JP2010045125A - 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】先発ロットＡの基板と後発ロットＢの基板との間で、加熱モジュールの加熱処理温度を変更する場合に、スループットの向上を図ること。
【解決手段】先発ロットＡの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットＢの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成し、前記所定の実行サイクルを終了後次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルの実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するようにメインアームを制御する。
【選択図】図５
【解決手段】先発ロットＡの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットＢの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成し、前記所定の実行サイクルを終了後次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルの実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するようにメインアームを制御する。
【選択図】図５
Description
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置、その方法及び塗布、現像方法を実施するためのプログラムを記憶した記憶媒体に関する。
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。この装置では、例えば図７に示すように、多数枚のウエハを収納したキャリア１０がキャリア載置部１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理部１Ｂに受け渡される。そして処理部１Ｂ内において、反射防止膜形成モジュール（図示せず）における反射防止膜の形成や、塗布モジュール１３におけるレジスト膜の形成が行われた後、インターフェイス部１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。一方露光処理後のウエハは、再び処理部１Ｂに戻されて現像モジュール１４にて現像処理が行われ、この後元のキャリア１０内に戻されるようになっている。前記反射防止膜やレジスト膜の形成処理の前後や現像処理の前後にはウエハの加熱処理や冷却処理が行われ、これら加熱処理を行う加熱モジュールや冷却処理を行う冷却モジュール等は、棚モジュール１５（１５ａ〜１５ｃ）に多段に配列されており、ウエハは処理部１Ｂに設けられたメインアーム１６（１６Ａ，１６Ｂ）により、各モジュール同士の間で搬送されるようになっている。ここでウエハは上記の処理を施されるにあたり、特許文献１に記載されるように、処理予定の全てのウエハについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送される。
ところで上述の装置において、一のキャリアから払い出された複数の同種のウエハの集合である先発ロットＡのウエハＡと、後発ロットＢのウエハＢとを、キャリア載置部１Ａから処理部１Ｂに連続して払い出して処理を行い、ロットＡとロットＢとの間で同じ加熱モジュールを使用する場合であって、ロットＡとロットＢとの間で当該加熱モジュールの加熱温度が変更される場合がある。
この場合、従来では、前記加熱モジュールにおける温度整定時間（温度変更に要する時間）を見越して、後発ロットＢにおけるキャリア載置部１Ａからの払い出しタイミングをタイマー制御することが行われている。このタイマー制御について図８に示す搬送スケジュールを例にして説明する。当該搬送スケジュールの縦軸はサイクル、横軸は搬送されるモジュールを夫々示している。なおＦＯＵＰはキャリア、Ｍ１〜Ｍ４はモジュールであり、この例ではモジュールＭ４にて温度整定処理が行われることとする。
そして前記払い出しタイミングの制御時間Ｔ１は、次の(2)式により求められる。
Ｔ１＝Ｐ＋Ｑ−Ｒ・・・(2)
Ｐ：先発ロットＡのウエハがモジュールＭ４から搬出されるまでの時間
Ｑ：温調時間
Ｒ：後発ロットＢのウエハが当該モジュールＭ４へ搬入されるまでの時間
ここで前記Ｐは（モジュールＭ１でのプロセス残時間）＋（モジュールＭ２までの移動時間＋モジュールＭ２でのプロセス時間）＋（モジュールＭ２までの移動時間＋モジュールＭ２でのプロセス時間）＋（モジュールＭ３までの移動時間＋モジュールＭ３でのプロセス時間）＋（モジュールＭ４までの移動時間＋モジュールＭ４でのプロセス時間）で求められ、例えば１５秒である。
Ｔ１＝Ｐ＋Ｑ−Ｒ・・・(2)
Ｐ：先発ロットＡのウエハがモジュールＭ４から搬出されるまでの時間
Ｑ：温調時間
Ｒ：後発ロットＢのウエハが当該モジュールＭ４へ搬入されるまでの時間
ここで前記Ｐは（モジュールＭ１でのプロセス残時間）＋（モジュールＭ２までの移動時間＋モジュールＭ２でのプロセス時間）＋（モジュールＭ２までの移動時間＋モジュールＭ２でのプロセス時間）＋（モジュールＭ３までの移動時間＋モジュールＭ３でのプロセス時間）＋（モジュールＭ４までの移動時間＋モジュールＭ４でのプロセス時間）で求められ、例えば１５秒である。
また前記Ｒは（モジュールＭ１までの移動時間＋モジュールＭ１でのプロセス時間）＋（モジュールＭ２までの移動時間＋モジュールＭ２でのプロセス時間）＋（モジュールＭ２までの移動時間＋モジュールＭ２でのプロセス時間）＋（モジュールＭ３までの移動時間＋モジュールＭ３でのプロセス時間）で求められ、例えば２０秒である。
これにより前記制御時間Ｔ１はＰ＋Ｑ−Ｒ＝（１５＋３０）−（２０）＝２５秒となり、この２５秒分だけ後発ロットＢの最初のウエハの払い出しを遅らせている。しかしながら、前記メインアーム１６は搬送スケジュールに従い、最も遅いプロセス時間（当該モジュールＭ４に対するウエハの受け渡し時間と処理に要する時間とを加算した時間）にサイクル時間を合わせ、このサイクル時間で１つの搬送サイクルを実施するように制御されているが、実際にはサイクルによって、メインアームにより移載を行うウエハの枚数が異なっているため、このサイクル時間より短い時間や長い時間でサイクルが実行される場合があり、ウエハがモジュールＭ４にてプロセスを終了した後、直ちにメインアーム１６による当該モジュールＭ４からの搬出が行われるわけではなく、モジュールＭ４内にてメインアーム１６による受け取りを待機する状態が発生する場合がある。ここでこの待機時間については上述の計算式には含めていないため、上述のようなタイマー制御を行ったとしても、後発ロットＢのウエハＢが当該モジュールＭ４へ早く到着したり、到着が遅くなる場合が発生する。
このように後発ロットＢのウエハＢが当該モジュールＭ４へ到着する時間が早くなると、当該モジュールＭ４では温度整定処理が終了していないため、当該モジュールにウエハＢを受け渡すことができずに、メインアーム１６がこのウエハＢを保持したまま待機せざるを得ず、前記搬送サイクルを行うことができずに止まってしまう事態が発生するおそれがある。一方当該モジュールＭ４へ到着する時間が遅くなると、本来は当該モジュールＭ４では既に温度整定処理が終了し、処理を行うことができる状態であるにも関わらず、ウエハＷの搬入をモジュールＭ４側が待機するという状態が発生し、必要以上先発ロットＡのウエハＡとの搬送間隔が空いてしまい、露光装置への後発ロットＢのウエハＢの供給遅れが発生して生産性の低下を招くおそれがある。従って後発ロットＢのウエハＢが当該モジュールＭ４へ早く到着したり、到着が遅くなると、スループットが低下してしまう。
ところで特許文献２には、第１の温調モジュール、第１の塗布モジュール、第１の加熱モジュール、第２の温調モジュール、第２の塗布モジュール、第２の加熱モジュール、冷却モジュールの順に基板を搬送し、複数枚の基板を退避することができる退避モジュールを備えた装置において、先発ロットの最後の基板が第２の加熱モジュールにて加熱処理を終了した後、当該第２の加熱モジュールの加熱温度を後発ロットの基板に応じた温度に変更するにあたり、前記後発ロットの先頭の基板が第２の温調モジュールに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第１の加熱モジュールにて加熱処理された基板を退避モジュールに順次満たしていくように、また前記第２の加熱モジュールの加熱温度を変更した後においては、前記退避モジュール内の基板を順次下流側のモジュールに搬送する構成が提案されている。しかしながらこの構成では、基板を退避モジュール内にて待機させているので、ウエハに対して全ての処理が終了するまでの時間が長引いてしまう場合があり、本発明の課題を解決することはできない。
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、先発ロットと後発ロットとの間に整定対象モジュールにおいて整定処理を行う場合に、スループットの向上を図ることができる技術を提供することにある。
このため本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリア載置部と、このキャリア載置部から受け渡された基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理部と、を有し、
前記処理部では、基板搬送手段により、基板を温調する温調モジュール、塗布液を基板に塗布する塗布モジュール、基板を加熱する加熱モジュール、基板に対して現像処理を行う現像モジュールに対して基板を搬送し、
前記基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布モジュール及び加熱モジュールの少なくとも一方からなり、一のキャリアから払い出された先発ロットの基板に対して当該モジュールにて処理を終了した後、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に、当該モジュールにおいて整定処理が行われる整定対象モジュールと、
前記搬送スケジュールにおいて、先発ロットの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成する手段と、
前記作成された搬送スケジュールにおいて、前記整定対象モジュールにて整定処理が行われたサイクルであり、かつ当該整定対象モジュールにて整定処理の残時間があるサイクルである実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルを実行するための実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するように基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする。
前記処理部では、基板搬送手段により、基板を温調する温調モジュール、塗布液を基板に塗布する塗布モジュール、基板を加熱する加熱モジュール、基板に対して現像処理を行う現像モジュールに対して基板を搬送し、
前記基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布モジュール及び加熱モジュールの少なくとも一方からなり、一のキャリアから払い出された先発ロットの基板に対して当該モジュールにて処理を終了した後、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に、当該モジュールにおいて整定処理が行われる整定対象モジュールと、
前記搬送スケジュールにおいて、先発ロットの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成する手段と、
前記作成された搬送スケジュールにおいて、前記整定対象モジュールにて整定処理が行われたサイクルであり、かつ当該整定対象モジュールにて整定処理の残時間があるサイクルである実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルを実行するための実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するように基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする。
この際、前記適正時間は、{（当該整定対象モジュールにおける整定処理残時間）＋（前記実行サイクルの前記実行時間）−（当該整定対象モジュールに後発ロットの基板が搬入されるサイクルにおいて、基板搬送手段が当該基板の受け渡しを行うために要する時間）}÷（前記実行サイクルから当該整定対象モジュールへ後発ロットのウエハが搬入されるサイクルまでのサイクル数）により演算される。また前記次のサイクルの開始とは、キャリア載置部から処理部に受け渡された基板を基板搬送手段が受け取ることであることをいう。例えば整定対象モジュールは加熱モジュールであり、前記整定処理は加熱温度の変更処理である。
また本発明の塗布、現像方法は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリア載置部と、このキャリア載置部から受け渡された基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理部と、を有し、
前記処理部では、基板搬送手段により、基板を温調する温調モジュール、塗布液を基板に塗布する塗布モジュール、基板を加熱する加熱モジュール、基板に対して現像処理を行う現像モジュールに対して基板を搬送し、
前記基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布モジュール及び加熱モジュールの少なくとも一方からなり、一のキャリアから払い出された先発ロットの基板に対して当該モジュールにて処理を終了した後、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に、当該モジュールにおいて整定処理が行われる整定対象モジュールを備え、
前記搬送スケジュールにおいて、先発ロットの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成する工程と、
前記作成された搬送スケジュールにおいて、前記整定対象モジュールにて整定処理が行われたサイクルであり、かつ当該整定対象モジュールにて整定処理の残時間があるサイクルである実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルを実行するための実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するように基板搬送手段を制御する工程と、を備えたことを特徴とする。
この際、前記適正時間は、{（当該整定対象モジュールにおける整定処理残時間）＋（前記実行サイクルの前記実行時間）−（当該整定対象モジュールに後発ロットの基板が搬入されるサイクルにおいて、基板搬送手段が当該基板の受け渡しを行うために要する時間）}÷（前記実行サイクルから当該整定対象モジュールへ後発ロットのウエハが搬入されるサイクルまでのサイクル数）により演算される。
前記処理部では、基板搬送手段により、基板を温調する温調モジュール、塗布液を基板に塗布する塗布モジュール、基板を加熱する加熱モジュール、基板に対して現像処理を行う現像モジュールに対して基板を搬送し、
前記基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布モジュール及び加熱モジュールの少なくとも一方からなり、一のキャリアから払い出された先発ロットの基板に対して当該モジュールにて処理を終了した後、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に、当該モジュールにおいて整定処理が行われる整定対象モジュールを備え、
前記搬送スケジュールにおいて、先発ロットの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成する工程と、
前記作成された搬送スケジュールにおいて、前記整定対象モジュールにて整定処理が行われたサイクルであり、かつ当該整定対象モジュールにて整定処理の残時間があるサイクルである実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルを実行するための実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するように基板搬送手段を制御する工程と、を備えたことを特徴とする。
この際、前記適正時間は、{（当該整定対象モジュールにおける整定処理残時間）＋（前記実行サイクルの前記実行時間）−（当該整定対象モジュールに後発ロットの基板が搬入されるサイクルにおいて、基板搬送手段が当該基板の受け渡しを行うために要する時間）}÷（前記実行サイクルから当該整定対象モジュールへ後発ロットのウエハが搬入されるサイクルまでのサイクル数）により演算される。
さらに本発明の記憶媒体は、処理部にて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置部から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、前記塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
以上において本発明では、先発ロットの基板と後発ロットの基板とを同じ整定対象モジュールにて処理する場合に、これら先発ロットの基板に対する処理を終了した後、後発ロットの基板に対して処理を行う前に当該整定対象モジュールにおいて整定処理を行う場合に、当該モジュールの整定処理終了後、速やかに後発ロットの基板を当該整定対象モジュールに搬送することにより、スループットの向上を図ることができる。
先ず本発明の塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置２について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図である。図中Ｂ１は、基板例えばウエハＷが、例えば１３枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリアＣの載置部２１を複数個並べて載置可能なキャリアステーション２２と、このキャリアステーション２２から見て前方の壁面に設けられる開閉部２３と、前記キャリアＣからウエハＷを取り出し、後述する処理部Ｂ２へ受け渡すための受け渡し手段２４とが設けられている。
前記キャリア載置部Ｂ１の奥側には、筐体２５にて周囲を囲まれる処理部Ｂ２が接続されており、この処理部Ｂ２には手前側から順に加熱・冷却系のモジュールを多段化した棚モジュールＵ１，Ｕ２，Ｕ３と、これら棚モジュールＵ１〜Ｕ３及び後述する液処理モジュールＵ４，Ｕ５の各モジュール間のウエハＷの受け渡しを行う基板搬送手段をなすメインアームＡ（Ａ１，Ａ２）とが交互に配列して設けられている。即ち、棚モジュールＵ１，Ｕ２，Ｕ３及びメインアームＡ１，Ａ２はキャリア載置部Ｂ１側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されていて、ウエハＷは処理部Ｂ２内を一端側の棚モジュールＵ１から他端側の棚モジュールＵ３まで自由に移動できるようになっている。
前記棚モジュールＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理モジュールＵ４，Ｕ５にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行うための各種モジュールを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせは、受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ、ウエハＷの加熱処理を行うための加熱モジュールＣＬＨ、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための加熱モジュールＣＰＨ、現像処理前にウエハＷを加熱処理する加熱モジュールＰＥＢ、現像処理後のウエハＷを加熱処理する加熱モジュールＰＯＳＴ等が含まれている。
また液処理モジュールＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、ウエハＷに対して反射防止膜形成用の薬液を塗布する反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、ウエハＷにレジスト液を塗布する塗布モジュールＣＯＴ、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像モジュールＤＥＶ等を複数段、例えば５段に積層して構成されている。
前記処理部Ｂ２における棚モジュールＵ３の奥側には、インターフェイス部Ｂ３を介して露光部Ｂ４が接続されている。このインターフェイス部Ｂ３は、処理部Ｂ２と露光部Ｂ４との間に前後に設けられる第１の搬送室３１及び第２の搬送室３２により構成されており、夫々に昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在かつ進退自在な第１の搬送アーム３３及び第２の搬送アーム３４を備えている。さらにまた、第１の搬送室３１には、例えば受け渡しモジュール等が上下に積層して設けられた棚モジュールＵ６が設けられている。
前記加熱モジュールＣＰＨとしては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレートと、搬送アームを兼用する冷却プレートとを備え、メインアームＡと加熱プレートとの間のウエハＷの受け渡しを冷却プレートにより行なう、つまり加熱冷却を１つのモジュールにて行うことができる構成の装置が用いられる。
前記メインアームＡについて説明する。このメインアームＡは、前記処理部Ｂ２内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚モジュールＵ１〜Ｕ３の各処理モジュール、液処理モジュールＵ４，Ｕ５の各モジュールとの間でウエハの受け渡しを行うように構成されている。このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されると共に、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アームを備えており、これら保持アームが互いに独立して進退できるように構成されている。
前記メインアームＡについて説明する。このメインアームＡは、前記処理部Ｂ２内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚モジュールＵ１〜Ｕ３の各処理モジュール、液処理モジュールＵ４，Ｕ５の各モジュールとの間でウエハの受け渡しを行うように構成されている。このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されると共に、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アームを備えており、これら保持アームが互いに独立して進退できるように構成されている。
このようなレジストパターン形成システムにおけるウエハＷの流れの一例について図３を参照して説明すると、キャリア載置部Ｂ１に載置されたキャリアＣ内のウエハＷは、処理部Ｓ２の棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳＡに受け渡され、ここから温調モジュールＣＰＬ→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュールＣＬＨ→温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→受け渡しモジュールＴＲＳ→加熱モジュールＣＰＨ→インターフェイス部Ｂ３→露光部Ｂ４の経路で搬送されて、ここで露光処理が行われる。一方露光処理後のウエハＷは、処理部Ｂ２に戻されて、加熱モジュールＰＥＢ→温調モジュールＣＰＬ→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＰＯＳＴ→温調モジュールＣＰＬ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳＡの経路で搬送され、ここからキャリア載置部Ｂ１のキャリアＣに戻される。
この際、処理部Ｂ２内では、メインアームＡ（Ａ１，Ａ２）は、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳＡからウエハを受け取り、当該ウエハを温調モジュールＣＰＬ等を介して、既述の搬送経路に沿って、順次加熱モジュールＣＰＨまで搬送した後、露光処理後のウエハＷをインターフェイス部Ｂ３から受け取り、当該ウエハを加熱モジュールＰＥＢ等を介して、既述の搬送経路に沿って、順次受け渡しモジュールＴＲＳＡまで搬送し、こうして処理部Ｂ２内にて搬送サイクルを行うように構成されている。この搬送サイクルでは、図３に示すように、受け渡しモジュールＴＲＳＡから温調モジュールＣＰＬまでの搬送が、メインアームＡによる最初の搬送であり、この場合前記受け渡しモジュールＴＲＳＡが搬送サイクルの開始モジュールとなる。この受け渡しモジュールＴＲＳＡにはキャリア載置部Ｂ１からウエハＷが受け渡されているので、この受け渡しモジュールＴＲＳＡにウエハＷを受け渡すことは、処理部Ｂ２にウエハＷを受け渡すことであり、受け渡しモジュールＴＲＳＡからメインアームＡを受け取ることで、搬送サイクルが開始されることになる。
そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、受け渡し手段２４、メインアームＡ１，Ａ２等の駆動制御を行うコンピュータからなる制御部４を備えている。この制御部４は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、このプログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして、これらプログラムが制御部４に読み出されることにより、制御部４によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
図４はこの制御部４の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ（中央処理モジュール）、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、本発明では現像処理前のウエハＷの搬送に特徴があるので、ここではそれに関連する構成要素の一部をブロック化して説明するものとする。図４中４０はバスであり、このバス４０にレシピ格納部４１、レシピ選択部４２、整定処理部４３、搬送スケジュール作成部４４、待機制御部４５、搬送制御部４６が接続されている。
レシピ格納部４１は記憶部に相当する部位であり、例えばウエハＷの搬送経路が記録されている搬送レシピや、ウエハＷに対して行う処理条件などが記録された複数のレシピが格納されている。レシピ選択部４２はレシピ格納部４１に格納されたレシピから適当なものを選択する部位であり、例えばウエハの処理枚数やレジストの種類、加熱処理時の温度などの入力もできるようになっている。
整定処理部４３は、一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロット（以下「ロットＡ」という）のウエハＡが整定対象モジュールにて所定のプロセスを終了した後、当該モジュールに対して整定処理を行う旨の指令を出力する手段である。前記整定処理とは、温度変更処理や、塗布モジュールＣＯＴにおけるダミーディスペンス処理等の調整処理等の、モジュールの状態を調整する処理をいう。この例では整定対象モジュールが加熱モジュールＣＰＨであり、このモジュールにおける整定処理とは、加熱温度を、後続の他のロット（以下「ロットＢ」という）のウエハＢに応じた温度に変更する処理である。従って加熱モジュールＣＰＨに対して、ロットＡのウエハＡの当該加熱モジュールＣＰＨにおける加熱処理が終了した後に加熱プレートの温度変更を行う指令を出力する。
整定処理部４３は、一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロット（以下「ロットＡ」という）のウエハＡが整定対象モジュールにて所定のプロセスを終了した後、当該モジュールに対して整定処理を行う旨の指令を出力する手段である。前記整定処理とは、温度変更処理や、塗布モジュールＣＯＴにおけるダミーディスペンス処理等の調整処理等の、モジュールの状態を調整する処理をいう。この例では整定対象モジュールが加熱モジュールＣＰＨであり、このモジュールにおける整定処理とは、加熱温度を、後続の他のロット（以下「ロットＢ」という）のウエハＢに応じた温度に変更する処理である。従って加熱モジュールＣＰＨに対して、ロットＡのウエハＡの当該加熱モジュールＣＰＨにおける加熱処理が終了した後に加熱プレートの温度変更を行う指令を出力する。
搬送スケジュール作成部４４は、前記搬送レシピに基づき、ロット内の全てのウエハについてどのタイミングでどのモジュールに搬送するかといった内容のスケジュール、例えばウエハに順番を割り当て、ウエハの順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールを作成する手段である。この際、当該搬送スケジュール作成部４４では、先発ロットＡの最後のウエハＡを前記処理部Ｂ１に受け渡した後、前記後発ロットＢの最初のウエハＢを前記処理部Ｂ１に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成する。
待機制御部４５は、前記搬送スケジュールにおいて、所定の実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルの実行時間とを比較して適正時間が長い場合には、適正時間と前記実行時間との差に相当する時間、前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するようにメインアームＡを制御する手段である。
搬送制御部４６は、前記搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれているウエハを、そのウエハに対応するモジュールに搬送するように、受け渡し手段２４やメインアームＡ１，Ａ２を制御し、これにより搬送サイクルを実行する手段である。
搬送制御部４６は、前記搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれているウエハを、そのウエハに対応するモジュールに搬送するように、受け渡し手段２４やメインアームＡ１，Ａ２を制御し、これにより搬送サイクルを実行する手段である。
続いて本実施の形態の作用説明を図５及び図６を参照して行う。先ず基板であるウエハＷに対する処理を開始するのに先立ち、オペレータがレシピの選択を行うが、ここでは既述のように、塗布膜として反射防止膜を形成し、この上にレジスト膜を形成する場合を例にして説明する。本発明では、整定対象モジュールまでのウエハＷの搬送経路に特徴があるので、以下ではレジスト膜形成後の加熱モジュールＣＰＨに対して温度整定処理を行う場合を例にして当該加熱モジュールＣＰＨまでの搬送経路に着目して説明する。
先ず図５に示すように、オペレータはロットＡの５枚のウエハＡ１〜Ａ５と、後続のロットＢの５枚のウエハＢ１〜Ｂ５とに対して、反射防止膜とレジスト膜とを備えた塗布膜を形成する場合のレシピを選択する(ステップＳ１)。次いで搬送スケジュール作成部４４にて、選択されたレシピに基づいてロットＡとロットＢの搬送スケジュールを作成する（ステップＳ２）。
このとき、ロットＡとロットＢとの間は、次式（２）により求められる遅延サイクル数分、キャリア載置部Ｂ１から受け渡しモジュールＴＲＳＡへのウエハの払い出しを遅らせるように搬送スケジュールを作成する。
遅延サイクル数＝整定処理時間÷サイクル時間・・・（２）
前記整定処理時間とは、整定処理に要する時間であって、この例では加熱モジュールＣＰＨの温度整定処理に要する時間をいい、例えば９０秒である。またサイクル時間とは、搬送スケジュールの一つの搬送サイクルを実行するために要する最大時間をいい、この例では２２．８秒である。従って遅延サイクル数＝９０秒÷２２．８秒＝３．９５となり、繰り上げられて４となる。
このとき、ロットＡとロットＢとの間は、次式（２）により求められる遅延サイクル数分、キャリア載置部Ｂ１から受け渡しモジュールＴＲＳＡへのウエハの払い出しを遅らせるように搬送スケジュールを作成する。
遅延サイクル数＝整定処理時間÷サイクル時間・・・（２）
前記整定処理時間とは、整定処理に要する時間であって、この例では加熱モジュールＣＰＨの温度整定処理に要する時間をいい、例えば９０秒である。またサイクル時間とは、搬送スケジュールの一つの搬送サイクルを実行するために要する最大時間をいい、この例では２２．８秒である。従って遅延サイクル数＝９０秒÷２２．８秒＝３．９５となり、繰り上げられて４となる。
ここで処理部Ｂ１内のモジュールの内、最も遅いプロセス時間（当該モジュールに対するウエハの受け渡し時間と処理に要する時間とを加算した時間）が当該搬送サイクルにおける律速時間になるため、この律速時間がサイクル時間となる。
前記搬送スケジュールの一例を図６に示す。この図では、縦軸がサイクルであり、横軸に各モジュールがウエハＷの搬送経路に沿った順番に記載されていて、異なる種類のモジュールでは、図６中左側のモジュールは、搬送経路の上流側のモジュールであり、右隣りに行くほど搬送経路の下流側のモジュールとなる。また搬送スケジュール中ＢＣＴ１，ＢＣＴ２とは２個の反射防止膜形成モジュールを使用することを意味し、ＣＰＨ１〜ＣＰＨ５とは５個の加熱モジュールを使用することを意味する。
前記搬送スケジュールの一例を図６に示す。この図では、縦軸がサイクルであり、横軸に各モジュールがウエハＷの搬送経路に沿った順番に記載されていて、異なる種類のモジュールでは、図６中左側のモジュールは、搬送経路の上流側のモジュールであり、右隣りに行くほど搬送経路の下流側のモジュールとなる。また搬送スケジュール中ＢＣＴ１，ＢＣＴ２とは２個の反射防止膜形成モジュールを使用することを意味し、ＣＰＨ１〜ＣＰＨ５とは５個の加熱モジュールを使用することを意味する。
前記メインアームＡは２本以上の保持アームを備えており、下流側のモジュール内のウエハから順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さいウエハが順番の大きいウエハよりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つサイクル（搬送サイクル）を実行し、当該サイクルを終了した後、次のサイクルに移行し、各サイクルを順次実行することにより、既述の経路で順番にウエハが順次搬送されて所定の処理が行われるようになっている。
この搬送スケジュールではサイクル３でロットＡの最初のウエハＡ０１が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１に搬入し、当該ウエハＡ０１はサイクル４においても当該反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１内にて処理を行われている。サイクル５では、前記ウエハＡ０１を、メインアームＡの一方の保持アームにより当該反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１から搬出し、メインアームＡの他方の保持アームに保持されているウエハＡ０３を当該反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１に搬入し、次いで前記一方の保持アームに保持されているウエハＡ０１を反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２の一つ下流側のモジュールである加熱モジュールＣＬＨ１に搬入するようになっている。
説明を遅延サイクル数に戻すと、既述のように遅延サイクル数は４であるので、当該遅延サイクル数分、キャリアＢ１から受け渡しモジュールＴＲＳＡへのウエハの払い出しを遅らせるように搬送スケジュールが作成される。つまりロットＢの最初のウエハＢ０１は、ロットＡの最後のウエハＡ０５が受け渡しモジュールＴＲＳＡに受け渡された後、サイクル数４を空サイクルとして空けてから受け渡しモジュールＴＲＳＡに受け渡されるように搬送スケジュールが作成される。つまりロットＡの最後のウエハＡ０５がサイクル５で受け渡しモジュールＴＲＳＡに受け渡されてから、サイクル数４だけ空サイクルとして空け、その後ロットＢの最初のウエハＢ０１がサイクル１０で受け渡しモジュールＴＲＳＡに受け渡されることになる。
次いで制御部４は作成された搬送スケジュールを参照しながら各部に指示を出力し、ロットＡのウエハＡに対する処理を実行し（ステップＳ３）、このまま搬送スケジュールに従って、サイクル２２まで実行する。この際サイクル２２において加熱モジュールＣＰＨ１の温度整定処理を開始する（ステップＳ４）。なお図６の搬送スケジュールにおける斜線部分は温度整定処理を実行していることを意味している。
続いて待機制御部４５にて以下の条件(1)、(2)の両方を満たす実行サイクルの終了時において、次のサイクルが開始する前にメインアームＡの待機制御を行うか否かを判断する。ここで次のサイクルが開始する前とは、メインアームＡが搬送サイクルの開始モジュールである受け渡しモジュールＴＲＳＡに臨む位置に戻り、これから次のサイクルが開始されようとするときである。またメインアームＡの待機制御とは、メインアームＡによる前記受け渡しモジュールＴＲＳＡからのウエハの受け取りを、所定時間待機するように制御することをいう。
条件(1) ある整定対象モジュールにて整定処理が行われたという過去の経緯があるということ
条件(2) 整定処理の残時間が存在していること
ここで条件(1)について説明すると、ある整定対象モジュールにて整定処理が行われたという過去の経緯があるということは、整定対象モジュールにて整定処理が行われたということであり、この例では加熱モジュールＣＰＨ１ではサイクル２２で整定処理である温度整定処理を開始しているので、サイクル２２を終了した時点で、当該加熱モジュールＣＰＨ１では整定処理が行われたという過去の経緯があるということになる。従って図に示す搬送スケジュールでは、条件(1)を満たすサイクルの終了時は、サイクル２２〜サイクル２９の終了時ということになる。
条件(2) 整定処理の残時間が存在していること
ここで条件(1)について説明すると、ある整定対象モジュールにて整定処理が行われたという過去の経緯があるということは、整定対象モジュールにて整定処理が行われたということであり、この例では加熱モジュールＣＰＨ１ではサイクル２２で整定処理である温度整定処理を開始しているので、サイクル２２を終了した時点で、当該加熱モジュールＣＰＨ１では整定処理が行われたという過去の経緯があるということになる。従って図に示す搬送スケジュールでは、条件(1)を満たすサイクルの終了時は、サイクル２２〜サイクル２９の終了時ということになる。
また条件(2)については、この例では加熱モジュールＣＰＨ１ではサイクル２５で整定処理である温度整定が終了するので、サイクル２２〜サイクル２４までが整定処理の残時間が存在するサイクルということになる。従って図に示す搬送スケジュールでは、条件(2)を満たすサイクルの終了時は、サイクル２２〜サイクル２８の終了時ということになる。
以上により、当該搬送スケジュールでは、上述の条件(1)、(2)の両方を満たす実行サイクルの終了時とは、実行サイクル２２〜サイクル２８の終了時ということになり、これらの実行サイクル２２〜２８では、次のサイクル２３〜２９を開始する前に夫々メインアームＡの適正時間Ｔ２を演算して、この演算結果に基づいてメインアームＡの待機制御を行うか否かを判断する。ここで前記適正時間Ｔ２とは、メインアームＡが前記実行サイクルの次のサイクルを実行するための理想的な時間であり、次の（３）式に基づいて演算される。
適正時間Ｔ２＝（I＋II―III）÷IV・・・（３）
I：当該整定対象モジュールにおける整定処理残時間
II：実行サイクルの実行時間
III：当該整定対象モジュールへ後続のロットＢのウエハＢが搬入されるサイクルにおけるメインアームＡの移載時間
IV：実行サイクルから当該整定対象モジュールへ後続のロットＢのウエハＢが搬入されるまでのサイクル数
具体的にサイクル２２が終了し、サイクル２３が開始されようとするときのメインアームＡの適正時間Ｔ２の演算について説明する。この場合、実行サイクルはサイクル２３、整定対象モジュールは加熱モジュールＣＰＨ１であり、I〜IVは以下の通りである。なお実行サイクルの実行時間（II）とは、当該実行サイクルを実際に実行したときに要した時間であり、この実行時間が変化するのは一定間隔で搬送する制御を実施していないためである。
I：７３秒
II：実行サイクル２０の実行時間は２６秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ１へウエハＢ０１が搬入されるサイクルはサイクル２６であり、このサイクル２６において移載されるウエハＷはＢ０５，Ｂ０２，Ｂ０１であって、その移載時間は９．５秒
IV：実行サイクル２２から当該加熱モジュールＣＰＨ１へウエハＢ０１が搬入されるサイクル２６までのサイクル数は、（２６−２２）で４
これによって、前記適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（７３＋２６−９．５）÷４＝２２．３７５秒→２２．４秒と演算される（ステップＳ５）。
そしてメインアームＡの待機制御を行うか否かは、この適正時間Ｔ２と実行サイクル２２の実行時間（２６秒）と比較し、適正時間Ｔ２の方が長い場合には、メインアームＡの待機制御を実行し、短い場合には前記待機制御を実行しないと判断する。この例では適正時間Ｔ２＜実行時間であるので、前記待機制御を実行しないと判断し、メインアームＡの待機制御を行わずに次のサイクル２３を実行する（ステップＳ６）。
I：当該整定対象モジュールにおける整定処理残時間
II：実行サイクルの実行時間
III：当該整定対象モジュールへ後続のロットＢのウエハＢが搬入されるサイクルにおけるメインアームＡの移載時間
IV：実行サイクルから当該整定対象モジュールへ後続のロットＢのウエハＢが搬入されるまでのサイクル数
具体的にサイクル２２が終了し、サイクル２３が開始されようとするときのメインアームＡの適正時間Ｔ２の演算について説明する。この場合、実行サイクルはサイクル２３、整定対象モジュールは加熱モジュールＣＰＨ１であり、I〜IVは以下の通りである。なお実行サイクルの実行時間（II）とは、当該実行サイクルを実際に実行したときに要した時間であり、この実行時間が変化するのは一定間隔で搬送する制御を実施していないためである。
I：７３秒
II：実行サイクル２０の実行時間は２６秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ１へウエハＢ０１が搬入されるサイクルはサイクル２６であり、このサイクル２６において移載されるウエハＷはＢ０５，Ｂ０２，Ｂ０１であって、その移載時間は９．５秒
IV：実行サイクル２２から当該加熱モジュールＣＰＨ１へウエハＢ０１が搬入されるサイクル２６までのサイクル数は、（２６−２２）で４
これによって、前記適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（７３＋２６−９．５）÷４＝２２．３７５秒→２２．４秒と演算される（ステップＳ５）。
そしてメインアームＡの待機制御を行うか否かは、この適正時間Ｔ２と実行サイクル２２の実行時間（２６秒）と比較し、適正時間Ｔ２の方が長い場合には、メインアームＡの待機制御を実行し、短い場合には前記待機制御を実行しないと判断する。この例では適正時間Ｔ２＜実行時間であるので、前記待機制御を実行しないと判断し、メインアームＡの待機制御を行わずに次のサイクル２３を実行する（ステップＳ６）。
続いて同様に、サイクル２３が終了し、サイクル２４が開始されようとするときのメインアームの待機制御について説明する。この場合は、実行サイクルはサイクル２３であり、整定対象モジュールは、加熱モジュールＣＰＨ１と、加熱モジュールＣＰＨ２であって、夫々の場合の適正時間Ｔ２について演算し（ステップＳ７）、いずれか長い方の適正時間Ｔ２と実行サイクル２３の実行時間とを比較してメインアームの待機制御を行うか否かを判断する（ステップＳ８）。
先ず加熱モジュールＣＰＨ１については、I〜IVは以下の通りである。
I：５３秒
II：実行サイクル２３の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ１へはサイクル２６にてウエハＢ０１が搬入されるので、既述のようにその移載時間は９．５秒
IV：実行サイクル２３から、当該加熱モジュールＣＰＨ１へウエハＢ０１が搬入されるサイクル２６までのサイクル数は（２６−２３）で３
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（５３＋２０−９．５）÷３＝２１．１６７秒→２１．２秒と演算される。
同様に加熱モジュールＣＰＨ２については、I〜IVは以下の通りである。
I：７７秒
II：実行サイクル２３の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ２へはサイクル２７にてウエハＢ０２が搬入され、このサイクル２７において移載されるウエハＷはＢ０２，Ｂ０３であって、その移載時間は６秒
IV：実行サイクル２３から、当該加熱モジュールＣＰＨ２へウエハＢ０２が搬入されるサイクル２７までのサイクル数は（２７−２３）で４
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（７７＋２０−６）÷４＝秒→２２．７５秒→２２．８秒と演算される。
このように加熱モジュールＣＰＨ１における適正時間Ｔ２は２１．２秒、加熱モジュールＣＰＨ２における適正時間Ｔ２は２２．８秒であるので、長い方の適正時間Ｔ２（２２．８秒）と実行サイクル２３の実行時間（２０秒）と比較する。この場合には適正時間Ｔ２＞実行時間であるので、適正時間Ｔ２―実行時間によりメインアームの待機時間Ｔ３を求める。この場合では、待機時間Ｔ３は２２．８秒−２０秒＝２．８秒と求められ、例えば切り上げて３秒分メインアームＡの待機制御を行う。つまりこの例では実行サイクル２３が終了してから、次のサイクル２４を開始しようとするときに、メインアームＡがサイクルの開始点である受け渡しモジュールＴＲＳＡに臨む位置にて、待機時間に相当する時間（３秒）タイマーにより待機調整されてから、受け渡しモジュールＴＲＳＡからウエハＢ０１を受け取り、こうしてサイクル２４を開始する（ステップＳ８）。
I：５３秒
II：実行サイクル２３の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ１へはサイクル２６にてウエハＢ０１が搬入されるので、既述のようにその移載時間は９．５秒
IV：実行サイクル２３から、当該加熱モジュールＣＰＨ１へウエハＢ０１が搬入されるサイクル２６までのサイクル数は（２６−２３）で３
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（５３＋２０−９．５）÷３＝２１．１６７秒→２１．２秒と演算される。
同様に加熱モジュールＣＰＨ２については、I〜IVは以下の通りである。
I：７７秒
II：実行サイクル２３の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ２へはサイクル２７にてウエハＢ０２が搬入され、このサイクル２７において移載されるウエハＷはＢ０２，Ｂ０３であって、その移載時間は６秒
IV：実行サイクル２３から、当該加熱モジュールＣＰＨ２へウエハＢ０２が搬入されるサイクル２７までのサイクル数は（２７−２３）で４
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（７７＋２０−６）÷４＝秒→２２．７５秒→２２．８秒と演算される。
このように加熱モジュールＣＰＨ１における適正時間Ｔ２は２１．２秒、加熱モジュールＣＰＨ２における適正時間Ｔ２は２２．８秒であるので、長い方の適正時間Ｔ２（２２．８秒）と実行サイクル２３の実行時間（２０秒）と比較する。この場合には適正時間Ｔ２＞実行時間であるので、適正時間Ｔ２―実行時間によりメインアームの待機時間Ｔ３を求める。この場合では、待機時間Ｔ３は２２．８秒−２０秒＝２．８秒と求められ、例えば切り上げて３秒分メインアームＡの待機制御を行う。つまりこの例では実行サイクル２３が終了してから、次のサイクル２４を開始しようとするときに、メインアームＡがサイクルの開始点である受け渡しモジュールＴＲＳＡに臨む位置にて、待機時間に相当する時間（３秒）タイマーにより待機調整されてから、受け渡しモジュールＴＲＳＡからウエハＢ０１を受け取り、こうしてサイクル２４を開始する（ステップＳ８）。
さらに次にサイクル２４が終了し、サイクル２５が開始されようとするときのメインアームＡの待機制御について説明する。この場合は、整定対象モジュールは、加熱モジュールＣＰＨ１と、加熱モジュールＣＰＨ２と、加熱モジュールＣＰＨ３であり、実行サイクルはサイクル２４である。
先ず加熱モジュールＣＰＨ１については、I〜IVは以下の通りである。
I：３３秒
II：実行サイクル２４の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ１へはサイクル２６にてウエハＢ０１が搬入され、このサイクル２６における移載時間は既述のように９．５秒
IV：実行サイクル２４から、当該加熱モジュールＣＰＨ１にウエハＢ０１が搬入されるサイクル２６までのサイクル数は（２６−２４）で２
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（３３＋２０−９．５）÷２＝２１．７５秒→２１．８秒と求められる。
次いで加熱モジュールＣＰＨ２については、I〜IVは以下の通りである。
I：５７秒
II：実行サイクル２４の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ２へはサイクル２７にてウエハＢ０２が搬入され、このサイクル２７において移載時間は既述のように６秒
IV：実行サイクル２４から、当該加熱モジュールＣＰＨ２にウエハＢ０２が搬入されるサイクル２７までのサイクル数は（２７−２４）で３
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（５７＋２０−６）÷３＝２３．６７秒→２３．７秒と求められる。
最後に加熱モジュールＣＰＨ３については、I〜IVは以下の通りである。
I：７６秒
II：実行サイクル２４の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ３へはサイクル２８でウエハＢ０３が搬入され、このサイクル２８において移載されるウエハＷはＢ０４，Ｂ０３であって、その移載時間は６秒
IV：実行サイクル２４から、当該加熱モジュールＣＰＨ３にウエハＢ０３が搬入されるサイクル２８までのサイクル数は（２８−２４）で４
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（７６＋２０−６）÷４＝２２．５秒と求められる。
先ず加熱モジュールＣＰＨ１については、I〜IVは以下の通りである。
I：３３秒
II：実行サイクル２４の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ１へはサイクル２６にてウエハＢ０１が搬入され、このサイクル２６における移載時間は既述のように９．５秒
IV：実行サイクル２４から、当該加熱モジュールＣＰＨ１にウエハＢ０１が搬入されるサイクル２６までのサイクル数は（２６−２４）で２
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（３３＋２０−９．５）÷２＝２１．７５秒→２１．８秒と求められる。
次いで加熱モジュールＣＰＨ２については、I〜IVは以下の通りである。
I：５７秒
II：実行サイクル２４の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ２へはサイクル２７にてウエハＢ０２が搬入され、このサイクル２７において移載時間は既述のように６秒
IV：実行サイクル２４から、当該加熱モジュールＣＰＨ２にウエハＢ０２が搬入されるサイクル２７までのサイクル数は（２７−２４）で３
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（５７＋２０−６）÷３＝２３．６７秒→２３．７秒と求められる。
最後に加熱モジュールＣＰＨ３については、I〜IVは以下の通りである。
I：７６秒
II：実行サイクル２４の実行時間は２０秒
III：当該加熱モジュールＣＰＨ３へはサイクル２８でウエハＢ０３が搬入され、このサイクル２８において移載されるウエハＷはＢ０４，Ｂ０３であって、その移載時間は６秒
IV：実行サイクル２４から、当該加熱モジュールＣＰＨ３にウエハＢ０３が搬入されるサイクル２８までのサイクル数は（２８−２４）で４
これによって、適正時間Ｔ２は、（３）式より、Ｔ２＝（７６＋２０−６）÷４＝２２．５秒と求められる。
このように加熱モジュールＣＰＨ１における適正時間Ｔ２は２１．８秒、加熱モジュールＣＰＨ２における適正時間Ｔ２は２３．７秒、加熱モジュールＣＰＨ３における適正時間Ｔ２は２２．５秒である（ステップＳ９）ので、最も長い適正時間Ｔ２（２３．７秒）と実行サイクル２４の実行時間（２０秒）とを比較する。この場合には適正時間Ｔ２＞実行時間であるので、適正時間Ｔ２―実行時間によりメインアームＡの待機時間Ｔ３（３．７秒→繰り上げて４秒）を求め、メインアームＡより４秒分待機してから次のサイクル２５を開始する（ステップＳ１０）。
以上のように、サイクル２２〜サイクル２８を実行サイクルとし、これらの実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルの実行時間とを比較して適正時間が長い場合には、適正時間と前記実行時間との差に相当する時間、前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するようにメインアームＡの制御を行いながら、既述の搬送スケジュールに従って残りのサイクルを実行する。
このようなレジストパターン形成装置では、先発のロットＡのウエハＡと、後発のロットＢのウエハＢとに対して処理部Ｓ２において連続して処理を行う場合であり、ロットＡのウエハＡに対する処理と、ロットＢのウエハＢに対する処理との間で、整定対象モジュールにおける整定処理を行う場合であっても、当該モジュールへのウエハＢの搬送タイミングが早まったり、遅れたりという事態の発生を抑えることができる。
このようなレジストパターン形成装置では、先発のロットＡのウエハＡと、後発のロットＢのウエハＢとに対して処理部Ｓ２において連続して処理を行う場合であり、ロットＡのウエハＡに対する処理と、ロットＢのウエハＢに対する処理との間で、整定対象モジュールにおける整定処理を行う場合であっても、当該モジュールへのウエハＢの搬送タイミングが早まったり、遅れたりという事態の発生を抑えることができる。
つまり先ず搬送スケジュール作成時に、整定処理に必要な時間に相当する分サイクルを空けてキャリア載置部Ｂ１から処理部Ｂ２にウエハＷの払い出しを行うようにしたので、当該モジュールへのウエハＢの搬送タイミングが早まって、当該整定処理が終了する前にウエハＢを当該モジュールに搬送してしまうという事態の発生を抑えることができる。
このように当該整定処理が終了する前にウエハＢを当該モジュールに搬送するということが防止されるので、当該モジュールにウエハＢを受け渡すことができずに、メインアームＡがこのウエハＢを保持したまま待機し、前記搬送サイクルを行うことができずに止まってしまう事態の発生が抑えられる。これによりメインアームＡが停止してしまうことなく、安定した状態で搬送スケジュールを順次実行できるので、ウエハの搬送がスムーズに行われ、スループットの向上を図ることができる。
また所定の条件を満たすサイクルにおいて、次のサイクルを実行するときの適正時間Ｔ２を求め、この時間が実行サイクルの実行時間よりも長い時には、適正時間Ｔ２―実行時間に相当する分、搬送サイクルの開始モジュールからのウエハＷの受取りを待機するようにメインアームＡのタイマーによる制御を行うことにより、当該モジュールへのウエハＢの搬送タイミングが遅くなることが抑えられ、整定処理が終了してから直ぐにウエハＢ０１を当該整定対象モジュールに搬入することができる。このため必要以上に先発ロットＡのウエハＡとの搬送間隔が空いてしまうことが抑えられ、露光装置へのウエハの供給遅れの発生が防止できる。このように処理部Ｂ１から露光装置Ｂ４へ亘ってウエハの搬送をスムーズに行うことができるので、この点からもスループットの向上を図ることができる。
ここでこの適正時間は、既述の（３）式に示すとおり、整定対象モジュールにおける整定処理残時間や実行サイクルの実行時間等の過去の経緯を考慮して求められた、実行サイクルの次のサイクルを実行するための理想的な時間である。そして実行サイクルの終了毎に、この適正時間を求め、この適正時間と実行時間とを比較して、適正時間が長い場合にのみメインアームの待機制御を行うとによって、実行サイクルの終了毎に次のサイクルを行う時間を見直すことができ、これにより必要なときに必要最低限の時間分、次のサイクルの開始を待機するように制御を行うことができる。これに対して従来の制御方法では、搬送サイクルの最大時間であるサイクル時間を基準にして制御を行っていたので、本発明のように実行サイクル毎に適正時間を求める場合に比べて待機時間が長くなり過ぎ、モジュールの整定処理が終了してからウエハＢを当該整定対象モジュールに搬入するまでの時間が長くなってしまう。
以上において本発明の整定対象モジュールとしては、加熱モジュールの他に塗布モジュールを用いることができる。この塗布モジュールは、ウエハＷをスピンチャックにより回転可能に保持し、このスピンチャック上のウエハＷに対して塗布ノズルから塗布液を滴下して、当該ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷに対して塗布液を塗布するように構成されているが、この場合の整定処理は塗布液を基板に供給する前に、塗布液を予備的にノズルから吐出するダミーディス穐ペンス処理である。また整定処理にはレジスト液の温調処理、周縁露光装置の照度整定処理等のウエハの処理を行うための全ての準備処理が含まれる。
さらに本発明は、レジスト液の塗布ユニット及び反射防止膜形成ユニットを含む、レジスト膜を形成するためのブロックと、現像処理を行うブロックとを分離して、ウエハがキャリアブロックから露光装置へ向かう搬送路と、露光装置からキャリアブロックに向かう搬送路とを夫々独立に形成した塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送制御に対しても適用できる。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。
Ｗ 半導体ウエハ
Ｃ キャリア
Ｂ１ キャリア載置部
Ｂ２ 処理部
Ｂ３ インターフェイス部
Ｂ４ 露光部
Ａ１，Ａ２ メインアーム
２４ 受け渡し手段
４ 制御部
４３ 整定処理部
４４ 搬送スケジュール作成部
４５ 待機制御部
４６ 搬送制御部
Ｃ キャリア
Ｂ１ キャリア載置部
Ｂ２ 処理部
Ｂ３ インターフェイス部
Ｂ４ 露光部
Ａ１，Ａ２ メインアーム
２４ 受け渡し手段
４ 制御部
４３ 整定処理部
４４ 搬送スケジュール作成部
４５ 待機制御部
４６ 搬送制御部
Claims (7)
- 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリア載置部と、このキャリア載置部から受け渡された基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理部と、を有し、
前記処理部では、基板搬送手段により、基板を温調する温調モジュール、塗布液を基板に塗布する塗布モジュール、基板を加熱する加熱モジュール、基板に対して現像処理を行う現像モジュールに対して基板を搬送し、
前記基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記塗布モジュール及び加熱モジュールの少なくとも一方からなり、一のキャリアから払い出された先発ロットの基板に対して当該モジュールにて処理を終了した後、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に、当該モジュールにおいて整定処理が行われる整定対象モジュールと、
前記搬送スケジュールにおいて、先発ロットの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成する手段と、
前記作成された搬送スケジュールにおいて、前記整定対象モジュールにて整定処理が行われたサイクルであり、かつ当該整定対象モジュールにて整定処理の残時間があるサイクルである実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルを実行するための実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するように基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記適正時間は、{（当該整定対象モジュールにおける整定処理残時間）＋（前記実行サイクルの前記実行時間）−（当該整定対象モジュールに後発ロットの基板が搬入されるサイクルにおいて、基板搬送手段が当該基板の受け渡しを行うために要する時間）}÷（前記実行サイクルから当該整定対象モジュールへ後発ロットのウエハが搬入されるサイクルまでのサイクル数）により演算されることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
- 前記次のサイクルの開始とは、キャリア載置部から処理部に受け渡された基板を基板搬送手段が受け取ることであることを特徴とする請求項１又は２に記載の塗布、現像装置。
- 整定対象モジュールは加熱モジュールであり、前記整定処理は加熱温度の変更処理であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリア載置部と、このキャリア載置部から受け渡された基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理部と、を有し、
前記処理部では、基板搬送手段により、基板を温調する温調モジュール、塗布液を基板に塗布する塗布モジュール、基板を加熱する加熱モジュール、基板に対して現像処理を行う現像モジュールに対して基板を搬送し、
前記基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
前記塗布モジュール及び加熱モジュールの少なくとも一方からなり、一のキャリアから払い出された先発ロットの基板に対して当該モジュールにて処理を終了した後、後発ロットの基板が当該モジュールに搬送される前に、当該モジュールにおいて整定処理が行われる整定対象モジュールを備え、
前記搬送スケジュールにおいて、先発ロットの最後の基板を前記処理部に受け渡した後、前記後発ロットの最初の基板を前記処理部に受け渡すまでに、前記整定処理に要する時間を一の搬送サイクルを実行するときに要する最大時間であるサイクル時間で除して得られる遅延サイクル数だけサイクルを空けるように搬送スケジュールを作成する工程と、
前記作成された搬送スケジュールにおいて、前記整定対象モジュールにて整定処理が行われたサイクルであり、かつ当該整定対象モジュールにて整定処理の残時間があるサイクルである実行サイクルを終了し、次のサイクルを開始する前に、整定対象モジュール毎に次のサイクルを実行するための適正時間を求め、これらのうち最も長い適正時間と前記実行サイクルを実行するための実行時間とを比較して前記適正時間が長い場合には、前記適正時間と前記実行時間との差に相当する時間だけ前記実行サイクルの次のサイクルの開始を待機するように基板搬送手段を制御する工程と、を備えたことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記適正時間は、{（当該整定対象モジュールにおける整定処理残時間）＋（前記実行サイクルの前記実行時間）−（当該整定対象モジュールに後発ロットの基板が搬入されるサイクルにおいて、基板搬送手段が当該基板の受け渡しを行うために要する時間）}÷（前記実行サイクルから当該整定対象モジュールへ後発ロットのウエハが搬入されるサイクルまでのサイクル数）により演算されることを特徴とする請求項５記載の塗布、現像方法。
- 処理部にて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリア載置部から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、請求項５又は６記載の塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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