JP2010278254A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010278254A JP2010278254A JP2009129518A JP2009129518A JP2010278254A JP 2010278254 A JP2010278254 A JP 2010278254A JP 2009129518 A JP2009129518 A JP 2009129518A JP 2009129518 A JP2009129518 A JP 2009129518A JP 2010278254 A JP2010278254 A JP 2010278254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- substrate
- module
- transported
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 148
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 39
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 220
- 101150016835 CPL1 gene Proteins 0.000 description 51
- 101100468774 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RIM13 gene Proteins 0.000 description 51
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 47
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 12
- 239000012160 loading buffer Substances 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101710110702 Probable chorismate pyruvate-lyase 1 Proteins 0.000 description 1
- 101710110695 Probable chorismate pyruvate-lyase 2 Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】処理ブロックから基板を搬出するための第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアがキャリア載置部に載置されていない場合には、第2の受け渡しモジュールの基板をバッファモジュールに搬送し、第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されている場合には、バッファモジュールにてそのキャリアに搬送される基板の有無にかかわらず、第2の受け渡しモジュールにある基板を前記キャリアに搬送することで、キャリアとバッファモジュールと第2の受け渡しモジュールとの間で基板を搬送する搬送手段の搬送工程数を抑え、スループットの低下を抑えることができる。
【選択図】図7
Description
前記キャリアから搬出された基板を前記処理ブロックに搬入するために一旦載置させる第1の受け渡しモジュールと、
前記処理ブロックにて処理済みの基板をキャリアへ搬出するために一旦載置させる第2の受け渡しモジュールと、
前記第2の受け渡しモジュールから搬出され、キャリアに戻される前の基板を待機させるために複数枚の基板を格納できるように構成されたバッファモジュールと、
前記キャリア載置部に載置されたキャリアと、前記第1の受け渡しモジュールと、前記バッファモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールとの間で基板を搬送する第1の搬送手段と、
先に第1の受け渡しモジュールに搬入された基板が、後から第1の受け渡しモジュールに搬入された基板を追い越さないように、前記第1の受け渡しモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールと、前記処理ブロックに設けられたモジュールとの間で基板を搬送する第2の搬送手段と、
前記基板処理装置の各部に制御信号を出力して、その動作を制御する制御部と、を備え、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されていない場合には、前記第2の受け渡しモジュールの基板を前記バッファモジュールに搬送し、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されている場合には、バッファモジュールにてそのキャリアに搬送される基板の有無にかかわらず、第2の受け渡しモジュールにある基板を前記キャリアに搬送するように前記制御信号が出力されることを特徴とする。
前記基板が搬出されたキャリアを、そのキャリアを退避させるためのキャリア退避領域と、前記キャリア載置部との間で搬送する工程と、
処理ブロックに少なくとも一つ設けられた処理モジュールにて基板を1枚ずつ処理する工程と、
前記キャリア載置部に載置されたキャリアと、前記キャリア載置部に載置されたキャリアから基板を前記処理ブロックに搬入するために一旦載置する第1の受け渡しモジュールと、処理ブロックにて処理済みの基板を前記キャリアへ搬出するために一旦載置する第2の受け渡しモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールから搬出され、キャリアに戻される前の基板を待機させるために複数枚の基板を格納できるように構成されたバッファモジュールとの間で第1の搬送手段により基板を受け渡す工程と、
先に第1の受け渡しモジュールに搬入された基板が、後から第1の受け渡しモジュールに搬入された基板を追い越さないように、前記第1の受け渡しモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールと、前記処理ブロックに設けられたモジュールとの間で第2の搬送手段により基板を搬送する工程と、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されていない場合には、前記第2の受け渡しモジュールの基板を前記バッファモジュールに搬送する工程と、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されている場合には、バッファモジュールにてそのキャリアに搬送される基板の有無にかかわらず、その第2の受け渡しモジュールにある基板を前記キャリアに搬送する工程と、
を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
TRS 受け渡しモジュール
C キャリア
CPL 受け渡しモジュール
E1 キャリアブロック
E2 処理ブロック
E4 露光装置
1 塗布、現像装置
1A 搬送アーム
10 キャリアステーション
15 搬出用バッファモジュール
16 キャリア載置部
21 ロードポート
3 キャリア搬送手段
51 レジスト膜形成部
52 レジスト塗布モジュール
100 制御部
Claims (11)
- 複数枚の基板を格納したキャリアが載置されるキャリア載置部と、前記基板が搬出されたキャリアを前記キャリア載置部から退避させるためのキャリア退避領域と、前記キャリア載置部と前記キャリア退避領域との間でキャリアを搬送するキャリア搬送手段と、を備えたキャリアブロックと、前記基板を1枚ずつ処理する処理モジュールを少なくとも一つ備えた処理ブロックと、を備えた基板処理装置において、
前記キャリアから搬出された基板を前記処理ブロックに搬入するために一旦載置させる第1の受け渡しモジュールと、
前記処理ブロックにて処理済みの基板をキャリアへ搬出するために一旦載置させる第2の受け渡しモジュールと、
前記第2の受け渡しモジュールから搬出され、キャリアに戻される前の基板を待機させるために複数枚の基板を格納できるように構成されたバッファモジュールと、
前記キャリア載置部に載置されたキャリアと、前記第1の受け渡しモジュールと、前記バッファモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールとの間で基板を搬送する第1の搬送手段と、
先に第1の受け渡しモジュールに搬入された基板が、後から第1の受け渡しモジュールに搬入された基板を追い越さないように、前記第1の受け渡しモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールと、前記処理ブロックに設けられたモジュールとの間で基板を搬送する第2の搬送手段と、
前記基板処理装置の各部に制御信号を出力して、その動作を制御する制御部と、を備え、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されていない場合には、前記第2の受け渡しモジュールの基板を前記バッファモジュールに搬送し、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されている場合には、バッファモジュールにてそのキャリアに搬送される基板の有無にかかわらず、第2の受け渡しモジュールにある基板を前記キャリアに搬送するように前記制御信号が出力されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記バッファモジュールに搬送された基板は、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置され、前記第2の受け渡しモジュールに基板が搬送されておらず、更にキャリアから前記第1の受け渡しモジュールへ搬送する基板がないときに前記キャリアに搬送されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記バッファモジュールに搬送された基板が格納されるキャリアが前記キャリア載置部に載置され、前記第2の受け渡しモジュールに搬送された基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されていない場合に、前記バッファモジュールに搬送された基板がキャリアへ搬送されることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 第2の受け渡しモジュールは複数設けられ、その全てに基板が搬送されている場合に前記バッファモジュールからキャリアへの基板の搬送が行われ、基板が搬送されていない第2の受け渡しモジュールがある場合には前記バッファモジュールからキャリアへの基板の搬送が行われないことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記処理モジュールは、基板にレジストを供給するレジスト塗布モジュールと、前記レジスト塗布後、露光装置にて露光された基板に現像液を供給して現像する現像モジュールと、を含み、基板処理装置は塗布、現像装置として構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに基板処理装置。
- 複数枚の基板を格納したキャリアをキャリア載置部に載置する工程と、
前記基板が搬出されたキャリアを、そのキャリアを退避させるためのキャリア退避領域と、前記キャリア載置部との間で搬送する工程と、
処理ブロックに少なくとも一つ設けられた処理モジュールにて基板を1枚ずつ処理する工程と、
前記キャリア載置部に載置されたキャリアと、前記キャリア載置部に載置されたキャリアから基板を前記処理ブロックに搬入するために一旦載置する第1の受け渡しモジュールと、処理ブロックにて処理済みの基板を前記キャリアへ搬出するために一旦載置する第2の受け渡しモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールから搬出され、キャリアに戻される前の基板を待機させるために複数枚の基板を格納できるように構成されたバッファモジュールとの間で第1の搬送手段により基板を受け渡す工程と、
先に第1の受け渡しモジュールに搬入された基板が、後から第1の受け渡しモジュールに搬入された基板を追い越さないように、前記第1の受け渡しモジュールと、前記第2の受け渡しモジュールと、前記処理ブロックに設けられたモジュールとの間で第2の搬送手段により基板を搬送する工程と、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されていない場合には、前記第2の受け渡しモジュールの基板を前記バッファモジュールに搬送する工程と、
前記第2の受け渡しモジュールに基板があり、その基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されている場合には、バッファモジュールにてそのキャリアに搬送される基板の有無にかかわらず、その第2の受け渡しモジュールにある基板を前記キャリアに搬送する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記バッファモジュールに搬送された基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置され、前記第2の受け渡しモジュールに基板が搬送されておらず、更にキャリアから前記第1の受け渡しモジュールへ搬送する基板がないときに、バッファモジュールに搬送された基板がキャリアに搬送されることを特徴とする請求項6記載の基板処理方法。
- 前記バッファモジュールに搬送された基板が格納されるキャリアが前記キャリア載置部に載置され、前記第2の受け渡しモジュールに搬送された基板を格納するキャリアが前記キャリア載置部に載置されていない場合に、前記バッファモジュールに搬送された基板がキャリアへ搬送されることを特徴とする請求項6または7記載の基板処理方法。
- 第2の受け渡しモジュールは複数設けられ、その全てに基板が搬送されている場合に前記バッファモジュールからキャリアへの基板の搬送が行われ、基板が搬送されていない第2の受け渡しモジュールがある場合には前記バッファモジュールからキャリアへの基板の搬送が行われないことを特徴とする請求項8記載の基板処理方法。
- 基板を1枚ずつ処理する工程は、基板にレジストを塗布する工程と、そのレジストが塗布され、露光された後の基板に現像液を供給する工程と、を含むことを特徴とする請求項6ないし9のいずれか一つに基板処理方法。
- 前記基板を1枚ずつ処理する処理モジュールを少なくとも一つ備えた処理ブロックと、その処理ブロックにて処理済みの基板をキャリアへ搬送する搬送手段とを備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項6ないし10のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009129518A JP5187274B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR1020100045512A KR101666227B1 (ko) | 2009-05-28 | 2010-05-14 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
TW099117059A TWI433255B (zh) | 2009-05-28 | 2010-05-27 | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 |
CN201010193078.1A CN101901747B (zh) | 2009-05-28 | 2010-05-28 | 基板处理装置和基板处理方法 |
US12/796,160 US8448600B2 (en) | 2009-05-28 | 2010-06-08 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009129518A JP5187274B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010278254A true JP2010278254A (ja) | 2010-12-09 |
JP5187274B2 JP5187274B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=43227182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009129518A Active JP5187274B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8448600B2 (ja) |
JP (1) | JP5187274B2 (ja) |
KR (1) | KR101666227B1 (ja) |
CN (1) | CN101901747B (ja) |
TW (1) | TWI433255B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222949A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2014175358A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
WO2015046062A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
US9280052B2 (en) | 2013-03-06 | 2016-03-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method, non-transitory computer storage medium and substrate treatment system |
US9329483B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-05-03 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, non-transitory computer storage medium and film forming apparatus |
JP2020109788A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置 |
WO2021117556A1 (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US9004788B2 (en) * | 2010-06-08 | 2015-04-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
JP5946617B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2016-07-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理システム |
JP5541274B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5793527B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置制御システム及び搬送装置のアクセス位置を調整する方法 |
CN103439893B (zh) * | 2013-08-16 | 2016-04-27 | 上海华力微电子有限公司 | 设备装载端口的预约使用控制方法 |
JP6292155B2 (ja) * | 2015-03-19 | 2018-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6512119B2 (ja) * | 2015-04-16 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理装置 |
JP7360849B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275511A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載システム及び処理装置 |
JPH11330037A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002064075A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2007095856A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2007287909A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体 |
JP2009026916A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体 |
JP2010278249A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6009890A (en) * | 1997-01-21 | 2000-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate transporting and processing system |
JP4560022B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体 |
JP5023679B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 |
-
2009
- 2009-05-28 JP JP2009129518A patent/JP5187274B2/ja active Active
-
2010
- 2010-05-14 KR KR1020100045512A patent/KR101666227B1/ko active IP Right Grant
- 2010-05-27 TW TW099117059A patent/TWI433255B/zh active
- 2010-05-28 CN CN201010193078.1A patent/CN101901747B/zh active Active
- 2010-06-08 US US12/796,160 patent/US8448600B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275511A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載システム及び処理装置 |
JPH11330037A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002064075A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2007095856A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2007287909A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体 |
JP2009026916A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体 |
JP2010278249A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101705932B1 (ko) | 2012-04-19 | 2017-02-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
KR20130118236A (ko) * | 2012-04-19 | 2013-10-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2013222949A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
US9329483B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-05-03 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, non-transitory computer storage medium and film forming apparatus |
JP2014175358A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
US9280052B2 (en) | 2013-03-06 | 2016-03-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method, non-transitory computer storage medium and substrate treatment system |
US9341952B2 (en) | 2013-03-06 | 2016-05-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method, non-transitory computer storage medium and substrate treatment system |
WO2015046062A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
JP6068663B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
TWI579400B (zh) * | 2013-09-30 | 2017-04-21 | Hitachi Int Electric Inc | A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium |
US9966289B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium |
JP2020109788A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置 |
JP7190900B2 (ja) | 2018-12-28 | 2022-12-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置 |
WO2021117556A1 (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI433255B (zh) | 2014-04-01 |
US8448600B2 (en) | 2013-05-28 |
US20110297085A1 (en) | 2011-12-08 |
KR20100129152A (ko) | 2010-12-08 |
CN101901747A (zh) | 2010-12-01 |
JP5187274B2 (ja) | 2013-04-24 |
TW201042726A (en) | 2010-12-01 |
KR101666227B1 (ko) | 2016-10-13 |
CN101901747B (zh) | 2012-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5187274B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5223778B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
KR101117872B1 (ko) | 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법 | |
JP4464993B2 (ja) | 基板の処理システム | |
US7934880B2 (en) | Coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium | |
KR101553417B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP4973675B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2009021275A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007335626A (ja) | 基板処理システムおよび基板搬送方法 | |
CN107785288B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
KR20130118236A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP4687682B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 | |
KR101215712B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US9004788B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
JP2009026916A (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体 | |
JP5348290B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
WO2021117556A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR102243966B1 (ko) | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 장치의 운전 방법 및 기억 매체 | |
JP4496073B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
WO2022102475A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4657528B2 (ja) | 処理システムおよび処理方法 | |
JP5267691B2 (ja) | 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 | |
CN118380358A (zh) | 基板处理***和基板处理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5187274 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |