JP2007201037A - 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wを加熱するための加熱プレート121と、加熱プレート121の上方の空間を囲繞するカバー123と、カバー123内を排気して加熱プレート121の上方の空間に排気流を形成する排気流形成機構135,149と、加熱プレート121上の基板Wの上面に対して一様に供給されるダウンフローを形成するダウンフロー形成機構144,153と、ダウンフロー形成機構144,153によりダウンフローを形成しながら基板Wを加熱するモードと、排気流形成機構135,149により排気流を形成しながら基板Wを加熱するモードとを切り替えるように制御する制御機構155とを具備する。
【選択図】図7
Description
図1は本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットを搭載したレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図2はその正面図、図3はその背面図である。
第1モード
パージガス供給量:5L/min
外周排気量 :5L/min
第2モード
センター排気量 :20L/min
(パージガス供給量:4L/min(必要に応じて))
第1モードから第2モードへの切替のタイミング(トータル60sec):
40sec
図13は他の実施形態に係る加熱処理ユニットの加熱部を拡大して示す断面図、図14はその概略水平断面図である。本実施形態では、加熱部の上記第2モードの気流形成方式が上記実施形態と異なっている他は従前の実施形態と基本的な構造は同様であり、同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
121;加熱プレート
122;支持部材
123;カバー
126;電気ヒーター
133a;ガス吐出孔
135;排気管
138;ガス排気口
142;パージガス導入口
143;パージガス配管
144;パージガス供給機構
146,150,154;バルブ
148;排気配管
149;中央排気機構
152;排気配管
153;外周排気機構
155;コントローラ
160;冷却部
161;冷却プレート
CHP;加熱処理ユニット
W;半導体ウエハ
Claims (29)
- 基板に対して加熱処理を行う加熱処理装置であって、
基板を加熱するための加熱プレートと、
前記加熱プレートの上方の空間を囲繞するカバーと、
前記加熱プレートの上方の空間に、主に均一な加熱処理を実現するための気流を形成する第1の気流形成機構と、
前記加熱プレートの上方の空間に、主に基板から発生したガスおよび/または昇華物を排出除去する気流を形成する第2の気流形成機構と
を具備し、
前記第1の気流形成機構と前記第2の気流形成機構とを選択的に切替可能であることを特徴とする加熱処理装置。 - 基板に対して加熱処理を行う加熱処理装置であって、
基板を加熱するための加熱プレートと、
前記加熱プレートの上方の空間を囲繞するカバーと、
前記加熱プレートの上方の空間に、主に均一な加熱処理を実現するための気流を形成する第1の気流形成機構と、
前記加熱プレートの上方の空間に、主に基板から発生したガスおよび/または昇華物を排出除去する気流を形成する第2の気流形成機構と、
前記第1の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱するモードと、前記第2の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱するモードとを切り替えるように制御する制御機構と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 前記制御機構は、加熱処理の途中で前記2つのモードの一方から他方へ切り替えることを特徴とする請求項2に記載の加熱処理装置。
- 前記制御機構は、最初に前記第1の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱するモードを実行させ、次いで前記第2の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱するモードに切り替えることを特徴とする請求項3に記載の加熱処理装置。
- 前記第1の気流形成機構は、前記加熱プレート上の基板の上面に対して一様に供給されるダウンフローを形成することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
- 前記第2の気流形成機構は、前記加熱プレートの上方の空間を排気して基板に沿った気流を形成することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
- 前記第2の気流形成機構は、前記加熱プレートの上方の空間に、基板周辺から中央に向かう気流を形成することを特徴とする請求項6に記載の加熱処理装置。
- 前記第2の気流形成機構は、前記加熱プレートの上方の空間に、基板の一方側から他方側へ向かう一方向の気流を形成することを特徴とする請求項6に記載の加熱処理装置。
- 基板に対して加熱処理を行う加熱処理装置であって、
基板を加熱するための加熱プレートと、
前記加熱プレートの上方の空間を囲繞するカバーと、
前記カバー内を排気して前記加熱プレートの上方の空間に排気流を形成する排気流形成機構と、
前記加熱プレート上の基板の上面に対して一様に供給されるダウンフローを形成するダウンフロー形成機構と
を具備し、
前記ダウンフロー形成機構によりダウンフローを形成しながら基板を加熱するモードと、前記排気流形成機構により排気流を形成しながら基板を加熱するモードとを切替可能であることを特徴とする加熱処理装置。 - 基板に対して加熱処理を行う加熱処理装置であって、
基板を加熱するための加熱プレートと、
前記加熱プレートの上方の空間を囲繞するカバーと、
前記カバー内を排気して前記加熱プレートの上方の空間に排気流を形成する排気流形成機構と、
前記加熱プレート上の基板の上面に対して一様に供給されるダウンフローを形成するダウンフロー形成機構と、
前記ダウンフロー形成機構によりダウンフローを形成しながら基板を加熱するモードと、前記排気流形成機構により排気流を形成しながら基板を加熱するモードとを切り替えるように制御する制御機構と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 前記制御機構は、加熱処理の途中で前記2つのモードの一方から他方へ切り替えることを特徴とする請求項10に記載の加熱処理装置。
- 前記制御機構は、最初に前記ダウンフロー形成機構によりダウンフローを形成しながら基板を加熱するモードを実行させ、次いで前記排気機構により排気しながら基板を加熱するモードに切り替えることを特徴とする請求項11に記載の加熱処理装置。
- 前記ダウンフロー形成機構は、前記カバーの天壁からシャワー状に基板の上面にガスを供給するガス供給機構と、基板の外周方向へ排気する外周排気機構とを有することを特徴とする請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
- 前記排気流形成機構は、前記カバーの天壁の中央に設けられた排気部と、基板の外周側から前記加熱プレート上方の空間に気体を導入する気体導入部とを有し、前記気体導入部から気体を導入し前記排気部から排気することにより、前記加熱プレートの上方の空間に、基板周辺から中央に向かう排気流を形成することを特徴とする請求項9から請求項13のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
- 前記排気流形成機構は、前記加熱プレートの上方の空間の一方側に設けられた気体導入部と、前記空間の他方側に設けられた排気部とを有し、前記気体導入部から気体を導入し前記排気部から排気することにより、前記加熱プレートの上方の空間に、基板の一方側から他方側へ向かう一方向の排気流を形成することを特徴とする請求項9から請求項13のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
- 基板を加熱するための加熱プレートと、前記加熱プレートの上方の空間を囲繞するカバーと、前記加熱プレートの上方の空間に、主に均一な加熱処理を実現するための気流を形成する第1の気流形成機構と、前記加熱プレートの上方の空間に、主に基板から発生したガスおよび/または昇華物を排出除去する気流を形成する第2の気流形成機構とを具備する加熱処理装置を用いて加熱処理を行う加熱処理方法であって、
前記第1の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程と、
前記第2の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程とを有することを特徴とする加熱処理方法。 - 最初に前記第1の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程を実施し、次いで前記第2の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程を実施することを特徴とする請求項16に記載の加熱処理方法。
- 前記第1の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程では、前記加熱プレート上の基板の上面に対して一様に供給されるダウンフローを形成することを特徴とする請求項16または請求項17に記載の加熱処理方法。
- 前記第2の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程では、前記加熱プレートの上方の空間を排気して基板に沿った気流を形成することを特徴とする請求項16から請求項18に記載の加熱処理方法。
- 前記第2の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程では、前記加熱プレートの上方の空間に、基板周辺から中央に向かう気流を形成することを特徴とする請求項19に記載の加熱処理方法。
- 前記第2の気流形成機構による気流を形成しながら基板を加熱する工程では、前記加熱プレートの上方の空間に、基板の一方側から他方側へ向かう一方向の気流を形成することを特徴とする請求項19に記載の加熱処理方法。
- 基板を加熱するための加熱プレートと、前記加熱プレートの上方の空間を囲繞するカバーと、前記カバー内の雰囲気をカバーの上部または側部から排気して前記加熱プレートの上方の空間に排気流を形成する排気流形成機構と、前記加熱プレート上の基板の上面に対して一様に供給されるダウンフローを形成するダウンフロー形成機構とを具備する加熱処理装置を用いて加熱処理を行う加熱処理方法であって、
前記ダウンフロー形成機構によりダウンフローを形成しながら基板を加熱する工程と、
前記排気流形成機構により前記加熱プレートの上方の空間に排気流を形成しながら基板を加熱する工程と
を有することを特徴とする加熱処理方法。 - 最初に前記ダウンフロー形成機構によりダウンフローを形成しながら基板を加熱する工程を実施し、次いで前記排気流形成機構により前記加熱プレートの上方の空間に排気流を形成しながら基板を加熱する工程を実施することを特徴とする請求項22に記載の加熱処理方法。
- 最初に前記ダウンフロー形成機構によりダウンフローを形成しながら基板を加熱する工程では、前記カバーの天壁からシャワー状に基板の上面にガスを供給しつつ、基板の外周方向へ排気することにより前記ダウンフローを形成することを特徴とする請求項22または請求項23に記載の加熱処理方法。
- 前記排気流形成機構により前記加熱プレートの上方の空間に排気流を形成しながら基板を加熱する工程では、前記加熱プレートの上方の空間に、基板周辺から中央に向かう排気流を形成することを特徴とする請求項22から請求項24のいずれか1項に記載の加熱処理方法。
- 前記排気流形成機構により前記加熱プレートの上方の空間に排気流を形成しながら基板を加熱する工程では、前記加熱プレートの上方の空間に、基板の一方側から他方側へ向かう一方向の排気流を形成する請求項22から請求項24のいずれか1項に記載の加熱処理方法。
- 基板は、その表面に塗布膜が形成されており、加熱処理は前記塗布膜のベーク処理であることを特徴とする請求項16から請求項26のいずれか1項に記載の加熱処理方法。
- コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項16から請求項27のいずれか1項に記載の方法が行なわれるように、コンピュータに加熱処理装置を制御させることを特徴とする制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項16から請求項27のいずれか1項に記載の方法が行われるように、コンピュータに加熱処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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