JP4619308B2 - 半導体装置の製造方法及び支持テープ - Google Patents
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Description
4 パッシベーション膜 5 接着層 6 支持体 7 レジスト層
8 ビアホール 9 第2の絶縁膜 10 レジスト層 15 バリア層
16 シード層 17 貫通電極 18 配線層 19 レジスト層
20 保護層 21 導電端子 22 開口部 22a 第1の開口部
22b 第2の開口部 23 レジスト層 24 溶解剤供給孔
25 支持テープ 26 溶解剤 30 電極接続層 31 絶縁膜
100 半導体基板 101 パッド電極 102 第1の絶縁膜
103 パッシベーション膜 104 ガラス基板 105 接着層
106 貫通孔 107 ビアホール 108 第2の絶縁膜
109 バリア層 110 シード層 111 貫通電極 112 配線層
113 保護層 114 導電端子 DL ダイシングライン
Claims (7)
- 第1の主面及び第2の主面を有する半導体基板の第1の主面上に接着層を介して第1の支持体を貼り付ける工程と、
前記半導体基板を一部除去して、前記半導体基板の第2の主面から前記接着層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部を形成した後に、前記接着層の溶解剤を通過させることができる第2の支持体を前記半導体基板の第2の主面上に貼り付ける工程と、
前記第2の支持体及び前記開口部を介して前記接着層へと前記溶解剤を供給し、前記半導体基板から前記第1の支持体を剥離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の支持体に溶解剤供給孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の支持体を貼り付ける工程の後に、前記半導体基板の第2の主面を研削する工程を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の支持体には、前記溶解剤を供給する経路が形成されていないことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の支持体は剛性の基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、前記半導体基板の第1の主面に接着層を介して貼り付けられた支持体とを剥離する前に、前記半導体基板の第2の主面に貼り付け、前記支持体を剥離した後の個々の半導体チップを固定するための支持テープであって、その表面から裏面にかけて前記接着層の溶解剤が通過可能なことを特徴とする支持テープ。
- その表面から裏面にかけて貫通する溶解剤供給孔が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の支持テープ。
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