JP2018029125A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光装置の状態に応じて基板の処理効率の低下を抑制しつつ適切な状態の基板を露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】露光処理前の基板Ｗが載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬入され、冷却される。冷却された基板Ｗが載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから搬送装置１４３により保持され、搬出される。露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能な場合、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから搬出された基板Ｗが搬送装置１４３により露光装置１５に搬送される。露光装置１５が基板Ｗを受け入れ不可能な場合、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから搬出された基板Ｗが搬送装置１４３により冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦに搬入される。冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦにおいて、基板Ｗの温度が維持される。露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送装置１４３により冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦから基板Ｗが搬出され、露光装置１５に搬送される。【選択図】図６

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。塗布膜が露光された後、現像されることにより、塗布膜に所定のパターンが形成される。特許文献１には、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置が記載されている。

特許文献１に記載の基板処理装置は、基板への塗布膜の形成および現像が行われる処理ブロックと、露光に適した温度に基板が冷却されるインターフェイスブロックとを含む。また、インターフェイスブロックには、塗布膜が形成された基板を露光のために処理ブロックから露光装置に搬送するとともに、露光された基板を現像のために露光装置から処理ブロックに搬送する搬送装置が設けられる。

特開２０１０−２１９４３４号公報

基板の処理効率を向上させるために、露光装置による処理に要する時間が予測され、予測された時間に基づいて基板処理装置の搬送装置が先行動作を行うように制御されることがある。このような先行動作においては、搬送装置は、露光装置に搬入された基板の処理が開始されると、直ちに次の基板を露光装置に搬入する。

しかしながら、露光装置の稼働が一時的に停止することがある。また、露光装置で基板が停滞することもある。この場合、基板処理装置から露光装置への基板の搬入を待つ必要がある。それにより、基板処理装置での基板の処理効率が低下する。また、基板の温度が露光処理のために最適化されているにもかかわらず、露光装置に搬入されるまでに基板の温度が変化し、基板を適切に処理することができなくなる。

本発明の目的は、露光装置の状態に応じて基板の処理効率の低下を抑制しつつ適切な状態の基板を露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板上に感光性材料を塗布して感光性膜を形成する塗布装置を含む処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、基板の搬送を制御する基板搬送制御部とを備え、受け渡し部は、基板を保持して搬送する第１および第２の搬送装置と、基板が載置可能に構成され、載置された基板を冷却するための載置冷却部と、基板が載置可能に構成され、載置された基板の温度を維持するための温度維持部とを含み、基板搬送制御部は、処理部からの基板を載置冷却部に搬入するように第１の搬送装置を制御し、載置冷却部に載置された基板を搬出するように第２の搬送装置を制御し、露光装置が基板を受け入れ可能である場合に、載置冷却部から搬出した基板を露光装置に搬送するように第２の搬送装置を制御し、露光装置が基板を受け入れ不可能である場合に、載置冷却部から搬出した基板を温度維持部に搬入するように第２の搬送装置を制御し、露光装置が基板を受け入れ可能と判定された後、温度維持部から基板を搬出して露光装置に搬送するように第２の搬送装置を制御する。

この基板処理装置においては、処理部の塗布装置により基板上に感光性材料が塗布され、感光性膜が形成される。受け渡し部において処理部からの基板が第１の搬送装置により保持され、載置冷却部に搬入される。第１の搬送装置により搬入された基板が載置冷却部により冷却される。冷却された基板が載置冷却部から第２の搬送装置により保持され、搬出される。露光装置が基板を受け入れ可能である場合に、載置冷却部から搬出された基板が第２の搬送装置により露光装置に搬送される。露光装置が基板を受け入れ不可能である場合に、載置冷却部から搬出された基板が第２の搬送装置により温度維持部に搬入される。第２の搬送装置により搬入された基板の温度が温度維持部により維持される。露光装置が基板を受け入れ可能になった後、第２の搬送装置により温度維持部から基板が搬出され、露光装置に搬送される。

この構成によれば、露光装置の稼働が一時的に停止した場合または露光装置で基板が停滞した場合でも、露光装置が基板を受け入れ可能になるまで基板が温度維持部に載置される。そのため、第２の搬送装置は、露光装置に搬送すべき基板を保持し続ける必要がない。これにより、第２の搬送装置は、受け渡し部における他の基板の搬送を継続することができる。また、温度維持部に載置された基板の温度が維持されるので、露光装置が基板を受け入れ可能になった後、所定の温度の基板を直ちに露光装置に搬送することができる。これらの結果、露光装置の状態に応じて基板の処理効率の低下を抑制しつつ適切な状態の基板を露光装置に搬入することが可能となる。

（２）基板搬送制御部は、処理部からの基板を載置冷却部に搬送するように第１の搬送装置を制御する第１の搬送制御部と、載置冷却部に載置された基板を搬出するように第２の搬送装置を制御する第２の搬送制御部と、露光装置が基板を受け入れ可能であるか否かを判定する判定部と、露光装置が基板を受け入れ可能と判定された場合に、載置冷却部から搬出した基板を露光装置に搬送するように第２の搬送装置を制御する第３の搬送制御部と、露光装置が基板を受け入れ不可能と判定された場合に、載置冷却部から搬出した基板を温度維持部に搬入し、露光装置が基板を受け入れ可能と判定された後、温度維持部から基板を搬出して露光装置に搬送するように第２の搬送装置を制御する第４の搬送制御部とを含んでもよい。この場合、第２の搬送制御部の制御を容易に行うことができる。

（３）受け渡し部は、載置冷却部を複数含み、基板搬送制御部は、複数の載置冷却部のうち一部の載置冷却部が温度維持部として機能するように第１および第２の搬送装置を制御してもよい。この場合、載置冷却部と同一の構成により温度維持部を実現することができる。これにより、温度維持部の製造コストを低減することができる。

（４）基板搬送制御部は、複数の載置冷却部のうち温度維持部として機能する一部の載置冷却部が順次変更されるように第１および第２の搬送装置を制御してもよい。この場合、一部の載置冷却部のみが著しく経年劣化することを防止することができる。

（５）受け渡し部は、基板を一時的に蓄積するためのバッファ部をさらに含み、基板搬送制御部は、載置冷却部が基板を受け入れ不可能である場合に、処理部により処理された基板をバッファ部に搬送し、載置冷却部が基板を受け入れ可能になった後、バッファ部に蓄積された基板を載置冷却部に搬送するように第１の搬送装置をさらに制御してもよい。

この場合、第１の搬送装置は、載置冷却部に搬送すべき基板を保持し続ける必要がない。これにより、第１の搬送装置は、受け渡し部における他の基板の搬送を継続することができる。また、載置冷却部が基板を受け入れ可能になった後、バッファ部に載置された基板を直ちに載置冷却部に搬送することができる。その結果、処理効率の低下をより抑制することができる。

（６）受け渡し部は、基板が載置可能な戻り載置部をさらに含み、基板搬送制御部は、戻り載置部に載置された露光後の基板を搬出して搬送するように第１の搬送装置をさらに制御し、露光後の基板を露光装置から搬出して戻り載置部に搬送するように第２の搬送装置をさらに制御してもよい。この場合、露光後の基板を戻り載置部から搬出して容易に取り出すことができる。

（７）第１の搬送装置は、基板を保持する第１および第２の保持部を有し、基板搬送制御部は、戻り載置部からの基板の搬出と、載置冷却部への基板の搬入とを連続的または並列的に行うように第１の搬送装置の第１および第２の保持部を制御してもよい。

この場合、戻り載置部からの基板の搬出と、載置冷却部への基板の搬入とが連続的または並列的に行われるので、第１の搬送装置の搬送効率が向上する。これにより、基板の処理効率を向上させることができる。

（８）第２の搬送装置は、基板を保持する第３および第４の保持部を有し、基板搬送制御部は、露光装置からの基板の搬出と、露光装置への基板の搬入とを連続的または並列的に行うように第２の搬送装置の第３および第４の保持部を制御してもよい。

この場合、露光装置からの基板の搬出と、露光装置への基板の搬入とが連続的または並列的に行われるので、第２の搬送装置の搬送効率が向上する。これにより、基板の処理効率を向上させることができる。

（９）第２の搬送装置は、基板を保持する第５および第６の保持部を有し、基板搬送制御部は、載置冷却部からの基板の搬出と、戻り載置部への基板の搬入とを連続的または並列的に行うように第２の搬送装置の第５および第６の保持部をさらに制御してもよい。

この場合、載置冷却部からの基板の搬出と、戻り載置部への基板の搬入とが連続的または並列的に行われるので、第２の搬送装置の搬送効率が向上する。これにより、基板の処理効率を向上させることができる。

（１０）第２の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、処理部の塗布装置により基板上に感光性材料を塗布して感光性膜を形成するステップと、受け渡し部において処理部からの基板を第１の搬送装置により保持して載置冷却部に搬入するステップと、第１の搬送装置により搬入された基板を載置冷却部により冷却するステップと、冷却された基板を載置冷却部から第２の搬送装置により保持して搬出するステップと、露光装置が基板を受け入れ可能である場合に、載置冷却部から搬出した基板を第２の搬送装置により露光装置に搬送するステップと、露光装置が基板を受け入れ不可能である場合に、載置冷却部から搬出した基板を第２の搬送装置により温度維持部に搬入するステップと、第２の搬送装置により搬入された基板の温度を温度維持部により維持するステップと、露光装置が基板を受け入れ可能になった後、第２の搬送装置により温度維持部から基板を搬出して露光装置に搬送するステップとを含む。

この基板処理方法によれば、処理部の塗布装置により基板上に感光性材料が塗布され、感光性膜が形成される。受け渡し部において処理部からの基板が第１の搬送装置により保持され、載置冷却部に搬入される。第１の搬送装置により搬入された基板が載置冷却部により冷却される。冷却された基板が載置冷却部から第２の搬送装置により保持され、搬出される。露光装置が基板を受け入れ可能である場合に、載置冷却部から搬出された基板が第２の搬送装置により露光装置に搬送される。露光装置が基板を受け入れ不可能である場合に、載置冷却部から搬出された基板が第２の搬送装置により温度維持部に搬入される。第２の搬送装置により搬入された基板の温度が温度維持部により維持される。露光装置が基板を受け入れ可能になった後、第２の搬送装置により温度維持部から基板が搬出され、露光装置に搬送される。

この方法によれば、露光装置の稼働が一時的に停止した場合または露光装置で基板が停滞した場合でも、露光装置が基板を受け入れ可能になるまで基板が温度維持部に載置される。そのため、第２の搬送装置は、露光装置に搬送すべき基板を保持し続ける必要がない。これにより、第２の搬送装置は、受け渡し部における他の基板の搬送を継続することができる。また、温度維持部に載置された基板の温度が維持されるので、露光装置が基板を受け入れ可能になった後、所定の温度の基板を直ちに露光装置に搬送することができる。これらの結果、露光装置の状態に応じて基板の処理効率の低下を抑制しつつ適切な状態の基板を露光装置に搬入することが可能となる。

本発明によれば、露光装置の状態に応じて基板の処理効率の低下を抑制しつつ適切な状態の基板を露光装置に搬入することが可能となる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。 冷却兼バッファ部の使用例を説明するための図である。 冷却兼バッファ部の使用例を説明するための図である。 搬送装置を制御するためのローカルコントローラの構成を示すブロック図である。 搬送制御処理における図７のローカルコントローラの主制御部の動作の一部を示すフローチャートである。 他の実施の形態における冷却兼バッファ部の構成を示す図である。 他の実施の形態における冷却兼バッファ部の構成を示す図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。

インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送装置１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送装置１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図４）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１２７，１２８（図４）が設けられる。

現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図４）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１３７，１３８（図４）が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送装置１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。また、搬送部１６３と搬送部１３２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０（図４）が設けられる。

搬送装置１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦが設けられる。また、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦと積層するように、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１１および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）が設けられる。さらに、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦの上方に戻りバッファ部ＲＢＦ１および送りバッファ部ＳＢＦ１（図４）が設けられ、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦの下方に戻りバッファ部ＲＢＦ２および送りバッファ部ＳＢＦ２（図４）が設けられる。

冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦは、基板Ｗを冷却する機能を備え、基板Ｗを一時的に収容可能に構成される。基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗを載置可能に構成される載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２および送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２は、基板Ｗを一時的に収容可能に構成される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送装置１４３が設けられる。搬送装置１４３は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

（２）塗布処理部および現像処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

図２は、主として図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット（スピンコータ）１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には、現像処理ユニット（スピンデベロッパ）１３９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびその処理液ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。

塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。

現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

洗浄乾燥処理部１６１は、図１の搬送装置１４１に対応して設けられる。洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１および複数（本例では２つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が、現像ブロック１３に隣接しかつ積層するように設けられる。複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の上方に配置される。

また、洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では６つ）の露光後加熱処理ユニットＰＥＢが、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接しかつ積層するように設けられる。複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、洗浄乾燥処理部１６１の上部に配置される。

洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。露光後加熱処理ユニットＰＥＢにおいては、露光後ベーク処理が行われる。

（３）熱処理部
図３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部１０１および下方に設けられる下段熱処理部１０２を有する。上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理部１２３の最上部には、ローカルコントローラ２００が設けられる。ローカルコントローラ２００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗの加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部１０３および下方に設けられる下段熱処理部１０４を有する。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。

熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラ３００が設けられる。ローカルコントローラ３００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

洗浄乾燥処理部１６２は、図１の搬送装置１４２に対応して設けられる。洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１および複数（本例では２つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が、現像ブロック１３に隣接しかつ積層するように設けられる。複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の上方に配置される。

また、洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では６つ）の露光後加熱処理ユニットＰＥＢが、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接しかつ積層するように設けられる。複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、洗浄乾燥処理部１６１の上部に配置される。

洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。露光後加熱処理ユニットＰＥＢにおいては、露光後ベーク処理が行われる。

（４）搬送部
図４は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には、搬送装置１２７（搬送ロボット）が設けられる。下段搬送室１２６には、搬送装置１２８が設けられる。上段搬送室１３５には、搬送装置１３７が設けられる。下段搬送室１３６には、搬送装置１３８が設けられる。

搬送装置１２７，１２８，１３７，１３８は、それぞれ基板Ｗを保持して搬送するための複数のハンドＨ１，Ｈ２を有する。また、搬送装置１４１〜１４３（図１）も、搬送装置１２７，１２８，１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２と同様の複数のハンドＨ１，Ｈ２を有する。

搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられる。搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられる。下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および基板載置部ＰＡＳＳ９が設けられる。下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２および基板載置部ＰＡＳＳ１０が設けられる。

搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１、複数（本例では４つ）の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦが上方からこの順で積層するように設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ１１の上方に、戻りバッファ部ＲＢＦ１および送りバッファ部ＳＢＦ１が積層するように設けられる。冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦの下方に、戻りバッファ部ＲＢＦ２および送りバッファ部ＳＢＦ２が積層するように設けられる。

搬送装置１２７は、塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６および上段熱処理部１０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置１２８は、塗布処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８および下段熱処理部１０２（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送装置１３７は、現像処理室３１，３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および上段熱処理部１０３（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置１３８は、現像処理室３３，３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２および下段熱処理部１０４（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送装置１４１（図１）は、洗浄乾燥処理部１６１（図２）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送装置１４１は、先行する基板Ｗの処理の進行状態によっては、戻りバッファ部ＲＢＦ１および送りバッファ部ＳＢＦ１に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送装置１４２（図１）は、洗浄乾燥処理部１６２（図２）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、基板載置部ＰＡＳＳ１０，ＰＡＳＳ１１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送装置１４２は、先行する基板Ｗの処理の進行状態によっては、戻りバッファ部ＲＢＦ２および送りバッファ部ＳＢＦ２に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送装置１４３は、露光装置１５（図１）、基板載置部ＰＡＳＳ１１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送装置１４３は、先行する基板Ｗの処理の進行状態によっては、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦに対して基板Ｗの受け渡しを行う。

また、搬送部１６３の最上部には、ローカルコントローラ４００が設けられる。ローカルコントローラ４００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３の動作を制御するとともに、搬入搬出ブロック１４Ｂの動作を制御する。

（５）基板処理の工程
図１〜図４を用いて基板処理時におけるインデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。以下の基板処理においては、基板処理装置１００および露光装置１５による処理に要する時間が予測され、予測された時間に基づいて搬送装置１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３の動作が制御される。

インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送装置１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送装置１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

塗布ブロック１２において、搬送装置１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送装置１２７は、塗布処理室２２により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２１（図２）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２７は、塗布処理室２１によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

また、搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。

搬送装置１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送装置１２８は、塗布処理室２４により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２３（図２）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２８は、塗布処理室２３によりレジスト膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。

また、搬送装置１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部１０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部１０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。

現像ブロック１３において、搬送装置１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

また、搬送装置１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）から露光後ベーク処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１，３２の一方（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２の一方において、基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

搬送装置１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。

また、搬送装置１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１０（図３）から露光後ベーク処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４の一方（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部１０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部１０３（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送装置１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

また、搬送装置１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図２）、露光後加熱処理ユニットＰＥＢ（図２）および基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。その後、露光後加熱処理ユニットＰＥＢにおいて、露光後ベーク処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。

搬送装置１４２（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図３）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に搬送する。また、搬送装置１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）、露光後加熱処理ユニットＰＥＢ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ１０に搬送する。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送装置１４３（図４）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された冷却後の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬入する。また、搬送装置１４３は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１（図４）に搬送する。

（６）冷却兼バッファ部
上記のように、搬送装置１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３（以下、単に搬送装置と呼ぶ。）は、基板処理装置１００および露光装置１５による処理に要する時間に基づいて制御される。これにより、各搬送装置は、処理後の基板Ｗを所定の載置位置から取り出す動作と、処理前の基板Ｗを当該載置位置または他の載置位置に載置する動作とを連続的または並列的に行うことができる。ここで、２つの動作を「並列的に行う」とは、当該２つの動作が行われる期間の少なくとも一部が重複していることを意味する。

しかしながら、露光装置１５の稼働が一時的に停止した場合には、搬送装置は、上記の動作を行うことができなくなる。露光装置１５で基板Ｗが停滞した場合も同様である。そこで、露光装置１５が停止した場合または露光装置１５で基板Ｗが停滞した場合には、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦが用いられる。図５および図６は、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦの使用例を説明するための図である。図５および図６においては、図４の戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２および送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２の図示が省略される。

図５（ａ）において、搬送装置１４１は、露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１から搬出するとともに、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬入する。また、搬送装置１４３は、露光処理後の基板Ｗを基板搬出部１５ｂから搬出するとともに、冷却された基板Ｗを基板搬入部１５ａに搬入する。次に、図５（ｂ）において、搬送装置１４３は、冷却された基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから搬出するとともに、露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬入する。

その後、図５（ｃ）において、予測された処理時間に基づいて処理が進行している場合には、露光処理後の基板Ｗを基板搬出部１５ｂから搬出するとともに、冷却された基板Ｗを基板搬入部１５ａに搬入することとなる。ここで、露光装置１５の稼働が一時的に停止し、または基板搬入部１５ａで基板Ｗが停滞している場合を考える。この場合、基板搬入部１５ａが基板Ｗを受け入れ不可能であるため、搬送装置１４３は、露光処理後の基板Ｗを基板搬出部１５ｂから搬出することができるが、図５（ｃ）に「×」で示すように、冷却された基板Ｗを基板搬入部１５ａに搬入することができない。そのため、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂでの基板Ｗの処理効率が低下する。

そこで、図６（ａ）において、搬送装置１４３は、冷却された基板Ｗを冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦに搬入するとともに、露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬入する。冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦにおいては、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰと同様に、露光装置１５における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

その後、図６（ｂ）において、露光装置１５の稼働が再開し、または露光装置１５内での基板Ｗの停滞が解消されることにより、基板搬入部１５ａの基板Ｗが露光装置１５内に取り込まれる。それにより、基板搬入部１５ａが基板Ｗを受け入れ可能になる。このとき、搬送装置１４３は、冷却された基板Ｗを冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦから搬出する。続いて、図６（ｃ）において、搬送装置１４３は、冷却された基板Ｗを基板搬入部１５ａに搬入する。また、基板搬出部１５ｂに露光処理後の基板Ｗが載置されている場合には、搬送装置１４３は、基板搬出部１５ｂから基板Ｗを搬出する。

上記の構成においては、基板搬入部１５ａが基板Ｗを受け入れ不可能である場合でも、搬送装置１４３は、基板搬入部１５ａが基板Ｗを受け入れ可能になるまで露光処理に適した温度に冷却された基板Ｗを保持して待機する必要がない。また、基板搬入部１５ａが基板Ｗを受け入れ可能になると、搬送装置１４３は、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦにより露光処理に適した温度に冷却された基板Ｗを直ちに基板搬入部１５ａに搬入することができる。これにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂでの基板Ｗの処理効率の低下を最小にすることができる。

基板処理装置１００で基板Ｗが停滞した場合には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２または送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２が用いられる。具体的には、図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が基板Ｗを受け入れ不可能である場合には、搬送装置１４１により基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に一時的に収容される。この場合、図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送装置１４１により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１から洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に基板Ｗが搬送される。

図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が基板Ｗを受け入れ不可能である場合には、搬送装置１４２により基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に一時的に収容される。この場合、図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送装置１４２により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２から洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に基板Ｗが搬送される。

基板載置部ＰＡＳＳ９が基板Ｗを受け入れ不可能である場合には、搬送装置１４１により基板Ｗが戻りバッファ部ＲＢＦ１（図４）に搬送され、一時的に載置される。この場合、基板載置部ＰＡＳＳ９が基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送装置１４１により露光後加熱処理ユニットＰＥＢから基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗが搬送される。

基板載置部ＰＡＳＳ１０が基板Ｗを受け入れ不可能である場合には、搬送装置１４２により基板Ｗが戻りバッファ部ＲＢＦ２（図４）に搬送され、一時的に載置される。この場合、基板載置部ＰＡＳＳ１０が基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送装置１４２により露光後加熱処理ユニットＰＥＢから基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが搬送される。

さらに、全部の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１からの基板Ｗを受け入れ不可能である場合には、搬送装置１４１により基板Ｗが送りバッファ部ＳＢＦ１（図４）に搬送され、一時的に載置される。この場合、いずれかの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送装置１４１により送りバッファ部ＳＢＦ１からその載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが搬送される。

全部の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１からの基板Ｗを受け入れ不可能である場合には、搬送装置１４２により基板Ｗが送りバッファ部ＳＢＦ２（図４）に搬送され、一時的に載置される。この場合、いずれかの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送装置１４２により送りバッファ部ＳＢＦ２からその載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが搬送される。

図６（ｃ）の例においては、全部の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは基板Ｗを受け入れ不可能である。このような場合において、搬送装置１４１が洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを保持しているときには、搬送装置１４１はその基板Ｗを図４の送りバッファ部ＳＢＦ１に搬送することとなる。同様に、図１の搬送装置１４２が洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを保持しているときには、搬送装置１４２はその基板Ｗを図４の送りバッファ部ＳＢＦ２に搬送することとなる。

（７）搬送装置の制御系
図７は、搬送装置１４１〜１４３を制御するためのローカルコントローラ４００の構成を示すブロック図である。図７に示すように、ローカルコントローラ４００は、主制御部４０１、記憶部４０２、搬送制御部４１０，４２０，４３０，４４０および判定部４５０を含む。

主制御部４０１は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）を含む。記憶部４０２は、例えば不揮発性メモリまたはハードディスクを含み、搬送装置１４１〜１４３を制御するための搬送制御プログラムを記憶する。主制御部４０１が記憶部４０２に記憶された搬送制御プログラムを実行することにより、搬送制御部４１０，４２０，４３０，４４０および判定部４５０の機能が実現される。

判定部４５０は、送り判定部４５１、戻り判定部４５２および露光判定部４５３を含む。送り判定部４５１は、図４の各載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ可能であるか否かを判定し、判定結果を搬送制御部４１０に与える。戻り判定部４５２は、図４の基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が基板Ｗを受け入れ可能であるか否かを判定し、判定結果を搬送制御部４１０に与える。露光判定部４５３は、図１の露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能であるか否かを判定し、判定結果を搬送制御部４３０，４４０に与える。

例えば、各載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および基板搬入部１５ａには、基板Ｗの有無を検出する光電センサが設けられる。送り判定部４５１、戻り判定部４５２および露光判定部４５３は、各載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および基板搬入部１５ａの光電センサの出力信号に基づいて基板Ｗが受け入れ可能であるか否かを判定する。

搬送制御部４１０は、搬送装置１４１，１４２の動作を制御するように構成される。搬送制御部４１０は、送り制御部４１１および戻り制御部４１２を含む。以下、搬送装置１４１についての制御を説明するが、搬送装置１４２についての制御も搬送装置１４１についての制御と同様である。

送り制御部４１１は、図４の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置された基板Ｗを図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬送するように搬送装置１４１を制御する。また、送り制御部４１１は、送り判定部４５１によりいずれかの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ可能であると判定された場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１からの基板Ｗを当該載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送するように搬送装置１４１を制御する。

一方で、送り制御部４１１は、送り判定部４５１により全部の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ不可能であると判定された場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１からの基板Ｗを図４の送りバッファ部ＳＢＦ１に搬送するように搬送装置１４１を制御する。送り制御部４１１は、いずれかの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ可能になった後、送りバッファ部ＳＢＦ１からの基板Ｗを当該載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送するように搬送装置１４１を制御する。

戻り制御部４１２は、図４の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗを図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬送した後、図２の露光後加熱処理ユニットＰＥＢに搬送するように搬送装置１４１を制御する。戻り制御部４１２は、戻り判定部４５２により図４の基板載置部ＰＡＳＳ９が基板Ｗを受け入れ可能であると判定された場合、露光後加熱処理ユニットＰＥＢからの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送するように搬送装置１４１を制御する。

一方で、戻り制御部４１２は、戻り判定部４５２により基板載置部ＰＡＳＳ９が基板Ｗを受け入れ不可能であると判定された場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２からの基板Ｗを図４の戻りバッファ部ＲＢＦ１に搬送するように搬送装置１４１を制御する。戻り制御部４１２は、基板載置部ＰＡＳＳ９が基板Ｗを受け入れ可能になった後、戻りバッファ部ＲＢＦ１からの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送するように搬送装置１４１を制御する。

搬送制御部４２０，４３０，４４０は、搬送装置１４３の動作を制御するように構成される。搬送制御部４２０は、搬出制御部４２１および戻り制御部４２２を含む。搬送制御部４４０は、待機制御部４４１および送り制御部４４２を含む。搬出制御部４２１は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを搬出するように搬送装置１４３を制御する。戻り制御部４２２は、露光装置１５からの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬送するように搬送装置１４３を制御する。

搬送制御部４３０は、露光判定部４５３により露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能であると判定された場合、搬出された基板Ｗを露光装置１５に搬送するように搬送装置１４３を制御する。待機制御部４４１は、露光判定部４５３により露光装置１５が基板Ｗを受け入れ不可能であると判定された場合、搬出された基板Ｗを図４の冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦに搬送するように搬送装置１４３を制御する。送り制御部４４２は、露光判定部４５３により露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能であると判定された場合、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦからの基板Ｗを露光装置１５に搬送するように搬送装置１４３を制御する。

（８）搬送制御処理
図８は、搬送制御処理における図７のローカルコントローラ４００の主制御部４０１の動作の一部を示すフローチャートである。図８の搬送制御処理においては、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから露光装置１５に基板Ｗを搬送するための搬送装置１４３の動作が制御される。図８の搬送制御処理は、搬送装置１４３により露光装置１５から図４の基板載置部ＰＡＳＳ１１に基板Ｗを搬送するための搬送制御処理と並列に実行される。図４の基板処理装置１００、図７のローカルコントローラ４００および図８のフローチャートを参照しながら主制御部４０１による搬送制御処理を説明する。

まず、主制御部４０１は、搬送装置１４３によりいずれかの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１）。なお、搬送装置１４３が基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬入すべき基板Ｗを保持している場合には、主制御部４０１は、ステップＳ１の処理を実行するとともに、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬入する。

次に、主制御部４０１は、露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能であるか否かを判定する（ステップＳ２）。露光装置１５が基板Ｗを受け入れ不可能である場合、主制御部４０１は、搬出された基板Ｗを搬送装置１４３により冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦに搬入する（ステップＳ３）。その後、主制御部４０１は、露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能であるか否かを判定する（ステップＳ４）。露光装置１５が基板Ｗを受け入れ不可能である場合、主制御部４０１は、露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能になるまで待機する。

ステップＳ４で露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能である場合、主制御部４０１は、搬送装置１４３により冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦから基板Ｗを搬出し（ステップＳ５）、ステップＳ６の処理に進む。ステップＳ２で露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能である場合にも、主制御部４０１はステップＳ６に進む。

ステップＳ６において、主制御部４０１は、搬出された基板Ｗを搬送装置１４３により露光装置１５に搬入する（ステップＳ６）。なお、露光装置１５に露光処理後の基板Ｗが存在する場合には、主制御部４０１は、ステップＳ６の処理を実行するとともに、当該基板Ｗを露光装置１５から搬出する。その後、主制御部４０１はステップＳ１に戻る。

（９）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、露光装置１５の稼働が一時的に停止した場合または露光装置１５で基板Ｗが停滞した場合、露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能になるまで基板Ｗが冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦに載置される。そのため、搬送装置１４３は、露光装置１５に搬送すべき基板Ｗを保持し続ける必要がない。これにより、搬送装置１４３は、搬入搬出ブロック１４Ｂにおける他の基板Ｗの搬送を継続することができる。

また、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦに載置された基板Ｗの温度が維持されるので、露光装置１５が基板Ｗを受け入れ可能になった後、所定の温度の基板Ｗを直ちに露光装置１５に搬送することができる。これらの結果、露光装置１５の状態に応じて基板Ｗの処理効率の低下を抑制しつつ適切な状態の基板Ｗを露光装置１５に搬入することが可能となる。

さらに、全部の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ不可能である場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１による洗浄後の基板Ｗが送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に搬送される。いずれかの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ可能になった後、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に蓄積された基板Ｗが当該載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送される。

この場合、搬送装置１４１，１４２は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送すべき基板Ｗを保持し続ける必要がない。これにより、搬送装置１４１，１４２は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおける他の基板Ｗの搬送を継続することができる。また、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが基板Ｗを受け入れ可能になった後、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に載置された基板Ｗを直ちに載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送することができる。そのため、基板Ｗの処理効率の低下をより抑制することができる。

（１０）他の実施の形態
上記実施の形態において、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦが載置兼冷却部Ｐ−ＣＰとは別個に設けられるが、本発明はこれに限定されない。図９および図１０は、他の実施の形態における冷却兼バッファ部の構成を示す図である。図９および図１０に示すように、本実施の形態においては、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦが設けられず、複数（本例では５個）の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。５個の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰをそれぞれ載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１〜Ｐ−ＣＰ５と呼ぶ。

図９（ａ）に示すように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへの第１回目の基板Ｗの搬送時には、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１〜Ｐ−ＣＰ４のいずれかが用いられ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ５は用いられないように搬送装置１４１〜１４３が制御される。このとき、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ５は、冷却兼バッファ部として用いられるように搬送装置１４１〜１４３が制御される。そのため、基板搬入部１５ａが基板Ｗを受け入れ不可能であるとき、搬送装置１４３は、保持された基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ５に搬入する。

同様に、図９（ｂ）に示すように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへの第２回目の基板Ｗの搬送時には、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１〜Ｐ−ＣＰ３，Ｐ−ＣＰ５のいずれかが用いられ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ４は用いられない。このとき、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ４は、冷却兼バッファ部として用いられる。

図９（ｃ）に示すように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへの第３回目の基板Ｗの搬送時には、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１〜Ｐ−ＣＰ２，Ｐ−ＣＰ４，Ｐ−ＣＰ５のいずれかが用いられ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ３は用いられない。このとき、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ３は、冷却兼バッファ部として用いられる。

図１０（ａ）に示すように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへの第４回目の基板Ｗの搬送時には、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１，Ｐ−ＣＰ３〜Ｐ−ＣＰ５のいずれかが用いられ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ２は用いられない。このとき、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ２は、冷却兼バッファ部として用いられる。

図１０（ｂ）に示すように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへの第５回目の基板Ｗの搬送時には、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ２〜Ｐ−ＣＰ５のいずれかが用いられ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１は用いられない。このとき、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１は、冷却兼バッファ部として用いられる。

上記の動作が繰り返されることにより、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１〜Ｐ−ＣＰ５のいずれかが順に冷却兼バッファ部として用いられる。この構成によれば、冷却兼バッファ部を載置兼冷却部Ｐ−ＣＰと別個に設ける必要がなく、冷却兼バッファ部を載置兼冷却部Ｐ−ＣＰと同一の構成により実現することができる。これにより、冷却兼バッファ部の製造コストを低減することができる。また、全部の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが順次的に冷却兼バッファ部として用いられるので、一部の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰのみが著しく経年劣化することが防止される。

また、図９および図１０の例においては、１枚の基板Ｗが洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送されるごとに冷却兼バッファ部として用いられる載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが変更されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、所定枚数の基板Ｗが洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送されるごとに冷却兼バッファ部として用いられる載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが変更されてもよい。あるいは、所定の経過時間ごとに冷却兼バッファ部として用いられる載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが変更されてもよい。

（１１）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、露光装置１５が露光装置の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、塗布処理ユニット１２９が塗布装置の例である。塗布ブロック１２および現像ブロック１３が処理部の例であり、基板Ｗが基板の例であり、インターフェイスブロック１４が受け渡し部の例であり、ローカルコントローラ４００が基板搬送制御部の例である。搬送装置１４１，１４２が第１の搬送装置の例であり、搬送装置１４３が第２の搬送装置の例であり、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが載置冷却部の例であり、冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦが温度維持部の例である。

搬送制御部４１０，４２０，４３０，４４０がそれぞれ第１〜第４の搬送制御部の例であり、判定部４５０が判定部の例であり、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２がバッファ部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ１が戻り載置部の例である。搬送装置１４１，１４２のハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第１および第２の保持部の例であり、搬送装置１４３のハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第３および第４の保持部の例であり、搬送装置１４３のハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第５および第６の保持部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、露光装置を用いる種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１４ インターフェイスブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２１〜２４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 処理液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３０ エッジリンスノズル
３１〜３４ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
１００ 基板処理装置
１０１，１０３ 上段熱処理部
１０２，１０４ 下段熱処理部
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３ 搬送装置
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
２００，３００，４００ ローカルコントローラ
４０１ 主制御部
４０２ 記憶部
４１０〜４４０ 搬送制御部
４１１，４４２ 送り制御部
４１２，４２２ 戻り制御部
４２１ 搬出制御部
４４１ 待機制御部
４５０ 判定部
４５１ 送り判定部
４５２ 戻り判定部
４５３ 露光判定部
Ｃ−ＢＦ 冷却兼バッファ部
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
Ｈ１，Ｈ２ ハンド
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１１ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＥＢ 露光後加熱処理ユニット
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＲＢＦ１，ＲＢＦ２ 戻りバッファ部
ＳＢＦ１，ＳＢＦ２ 送りバッファ部
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

冷却兼バッファ部Ｃ−ＢＦは、基板Ｗを冷却する機能を備え、基板Ｗを一時的に収容可能に構成される。基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗを載置可能に構成される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２および送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２は、基板Ｗを一時的に収容可能に構成される。

（２）塗布処理部および現像処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット（スピンコータ）１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には、現像処理ユニット（スピンデベロッパ）１３９が設けられる。

また、洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では６つ）の露光後加熱処理ユニットＰＥＢが、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接しかつ積層するように設けられる。複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、洗浄乾燥処理部１６２の上部に配置される。

搬送装置１３７は、現像処理室３１，３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および上段熱処理部１０３（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置１３８は、現像処理室３３，３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ１０、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２および下段熱処理部１０４（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。

また、搬送装置１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１０（図４）から露光後ベーク処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４の一方（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部１０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部１０３（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。

図９（ｃ）に示すように、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへの第３回目の基板Ｗの搬送時には、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ１，Ｐ−ＣＰ２，Ｐ−ＣＰ４，Ｐ−ＣＰ５のいずれかが用いられ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ３は用いられない。このとき、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ３は、冷却兼バッファ部として用いられる。

搬送制御部４１０，４２０，４３０，４４０がそれぞれ第１〜第４の搬送制御部の例であり、判定部４５０が判定部の例であり、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２がバッファ部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ１１が戻り載置部の例である。搬送装置１４１，１４２のハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第１および第２の保持部の例であり、搬送装置１４３のハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第３および第４の保持部の例であり、搬送装置１４３のハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第５および第６の保持部の例である。

Claims (10)

1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板上に感光性材料を塗布して感光性膜を形成する塗布装置を含む処理部と、
   前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
   基板の搬送を制御する基板搬送制御部とを備え、
   前記受け渡し部は、
   基板を保持して搬送する第１および第２の搬送装置と、
   基板が載置可能に構成され、載置された基板を冷却するための載置冷却部と、
   基板が載置可能に構成され、載置された基板の温度を維持するための温度維持部とを含み、
   前記基板搬送制御部は、
   前記処理部からの基板を前記載置冷却部に搬入するように前記第１の搬送装置を制御し、前記載置冷却部に載置された基板を搬出するように前記第２の搬送装置を制御し、
   前記露光装置が基板を受け入れ可能である場合に、前記載置冷却部から搬出した基板を前記露光装置に搬送するように前記第２の搬送装置を制御し、
   前記露光装置が基板を受け入れ不可能である場合に、前記載置冷却部から搬出した基板を前記温度維持部に搬入するように前記第２の搬送装置を制御し、前記露光装置が基板を受け入れ可能と判定された後、前記温度維持部から基板を搬出して前記露光装置に搬送するように前記第２の搬送装置を制御する、基板処理装置。
2. 前記基板搬送制御部は、
   前記処理部からの基板を前記載置冷却部に搬送するように前記第１の搬送装置を制御する第１の搬送制御部と、
   前記載置冷却部に載置された基板を搬出するように前記第２の搬送装置を制御する第２の搬送制御部と、
   前記露光装置が基板を受け入れ可能であるか否かを判定する判定部と、
   前記露光装置が基板を受け入れ可能と判定された場合に、前記載置冷却部から搬出した基板を前記露光装置に搬送するように前記第２の搬送装置を制御する第３の搬送制御部と、
   前記露光装置が基板を受け入れ不可能と判定された場合に、前記載置冷却部から搬出した基板を前記温度維持部に搬入し、前記露光装置が基板を受け入れ可能と判定された後、前記温度維持部から基板を搬出して前記露光装置に搬送するように前記第２の搬送装置を制御する第４の搬送制御部とを含む、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記受け渡し部は、前記載置冷却部を複数含み、
   前記基板搬送制御部は、前記複数の載置冷却部のうち一部の載置冷却部が前記温度維持部として機能するように前記第１および第２の搬送装置を制御する、請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記基板搬送制御部は、前記複数の載置冷却部のうち前記温度維持部として機能する一部の載置冷却部が順次変更されるように前記第１および第２の搬送装置を制御する、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記受け渡し部は、基板を一時的に蓄積するためのバッファ部をさらに含み、
   前記基板搬送制御部は、前記載置冷却部が基板を受け入れ不可能である場合に、前記処理部により処理された基板を前記バッファ部に搬送し、前記載置冷却部が基板を受け入れ可能になった後、前記バッファ部に蓄積された基板を前記載置冷却部に搬送するように前記第１の搬送装置をさらに制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記受け渡し部は、基板が載置可能な戻り載置部をさらに含み、
   前記基板搬送制御部は、前記戻り載置部に載置された露光後の基板を搬出して搬送するように前記第１の搬送装置をさらに制御し、露光後の基板を前記露光装置から搬出して前記戻り載置部に搬送するように前記第２の搬送装置をさらに制御する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記第１の搬送装置は、基板を保持する第１および第２の保持部を有し、
   前記基板搬送制御部は、前記戻り載置部からの基板の搬出と、前記載置冷却部への基板の搬入とを連続的または並列的に行うように前記第１の搬送装置の前記第１および第２の保持部を制御する、請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記第２の搬送装置は、基板を保持する第３および第４の保持部を有し、
   前記基板搬送制御部は、前記露光装置からの基板の搬出と、前記露光装置への基板の搬入とを連続的または並列的に行うように前記第２の搬送装置の前記第３および第４の保持部を制御する、請求項６または７記載の基板処理装置。
9. 前記第２の搬送装置は、基板を保持する第５および第６の保持部を有し、
   前記基板搬送制御部は、前記載置冷却部からの基板の搬出と、前記戻り載置部への基板の搬入とを連続的または並列的に行うように前記第２の搬送装置の前記第５および第６の保持部をさらに制御する、請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、
    処理部の塗布装置により基板上に感光性材料を塗布して感光性膜を形成するステップと、
    受け渡し部において前記処理部からの基板を第１の搬送装置により保持して載置冷却部に搬入するステップと、
    前記第１の搬送装置により搬入された基板を載置冷却部により冷却するステップと、
    冷却された基板を前記載置冷却部から第２の搬送装置により保持して搬出するステップと、
    前記露光装置が基板を受け入れ可能である場合に、前記載置冷却部から搬出した基板を前記前記第２の搬送装置により前記露光装置に搬送するステップと、
    前記露光装置が基板を受け入れ不可能である場合に、前記載置冷却部から搬出した基板を前記第２の搬送装置により温度維持部に搬入するステップと、
    前記第２の搬送装置により搬入された基板の温度を前記温度維持部により維持するステップと、
    前記露光装置が基板を受け入れ可能になった後、前記第２の搬送装置により前記温度維持部から基板を搬出して前記露光装置に搬送するステップとを含む、基板処理方法。

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