JP4541422B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
装填・搬出部50を介してキャリアC単位で装置外に搬出する。
21 リンス・乾燥装置
60 処理槽
61 乾燥室
62 ウェハガイド
65 純水供給回路
70 溶剤供給回路
90 N2ガス供給回路
W ウェハ
Claims (7)
- 処理液が充填される処理槽と,
前記処理槽の上方に設けられた乾燥室と,
前記処理槽内と前記乾燥室とに基板を昇降させる保持手段と,
前記処理槽の下部から処理液を供給する処理液供給手段と,
前記処理槽の上部から処理液を排液する処理液排液手段とを備え,
前記処理液供給手段により,前記処理槽内に純水からなる第1の処理液を供給して,前記処理槽内において第1の処理液中に基板を浸漬させた後,
前記処理液供給手段により,前記処理槽内に第1の処理液よりも比重が重いハイドロフルオロエーテルからなる第2の処理液をイソプロピルアルコールを混合させた状態で供給しつつ,前記処理液排液手段により,前記処理槽内から第1の処理液を排液して,前記処理槽内の第1の処理液を第2の処理液に置換し,前記処理槽内において第2の処理液中に基板を浸漬させ,
その後,前記保持手段により,前記処理槽内から前記乾燥室に基板を引き上げることを特徴とする,基板処理装置。 - 前記基板に乾燥促進用のガスを供給するガス供給手段を備えることを特徴とする,請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理液を加熱する加熱手段を有することを特徴とする,請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 処理槽内で少なくとも純水からなる第1の処理液とハイドロフルオロエーテルからなる第2の処理液を用いて基板を処理する方法であって,
前記処理槽の下部から第1の処理液を供給して,前記処理槽内において第1の処理液中に基板を浸漬させて処理する工程と,
前記処理槽の下部から第1の処理液よりも比重が重い第2の処理液をイソプロピルアルコールを混合させた状態で供給しつつ,前記処理槽の上部から第1の処理液を排液して,前記処理槽内の第1の処理液を第2の処理液に置換し,前記処理槽内において第2の処理液中に基板を浸漬させて処理する工程と,
前記処理槽内から前記処理槽の上方に設けられた乾燥室に基板を引き上げる工程を有することを特徴とする,基板処理方法。 - 前記処理槽内の第1の処理液を第2の処理液に置換するに際し,前記処理槽内に第1の処理液層と第2の処理液層を形成させることを特徴とする,請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記基板を第2の処理液から分離した後,前記基板に乾燥促進用のガスを供給することを特徴とする,請求項4または5に記載の基板処理方法。
- 前記第2の処理液を加熱することを特徴とする,請求項4〜6のいずれかに記載の基板処理方法。
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