JP2006100580A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1において、第1の配線3が存在する領域のみに、第1の配線3を露出し得るウィンドウ20を形成する。これにより、半導体基板1とガラス基板4が絶縁膜2や樹脂5を介して接着される領域を増大させることで、クラックや剥離の発生が防止できる。また、ウィンドウ20の形成後、第2の配線8を覆うように第1の保護膜25を形成し、ダイシングラインに沿って切り込み30を形成する。そして、その切り込み30を第2の保護膜10で覆った後に、半導体装置を個々の半導体チップに分離するためのダイシングを行う。
【選択図】 図8
Description
本発明は、ガラス基板に生じるクラックや半導体チップ周辺部での剥離の発生を防止することにより、半導体装置の歩留まりや信頼性を向上させる効果を有する。また、ガラス基板を2枚から1枚にしたことで、半導体装置の薄型化やコスト低減を図ることもできる。
次に、図7(a)及び図7(b)に示すように、前記第2の配線8を被覆するように全面に第1の保護膜25を形成する。この第1の保護膜25を形成するためには、ガラス基板4の反対側の面を上に向けて、熱硬化性の有機系樹脂をスプレー塗布する。そして、前記有機系樹脂を熱硬化させることで、第1の保護膜25が形成される。尚、保護膜25の形成は、上述したスプレー塗布法に限らず、スピン塗布法を用いても良いが、スプレー塗布法ではより膜厚の均一な保護膜を形成することができる。従って、本実施形態の保護膜25では、膜厚が比較的均一に形成されているため、その後の工程で当該保護膜25を除去する場合の除去作業が簡便になる。また、保護膜25を除去しないで半導体装置を完成させるプロセスの場合には、ウィンドウ20の底部に保護膜25が厚く溜まることがなくなり、反りの発生を抑止できる。即ち、前記ウィンドウ20の底部に保護膜25が厚く溜まっていると、有機系樹脂が粘性のあるペーストの性質を有するため、保護膜25をベーキング(加熱処理)によって熱硬化させた際に、前記ウィンドウ20に溜まった有機系樹脂が、半導体装置の他の部分を覆う有機系樹脂に比べてより大きく収縮することで、半導体ウエハが反ってしまうという現象があった。しかし、本発明では、そのような問題の発生を抑止できる。
次に、図8(a)及び図8(b)に示すように、境界Sに沿って、前記第1の保護膜25を介してガラス基板4を例えば30μm程度の深さで切削するように、切り込み30(逆V字型の溝)を形成する。
ここで、本実施形態では、切り込みを入れる工程の前に第2の配線8を覆うように第1の保護膜25を形成したことで、第2の配線8が切りくず等で汚染されることを抑止できる。また、切り込み30を入れる際に用いられるブレードの冷却水による配線の腐食を抑止できる。
なお、本実施形態では、切り込み30の形状は楔形の断面形状をしているが、矩形状の断面形状であっても良い。
1 半導体基板
2 第1の絶縁膜
3 第1の配線
4 ガラス基板
5 樹脂
6 第2の絶縁膜
8 第2の配線
10 第2の保護膜
11 導電端子
20 ウィンドウ
25 第1の保護膜
Claims (5)
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を介して形成された第1の配線を覆うように、接着剤を介して支持体を接着する工程と、
前記支持体を接着した前記半導体基板の面の反対側の面に対してパターニングを行い、第1の絶縁膜を露出させる工程と、
前記第1の絶縁膜が露出した前記半導体基板の面に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜をエッチングし、前記第1の配線を露出させる工程と、
前記第1の配線が露出した前記半導体基板の面に配線層を形成する工程と、
前記半導体素子の境界部に存在する前記配線層をパターニングして第2の配線を形成する工程と、
前記第2の配線を被覆するように第1の保護膜を形成する工程と、
前記第1の保護膜を介して前記半導体基板の面に切り込みを入れる工程と、
前記切り込みを入れた面からダイシングを行い、各々の半導体素子を分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記切り込みを入れる工程の後に、前記第1の保護膜を除去する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダイシング時に除去される領域の幅は、第1の配線の間隔よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記切り込みを入れる工程では、支持体まで切り込みが入るように加工することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記切り込みを第2の保護膜で覆う工程を有し、ダイシング工程では前記第2の保護膜及び前記支持体のみが切削されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277709A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2008300564A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006835A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004006807A (ja) * | 2000-10-23 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2004080006A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004079690A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2004088085A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006807A (ja) * | 2000-10-23 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2004006835A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004080006A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004088085A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004079690A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277709A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2008300564A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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