JP2004153260A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンチップ10Aの表面に形成された拡張パッド電極11と、このシリコンチップ10Aの裏面の再配線層21とを接続する。この場合、シリコンチップ10Aの裏面側から、シリコンチップ10Aを貫通し、拡張パッド電極11に到達するビアホール17を設け、このビアホール17に埋設した柱状端子20によって両者の電気的接続を得るようにした。
【選択図】 図8
Description
従来より、CSPの一種として、BGA型の半導体装置が知られている。このBGA型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他の面上に搭載される半導体チップと電気的に接続したものである。
ハンダバンプ323は所望の位置に複数形成することでBGA構造を得ることができる。こうして、シリコンチップ310Aの拡張パッド電極311から、その裏面に形成されたハンダバンプ323に至るまでの配線が可能となる。そして、本発明はビアホール317に埋設した柱状端子320を利用して配線しているので、断線が起こりにくく、ステップカバレージも優れている。さらに配線の機械的強度も高い。
Claims (39)
- 半導体チップ上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面に接着された支持基板と、
前記半導体チップの裏面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールに埋め込まれ前記パッド電極と接続された柱状端子と、
前記柱状端子に接続されたバンプ電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状端子から前記半導体チップの裏面に延在し、前記柱状端子と前記バンプ電極を接続する再配線層を具備することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記バンプ電極の形成位置に対応させて前記半導体チップの裏面に緩衝部材を設けたことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記ビアホールの断面がテーパー形状であること特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記柱状端子と前記半導体チップとを絶縁するための絶縁層が前記ビアホールの側壁に設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 半導体チップ上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面に接着された第1の支持基板と、
前記半導体チップの裏面に接着された第2の支持基板と、
前記第2の支持基板の表面から前記半導体チップを貫通して前記パッド電極の表面に到達するビアホールに埋め込まれ前記パッド電極と接続された柱状端子と、
前記柱状端子に接続されたバンプ電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在し、前記柱状端子と前記バンプ電極を接続する再配線層を具備することを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記バンプ電極の形成位置に対応させて前記第2の支持基板の表面に緩衝部材を設けたことを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記ビアホールの断面がテーパー形状であること特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記柱状端子と前記半導体チップとを絶縁するための絶縁層が前記ビアホールの側壁に設けられていることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 半導体チップ上に形成されたパッド電極と、
前記パッド電極の表面及び前記半導体チップの側面を覆う樹脂層と、
前記半導体チップの裏面に接着された支持基板と、
前記支持基板の表面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールに埋め込まれ前記パッド電極と接続された柱状端子と、
前記柱状端子に接続されたバンプ電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状端子から前記支持基板の表面に延在し、前記柱状端子と前記バンプ電極を接続する再配線層を具備することを特徴とする請求項11記載の半導体装置。
- 前記ビアホールの断面がテーパー形状であること特徴とする請求項12記載の半導体装置。
- 半導体チップ上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面に接着された第1の支持基板と、
前記パッド電極の表面及び前記半導体チップの側面を覆う樹脂層と、
前記半導体チップの裏面に接着された第2の支持基板と、
前記第2の支持基板の表面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールに埋め込まれ前記パッド電極と接続された柱状端子と、
前記柱状端子に接続されたバンプ電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在し、前記柱状端子と前記バンプ電極を接続する再配線層を具備することを特徴とする請求項14記載の半導体装置。
- 前記バンプ電極の形成位置に対応させて前記第2の支持基板の表面に緩衝部材を設けたことを特徴とする請求項15記載の半導体装置。
- 前記ビアホールの断面がテーパー形状であること特徴とする請求項15記載の半導体装置。
- パッド電極が形成された半導体基板上に支持基板を接着する工程と、
前記半導体基板の裏面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成する工程と、
前記柱状端子上にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - パッド電極が形成された半導体基板上に支持基板を接着する工程と、
前記半導体基板の裏面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成すると共に、この柱状端子から前記半導体基板の裏面に延在する再配線層を形成する工程と、
前記再配線層上にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成すると共に、この柱状端子から前記半導体基板の裏面に延在する再配線層を形成する工程を電解メッキ法で行う、ことを特徴とする請求項19記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホールをテーパー形状に加工することを特徴とする請求項20記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成する工程を電解メッキ法で、前記柱状端子から前記半導体基板の裏面に延在する再配線層を形成する工程をスパッタ法で行うことを特徴とする請求項19記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホールをテーパー形状に加工することを特徴とする請求項22記載の半導体装置の製造方法。
- パッド電極が形成された半導体基板上に第1の支持基板を接着する工程と、
前記半導体基板の裏面に第2の支持基板を接着する工程と、
前記第2の支持基板から前記半導体基板を貫通して前記パッド電極の表面に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成する工程と、
前記柱状端子上にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - パッド電極が形成された半導体基板上に第1の支持基板を接着する工程と、
前記半導体基板の裏面に第2の支持基板を接着する工程と、
前記第2の支持基板から前記半導体基板を貫通して前記パッド電極の表面に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成すると共に、この柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在する再配線層を形成する工程と、
前記再配線層上にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成すると共に、この柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在する再配線層を形成する工程を電解メッキ法で行うことを特徴とする請求項25記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホールをテーパー形状に加工することを特徴とする請求項26記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成する工程を電解メッキ法で、前記柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在する再配線層を形成する工程をスパッタ法で行うことを特徴とする請求項25記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホールをテーパー形状に加工することを特徴とする請求項28記載の半導体装置の製造方法。
- パッド電極が形成された半導体基板上に第1の支持基板を接着する工程と、
前記パッド電極の一部を露出するように前記半導体基板を部分的にエッチングする工程と、
前記パッド電極の露出部分と前記半導体基板のエッチングされた側面を被覆するように樹脂層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第2の支持基板を接着する工程と、
前記樹脂層及び前記第2の支持基板を貫通し、前記パッド電極の表面に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成する工程と、
前記柱状端子上にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - パッド電極が形成された半導体基板上に第1の支持基板を接着する工程と、
前記パッド電極の一部を露出するように前記半導体基板を部分的にエッチングする工程と、
前記パッド電極の露出部分と前記半導体基板のエッチングされた側面を被覆するように樹脂層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第2の支持基板を接着する工程と、
前記樹脂層及び前記第2の支持基板を貫通し、前記パッド電極の表面に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成すると共に、この柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在する再配線層を形成する工程と、
前記再配線層上にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成すると共に、この柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在する再配線層を形成する工程を電解メッキ法で行うことを特徴とする請求項31記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホールをテーパー形状に加工することを特徴とする請求項32記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホール内に前記パッド電極と電気的に接続された柱状端子を形成する工程を電解メッキ法で、前記柱状端子から前記第2の支持基板の表面に延在する再配線層を形成する工程をスパッタ法で行うことを特徴とする請求項31記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホールをテーパー形状に加工することを特徴とする請求項34記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体チップ上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面に接着された支持基板と、
前記半導体チップの裏面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールに埋め込まれ前記パッド電極と接続された柱状端子と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 半導体チップ上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面に接着された第1の支持基板と、
前記半導体チップの裏面に接着された第2の支持基板と、
前記第2の支持基板の表面から前記半導体チップを貫通して前記パッド電極の表面に到達するビアホールに埋め込まれ前記パッド電極と接続された柱状端子と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 半導体チップ上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面に接着された第1の支持基板と、
前記パッド電極の表面及び前記半導体チップの側面を覆う樹脂層と、
前記半導体チップの裏面に接着された第2の支持基板と、
前記第2の支持基板の表面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールに埋め込まれ前記パッド電極と接続された柱状端子と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状端子から前記半導体チップの裏面に延在された再配線層を具備することを特徴とする請求項36、請求項37、請求項38のいずれかに記載の半導体装置。
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