JP2009215343A - 熱硬化性樹脂 - Google Patents
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(式(1)中、R1〜R3は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R4は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2)中、R5〜R8は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(1−1)中、R1〜R3は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R4は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(1−2)中、R9は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R10〜R12は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−1)中、R5〜R8は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−2)中、R13〜R16は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−3)中、R17〜R20は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
本発明の第1の熱硬化性樹脂は、下記一般式(1)で表される芳香族珪素化合物(A)と下記一般式(2)で表される有機珪素化合物(B)とを、所定割合にて加水分解反応させて得られる有機ポリシロキサンからなるものである。
(式(1)中、R1〜R3は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R4は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2)中、R5〜R8は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(1−1)中、R1〜R3は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R4は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(1−2)中、R9は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R10〜R12は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−1)中、R5〜R8は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−2)中、R13〜R16は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−3)中、R17〜R20は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
芳香族珪素化合物(A)としてのフェニルトリメトキシシラン301質量部、および、有機珪素化合物(B)としてのジメチルジエトキシシラン75質量部(両者のモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A−1)としてのフェニルトリメトキシシラン289質量部、芳香族珪素化合物(A−2)としてのフェニルメチルジメトキシシラン11質量部((A−1)に対する(A−2)の割合=4モル%)、および、有機珪素化合物(B−1)としてのジメチルジエトキシシラン75質量部(A成分とB成分とのモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A−1)としてのフェニルトリメトキシシラン301質量部、有機珪素化合物(B−1)としてのジメチルジエトキシシラン62質量部、および、有機珪素化合物(B−2)としてのメチルトリエトキシシラン15質量部(A成分とB成分との合計量に対する(B−2)の割合=4モル%であり、A成分とB成分とのモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A−1)としてのフェニルトリメトキシシラン301質量部、有機珪素化合物(B−1)としてのジメチルジエトキシシラン62質量部、有機珪素化合物(B−2)としてのメチルトリエトキシシラン11質量部、および、有機珪素化合物(B−3)としてのテトラエトキシシラン4質量部(A成分とB成分との合計量に対する(B−2)と(B−3)との合計量の割合=4モル%であり、A成分とB成分との合計量に対する(B−3)の割合=1モル%であり、A成分とB成分とのモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A−1)としてのフェニルトリメトキシシランを289質量部、芳香族珪素化合物(A−2)としてのフェニルメチルジメトキシシラン11質量部((A−1)に対する(A−2)の割合=4モル%)、有機珪素化合物(B−1)としてのジメチルジエトキシシラン61質量部、有機珪素化合物(B−2)としてのメチルトリエトキシシラン10質量部、および、有機珪素化合物(B−3)としてのテトラエトキシシラン4質量部(A成分とB成分との合計量に対する(B−2)と(B−3)との合計量の割合=4モル%であり、A成分とB成分との合計量に対する(B−3)の割合=1モル%であり、A成分とB成分とのモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A)としてのフェニルトリメトキシシラン200質量部、および、有機珪素化合物(B)としてのジメチルジエトキシシラン100質量部(両者のモル比は60:40)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A)としてのフェニルトリメトキシシラン305質量部、および、有機珪素化合物(B)としてのジメチルジエトキシシラン12質量部(両者のモル比は95:5)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A−1)としてのフェニルトリメトキシシラン252質量部、芳香族珪素化合物(A−2)としてのフェニルメチルジメトキシシラン47質量部((A−1)に対する(A−2)の割合=20モル%)、および、有機珪素化合物(B−1)としてのジメチルジエトキシシラン75質量部(A成分とB成分とのモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A−1)としてのフェニルトリメトキシシラン301質量部、有機珪素化合物(B−1)としてのジメチルジエトキシシラン43質量部、および、有機珪素化合物(B−2)としてのメチルトリエトキシシラン36質量部(A成分とB成分との合計量に対する(B−2)の割合=10モル%であり、A成分とB成分とのモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A−1)としてのフェニルトリメトキシシラン301質量部、有機珪素化合物(B−1)としてのジメチルジエトキシシラン61質量部、有機珪素化合物(B−2)としてのメチルトリエトキシシラン5質量部、および、有機珪素化合物(B−3)としてのテトラエトキシシラン13質量部(A成分とB成分との合計量に対する(B−2)と(B−3)の合計量の割合=4.5モル%であり、A成分とB成分との合計量に対する(B−3)の割合=3モル%であり、A成分とB成分とのモル比は75:25)に対し、トルエン270質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
芳香族珪素化合物(A)としてのフェニルトリメトキシシラン301質量部、および、有機珪素化合物(B)としてのジメチルジエトキシシラン75質量部(両者のモル比は75:25)に対し、トルエン700質量部を加えた。温度が10℃を超えないように攪拌しながら、この混合物中に0.5質量%水酸化ナトリウム水溶液140質量部を30分かけて滴下し、滴下終了後、10℃で3時間攪拌した後、50℃で3時間攪拌した。このとき反応液は乳白色化していた。その後、66℃以上である70℃に2時間保持して脱アルコール処理した後、75℃で10時間攪拌した。
それぞれ熱硬化性樹脂(1)〜(11)100質量部を1−メトキシ−2−プロパノールアセテート200質量部に溶解させて試験液を作製した。
株式会社ULVAC製の接触式表面形状測定装置Dektak−6Mを用いて、各試験片における溝構造の、ガラス面と絶縁膜との段差を加熱硬化前後で測定することにより、硬化の際の熱に対する形状安定性を評価した。断面形状に変化の無かったものを「○」、熱ダレ、湾曲等、断面形状の変化したものを「×」として、結果を下記の表1中に示す。
加熱硬化後の各試験片について目視にて観察し、絶縁膜中のクラックの有無を評価した。クラックの無いものを「○」、クラックの発生したものを「×」として、結果を下記の表1中に示す。
各試験片を光学顕微鏡(倍率100倍)にて観察し、絶縁膜中のボイドの有無を評価した。ボイドの無いものを「○」、ボイドの発生したものを「×」として、結果を下記の表1中に示す。
加熱硬化後の各試験片について目視にて観察し、絶縁膜の着色度合について評価した。無色透明であるものを「○」、着色または濁りの認められるものを「×」として、結果を下記の表1中に示す。
加熱硬化後の各試験片を、室温で30分間アセトン中に浸漬し、その前後の絶縁膜の膜厚変化率を、株式会社ULVAC製の接触式表面形状測定装置Dektak−6Mを用いて測定した。膜厚変化率が±5%未満であるものを「○」、膜厚変化率が±5%以上であるものを「×」として、結果を下記の表1中に示す。
上記熱硬化性樹脂(1)を用いた絶縁層を用いてプラズマディスプレイを作製したところ、低融点ガラスを絶縁層としたものに比べて、性能に劣るところがないばかりか軽量であり、優れたものであることが確認できた。
Claims (4)
- 下記一般式(1−1)で表される芳香族珪素化合物(A−1)と、下記一般式(1−2)で表される芳香族珪素化合物(A−2)と、下記一般式(2−1)で表される有機珪素化合物(B−1)と、下記一般式(2−2)で表される有機珪素化合物(B−2)と、下記一般式(2−3)で表される有機珪素化合物(B−3)とを、〔(A−1)+(A−2)〕:〔(B−1)+(B−2)+(B−3)〕=70:30〜90:10(モル比)(但し、〔(A−1)+(A−2)+(B−1)+(B−2)+(B−3)〕の合計量に対し、〔(B−2)+(B−3)〕の合計量の割合は5モル%以下であり、(B−3)の割合は2モル%以下であり、かつ、(A−1)に対する(A−2)の割合は10モル%以下である)の割合で、かつ、分子量が10000以上となるように加水分解反応させて得られる有機ポリシロキサンからなることを特徴とする熱硬化性樹脂。
(式(1−1)中、R1〜R3は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R4は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(1−2)中、R9は水素原子または直鎖若しくは分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基であり、R10〜R12は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−1)中、R5〜R8は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−2)中、R13〜R16は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である)
(式(2−3)中、R17〜R20は同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖の炭素原子数1〜4のアルキル基である) - 請求項1または請求項2記載の熱硬化性樹脂を、380℃〜560℃で加熱硬化させて得られることを特徴とする低誘電性絶縁膜。
- 請求項3記載の低誘電性絶縁膜を用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008057339A JP5403730B2 (ja) | 2008-03-07 | 2008-03-07 | 低誘電性絶縁膜、プラズマディスプレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008057339A JP5403730B2 (ja) | 2008-03-07 | 2008-03-07 | 低誘電性絶縁膜、プラズマディスプレイおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009215343A true JP2009215343A (ja) | 2009-09-24 |
JP5403730B2 JP5403730B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=41187545
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008057339A Expired - Fee Related JP5403730B2 (ja) | 2008-03-07 | 2008-03-07 | 低誘電性絶縁膜、プラズマディスプレイおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5403730B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012157543A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | セントラル硝子株式会社 | 縮合物、感光性組成物およびその製造方法、およびそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法 |
WO2013058217A1 (ja) * | 2011-10-18 | 2013-04-25 | 旭硝子株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02100343A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Showa Denko Kk | 集積回路 |
JPH0598012A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサン樹脂の製造方法 |
JPH05239214A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-17 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | アルコキシ基含有シリコーンレジンの製造方法 |
JPH0782378A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シロキサン共重合体およびその合成方法 |
JPH0812761A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Toshiba Silicone Co Ltd | シリコーン樹脂組成物 |
JPH09111187A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンワニス、その製法およびシリコーンワニス含浸プリプレグ |
JPH09324051A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光学材料及びそれを用いた光導波路 |
JPH10251407A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-22 | Nippon Steel Chem Co Ltd | シリコーン化合物及びその製造方法 |
JP2005239886A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンラダーポリマーの製造方法 |
JP2005290104A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Central Glass Co Ltd | 低誘電体材料用ガラス状物質及びディスプレイ用ガラス板 |
JP2005298800A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 無機/有機混成オリゴマー、ナノ混成高分子及びこれらの製造方法 |
JP2006022207A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Chisso Corp | ケイ素化合物 |
WO2006080459A1 (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Asahi Glass Company, Limited | 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた気密容器および電子部品 |
JP2006342308A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Dow Corning Toray Co Ltd | シリコーンレジンの精製方法 |
JP2008280420A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Chisso Corp | 架橋性シロキサンポリマー、シロキサン系の架橋性組成物及びシリコーン膜 |
-
2008
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02100343A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Showa Denko Kk | 集積回路 |
JPH0598012A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサン樹脂の製造方法 |
JPH05239214A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-17 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | アルコキシ基含有シリコーンレジンの製造方法 |
JPH0782378A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シロキサン共重合体およびその合成方法 |
JPH0812761A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Toshiba Silicone Co Ltd | シリコーン樹脂組成物 |
JPH09111187A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンワニス、その製法およびシリコーンワニス含浸プリプレグ |
JPH09324051A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光学材料及びそれを用いた光導波路 |
JPH10251407A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-22 | Nippon Steel Chem Co Ltd | シリコーン化合物及びその製造方法 |
JP2005239886A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンラダーポリマーの製造方法 |
JP2005290104A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Central Glass Co Ltd | 低誘電体材料用ガラス状物質及びディスプレイ用ガラス板 |
JP2005298800A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 無機/有機混成オリゴマー、ナノ混成高分子及びこれらの製造方法 |
JP2006022207A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Chisso Corp | ケイ素化合物 |
WO2006080459A1 (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Asahi Glass Company, Limited | 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた気密容器および電子部品 |
JP2006342308A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Dow Corning Toray Co Ltd | シリコーンレジンの精製方法 |
JP2008280420A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Chisso Corp | 架橋性シロキサンポリマー、シロキサン系の架橋性組成物及びシリコーン膜 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012157543A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | セントラル硝子株式会社 | 縮合物、感光性組成物およびその製造方法、およびそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法 |
WO2013058217A1 (ja) * | 2011-10-18 | 2013-04-25 | 旭硝子株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法 |
CN103889712A (zh) * | 2011-10-18 | 2014-06-25 | 旭硝子株式会社 | 层叠体、层叠体的制造方法及带有电子器件用构件的玻璃基板的制造方法 |
KR20140079783A (ko) | 2011-10-18 | 2014-06-27 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법 |
JPWO2013058217A1 (ja) * | 2011-10-18 | 2015-04-02 | 旭硝子株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法 |
KR101973826B1 (ko) | 2011-10-18 | 2019-08-26 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법 |
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