JP4483729B2 - シリコン単結晶製造方法 - Google Patents
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Description
前記シリコン単結晶の径方向に磁場を印加しながら引き上げる磁場印加ステップを有する単結晶の引き上げをおこなう工程と、
磁場を印加しつつ固化率が20〜40%において引き上げ速度を0.53mm/分から0.38mm/分の範囲で変化させる試験的な引き上げをおこなう工程と、
前記試験的な引き上げをおこなった際に、シリコン単結晶の軸方向に順次生じる結晶欠陥の状態が異なる領域を、それぞれ第1の結晶欠陥領域、第2の結晶欠陥領域とし、前記第1の結晶欠陥領域と前記第2の結晶欠陥領域との間で形成される境界面において、単結晶外周部における前記境界面位置と単結晶中心部における前記境界面位置との結晶成長軸方向における距離をLmmとした際、該距離Lのシリコン単結晶直径Dmmに対する比が、
L/D=35/300〜105/300
となるような磁場条件を求める工程と、を備え、
前記シリコン単結晶の引き上げ工程において、前記シリコン融液の液面に対する前記磁場中心の高さ位置を、前記シリコン単結晶の径方向における温度分布を低減するように求めた前記磁場条件となるように制御して前記シリコン単結晶の引き上げをおこなうことを特徴とする。
また本発明は、坩堝に収容されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げながら成長させて製造するシリコン単結晶製造方法において、前記シリコン単結晶の径方向に磁場を印可する磁場印可ステップを備え、前記シリコン融液の液面に対する前記磁場中心の高さ位置を、前記シリコン単結晶の径方向における温度勾配を一定とするように制御することができる。
また、上記のシリコン単結晶製造方法においては、磁場を印加しつつ引き上げ速度を0.2mm/分から0.6mm/分の範囲で変化させる試験的な引き上げをおこなった際に、シリコン単結晶の軸方向に順次生じる結晶欠陥の状態が異なる領域を、それぞれ第1の結晶欠陥領域、第2の結晶欠陥領域とし、前記第1の結晶欠陥領域と前記第2の結晶欠陥領域との間で形成される境界面において、単結晶外周部における前記境界面位置と単結晶中心部における前記境界面位置との結晶成長軸方向における距離をLmmとした際、該距離L のシリコン単結晶直径Dmmに対する比が、
L/D=35/300〜105/300
となるような磁場条件を求める工程と、前記シリコン単結晶の引き上げにおいて、前記シリコン融液の液面に対する前記磁場中心の高さ位置を前記磁場条件となるように制御して前記シリコン単結晶の引き上げをおこなう工程と、を有することが好ましい。
また、上記のシリコン単結晶製造方法においては、前記第2の結晶欠陥領域が、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないP領域である方法とすることができる。
また、上記課題を解決するために、本発明のシリコン単結晶は、上記のいずれかのシリコン単結晶製造方法を用いて製造されてなることができる。
その結果、シリコン単結晶の径方向における温度勾配を効果的に小さくすることができ、径方向における結晶欠陥分布の変化が小さくなるので、径方向における結晶欠陥状態を単一化する、つまり、径方向における切断面の全面が1種類の結晶欠陥領域であるシリコン単結晶を容易に得ることが可能となる。これにより、径方向に均質なシリコンウェーハを製造することができる。
実際の単結晶の引き上げにおいては、このような磁場状態に制御して前記シリコン単結晶を引き上げることになる。
その結果、径方向の切断面の全面が第2の結晶欠陥領域であるシリコン単結晶を容易に得ることが可能となる。
なお、本発明のシリコン単結晶製造方法では、L/Dの値が105/300を超える場合には、径方向の結晶欠陥分布の変化が大きくなり、径方向の切断面の全面が第2の結晶欠陥領域であるシリコン単結晶が得られない虞が生じるため好ましくない。また、L/Dの値を小さくする程、径方向の結晶欠陥分布の変化が小さいシリコン単結晶を製造できるため望ましいが、L/Dを35/300未満となるように制御する場合には、制御が容易にできないという問題が生じる。
ここで、第1の結晶欠陥領域はV領域に接するOSFリング、または、I領域とされることが可能である。これは、上記の範囲で引き上げ速度を変化させるV字引き上げ試験において、境界面を観測する部分における引き上げ速度の変化が増加か減少かによるものであり、本発明は第1の結晶欠陥領域の境界面の形状を規定できれば第1の結晶欠陥領域がいかなる欠陥状態の領域でもかまわない。
上述したV字引き上げとは、縦軸に引き上げ速度、横軸に引き上げた結晶長を取った際にグラフがV字状になるように引き上げ速度を変化させる試験的な引き上げ方法を示すものである。
坩堝2は不図示の坩堝駆動手段に接続され、坩堝2が水平面内で回転し得るとともに、シリコン融液Mの液面変化に対応して上下方向に移動可能となっている。また、磁気コイル1、1は不図示の磁気コイル駆動手段により上下方向に移動可能とされ、シリコン融液Mの液面変化に対応して磁場の中心高さ位置Aを変化させることができるようになっている。
シリコン単結晶SIの直径Dを300mm、磁場9の中心Aの高さ位置をシリコン融液Mの液面の下方130mmとし、磁気コイル1、1の中心における磁束密度を0.2〜0.4テスラとし、坩堝2を0.1〜20[min−1]程度の回転速度で回転させるとともに、引き上げるシリコン単結晶SIを1〜25[min−1]程度の回転速度で逆回転させ、図2に示すようにシリコン単結晶SIの引き上げ速度を変化させながらシリコン融液Mを固化させることによりシリコン単結晶製造を製造した。この場合の結晶成長軸方向断面の結晶欠陥分布を図3及び図4に示す。
また、引き上げ速度が0.45mm/分程度のときにP領域が成長し始め、P領域とOSF領域との境界面であるP―OSF境界面4が形成されている。P―OSF境界面4は、V―OSF境界面3にほぼ沿った形状を有し、外周部から中心部に向かって緩やかな傾斜を形成している。P―OSF境界面4における外周部の結晶成長軸方向の高さBと中心部の結晶成長軸方向の高さCとの距離Lは35mmであった。なお、上述したように、シリコン単結晶SIの直径Dは300mmであるので、L/D=35/300であった。
また、引き上げ速度が0.40mm/分程度のときにI領域が成長し始め、P領域とI領域との境界面であるP―I境界面5が形成されている。P―I境界面5は、外周部から中心部に向かって緩やかな傾斜を形成している。
また、図2〜図4より、上述した実施例の条件でシリコン単結晶SIの引き上げ速度を0.45mm/分程度とすれば、結晶全長にわたって径方向の切断面の全面がP領域であるシリコン単結晶が得られることが確認できた。
磁場9の中心Aの高さ位置をシリコン融液Mの液面の下方230mmとしたこと以外は実施例と同様にしてシリコン単結晶製造を製造した。この場合の結晶成長軸方向断面の結晶欠陥分布を図5及び図6に示す。
また、図3および図5に示すように、V―OSF境界面6形成する外周部から中心部に向かう傾斜は、引き上げ速度を低下させて行った場合でも引き上げ速度を上昇させて行った場合でも、実施例における境界面は、従来例に比較して結晶軸方向に急峻でなくなった。
また、P―OSF境界面7における外周部の結晶成長軸方向の高さBと中心部の結晶成長軸方向の高さCとの距離Lは150mmであった。なお、上述したように、シリコン単結晶SIの直径Dは300mmであるので、L/D=150/300であり、好ましい範囲であるL/D=35/300〜105/300の上限を超えていた。
また、図5及び図6より、上述した従来例の条件では、径方向の切断面の全面がP領域であるシリコン単結晶は得られないことが確認できた。
Claims (2)
- 坩堝に収容されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げながら成長させて製造するシリコン単結晶製造方法において、
前記シリコン単結晶の径方向に磁場を印加しながら引き上げる磁場印加ステップを有する単結晶の引き上げをおこなう工程と、
磁場を印加しつつ固化率が20〜40%において引き上げ速度を0.53mm/分から0.38mm/分の範囲で変化させる試験的な引き上げをおこなう工程と、
前記試験的な引き上げをおこなった際に、シリコン単結晶の軸方向に順次生じる結晶欠陥の状態が異なる領域を、それぞれ第1の結晶欠陥領域、第2の結晶欠陥領域とし、前記第1の結晶欠陥領域と前記第2の結晶欠陥領域との間で形成される境界面において、単結晶外周部における前記境界面位置と単結晶中心部における前記境界面位置との結晶成長軸方向における距離をLmmとした際、該距離Lのシリコン単結晶直径Dmmに対する比が、
L/D=35/300〜105/300
となるような磁場条件を求める工程と、を備え、
前記シリコン単結晶の引き上げ工程において、前記シリコン融液の液面に対する前記磁場中心の高さ位置を、前記シリコン単結晶の径方向における温度分布を低減するように求めた前記磁場条件となるように制御して前記シリコン単結晶の引き上げをおこなうことを特徴とするシリコン単結晶製造方法。 - 前記第2の結晶欠陥領域が、空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶製造方法。
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