JP2008526666A - 成長するシリコン結晶のメルト−固体界面形状の可変磁界を用いる制御 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、従来技術における1又はそれ以上の問題点を克服し、可変磁界を適用することによって、メルトと結晶との間の界面形状の制御を提供する。1つの態様例において、結晶は、連続的に変更させることができる磁界強度および構成を有する非対称的磁界によって、そこから結晶が成長するシリコンメルト中におけるフロー(または流量)を制御する。従って、本発明は、結晶−メルト界面形状、界面における軸方向の温度勾配、および界面におけるおよび界面近くにおける結晶中の軸方向温度勾配の半径方向についての変動を操作することができ、それによって所望の界面形状および値を達成することができる。本発明の1つの要旨では、可変的な非対称的磁界によって、結晶−メルト界面形状を制御することに関する従来のいずれの磁界構成よりも、より大きな自由度および能力を達成することができる。さらに、本発明の1つの態様例では、結晶の長さを基準として、結晶−メルト界面の上方または下方に磁界のカスプ位置を移動させることによって、所望するメルトフロー制御および均一性を保持することができる。本発明の可変的な非対称性磁界は、ハードウェアのセットアップおよび物理的位置を変更することなく、従来技術における磁界構成の問題点を防止しながら、従来技術における磁界構成の利点を組み合わせることができる。
その他の特徴の一部は以下側の説明から理解できるであろうし、また他の一部は以下側の説明によって指摘する。
図面全体について、対応する参照符号は対応する部材を示している。
ここで図4を参照すると、本発明の1つの要旨態様を実施するための、チョクラルスキー法結晶成長装置が模式図に示されている。全体として、結晶成長装置は、ルツボ103を封入する真空チャンバー101を有している。抵抗ヒーター105などの加熱手段がルツボ103を包囲している。加熱および結晶引き上げの間に、例えば、図中、矢印によって示しているように右回りに、ルツボ駆動装置(例えばモーター)107は、ルツボ103を回転させる。成長プロセスの間に所望されるように、ルツボ駆動装置107はルツボ103を上昇させること及び/又は降下させることができる。ルツボ103中には、メルトレベル111を有するシリコンメルト109が入れられている。操作中において、引上げシャフトまたはケーブル117に取り付けられた種結晶115によって開始されて、装置はメルト109から単結晶113を引上げる。従来技術において知られているように、ケーブル117または引上げシャフトの一端は、プーリー(図示せず)によってドラム(図示せず)に接続されており、他端側は、種結晶115および該種結晶115から成長した結晶13を保持するチャック(図示せず)に接続されている。
HDR=[Hc−He]/半径×100
[式中、Hcはメルトレベル111からの結晶中心の高さであり、Heがメルトレベル111から結晶縁部の高さである。]
例えば、本発明の1つの態様例では、結晶中心と結晶縁部との間のHDRが、プラスマイナス11%、9%、7%または5%の範囲にあるように、200ミリメートル(mm)結晶についてメルト−固体界面を制御した。200mm以外の直径を有する結晶については、最大HDRは、結晶半径によって約−0.06のスロープ(傾斜)で徐々に減少させることができる。
Claims (15)
- 結晶製造装置において結晶成長を制御するためのシステムに関して、該結晶製造装置は、チョクラルスキー法のプロセスに従って単結晶インゴットが成長する半導体メルトを含む加熱されたルツボを有しており、該インゴットは前記半導体メルトから引き上げられる種結晶上で成長するシステムであって、
前記メルトに対してカスプ磁界を適用するために、ルツボの近くに配置される第1のコイルおよび第2のコイル;
前記コイルに通電するための可変式電源;
前記インゴットがメルトから引き上げられる間に、出力を変化させるためのコントロール装置であって、前記可変式電源がコントローラ装置に対応して磁界を変化させて、メルト−固体界面の所望する形状を形成するために、インゴットとメルトとの間のメルト−固体界面に対する磁界のカスプ位置を制御するコントロール装置
を有してなり、メルト−固体界面の所望する形状はインゴットの長さの関数であることを特徴とするシステム。 - 可変式電源がコントロール装置に応答して、メルト−固体界面に対する磁界構成の型を、以下の1又はそれ以上の型の磁界構成:水平方向に優勢な非対称的磁界構成;軸方向に優勢な非対称的磁界構成;および実質的に対称的な磁界構成に対応させて、磁界を変化させることを特徴とする請求項1のシステム。
- 水平方向に優勢な非対称的磁界によって、インゴットに対してよりフラットで凹面のガル・ウイング形状を有するメルト−固体界面形状;メルト−固体界面における増大した軸方向温度勾配;および、メルト−固体界面の近くにおけるインゴット内の軸方向温度勾配の低下した半径方向変動の1又はそれ以上を形成するシステムであって、軸方向に優勢な非対称的磁界によって、インゴットに対してより程度の大きい凸面形状;実質的に安定なメルトフロー;およびインゴット内におけるより低レベルの酸素濃度の1又はそれ以上を達成する請求項2に記載のシステム。
- 第1のコイルがメルト−固体界面よりも高い位置に配され、第2のコイルがメルト−固体界面よりも低い位置に配されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 可変式電源が、コントロール装置に対応して、第2のコイルよりも第1のコイルにおける出力分配を増大させて、メルト−固体界面の下方へカスプ位置を移動させ、水平方向に優勢な非対称的磁界構成を達成することを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 可変式電源が、コントロール装置に対応して、第1のコイルよりも第2のコイルにおける出力分配を増大させて、メルト−固体界面の上方へカスプ位置を移動させ、軸方向に優勢な非対称的磁界構成を達成することを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 可変式電源が、コントロール装置に対応して、実質的に均一な出力分配に従って第1のコイルおよび第2のコイルに通電し、メルト−固体界面の近くへカスプ位置を移動させて、実質的に対照的な磁界構成を達成することを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- コントロール装置が出力分配を変化させて、インゴットの長さおよびインゴットの成長段階の1又はそれ以上の関数として、第1のコイルおよび第2のコイルの出力分配を選択的に制御して、磁界強度を変化させることによって、メルト−固体界面の上方または下方の所望する位置にカスプ位置を移動させること、ならびに、前記成長段階は、エンドコーン成長へのネッキング、クラウンおよびレイトボディの1又はそれ以上が含まれることを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- コントロール装置が、酸素濃度の所望のレベルに対応して出力を変化させ、磁界を選択的に調節して、メルト−固体界面の形状を制御し、インゴット内に所望するレベルの酸素濃度を形成することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- コントロール装置が、酸素濃度勾配の所望のレベルに対応して出力を変化させ、磁界を選択的に調節して、メルト−固体界面の形状を制御し、インゴット内に所望するレベルの酸素の半径方向勾配を形成することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- チョクラルスキー法のプロセスによって単結晶半導体インゴットを製造する方法であって、
半導体メルトから引き上げる種結晶上で単結晶インゴットを成長させること;
インゴットを成長させる間に、メルトに対して非対称的磁界を適用すること;
インゴットをメルトから引き上げる際に、磁界を変化させて、メルト−固体界面形状を制御し、前記メルト−固体界面形状はインゴットの長さの関数であることを特徴とする方法。 - 非対称的磁界を適用することは、メルト−固体界面に対して、水平方向に優勢な非対称的磁界を適用して、インゴットに対して凹面形状の程度がより小さく、ガル・ウイング形状の程度がより大きいメルト−固体界面形状;メルト−固体界面において増大した軸方向温度勾配;メルト−固体界面の近くにおいて、インゴット内の軸方向温度勾配の低下した半径方向変動;およびインゴットにおける酸素濃度の向上したレベルの1又はそれ以上を形成すること、または、メルト−固体界面に対して、軸方向に優勢な非対称的磁界を適用して、インゴットに対して凸面形状の程度がより大きいメルト−固体界面形状;実質的に安定なメルトフロー;およびインゴットにおける酸素濃度の低下したレベルの1又はそれ以上を形成することを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 非対称的磁界を適用することは、メルト−固体界面よりも高い位置に配置した第1の磁石に通電し、メルト−固体界面よりも低い位置に配置した第2の磁石に、異なる出力レベルで通電することを含んでなることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 磁界を変化させることは、選択的に磁界を調節して、メルト−固体界面形状を制御し、インゴットにおいて所望のレベルの酸素濃度を形成すること;および選択的に磁界を調節して、メルト−固体界面形状を制御し、インゴットにおいて所望のレベルの酸素の半径方向勾配を形成することの1又はそれ以上を含むことを含んでなることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 単結晶インゴットの結晶成長に特徴的な酸素を制御する方法に関して、インゴットはチョクラルスキー法のプロセスに従って結晶成長装置の中で成長させられ、結晶成長装置はインゴットがそこから成長する半導体メルトを含む加熱されたルツボを有しており、インゴットはメルトから引き上げられる種結晶上で成長する方法であって、
カスプ磁界をメルトに適用すること;ならびに、インゴットをメルトから引き上げる際に、磁界を変化させて、メルトとインゴットとの間のメルト−固体界面に対する磁界のカスプ位置を制御し、メルト−固体界面の所望する形状を形成すること;およびメルト−固体界面の所望する形状はインゴット中において所望する酸素特性を形成することを含んでなることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/026,780 | 2004-12-30 | ||
US11/026,780 US7223304B2 (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field |
PCT/US2005/042928 WO2006073614A1 (en) | 2004-12-30 | 2005-11-29 | Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008526666A true JP2008526666A (ja) | 2008-07-24 |
JP2008526666A5 JP2008526666A5 (ja) | 2009-01-22 |
JP5344822B2 JP5344822B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=36113793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007549377A Active JP5344822B2 (ja) | 2004-12-30 | 2005-11-29 | 成長するシリコン結晶のメルト−固体界面形状の可変磁界を用いる制御 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7223304B2 (ja) |
EP (1) | EP1831436B1 (ja) |
JP (1) | JP5344822B2 (ja) |
KR (1) | KR101009074B1 (ja) |
CN (1) | CN101133193B (ja) |
DE (1) | DE602005014010D1 (ja) |
TW (1) | TWI369423B (ja) |
WO (1) | WO2006073614A1 (ja) |
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-
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- 2005-11-29 CN CN2005800488495A patent/CN101133193B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-29 KR KR1020077015069A patent/KR101009074B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-29 JP JP2007549377A patent/JP5344822B2/ja active Active
- 2005-11-29 DE DE602005014010T patent/DE602005014010D1/de active Active
- 2005-11-29 WO PCT/US2005/042928 patent/WO2006073614A1/en active Application Filing
- 2005-11-29 EP EP05852293A patent/EP1831436B1/en active Active
- 2005-12-20 TW TW094145407A patent/TWI369423B/zh active
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TWI369423B (en) | 2012-08-01 |
CN101133193A (zh) | 2008-02-27 |
EP1831436B1 (en) | 2009-04-15 |
WO2006073614A1 (en) | 2006-07-13 |
JP5344822B2 (ja) | 2013-11-20 |
US7223304B2 (en) | 2007-05-29 |
KR20070102675A (ko) | 2007-10-19 |
CN101133193B (zh) | 2010-05-12 |
EP1831436A1 (en) | 2007-09-12 |
US7611580B2 (en) | 2009-11-03 |
TW200632150A (en) | 2006-09-16 |
DE602005014010D1 (de) | 2009-05-28 |
US20060144321A1 (en) | 2006-07-06 |
KR101009074B1 (ko) | 2011-01-18 |
US20070227442A1 (en) | 2007-10-04 |
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|
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S533 | Written request for registration of change of name |
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