JP2008300564A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体チップ2a内の半導体集積回路1に接続され、当該半導体チップ2a上の側面部近傍に形成されたパッド電極4と、前記半導体チップ2aの側面部及び裏面部に形成された絶縁膜9と、前記パッド電極4の裏面に接続され、前記絶縁膜9に接するようにして前記半導体チップ2aの側面部から裏面部に延在する配線層10と、前記半導体チップ2aの側面部及び裏面部を埋設するように形成された保護層13と、前記保護層13に形成された開口部を介して前記配線層10に電気的に接続される導電端子14とを有することを特徴とする。
【選択図】 図8
Description
Claims (13)
- 半導体チップ内の回路素子に接続され、当該半導体チップ上の側面部近傍に形成された金属パッドと、
前記半導体チップの側面部及び裏面部に形成された絶縁膜と、
前記金属パッドの裏面に接続され、前記絶縁膜に接するようにして前記半導体チップの側面部から裏面部に延在する金属配線と、
前記半導体チップの側面部及び裏面部を埋設するように形成された保護層と、
前記保護層に形成された開口部を介して前記金属配線に電気的に接続される導電端子とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記保護層は、第1の保護層と第2の保護層とから成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属パッドを含み、前記半導体チップの表面部を被覆するように接着された支持体を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載された半導体装置上に、別の半導体装置が積層され、上側の半導体装置の前記保護層が下側の半導体装置に接していることを特徴とする半導体装置。
- 半導体チップ内の回路素子に接続され、当該半導体チップ上の側面部近傍に形成された金属パッドと、
前記半導体チップの側面部及び裏面部に形成された絶縁膜と、
前記金属パッドの裏面に接続され、前記絶縁膜に接するようにして前記半導体チップの側面部から裏面部に延在する金属配線と、
前記半導体チップの側面部及び裏面部に形成された保護層と、
前記保護層に形成された開口部を介して前記金属配線に接続される導電端子と、
前記保護層上に形成され、前記半導体チップの側面部を埋設する導電性膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記金属パッドを含み、前記半導体チップの表面部を被覆するように接着された支持体を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 第1の絶縁膜を介して金属パッドが形成された半導体基板を用意し、
前記金属パッドを含む前記半導体基板の表面側と支持体の表面とを貼り合わせる工程と、
前記半導体基板をその裏面側から一部除去して前記第1の絶縁膜を露出させる工程と、
前記半導体基板の裏面全体に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2の絶縁膜を一部除去して前記金属パッドを露出させる工程と、
前記金属パッドの裏面に接続し、かつ前記半導体基板の裏面に延在する金属配線を形成する工程と、
前記半導体基板の一部を除去し、前記支持体の表面に、前記支持体の厚み方向の途中に至る溝を形成する工程と、
前記溝を含む前記半導体基板の裏面全体を埋設するように保護層を形成する工程と、
前記保護層に形成した開口部を介して前記金属配線に電気的に接続する導電端子を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護層を形成する工程は、第1の保護層を形成した後に、当該第1の保護層上に第2の保護層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の絶縁膜を介して金属パッドが形成された半導体基板を用意し、
前記金属パッドを含む前記半導体基板の表面側と支持体の表面とを貼り合わせる工程と、
前記半導体基板をその裏面側から一部除去して前記第1の絶縁膜を露出させる工程と、
前記半導体基板の裏面全体に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2の絶縁膜を一部除去して前記金属パッドを露出させる工程と、
前記金属パッドの裏面に接続し、かつ前記半導体基板の裏面に延在する金属配線を形成する工程と、
前記半導体基板の一部を除去し、かつ前記支持体の表面に、前記支持体の厚み方向の途中に至る溝を形成する工程と、
前記溝を含む前記半導体基板の裏面側に第1の保護層を形成する工程と、
前記第1の保護層に形成した開口部を介して前記金属配線に接続する導電端子を形成する工程と、
前記第1の保護層上に第2の保護層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護層または前記第1の保護層を形成する工程は、モールド樹脂を塗布することを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の保護層を形成する工程は、導電性材料を塗布することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記支持体を薄膜化する工程を有することを特徴とする請求項7乃至請求項11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記支持体を取り除く工程を有することを特徴とする請求項7乃至請求項11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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