基板時，藉由殘存在圖形間的第1液體之表面張力，使得圖形不會倒塌。

(實施發明之最佳形態)

以下參照圖1至圖6，說明本發明的半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置及記憶媒體的一實施形態。圖1係顯示本實施形態的半導體基板之液體處理方法中所用的半導體基板，圖2係顯示本實施形態的半導體基板之液體處理裝置。圖3係顯示本實施形態的半導體基板之液體處理方法的流程圖。圖4(a)(b)係顯示在斥水處理步驟中將斥水層形成在圖形表面的製程之概略圖，圖5係說明使圖形倒塌的力，圖6係顯示圖形倒塌的狀態。

半導體基板之構成

首先，藉由圖1說明本實施形態之半導體基板之液體處理方法中所使用的半導體基板之構成。

如圖1所示，半導體基板10包含基板本體11、在基板本體11上形成並突出為肋狀的圖形15。其中基板本體11包含矽基板12、設於矽基板12上之電極層13。另一方面，圖形15係由形成在基板本體11之電極層13上的硬遮罩層構成。另，基板本體11及圖形15之構成並不限定於此。

半導體基板之液體處理裝置

其次，藉由圖2說明本實施形態之半導體基板的液體處理裝置之構成。

如圖2所示，半導體基板之液體處理裝置20包含罩殼21、與設於罩殼21內並保持上述半導體基板10之基板保持機構22。又，有使基板保持機構22旋轉的旋轉機構29，連結到基板保持機構22。再者，基板保持機構22包含由真空吸爪或機械夾爪構成的保持構件23，藉此將半導體基板10保持為可在水平狀態旋轉。

又，設有供給液體之供給機構24。此供給機構24包含：藥液供給機構25，將藥液供給到保持在基板保持機構22的半導體基板10；純水供給機構33，供給純水；斥水處理液供給機構26，供給斥水處理液；第1液體供給機構27，供給第1液體；第1取代促進液供給機構28，供給第1取代促進液；第2取代促進液供給機構34，供給第2取代促進液。

第1液體供給機構27與純水供給機構33之間設有切換閥35，藉由此切換閥35，可切換第1液體供給機構27之流路與純水供給機構33支流路。同樣地，在第1取代促進液供給機構28與第2取代促進液供給機構34之間設有切換閥36，藉由此切換閥36，可切換第1取代促進液供給機構28之流路與第2取代促進液供給機構34之流路。

又，在罩殼21內設有噴嘴臂30，該噴嘴臂30將上述藥液、純水、斥水處理液、第1液體、第1取代促進液、及第2取代促進液，各自供給到半導體基板10。再者，有使噴嘴臂30搖動之掃移臂31，連結到此噴嘴臂30。又，在罩殼21之中、臂30上方的位置設有開口部37，由此開口部37將潔淨的空氣導入罩殼21內。

另一方面，有控制機構32連接到供給機構24。此控制機構32可控制供給機構24之藥液供給機構25、純水供給機構33、斥水處理液供給機構26，第1液體供給機構27，取代促進液供給機構28，及第2取代促進液供給機構34。

亦即，控制機構32藉由控制藥液供給機構25，而利用藥液對於半導體基板10進行液體處理，並且藉由控制純水供給機構33，將純水供給到半導體基板10。又，控制機構32，藉由控制斥水處理液供給機構26，將斥水處理液供給到半導體基板10，並藉由控制第1液體供給機構27，將第1液體供給到半導體基板10。再者，控制機構32藉由控制第1取代促進液供給機構28，將第1取代促進液供給到半導體基板10，並且，藉由控制第2取代促進液供給機構34，將第2取代促進液供給到半導體基板10。

又，控制機構32分別連接到上述切換閥35、36，可藉由控制機構32控制切換閥35、36。

另，在本實施形態中，藥液供給機構25係由供給第1藥液(例如硫酸過氧化氫水溶液)的第1藥液供給機構25a、與供給第2藥液(例如氨過氧化氫水溶液)的第2藥液供給機構25b構成。

又，在本實施形態中，當第1液體由純水構成時，可僅設置第1液體供給機構27及純水供給機構33其中之一，取代設置第1液體供給機構27及純水供給機構33兩者。又，當第1取代促進液及第2取代促進液係由相同液體構成時，可僅設置第1取代促進液供給機構28及第2取代促進液供給機構34其中之一，取代設置第1取代促進液供給機構28及第2取代促進液供給機構34兩者。

半導體基板之液體處理方法

其次，藉由圖2至圖6說明本實施形態的半導體基板之液體處理方法。

首先，從前面步驟搬送包含基板本體11、與形成在基板本體11上的圖形15之半導體基板10，收容到半導體基板之液體處理裝置20的罩殼21內。並且，將如此收容的半導體基板10藉由基板保持機構22的保持構件23而吸夾保持(保持步驟61)(參照圖2、圖3)。

其次，將如此利用基板保持機構22保持的半導體基板10，藉由旋轉機構29加以旋轉(旋轉步驟62)(參照圖2、圖3)。另，本實施形態中，在後述乾燥步驟74結束之前，半導體基板10持續旋轉。

其次，藉由藥液供給機構25(第1藥液供給機構25a、第2藥液供給機構25b)，對於利用基板保持機構22保持的半導體基板10，進行規定的液體處理(參照圖2、圖3)。其間，具體而言係實施以下各步驟。

首先，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之第1藥液供給機構25a供給第1藥液(硫酸過氧化氫水溶液：SPM)。並且，將第1藥液供給到利用基板保持機構22保持的半導體基板10(第1藥液供給步驟63)(參照圖2、圖3)。

如此，在使半導體基板10以水平狀態旋轉的情況下，利用第1藥液(硫酸過氧化氫水溶液)對於半導體基板10進行液體處理(第1液體處理步驟64)。

其次，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之純水供給機構33供給純水(DIW)。並且，將純水(DIW)供給到半導體基板10，將半導體基板10表面洗淨(第1清洗步驟65)(參照圖2、圖3)。

其次，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之第2藥液供給機構25b供給第2藥液(氨過氧化氫水溶液：SC1)。並且，將第2藥液供給到利用基板保持機構22保持的半導體基板10(第2藥液供給步驟66)。

如此，在使半導體基板10以水平狀態旋轉的情況下，利用第2藥液(SC1)對於半導體基板10進行液體處理(第2液體處理步驟67)(參照圖2、圖3)。

其次，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之純水供給機構33供給純水(DIW)。並且，將純水(DIW)供給到半導體基板10，將半導體基板10表面洗淨(第2清洗步驟68)(參照圖2、圖3)。

其次，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之第1取代促進液供給機構28供給第1取代促進液(IPA：異丙醇)。亦即，將可與純水(DIW)及後述斥水處理液(矽烷化劑)兩者相混溶的第1取代促進液(1PA)，供給到半導體基板10，取代純水(第1取代促進液供給步驟69)(參照圖2、圖3)。

另外，一般而言，後述斥水處理步驟71所使用的斥水處理液(矽烷化劑)，與上述第2清洗步驟68所使用的純水(DIW)具有互斥之性質。對此，本實施形態在第2清洗步驟68與斥水處理步驟71之間，設有第1取代促進液供給步驟69。藉此，在第2清洗步驟68後，將第1取代促進液(IPA)與殘存在半導體基板10上的純水(DIW)混合，可有效率地除去純水並且取代為第1取代促進液。藉此，可在之後的斥水處理步驟71中使斥水處理液(矽烷化劑)親近圖形15表面。另，就第1取代促進液而言，在IPA之外亦可使用甲醇(CH₃ OH)、乙醇(C₂ H₅ OH)等低級醇，或NMP(1-甲基-2-吡咯烷酮；C₅ H₉ NO)等。

其次，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之斥水處理液供給機構26供給斥水處理液，取代第1取代促進液(IPA)(斥水處理液供給步驟70)(參照圖2、圖3)。本實施形態中，斥水處理液含有二甲基胺基三甲基矽烷(TMSDMA)等矽烷化劑。如此對於半導體基板10進行斥水處理，在半導體基板10的圖形15表面形成斥水層18(斥水處理步驟71)(參照圖3、圖4(b))。

亦即，在斥水處理液供給步驟70中，斥水處理液所含的二甲基胺基三甲基矽烷(TMSDMA)，與存在於圖形15表面的親水性-OH基14結合(參照圖4(a))。藉此在圖形15表面產生拒水性三甲基矽氧基(-OSi(CH₃ )₃ )19(參照圖4(b))。上述斥水層18係藉由三甲基矽氧基19構成。此斥水層18之功能將後述。

另，斥水處理液可使用二甲基胺基三甲基矽烷(TMSDMA)等矽烷化劑的原液，亦可使用例如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、環己酮等溶劑，以例如TMSDMA：PGMEA=1：100左右的體積比稀釋。此種稀釋係因矽烷化劑昂貴而進行，利用可維持斥水處理液性能的液體(量)加以稀釋，能藉而提升生產性。

又，就斥水處理液而言，在二甲基胺基三甲基矽烷(TMSDMA)之外，亦可含有二甲基(二甲基胺)矽烷(DMSDMA)，或者1,1,3,3-四甲基二矽烷(TMDS)、六甲基二矽氮烷(HMDS)等矽烷化劑、界面活性劑，或氟聚合物藥液。

其次，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之第2取代促進液供給機構34供給第2取代促進液(IPA：異丙醇)。亦即，將可和斥水處理液(矽烷化劑)及後述第1液體兩者相混溶的第2取代促進液(IPA)供給到半導體基板10，取代斥水處理液(第2取代促進液供給步驟72)(參照圖2、圖3)。

藉此，可在斥水處理步驟71後，利用第2取代促進液(IPA)除去殘存在半導體基板10上的斥水處理液(矽烷化劑)，並且，可在後述第1液體供給步驟73中，使第1液體親近半導體基板10表面。另，就第2取代促進液而言，在IPA之外，亦可使用甲醇(CH₃ OH)、乙醇(C₂ H₅ OH)等低級醇，或NMP(1-甲基-2-吡咯烷酮；C₅ H₉ NO)等。

其次，依據來自控制機構32的信號，從供給機構24之第1液體供給機構27供給第1液體(例如DIW)，取代第2取代促進液。(第1液體供給步驟73)(參照圖2、圖3)。

其結果，由相對於斥水層18而言具有被斥特性的第1液體(DIW)被覆在半導體基板10的基板本體11上。如此，利用第1液體(DIW)被覆於基板本體11上，藉而可在以下乾燥步驟74中乾燥半導體基板10時防止圖形15倒塌。

在如此將第1液體(DIW)供給到半導體基板10後，停止供給第1液體(DIW)，並使保持在基板保持機構22的半導體基板10旋轉，藉而將附著於半導體基板10的第1液體(DIW)甩離，而從半導體基板10除去第1液體(DIW)，乾燥半導體基板10(乾燥步驟74)(圖2，圖3參照)。另，在停止供給第1液體(DIW)之前，使液膜在半導體基板10上形成，使得半導體基板10不會露出。

此時，為了在乾燥時使得第1液體(DIW)不在半導體基板10上殘留為水滴狀，宜控制半導體基板10之旋轉速度。此時，亦可在乾燥時，以使得半導體基板10上的第1液體(DIW)從半導體基板10的中心部往周邊部移動的方式加以乾燥。

再者，亦能利用跟尋朝向周邊部移動之第1液體(DIW)的方式，將惰性氣體從半導體基板10的中心部往周邊部吹送移動而加以乾燥。此時，吹送惰性氣體的惰性氣體供給部並未圖示，可組裝到噴嘴臂30，或設置其他噴嘴臂用以安裝。又，此時亦宜控制半導體基板10的旋轉速度及各流體的移動速度，使得第1液體(DIW)不會在半導體基板10上殘留為水滴狀。

最後，已處理完成的半導體基板10，解除利用保持構件23進行的吸夾後，從基板保持機構22取下，往罩殼21外搬出(搬出步驟75)(參照圖2、圖3)。

另外，假設未設有上述斥水處理步驟71(亦即在圖形15表面無斥水層18形成)。此時，圖形15表面成為親水性。所以，在上述乾燥步驟74中，由於殘存在基板本體11上的圖形15間的第1液體(DIW)之表面張力，在圖形15之間有表面張力生效。所以，由於此表面張力，使得相鄰接的圖形15互相接近，圖形15有可能倒塌(參照圖6)。

相對於此，依據本實施形態，則在斥水處理步驟71中進行斥水處理，在圖形15表面形成斥水層18。所以，藉由此斥水層18，使得存在於圖形15表面的第1液體(DIW)與圖形15表面(的斥水層18)之間接觸角令表面張力難以生效。此接觸角宜係約90度。

其次，使用圖5說明令圖形15倒塌之力F。圖5中，一般而言，作用在圖形15側面方向而令圖形15倒塌之力F，由以下算式導出。

在此，γ係第1液體(DIW)與圖形15表面之間的界面張力，θ係第1液體(DIW)與圖形15表面之接觸角，H係圖形15間的第1液體(DIW)之液面高度，D係圖形15的深度方向之長度，S係圖形15間之間隔。

上述算式中，界面張力γ係依存於第1液體(DIW)的材質或圖形15的材質等之值，又，液面高度H、深度D、及間隔S，係依存於圖形15的形狀而決定之值。所以，可認為此等值難接近於0。另一方面，當接觸角θ接近於90度時，因為cosθ變成約等於0，故可使得令圖形15倒塌之力F接近於0。

亦即，本實施形態中，在斥水處理步驟71進行斥水處理，在圖形15表面形成斥水層18。藉此，使得圖形15表面的第1液體(DIW)與圖形15表面之接觸角θ約為90度。所以，上述算式中cosθ變成約等於0，可藉此使得令圖形15倒塌之力F接近於0。另，最佳者係令接觸角θ為90度，但不限於此，只要使cosθ=0~0.5之接觸角θ(60度≦θ≦90度)即有防止圖形15倒塌的效果。

如此，依據本實施形態，在圖形15表面形成斥水層18，使得令圖形15倒塌之力F約為0。藉此，在乾燥步驟74中乾燥第1液體時，可防止殘存在圖形15間的第1液體(DIW)之表面張力，造成圖形15倒塌。

另，本實施形態亦提供在上述半導體基板之液體處理方法中使用且在電腦上動作之電腦程式、或存放此種電腦程式之記憶媒體。

又，亦可在乾燥步驟74結束後，設置除去斥水層18的步驟。就除去斥水層18的步驟而言，舉例有以下切斷斥水層18對於半導體基板10之化學鍵結的處理：紫外線照射處理、在切斷斥水層18之化學鍵結的環境氣體例如臭氧氣體下的處理、加熱外加紫外線照射處理、加熱外加在切斷斥水層18之化學鍵結的環境氣體例如臭氧氣體下的處理、電漿處理等。

又，亦可至少在斥水處理液供給步驟70之前，設有將例如N₂ 等惰性氣體供給到罩殼21內之半導體基板10周圍的步驟。此時，亦可從罩殼21的開口部37取入惰性氣體N₂ 。從開口部37取入惰性氣體N₂ 時，亦可交換使用潔淨空氣與惰性氣體N₂ 。可藉由將N₂ 等惰性氣體供給到罩殼21內，更有效率地維持斥水處理液的性能。

另外，本實施形態中係舉使用硫酸過氧化氫水溶液作為第1藥液、使用氨過氧化氫水溶液作為第2藥液的情況為例說明，但並不限定於此。例如，亦可使用氨過氧化氫水溶液作為第1藥液、使用鹽酸過氧化氫水溶液作為第2藥液。

又，在本實施形態中供給各液體時，藉由後續供給的液體取代先前供給的液體，此時宜使用不會破壞半導體基板10上的液膜之轉速，旋轉半導體基板10，在此狀態下將噴嘴臂30從半導體基板10的中心朝向周邊移動，並且從噴嘴臂30前端供給液體。可藉由如此供給液體而更有效率地進行液體取代。

另，本實施形態中的半導體基板之液體處理方法，亦可應用於浸漬式的液體處理裝置。

10．．．半導體基板

11．．．基板本體

12．．．矽基板

13．．．電極層

14．．．-OH基

15．．．圖形

18．．．斥水層

19．．．三甲基矽烷基

20．．．半導體基板之液體處理裝置

21．．．罩殼

22．．．基板保持機構

23．．．保持構件

24．．．供給機構

25．．．藥液供給機構

25a．．．第1藥液供給機構

25b．．．第2藥液供給機構

26．．．斥水處理液供給機構

27．．．第1液體供給機構

28．．．第1取代促進液供給機構

29．．．旋轉機構

30．．．噴嘴臂

31．．．掃移臂

32．．．控制機構

33．．．純水供給機構

34．．．第2取代促進液供給機構

35．．．切換閥

36．．．切換閥

37．．．開口部

61~75．．．步驟

D．．．寬度

H．．．液面高度

F．．．力

DIW．．．純水

圖1係顯示本發明各實施形態的半導體基板之液體處理方法中所使用的半導體基板。

圖2係顯示本發明各實施形態的半導體基板之液體處理裝置。

圖3係顯示本發明一實施形態的半導體基板之液體處理方法的流程圖。

圖4(a)(b)係顯示斥水處理步驟中在圖形表面形成斥水層之製程的概略圖。

圖5係說明使得圖形倒塌之力。

圖6係顯示圖形倒塌的狀態。

10．．．半導體基板

11．．．基板本體

15．．．圖形

20．．．半導體基板之液體處理裝置

21．．．罩殼

22．．．基板保持機構

23．．．保持構件

24．．．供給機構

25．．．藥液供給機構

25a．．．第1藥液供給機構

25b．．．第2藥液供給機構

26．．．斥水處理液供給機構

27．．．第1液體供給機構

28．．．第1取代促進液供給機構

29．．．旋轉機構

30．．．噴嘴臂

31．．．掃移臂

32．．．控制機構

33．．．純水供給機構

34．．．第2取代促進液供給機構

35．．．切換閥

36．．．切換閥

37．．．開口部

Claims (15)

1. 一種半導體基板之液體處理方法，其特徵在於包含以下步驟：將藥液供給到包含基板本體與該基板本體上的圖形之半導體基板；將純水供給到該半導體基板；將用於進行斥水處理的斥水處理液，供給到該半導體基板，以在經供給該斥水處理液之該半導體基板上的該圖形表面形成斥水層；將具有被斥性的第1液體，供給到經該斥水處理的半導體基板；從該半導體基板除去該第1液體而加以乾燥；以及以紫外線照射處理除去該半導體基板之該斥水層。
2. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，令該第1液體相對於該圖形表面的該斥水層之接觸角為θ時，cosθ=0~0.5。
3. 如申請專利範圍第2項之半導體基板之液體處理方法，其中，令該第1液體相對於該圖形表面的該斥水層之接觸角為θ時，cosθ=0。
4. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，該供給藥液之步驟包含供給第1藥液之步驟與作為第2藥液供給氨過氧化氫水溶液之步驟。
5. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，在供給該純水的步驟與供給該斥水處理液的步驟之間，設有將可和該純水與該斥水處理液兩者相混溶的第1取代促進液，供給到該半導體基板的步驟。
6. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，在 供給該斥水處理液的步驟與供給該第1液體的步驟之間，設有將可和該斥水處理液與第1液體兩者相混溶的第2取代促進液，供給到該半導體基板的步驟。
7. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，在乾燥該半導體基板的步驟之前，利用具有該被斥特性的第1液體被覆在該基板本體上。
8. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，在供給該各液體的步驟中，利用該液體取代在該液體之前供給的液體。
9. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，該斥水處理液含有矽烷化劑、界面活性劑、或氟聚合物藥液。
10. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，藉由稀釋液稀釋該斥水處理液。
11. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之液體處理方法，其中，至少在供給該斥水處理液的步驟之前，設有將惰性氣體供給到該半導體基板周圍的步驟。
12. 一種半導體基板之液體處理裝置，其特徵在於包含：基板保持機構，用以保持包含基板本體與該基板本體上的圖形之半導體基板；供給機構，包含分別將藥液、純水、斥水處理液及第1液體供給到由該基板保持機構所保持的該半導體基板之藥液供給機構、純水供給機構、斥水處理液供給機構、第1液體供給機構、乾燥機構及紫外線照射機構；以及控制機構，控制該供給機構； 且為了實行如申請專利範圍第1至11項中任一項之半導體基板之液體處理方法，該控制機構控制該供給機構之該藥液供給機構，將該藥液供給到該半導體基板，控制該供給機構之該純水供給機構，將該純水供給到該半導體基板，控制該供給機構之該斥水處理液供給機構，將用於進行斥水處理之該斥水處理液供給到該半導體基板，以在經供給該斥水處理液之該半導體基板上的該圖形表面形成斥水層，控制該供給機構之該第1液體供給機構，將具有被斥特性的該第1液體供給到經該斥水處理的半導體基板，控制該供給機構之該乾燥機構，從該半導體基板除去該第1液體而加以乾燥，控制該供給機構之該紫外線照射機構，以紫外線照射處理除去該半導體基板之該斥水層。
13. 如申請專利範圍第12項之半導體基板之液體處理裝置，其中，該供給機構包含第1取代促進液供給機構，該第1取代促進液供給機構將可和純水與斥水處理液兩者相混溶的第1取代促進液，供給到半導體基板。
14. 如申請專利範圍第12項之半導體基板之液體處理裝置，其中，該供給機構包含第2取代促進液供給機構，該第2取代促進液供給機構將可和該斥水處理液與該第1液體兩者相混溶的第2取代促進液，供給到該半導體基板。
15. 一種記憶媒體，用以存放使用於如申請專利範圍第1至11項中任一項之半導體基板之液體處理方法中且在電腦上進行動作之電腦程式，該半導體基板之液體處理方法包含以下步驟：將藥液供給到包含基板本體與該基板本體上的圖形之半導體 基板；將純水供給到該半導體基板；將用於進行斥水處理的斥水處理液供給到該半導體基板，以在經供給該斥水處理液之該半導體基板上的該圖形表面形成斥水層；將具有被斥特性的第1液體供給到經該斥水處理的半導體基板；從該半導體基板除去該第1液體而加以乾燥；以及以紫外線照射處理除去該半導體基板之該斥水層。