JP2008235728A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 化合物半導体層上に設けられ、Alを含み、かつボンディング領域を避けて設けられた配線接続部を有するパッドと、
前記パッドの前記配線接続部に電気的に接続されたAuを含む配線層と、
前記配線接続部と前記配線層との間に設けられたバリア層と、を具備し、
前記パッドの前記配線接続部上には、前記配線層および前記バリア層が延在し、前記パッドの前記ボンディング領域上には、前記配線層および前記バリア層が延在していないことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体装置の使用上限温度は200℃以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ボンディング領域に接続されるべきボンディングワイヤの太さは100μmφ以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記配線層の端部において、前記配線層と前記パッドとの間に設けられた第1絶縁層を具備することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記パッドの端部において、前記配線層と前記パッドとの間に設けられた第2絶縁層を具備することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記パッドは第1層と該第1層上の第2層とからなり、
前記配線層は前記第1層上に延在することにより前記パッドに接続され、
前記ボンディング領域は前記第2層に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2層は前記配線層上に第3絶縁層を介し延在することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記バリア層は、TiN、TiWN、WN、WSiN及びTaNのいずれかを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記バリア層の厚さは100nmから200nmであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ボンディングワイヤはAlを含むことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
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