JP2008235728A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 化合物半導体層上に設けられ、Ａｌを含み、かつボンディング領域を避けて設けられた配線接続部を有するパッドと、
   前記パッドの前記配線接続部に電気的に接続されたＡｕを含む配線層と、
   前記配線接続部と前記配線層との間に設けられたバリア層と、を具備し、
   前記パッドの前記配線接続部上には、前記配線層および前記バリア層が延在し、前記パッドの前記ボンディング領域上には、前記配線層および前記バリア層が延在していないことを特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体装置の使用上限温度は２００℃以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記ボンディング領域に接続されるべきボンディングワイヤの太さは１００μｍφ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
4. 前記配線層の端部において、前記配線層と前記パッドとの間に設けられた第１絶縁層を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
5. 前記パッドの端部において、前記配線層と前記パッドとの間に設けられた第２絶縁層を具備することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
6. 前記パッドは第１層と該第１層上の第２層とからなり、
   前記配線層は前記第１層上に延在することにより前記パッドに接続され、
   前記ボンディング領域は前記第２層に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
7. 前記第２層は前記配線層上に第３絶縁層を介し延在することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
8. 前記バリア層は、ＴｉＮ、ＴｉＷＮ、ＷＮ、ＷＳｉＮ及びＴａＮのいずれかを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
9. 前記バリア層の厚さは１００ｎｍから２００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
10. 前記ボンディングワイヤはＡｌを含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。