JPH04102358A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH04102358A JPH04102358A JP22047290A JP22047290A JPH04102358A JP H04102358 A JPH04102358 A JP H04102358A JP 22047290 A JP22047290 A JP 22047290A JP 22047290 A JP22047290 A JP 22047290A JP H04102358 A JPH04102358 A JP H04102358A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、基板にＡｌ層とＡｕ層とを備えた配線基板に
関し、特に集積回路パッケージに用いて［従来の技術］ 集積回路用バラゲージや、マザーボードなどの配線基板
では、導電性に優れ、酸化などの劣化の少ないＡｕを用
いた配線が使用用途に応じて使用されている。
関し、特に集積回路パッケージに用いて［従来の技術］ 集積回路用バラゲージや、マザーボードなどの配線基板
では、導電性に優れ、酸化などの劣化の少ないＡｕを用
いた配線が使用用途に応じて使用されている。
一方、配線基板に搭載される電気部品と、配線基板の配
線とを電気的に接続するために、配線基板の接続部分に
Ａ９の配線を用いることがある。
線とを電気的に接続するために、配線基板の接続部分に
Ａ９の配線を用いることがある。
配線基板の配線にｌを用いる一例としては、電気部品と
の接続にＡｌ材料を用いたボンディングワイヤを用いる
場合がある。これは、Ａ９の配線は、Ａｐ製ボンディン
グワイヤと接続の信頼性および接合強度に優れるためで
ある。
の接続にＡｌ材料を用いたボンディングワイヤを用いる
場合がある。これは、Ａ９の配線は、Ａｐ製ボンディン
グワイヤと接続の信頼性および接合強度に優れるためで
ある。
そこで、配線基板の配線の一部をＡｔＪ層によって形成
し、他の部分の配線をＡｕ層によって形成することが考
えられる。そこで、Ａｌ層とＡｕ層とを電気的に接続す
るために、１１層とＡｕ層とを重ねて配線を形成すると
、Ａｌ層とＡｕ層との重ね合わされた接合面に、Ａｊと
Ａｕとの合金であるパープルブレイブが形成されてしま
う。
し、他の部分の配線をＡｕ層によって形成することが考
えられる。そこで、Ａｌ層とＡｕ層とを電気的に接続す
るために、１１層とＡｕ層とを重ねて配線を形成すると
、Ａｌ層とＡｕ層との重ね合わされた接合面に、Ａｊと
Ａｕとの合金であるパープルブレイブが形成されてしま
う。
パープルブレイブは、Ａｌ１層とＡｕ層との接合強度を
低下させてしまうとともに、抵抗値を上昇させる。この
ため従来では、第３図の集積回路用パッケージ１０１に
示すように、Ａｌ層１０２とＡｕ層１０３とを重ね合わ
せること無く、Ａｕ層１０３の下地材１０４で、Ａｌ１
層１０２とＡｕ層１０３との電気的な接続を行っていた
。
低下させてしまうとともに、抵抗値を上昇させる。この
ため従来では、第３図の集積回路用パッケージ１０１に
示すように、Ａｌ層１０２とＡｕ層１０３とを重ね合わ
せること無く、Ａｕ層１０３の下地材１０４で、Ａｌ１
層１０２とＡｕ層１０３との電気的な接続を行っていた
。
［発明が解決しようとする課題］
しかるに、従来の技術は、ＡＩ層１０２とＡｕ層１０３
とは、薄くかつ電気導電性に優れない下地材１０４を介
して電気的に接続されている。このため、Ａｌ層１０２
とＡｕ層１０３との接続部分における電気抵抗値は、パ
ープルブレイブが発生した程ではないが、大きくなって
しまう。
とは、薄くかつ電気導電性に優れない下地材１０４を介
して電気的に接続されている。このため、Ａｌ層１０２
とＡｕ層１０３との接続部分における電気抵抗値は、パ
ープルブレイブが発生した程ではないが、大きくなって
しまう。
本発明の目的は、Ａｌ層とＡｕ層との接続抵抗値の小さ
な配線基板の提供にある。
な配線基板の提供にある。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、本発明の配線基板は、次
の技術的手段を採用する。
の技術的手段を採用する。
配線基板は、絶縁性材料よりなる基板と、この前記基板
に形成されたＡＪ層、および前記基板に形成されたＡｕ
層を備えた配線とを具備する。
に形成されたＡＪ層、および前記基板に形成されたＡｕ
層を備えた配線とを具備する。
そして、前記配線は、前記Ａｌ１層の一部と前記Ａｕ層
の一部とが少なくとも重ねられ、この重ねられた前記Ａ
ｌ層と前記Ａｕ層との間には、厚さが５０００Ａ以上の
導電性の金属バリヤ屑が形成される。
の一部とが少なくとも重ねられ、この重ねられた前記Ａ
ｌ層と前記Ａｕ層との間には、厚さが５０００Ａ以上の
導電性の金属バリヤ屑が形成される。
［作用および発明の効果］
Ａｌ層とＡｕ層とは、金属バリヤ層を介して重ね合わさ
れる。金属バリヤ層は、厚さが５０００Ａ以上設けられ
ているため、ＡｌとＡｕとの合金であるパープルプレイ
ブが形成されるのを防ぐことができる。
れる。金属バリヤ層は、厚さが５０００Ａ以上設けられ
ているため、ＡｌとＡｕとの合金であるパープルプレイ
ブが形成されるのを防ぐことができる。
そして、ＡＪ層とＡｕ層とは、重なり代によって電気的
に接続される。このため、Ａｇ層とＡｕ層との間の電気
抵抗は、従来に比較して小さくすることができる。
に接続される。このため、Ａｇ層とＡｕ層との間の電気
抵抗は、従来に比較して小さくすることができる。
［実施例］
次に、本発明の配線基板を、図に示す一実施例に基づき
説明する。
説明する。
（実施例の構成）
第１図は集積回路用パッケージの要部断面図を示す。
集積回路用パッケージ１は、絶縁性の基板２と、この基
板２の表面に形成された配線３と、配ｌ！３の表面にリ
ング状に形成されたオーバーコートガラス４とを備える
。
板２の表面に形成された配線３と、配ｌ！３の表面にリ
ング状に形成されたオーバーコートガラス４とを備える
。
基板２は、アルミナ、ガラス、窒化アルミニウムなどの
セラミックス材料よりなり、中央部分に集積回路５が搭
載される凹部６を備える。
セラミックス材料よりなり、中央部分に集積回路５が搭
載される凹部６を備える。
配線３は、基板２の凹部６の周囲の表面に多数形成され
、凹部６の内部に搭載される集積回路５と基板２の周囲
に接続されるリード端子７とを電気的に接続するもので
ある。なお、集積回路５と配線３との接続は、Ａｐ製の
ボンディングワイヤ８によってなされる。また、配線３
とリード端子７との接続は、ろう付けまたは熱圧着によ
ってなされる。
、凹部６の内部に搭載される集積回路５と基板２の周囲
に接続されるリード端子７とを電気的に接続するもので
ある。なお、集積回路５と配線３との接続は、Ａｐ製の
ボンディングワイヤ８によってなされる。また、配線３
とリード端子７との接続は、ろう付けまたは熱圧着によ
ってなされる。
オーバーコートガラス４は、集積回路５を搭載した後に
装着される封止キャップ〈図示しない〉の土台で、凹部
６の周囲の全周に亘って形成されている。
装着される封止キャップ〈図示しない〉の土台で、凹部
６の周囲の全周に亘って形成されている。
次に、配線３を詳しく説明する。
配線３は、ボンディングワイヤ８と接続される厚さが例
えば３μｍはどのＡ９層９と、リード端子７と接続され
る厚さが例えば２〜４μｍはどのＡｕ層１０とからなる
。なお１，１層９は、１１製のボンディングワイヤ８と
の接＠強度に優れ、かつ接続部分における接続抵抗も小
さいため、ＡｆＪ製のボンディングワイヤ８との接続に
大変適している。また、Ａｕ層１０は、酸化などによる
劣化が小さく、かつ電気導電性に大変優れるため、微小
な電流を扱う集積回路用パッケージ１に大変適している
。
えば３μｍはどのＡ９層９と、リード端子７と接続され
る厚さが例えば２〜４μｍはどのＡｕ層１０とからなる
。なお１，１層９は、１１製のボンディングワイヤ８と
の接＠強度に優れ、かつ接続部分における接続抵抗も小
さいため、ＡｆＪ製のボンディングワイヤ８との接続に
大変適している。また、Ａｕ層１０は、酸化などによる
劣化が小さく、かつ電気導電性に大変優れるため、微小
な電流を扱う集積回路用パッケージ１に大変適している
。
なお、Ａｊ層９は、スパッタリングによって基板２の表
面に形成されたものである。また、Ａｕ層１０は、下達
する下地材１１の表面に、メツキ技術によって形成され
たものである。
面に形成されたものである。また、Ａｕ層１０は、下達
する下地材１１の表面に、メツキ技術によって形成され
たものである。
Ａｌ１層９とＡｕ層１０との電気的な接続は、Ａｌ層９
の表面に、Ａｕ層１０を一部重ね合わせることによって
行っている。このＡｇ層９とＡｕ層１０との間には、厚
さが５０００Ａ以上の導電性の金属バリヤ層１２が形成
されている。本実施例の金属バリヤ層１２は、Ａｕ層１
０を基板２の表面に形成する目的で基板２の表面に形成
される下地材１１を用いている。この下地材１１は、基
板２やＡｊ層９に直接スパッタリングによって形成され
た厚さ３０００Ａ以上のＴｉ層と、このＴｉ層の表面に
直接スパッタリングによって形成された厚さ２０００Ａ
以上のＰｄ層とからなる。
の表面に、Ａｕ層１０を一部重ね合わせることによって
行っている。このＡｇ層９とＡｕ層１０との間には、厚
さが５０００Ａ以上の導電性の金属バリヤ層１２が形成
されている。本実施例の金属バリヤ層１２は、Ａｕ層１
０を基板２の表面に形成する目的で基板２の表面に形成
される下地材１１を用いている。この下地材１１は、基
板２やＡｊ層９に直接スパッタリングによって形成され
た厚さ３０００Ａ以上のＴｉ層と、このＴｉ層の表面に
直接スパッタリングによって形成された厚さ２０００Ａ
以上のＰｄ層とからなる。
（実験および実験結果〉
次に、金属バリヤ層１２を５０００Å以」−とした理由
を、実験例に基づいて説明する。
を、実験例に基づいて説明する。
試験に用いた資料は、バリヤ層１２が、３０００Ａ、４
０００Ａ、５０００Ａのもので、４００℃の雰囲気中に
５分間保持する熱処理を、複数回行い、Ａｇ層９とＡｕ
層１０とからなる配線抵抗値の変化を調べ、その試験結
果を第２図のグラフに示す、なお、第２図中、破線Ａは
バリヤ層１２が３００ＯＡの実験結果、−点鎖線Ｂはバ
リヤ層１２が４０００Ａの実験結果、実！ＩＣはバリヤ
層１２が５０００Ａの実験結果を示す。
０００Ａ、５０００Ａのもので、４００℃の雰囲気中に
５分間保持する熱処理を、複数回行い、Ａｇ層９とＡｕ
層１０とからなる配線抵抗値の変化を調べ、その試験結
果を第２図のグラフに示す、なお、第２図中、破線Ａは
バリヤ層１２が３００ＯＡの実験結果、−点鎖線Ｂはバ
リヤ層１２が４０００Ａの実験結果、実！ＩＣはバリヤ
層１２が５０００Ａの実験結果を示す。
第２図のグラフに示されるように、バリヤ層１２が、３
０００Ａ、４０００Ａのものは、熱処理回数が増加する
に従い、１層９とＡｕ層１０とからなる配線抵抗値が上
昇した。しかるに、バリヤ層１２が、５０００Ａのもの
は、熱処理回数が増加しても、Ａｌ層９とＡｕ層１０と
からなる配線抵抗値は、はとんど上昇しなかった。
０００Ａ、４０００Ａのものは、熱処理回数が増加する
に従い、１層９とＡｕ層１０とからなる配線抵抗値が上
昇した。しかるに、バリヤ層１２が、５０００Ａのもの
は、熱処理回数が増加しても、Ａｌ層９とＡｕ層１０と
からなる配線抵抗値は、はとんど上昇しなかった。
なお、バリヤ層１２が３０００Ａのものは熱処理回数が
２回目で、４０００Ａのものは熱処理回数が３回目でパ
ープルブレイブが確認されたが、バリヤ層１２が５００
０Ａのものは、パープルブレイブが確認されなかった。
２回目で、４０００Ａのものは熱処理回数が３回目でパ
ープルブレイブが確認されたが、バリヤ層１２が５００
０Ａのものは、パープルブレイブが確認されなかった。
〈実施例の効果）
上記に示したように、Ａｊｉ層９とＡｕ層１ｏとを重ね
合わせて形成しても、重ね合わされた部分にパープルプ
レイブが形成されない。
合わせて形成しても、重ね合わされた部分にパープルプ
レイブが形成されない。
このため、従来技術に比較して、Ａｇ層つとＡＵ層１０
とからなる配線の抵抗値を小さくすることができる。
とからなる配線の抵抗値を小さくすることができる。
（変形例）
本実施例では、Ａｌ層の表面に、Ａｕ層を重ね合わせた
が、逆にＡｕ層の表面に、Ａｇ層を重ね合わせても良い
。
が、逆にＡｕ層の表面に、Ａｇ層を重ね合わせても良い
。
金属バリヤ層に、Ａｕ層を形成する下地材を用いたが、
下地材とは別に金属バリヤ層を設けても良い。
下地材とは別に金属バリヤ層を設けても良い。
金属バリヤ層の一例として、下層にＴｉ、上層にＰｄを
用いたが、下層のＴｉに代えてＣｒ、Ｚｒ、Ｔａなど他
の金属を用いても良く、上層のＰｄに代えてＭＯｌＷ、
Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉなど他の金属を用いても良い。
用いたが、下層のＴｉに代えてＣｒ、Ｚｒ、Ｔａなど他
の金属を用いても良く、上層のＰｄに代えてＭＯｌＷ、
Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉなど他の金属を用いても良い。
本発明を集積回路用パッケージに適用した例を示したが
、集積回路用パッケージを搭載するマザーボードや、ト
ランジスタや抵抗体などの電気部品を搭載するプリント
基板に本発明を適用しても良い。
、集積回路用パッケージを搭載するマザーボードや、ト
ランジスタや抵抗体などの電気部品を搭載するプリント
基板に本発明を適用しても良い。
第１図および第２図は本発明の実施例を示すもので、第
１図は集積回路用パッケージの要部断面図、第２図は実
験結果のグラフである。 第３図は従来の集積回路用パッケージの要部断面図であ
る。 図中 １・・・集積回路用パッケージ ２・・・基板 ３ ・配線 ９・・・Ａｌ１層 １ｏ・・・Ａｕ層１２・・・金属
バリヤ層
１図は集積回路用パッケージの要部断面図、第２図は実
験結果のグラフである。 第３図は従来の集積回路用パッケージの要部断面図であ
る。 図中 １・・・集積回路用パッケージ ２・・・基板 ３ ・配線 ９・・・Ａｌ１層 １ｏ・・・Ａｕ層１２・・・金属
バリヤ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）（ａ）絶縁性材料よりなる基板と、 （ｂ）（ｂ−１）前記基板に形成されたＡｌ層、および
前記基板に形成されたＡｕ層を備え、 （ｂ−２）前記Ａｌ層の一部と前記Ａｕ層の一部とが少
なくとも重ねられ、 （ｂ−３）この重ねられた前記Ａｌ層と前記Ａｕ層との
間に、厚さが５０００Å以上の導電性の金属バリヤ層が
形成された配線と を具備する配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22047290A JPH04102358A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22047290A JPH04102358A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102358A true JPH04102358A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16751642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22047290A Pending JPH04102358A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04102358A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283624A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2008235728A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP22047290A patent/JPH04102358A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283624A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2008235728A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置 |
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