JP2007521641A - 表面粗化による高効率の（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎベースの発光ダイオード - Google Patents

表面粗化による高効率の（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎベースの発光ダイオード Download PDF

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Abstract

窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）で、光はＬＥＤの窒素面（Ｎ面）（４２）を介して取り出される。また、Ｎ面（４２）の表面は１つ以上の六角形状円錐に粗くされる。表面を粗くすると、ＬＥＤ内部で繰り返し起こる光の反射が減り、そのため、より多くの光をＬＥＤから取り出せる。Ｎ面（４２）の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、ＰＥＣエッチングが挙げられ得る。

Description

（１．発明の分野）
本発明は、発光ダイオードに関する。より特定的には、表面粗化による高効率の窒化ガリウムベースの発光ダイオードに関する。
（２．関連技術の説明）
（注：本出願は、本明細書全体を通して一つ以上の参照番号で示される、多数の様々な文献を参照する。これら様々な文献は、参照番号順に、リストとして「参考文献」の項目で以下に示される。これらの文献のそれぞれは、本明細書で、参考として援用される）。
窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの大きなバンドギャップの半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）は、約１０年前から利用可能になってきた。このＬＥＤ開発の進歩によって、ＬＥＤ技術に大きな変化がもたらされ、フルカラーＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤ信号機、白色ＬＥＤなどが実現されてきた。
近年、高効率の白色ＬＥＤが、蛍光灯に置き換わる可能性があるものとして、大きな関心を集めている。特に、白色ＬＥＤの効率（７４ｌｍ／Ｗ）［１］（非特許文献１）は、普通の蛍光灯（７５ｌｍ／Ｗ）に近づきつつある。それにも関わらず、更なる効率改善が望ましい。
ＬＥＤの効率を改善するためには、主として二つのアプローチがある。第一のアプローチは、内部量子効率（ηｉ）を上げることであり、これは結晶品質やエピタキシャル層の構造によって決定される。一方、第二のアプローチは、光取り出し効率（η取り出し）を上げることである。
内部量子効率を上げることは、容易にできることではない。典型的なηｉ値は、青色ＬＥＤでは、約７０％を超え［２］（非特許文献２）、低転位ＧａＮ基板に成長した紫外線（ＵＶ）ＬＥＤでは、最近、約８０％のηｉ値を示している［３］（非特許文献３）。これには改善の余地はほとんどない。
その一方、光取り出し効率を改善する余地は、十分にある。内部光の損失を抑えるために、数多くの課題が挙げられている。例えば、高反射鏡、粗い表面などの低反射表面、非常に熱散乱しやすい構造などである。
例えば、ＧａＮ（ｎ〜２．５）と空気の屈折率を考え［４］（非特許文献４）、光脱出円錐（ｌｉｇｈｔ ｅｓｃａｐｅ ｃｏｎｅ）に対する臨界角が約２３°の場合を考える。光は側壁から発生し、後壁は無視されるものと仮定すると、内部光の約４％のみ取り出され得ることが期待される。脱出円錐の外の光は、側壁を介して脱出しない限り、基板の中に反射されるか、活性層または電極に繰り返し反射されるか、吸収されるかである。
ＬＥＤ構造は、光がどの程度発生されるかに影響を及ぼす。光取り出し効率におけるＬＥＤ構造の影響は、実施例によって、好適に記載される。以下の実施例で、ＬＥＤ構造の幾つかの種類を記載する。
図１は、従来型ＬＥＤ構造の模式的な断面図である。この構造はｐ型パッド電極１０、半透明電極１２、ｐ型層１４、活性領域１６、ｎ型層１８、ｎ型電極２０および基板２２を含む。ＧａＮは通常、例えば、サファイアのような絶縁体基板に成長されるため、ｐ型電極１０およびｎ型電極２０は同一平面上に製造される必要があり、その結果得られる電極１０と２０のデバイス構造は、電流の流れを長手方向に拘束してきた。ｐ型ＧａＮは抵抗率が高いため、薄い金属膜が、ｐ型ＧａＮに電流を広げるための半透明電極１２として用いられた。半透明電極１２の透明性は１００％であるべきことが望ましい。しかしながら、ＧａＮベースのＬＥＤで使われている薄い金属電極におけるその値は、せいぜい７０％である。さらに、パッド電極１０は、ワイヤボンディング用に形成されなくてはならず、そのワイヤボンディングはＬＥＤ内部から発生される光を暗くする。その結果、光取り出し効率は、極めて低くなることが予想される。
図２は、フリップチップ型ＬＥＤ構造の模式的な断面図である。この構造は、透明なサファイア基板２４、ｎ型層２６、ｎ型電極２８、活性領域３０、ｐ型層３２、ｐ型電極３４、ハンダ３６およびホストサブマウント（ｈｏｓｔ ｓｕｂｍｏｕｎｔ）３８を含む。外部効率を上げるためには、光はフリップチップ型ＬＥＤ構造の透明なサファイア基板２４を介して取り出しされ得る。本方法は、薄い金属膜とパッド電極による光吸収が減少する従来型ＬＥＤに比べ、有利である。しかしながら、活性領域から発する光のほとんどは、基板２４とｎ型層２６の界面、および、基板２４と空気との間の界面で反射される。
サファイア基板からＧａＮ膜を剥がす方法は「レーザリフトオフ」（ＬＬＯ）技術と呼ばれている。この方法をフリップチップ型ＧａＮベースのＬＥＤに適用することで、サファイア基板のないＧａＮのＬＥＤが実現され得る。この結果得られるＧａＮ表面は非平面の配向に加工されると仮定すると、光取り出し効率の著しい向上が期待される。
光取り出し効率を上げる別のアプローチは、ＬＥＤの表面を粗くすることである［５］（特許文献１）。このアプローチは、内部の光反射を弱め、光を上方に散乱させる。しかしながら、表面の粗いＬＥＤは、材料がリン化ガリウム（ＧａＰ）系との関連でのみ述べられてきた。なぜなら、ＧａＮは非常に耐久性ある材料で、通常の湿式エッチング方法では大した効果が出ないからである。このように、光散乱のために半導体表面を粗くしようというアイデアは、１９７０年代に最初に考えられたにも関わらず、この種のＬＥＤ構造で製造するのは、困難でコスト高であると信じられてきた。
しかしながら、上述のように、典型的なＧａＮベースのＬＥＤは、サファイアまたは炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の上に、薄いｐ−ＧａＮ／活性層／ｎ−ＧａＮ膜で構成されている。粗い表面を製造するためには、ある程度のＧａＮ厚さが必要である［６］（非特許文献５）が、ｐ−ＧａＮは抵抗率が比較的高いため、厚いｐ−ＧａＮを成長させることは望ましいことではない。そのため、光がｐ−ＧａＮを介して取り出されるなら、ｐ−ＧａＮ表面に半透明なコンタクトが必要である。また、表面を粗くするための乾式エッチング［７］（非特許文献６）のような処理は、電気的特性の劣化を招き得る。有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって、ｐ側を下にする構造を成長させることも、望ましくない。なぜなら、マグネシウム（Ｍｇ）メモリ効果［８］（非特許文献７）によって、活性層が劣化するからである。
最近、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）方法が、基板に成長したＧａＮ膜から、サファイア基板を剥がすために使われている［９−１１］（非特許文献８、非特許文献９、非特許文献１０）。さらに、ＬＬＯはＧａＮベースのＬＥＤ製造にも用いられてきている［１２、１３］（非特許文献１１、非特許文献１２）。しかしながら、この技術が表面形状や光取り出し効率に与える影響についての文献はない。
一方、本発明において、フリップチップ技術［１４］（非特許文献１３）とＬＬＯ方法を利用すると、基板のない窒素（Ｎ）側を上とするＧａＮベースのＬＥＤ構造が作成できる。その後、異方性エッチングプロセスは、Ｎ側を上とするＧａＮベースのＬＥＤの表面を粗くするために、用いられ得る。この結果得られる六角形状「擬円錐」表面は、光取り出しには優位である。表面を最適に粗くしたＬＥＤの光取り出し効率は、粗くする前のＬＥＤに比べ、１００％を超す増加率を示す。
かねてから、ＧａＮは異方性エッチングが難しいと考えられていることには注意したい。これは、ＧａＮが他の半導体材料に比べ、化学的に安定な材料だからである。乾式エッチングを用いると、ざらつきある（ｔｅｘｔｕｒｅｄ）表面は可能であるが、フォトリソグラフィなどの特殊処理を必要とし、ＧａＮ上に細かい擬円錐表面を作ることは不可能である。
光強化化学（ｐｈｏｔｏ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ）（ＰＥＣ）エッチングは、ガリウム面（Ｇａ面）ＧａＮに用いられ、小さなピットが表面に形成される。このことは、ＰＥＣエッチングが窒素面（Ｎ面）ＧａＮに使われた場合、はっきりとした擬円錐の形態が得られるのと、対照的である。ＬＬＯ技術を用いて製造したＧａＮベースのＬＥＤについては、少数の報告がなされているが、本発明は異方性エッチング方法を用いて、ＧａＮベースのＬＥＤのＮ−面ＧａＮ表面上に擬円錐構造を製造する。
米国特許第３，７３９，２１７号明細書 インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｃｒｅｅ．ｃｏｍ／Ｎｅｗｓ／ｎｅｗｓ１７５．ａｓｐ＞ Ｙ．Ｋａｗａｋａｍｉ、Ｙ．Ｎａｒｕｋａｗａ、Ｋ．Ｏｍａｅ、Ｓ．Ｆｕｊｉｔａ、および、Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔ．Ｓｏｌ．（ａ）１７８、 ３３１（２０００） Ｔ．Ｎｉｓｈｉｄａ、Ｈ．Ｓａｉｔｏ、および、Ｎ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ７９、 ７１１（２００１） Ａ．Ｂｉｌｌｅｂ、Ｗ．Ｇｒｉｅｓｈａｂｅｒ、Ｄ．Ｓｔｏｃｋｅｒ、Ｅ．Ｆ．Ｓｃｈｕｂｅｒｔ、Ｒ．Ｆ．Ｋａｒｌｉｃｅｋ，Ｊｒ．、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ７０、２７９０（１９９７） Ｃｈｕｌ Ｈｕｈら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９３、９３８３（２００３） Ｘ．Ａ．Ｃａｏ、Ｓ．Ｊ．Ｐｅａｒｔｏｎ、Ａ．Ｐ．Ｚｈａｎｇ、Ｇ．Ｔ．Ｄａｎｇ、Ｆ．Ｒｅｎ、Ｒ．Ｊ．Ｓｈｕｌ、Ｌ．Ｚｈａｎｇ、Ｒ．Ｈｉｃｋｍａｎ、および、Ｊ．Ｍ．Ｖａｎ Ｈｏｖｅ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５、２５６９ （１９９９） Ｙ．Ｏｈｂａ、および、Ａ．Ｈａｔａｎｏ、Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ．Ｇｒｏｗｔｈ １４５、２１４（１９９４） Ｗ．Ｓ．Ｗｏｎｇ、Ｔ．Ｓａｎｄｓ、Ｎ．Ｗ．Ｃｈｅｕｎｇ、Ｍ．Ｋｎｅｉｓｓｌ、Ｄ．Ｐ．Ｂｏｕｒ、Ｐ．Ｍｅｉ、Ｌ．Ｔ．Ｒｏｍａｎｏ、および、Ｎ．Ｍ． Ｊｏｈｎｓｏｎ、 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ７２、１９９９（１９９８） Ｐ．Ｒ．Ｔａｖｅｒｎｉｅｒ、および、Ｄ．Ｒ．Ｃｌａｒｋｅ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． ８９、１５２７（２００１） Ｃ．Ｆ．Ｃｈｕ、Ｃ．Ｃ．Ｙｕ、Ｈ．Ｃ．Ｃｈｅｎｇ、Ｃ．Ｆ．Ｌｉｎ、および、Ｓ．Ｃ．Ｗａｎｇ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４２、Ｌ１４７（２００３） Ｗ．Ｓ．Ｗｏｎｇ、Ｔ．Ｓａｎｄｓ、Ｎ．Ｗ．Ｃｈｅｕｎｇ、Ｍ．Ｋｎｅｉｓｓｌ、Ｄ．Ｐ．Ｂｏｕｒ、Ｐ．Ｍｅｉ、Ｌ．Ｔ．Ｒｏｍａｎｏ、Ｎ．Ｍ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ＩｎＧａＮ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｍｅｍｂｒａｎｅｓ ｂｙ ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ ｏｆｆ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、７５（１０）１３６０（１９９９） Ｗ．Ｓ．Ｗｏｎｇ、Ｔ．Ｓａｎｄｓ、Ｎ．Ｗ．Ｃｈｅｕｎｇ、Ｍ．Ｋｎｅｉｓｓｌ、Ｄ．Ｐ．Ｂｏｕｒ、Ｐ．Ｍｅｉ、Ｌ．Ｔ．Ｒｏｍａｎｏ、Ｎ．Ｍ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、「ＩｎＸＧａ１−ＸＮ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｏｎ Ｓｉ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｐｄ−Ｉｎ ｍｅｔａｌ ｂｏｎｄｉｎｇ ａｎｄ ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ−ｏｆｆ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、７７（１８）２８２２（２０００） Ｊ．Ｊ．Ｗｉｅｒｅｒ、Ｄ．Ａ．Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ、Ｍ．Ｒ．Ｋｒａｍｅｓ、Ｊ．Ｊ．Ｏ’Ｓｈｅａ、Ｍ．Ｊ．Ｌｕｄｏｗｉｓｅ、Ｎ．Ｆ．Ｇａｒｄｎｅｒ、Ｒ．Ｓ．Ｋｅｒｎ、および、Ｓ．Ａ．Ｓｔｏｃｋｍａｎ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ７８、３３７９（２００１） Ｍ．Ｓ．Ｍｉｎｓｋｙ、Ｍ．Ｗｈｉｔｅ、および、Ｅ．Ｌ．Ｈｕ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ６８、１５３１（１９９６） Ｃ．Ｙｏｕｔｓｅｙ、Ｌ．Ｔ．Ｒｏｍａｎｏ、および、Ｉ．Ａｄｅｓｉｄａ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ７３、７９７（１９９８）
（発明の概要）
本発明は、窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）について述べる。ここで、光はＬＥＤの窒素面（Ｎ面）を介して取り出され、Ｎ面の表面は１つ以上の六角形状円錐に粗くされる。表面を粗くすると、ＬＥＤ内で繰り返し起こる光反射が減少するため、ＬＥＤからより多くの光を取り出せる。
Ｎ面の表面は、異方性エッチングにより粗くされる。異方性エッチングは、乾式エッチング、または、光強化化学（ＰＥＣ）エッチングを含み得る。
一つの実施形態において、Ｎ面ＧａＮは、レーザリフトオフ（ＬＯＯ）技術で準備される。他の実施形態において、ＬＥＤはｃ平面ＧａＮウェハー上に成長され、ｐ型層の表面は、ガリウム面（Ｇａ面）であり、ｎ型層の表面は窒素面（Ｎ面）である。
図面について述べると、同じ参照番号は、全体を通じて、対応するものを示す。
（発明の詳細な説明）
好ましい実施形態の以下の説明において、実施形態の一部として、添付図面が参照される。この中で、本発明が実行され得る特定の実施形態が例示として示される。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態も用いられ得ること、および、構造上の変化もなされ得ることは、理解されるべきである。
（概要）
本発明は、ＧａＮベースのＬＥＤの表面を粗くすることによって、光取り出し効率を向上させる手段を提供する。特に、Ｎ面ｃ平面ＧａＮ表面に異方性ＰＥＣエッチング方法を適用し、その結果、円錐形状の表面形態を製造する。このように表面を粗くすると、光の反射がＬＥＤ内で繰り返し起こり、こうして、ＬＥＤから、より多くの光を取り出すことができる。さらに、本発明の方法は、シンプルで、繰り返し可能であり、材料に損傷を与えない。これは、表面を粗くする他の方法においては、材料の品質と妥協し得るのとは対照的である。これら全てのことから、本発明はＬＥＤ製造をより適切なものとする。
（ＬＥＤ構造）
図３は、表面を粗くしたＬＥＤの模式図である。このＬＥＤは、ｎ型電極４０、ｎ型層４２、活性領域４４、ｐ型層４６、および、ｐ型電極４８を含む。ｐ型電極４８は、ｎ型電極５４を含むシリコン（Ｓｉ）サブマウント５２に、ハンダ層５０を介して、フリップチップボンディングされている。ｎ型層４２、活性領域４４、および、ｐ型層４６は、（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ合金から成る。乾式エッチングまたはＰＥＣエッチング方法が、ｎ型層４２の表面を粗くするために用いられる。望ましい表面を得るためには、乾式エッチングではプラズマ化学やプラズマパワーなどの条件を、また、ＰＥＣエッチングでは電解質やランプパワーなどの条件を適切に設定することが必要である。このＧａＮベースのＬＥＤは、ｃ軸に沿って成長されるべきで、このｎ型ＧａＮ表面はＮ面であるべきことは重要である。なぜなら、異方性エッチングは、Ｇａ面ＧａＮよりもＮ面ＧａＮで、より容易に観察され得るからである。
ｃ平面ＧａＮは、この平面がＧａ原子のみを含む構造であって、Ｎ原子のみを含む平面は、交互に積み重ねられるか、積み上げられることに、注意すべきである。一方の表面がＧａ面であれば、他方の表面はＮ面である。結晶成長とデバイス性能の観点から、Ｇａ面ｃ平面ＧａＮが一般的には好ましいため、Ｎ面ＧａＮはＬＬＯ技術によって準備される必要があるか、あるいは、ＬＥＤ構造がｃ平面バルクのＧａＮウェハーに成長され得る。
表面を粗くしたｎ型ＧａＮ表面４２へ向かって活性領域４４から発生する光は、表面によって散乱される。これは、活性領域に光を戻すような反射にはならない。ｐ型電極４８は反射率が高い特性を有することが望ましい。それは、光吸収を減らし、ｎ型ＧａＮ表面４２に向けての光反射を増やすためである。実験結果から、本発明によって、表面を粗くしたＬＥＤの上向きの光出力は、平坦な表面のＬＥＤに比べ、２倍から３倍増加することが分かった。
（処理ステップ）
図４は、本発明の好ましい実施形態で用いられる処理ステップを示す流れ図である。
ブロック５６は、ＭＯＣＶＤによって、ｃ平面サファイア基板上にＧａ面エピタキシャル層を成長させ、サンプルを作成するステップを示す。
ブロック５８は、ＭＯＣＶＤ後、ｐ型活性化のために、サンプルをアニールするステップを示す。
ブロック６０は、高い反射率のｐ−ＧａＮコンタクトを作成するために、サンプル上にｐ型メタル化処理を実行するステップを示す。メタル化は、銀（Ａｇ）またはアルミ（Ａｌ）を含むが、これらには限定されない。
ブロック６２は、サンプル上に厚い金（Ａｕ）層を堆積し、次いで、熱エバポレータの中で、スズ（Ｓｎ）蒸着によるハンダ金属として、スズ（Ｓｎ）層を堆積するステップを示す。
ブロック６４は、サンプルを上下逆にし、それをＡｕでコーティングしたＳｉ基板／サブマウントに、２８０℃を超える温度で、ボンディングするステップを示す。ここで、Ａｕ／Ｓｎ合金が形成され、この合金がＳｉ基板へのサンプル接着に寄与する。
ブロック６６は、サンプルの透明サファイア基板を、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザ光（２４８ｎｍ）を用い、そのサファイア基板の裏側を介して照射して、ＬＬＯプロセスを実行するステップを示す。その結果、ＧａＮ／サファイア基板界面で、局所的にＧａＮが分解する。特に、サンプル上にＫｒＦエキシマレーザスポットをラスタして、ＧａＮベースのＬＥＤ膜は、Ｓｉ基板／サブマウントに移される。
ブロック６８は、サンプル上にＫｒＦレーザをラスタした後に、サンプルからサファイア基板のボンディングを外すステップを示す。
ブロック７０は、塩酸（ＨＣｌ）溶液を用いて、サンプルのＧａＮが剥がされた表面に、残されたＧａ小滴（ｄｒｏｐｌｅｔ）を除去するステップを示す。
ブロック７２は、ＳｉドープしたＮ面ＧａＮがサンプルに露出されるまで、移されたＧａＮを薄くするステップを示す。
ブロック７４は、サンプルの露出したＮ面ＧａＮ上にｎ型コンタクトまたはｎ型電極として、チタン／アルミ／チタン／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ）電極を堆積するステップを示す。
ブロック７６は、サンプルを水酸化カリウム（ＫＯＨ）の電解質溶液に浸し、キセノン／水銀（Ｘｅ／Ｈｇ）ランプを用いてＮ面ＧａＮ表面を照射することで、ＰＥＣエッチングを行うステップを示す。このようにして、上部表面は粗くされる。ＰＥＣエッチングの詳細は、［１５］に詳細に記載されている。
ブロック７８は、乾式エッチング、ダイシング、劈開の方法を用いて、サンプルのＳｉ基板上の各デバイスを分離するステップを示す。
図５（ａ）〜（ｆ）は、表面を粗くしたＬＥＤの製造ステップをさらに示す。ここで、ＬＥＤ構造は、ｐ型電極８０、ＧａＮベースのＬＥＤ膜８２、サファイア基板８４、ハンダ金属８６、サブマウント（キャリア）８８、および、ｎ型電極９０を含む。特定的には、図５（ａ）は、ｐ型電極８０の堆積後の結果を示す。図５（ｂ）は、ＬＥＤがホストサブマウント８８上にボンディングされた後の結果を示す。図５（ｃ）は、サファイア基板８４がＬＬＯで除去された後の結果を示す。図５（ｄ）は、ｎ型電極９０が堆積後の結果を示す。図５（ｅ）は、ＧａＮ表面８２を粗くした後の結果を示す。図５（ｆ）は、デバイスをアイソレーションさせた後の結果を示す。
（可能な変更）
基本的な構造は上述したが、数多くの変更やバリエーションも可能である。
図６（ａ）は、電流ブロック層を有するＬＥＤを示し、図６（ｂ）は、電流閉じ込め枠を有するＬＥＤを示す。ここで、ＬＥＤはｎ型電極９２、ｎ型層９４、活性層９６、ｐ型層９８、ｐ型電極１００、電流ブロック層１０２、および、電流閉じ込め枠１０４を含む。
図６（ａ）において、ＬＥＤはｎ型電極９２の下に位置合わせした電流ブロック層１０２を有する。この電流ブロック層１０２は、電流がｎ型電極９２の下に集中しないようにする。これは、電極９２下での光放射の吸収を避け得、光取り出し効率を増やし得るためである。ＳｉＯ２のような絶縁体がｐ型ＧａＮ層９８上に置かれるのは、適切である。なぜなら、ｐ型ＧａＮ層９８は抵抗があるため、電流波及がほとんど起こらないからである。
図６（ｂ）において、ＬＥＤは絶縁体から作られた電流閉じ込め枠１０４を有する。デバイス分離に、乾式エッチングまたはダイシング方法が使われた場合、表面が損傷すれば、デバイスの側壁を伝わってリーク電流が流れ得る。このようなリーク電流は、ＬＥＤの効率と寿命の双方を悪化させる。電流閉じ込め枠１０４は、ＬＥＤの側壁からのリーク電流の抑制に寄与し、その枠の幅が適切に選ばれれば、発光面積を著しく減らすこともない。
ＬＬＯプロセスにおけるホストマウントとしては、Ｓｉ基板が上述されてきたが、代替の基板材料も、本発明の実施に使われ得る。Ｓｉは、サファイアよりも安価で、高い熱伝導性を有する。しかし、ＳｉＣ、ダイヤモンド、ＡｌＮなどの他の基板、あるいは、ＣｕＷなどの様々な金属も、熱伝導性の観点から利用に適し得る。
現在のところ、ＧａＮデバイスは、ＳｉＣやＳｉ基板に直接成長させることができる。ＧａＮベースのＬＥＤが、ＳｉＣまたはＳｉに成長されるなら、従来の乾式エッチングまたは湿式エッチングで基板を除去し得る。バルクのＧａＮ基板を使うと、ＬＬＯプロセスは省略され得る。
サンプルサイズも、ＬＥＤ製造で重要なポイントである。今日では、大きなサイズのＬＥＤも、高出力ＬＥＤの要望を満たすために、注目を集めている。ｎ型ＧａＮの抵抗率は、ｐ型ＧａＮの抵抗率よりも低いとはいえ、電流波及の上で、ｎ型電極の幾何学的条件に影響をサイズが及ぼす。
（実験結果）
発明者によってなされた実験において、Ｇａ面エピタキシャル層は、ＭＯＣＶＤにより、ｃ平面サファイア基板上に成長させた。構造は、４μｍ厚のアンドープおよびＳｉドープのＧａＮ層、５ピリオドのＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸（ＭＱＷ）、２０ｎｍ厚のＭｇドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、および、０．３μｍ厚のＭｇドープＧａＮであった。ＭＯＣＶＤ後、サンプルをｐ型活性化のためにアニールし、次いで、ｐ型メタル化処理を実行した。Ａｇベースの電極を、高反射率のｐ型ＧａＮコンタクトとして採用した。厚いＡｕをサンプル上に堆積し、次いで、熱エバポレータ内で、Ｓｎ蒸着した。ウェハーを上下逆にし、ＡｕコーティングされたＳｉサブマウントに、２８０℃でボンディングした。その結果、ＡｕとＳｎの合金が得られ、この合金がウェハーにサブマウントがしっかりと接着するのに寄与した。ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）をＬＬＯプロセスに用いた。ここで、レーザを、透明なサファイア基板を介して、照射した。その結果、ＧａＮとサファイアの境界で、ＧａＮの局所的分解が生じた。サンプル上にＫｒＦをラスタした後、サファイア基板はボンディングを外された。移されたＧａＮ表面に残留したＧａ小滴を、ＨＣｌ溶液で除去した。次いで、移されたＧａＮを、ＳｉドープのＧａＮが露出されるまで、薄くした。ｎコンタクトは、露出したＮ面ｎ型ＧａＮに形成され、各デバイスを、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって、その隣接デバイスから分離した。最後に、表面の上部を粗くするため、ＰＥＣエッチングを用いた。ＫＯＨ溶液を電解質として、Ｘｅ／Ｈｇランプを光源として、用いた。ＬＥＤの出力を、ＬＥＤチップの上方７ｍｍの高さにセットされたＳｉ検出器で測定した。
図７（ａ）と図７（ｂ）は、十字型ｎ電極を有するＬＬＯ−ＬＥＤの平面顕微鏡写真である。ここで、ＬＥＤはＳｉ基板にボンディングされている。図７（ａ）は、粗くする前の表面を示し、図７（ｂ）は、粗くした後の表面を示す。ＰＥＣエッチングの間、ｎ電極が紫外線をブロックするので、ｎ電極の下にあるＧａＮはエッチングされず、電極は粗くした後もＧａＮの上に残る。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のような透明な電極も、電流波及電極として、使われ得る。
図８（ａ）および図８（ｂ）は、ＰＥＣエッチング後のＧａＮのＮ面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像で、エッチング時間が異なるものである。ＰＥＣエッチングされたＮ面ＧａＮ表面は、複数の六角形状円錐を含む。これは、Ｙｏｕｔｓｅｙら［１６］によって報告されているもの全く異なる。この差は、ＧａＮの表面極性によるものと考えられる。図８（ａ）の表面を２分間エッチングしたものと、図８（ｂ）の表面を１０分間エッチングしたものを比べると、フィーチャサイズは大きくなり、六角形状円錐のファセットも明確になってくる。
円錐状表面は、ＬＥＤからの光の取り出しに非常に効率が良いように思われる。さらに、実験結果が示唆することは、円錐形状は、より多くの光を取り出し得る。例えば、ＧａＮ結晶の青色ＬＥＤの波長は、約２００ｎｍである。円錐形状のサイズが、その波長の値より随分小さければ、光はその粗さによる影響を受けないこともあり得る。一方、円錐形状のサイズが、その値に近ければ、光は散乱または回折され得る。
実験結果において、ＧａＮの場合、粗くした表面は、
Figure 2007521641
 以下の角度を有する多数の六角形状の円錐からなることが分かった。ここで、ｎａｉｒは空気の屈折率で、ｎｓはＧａＮの屈折率である。同様に、エポキシの場合、粗くした表面は、
２ｓｉｎ−１（ｎｅｎｃ／ｎｓ）
以下の角度を有する多数の六角形状の円錐からなることが分かった。ここで、ｎｅｎｃはエポキシの屈折率で、ｎｓはＧａＮの屈折率である。
表面は、円錐状を有する必要がないことも可能であり、格子構造やフォトニック結晶も考えられるべきである。これらは、光取り出しのためには、より良い構造である。しかしながら、フォトニック結晶の製造には、精密な設計と処理が必要で、円錐状の表面粗さを製造するよりも、コスト高である。
ＰＥＣエッチング前に表面が「鏡面状」であれば、エッチング時間が長くなるにつれ、退色する。反射率の高い金属が、ＧａＮ膜の他の面に堆積されると、表面は白色が現れるか、さもなければ、より暗くなる。これは、空気／ＧａＮ境界で拘束された光反射によるものであると、考えられる。ＧａＮの裏側に反射率の高い金属があれば、光はＧａＮの中を通過し、再び外に出て、粗くなった表面で散乱する。
表面が平坦なＬＥＤからのエレクトロルミネセンス（ＥＬ）スペクトルと、表面を粗くしたＬＥＤからのＥＬスペクトルとを、それぞれ図９（ａ）と図９（ｂ）に示す。測定は、順方向のＤＣ電流密度２５Ａ／ｃｍ２、室温（ＲＴ）で行った。平坦な表面のＬＥＤのスペクトルは、図９（ａ）に示されるように、複数のピーク発光を有した。これは、活性領域からの発生した光が、ＧａＮ／金属とＧａＮ／空気とで形成された鏡の間に挟まれた縦方向のＧａＮ空洞と干渉されたことを示唆している。これとは対照的に、図９（ｂ）に示されるように、表面を粗くしたＬＥＤにおいては、縦モードは観察されなかった。これは、粗くされたＧａＮ／空気界面は光を散乱するので、その結果、共振を抑制することを意味する。
図１０は、室温でのＬＥＤの上向きＥＬ出力 対 ＤＣ注入電流（Ｌ−Ｉ）特性のグラフで、エッチング時間が異なるものである。これらのデータは、ＰＥＣエッチングの前後で、同じデバイスから得られたことから、表面形状以外から生じる要因は一切排除され得る。いずれのＬ−Ｉ曲線も５０ｍＡまではリニアな特性を示した。Ｓｉの熱伝導性はサファイアの熱伝導性に比べ比較的高いので、これらのデバイスは、高出力での動作には有利である。どの電流値においても、出力はＰＥＣエッチング時間の増加ともに増加した。平坦な表面のＬＥＤと１０分間エッチングした表面のＬＥＤを比較すると、この粗面化処理の結果、出力は２．３のファクターで増加した。別のデバイスでの他の測定からも、粗面化処理を行った後、出力は２〜３倍の増加を示した。平坦な表面のＬＥＤは表面を粗くしたＬＥＤより、ＬＥＤチップの側壁から、より多くの光を発生する傾向がある。これは、光の長手方向への伝播によるものである。出力の差は、出力の全てを積分球で測定すれば、より小さくなる。それにも関わらず、異方性エッチングによる光取り出し効率の強化は、著しい改善が見られる。
結論として、異方性エッチング方法が、光取り出し効率を増加させる目的で、ＧａＮベースのＬＥＤに適用されてきた。ＬＥＤ出力テストの結果は、おそらくはＧａＮ膜での光伝播の減少によって、粗くした外観と光取り出し効率との間には、相関があるということを示した。全体の総合的な光学的出力は測定しなかったが、光取り出し効率の最大の増加は、１００％を超えるものであった。本明細書に記載された技術はシンプルで、複雑な処理を要しないことは、注目に値する。これは、表面を粗くしたＧａＮベースのＬＥＤ製造に適した技術であることを示している。
Figure 2007521641
 （結論）
これは、本発明の好ましい実施形態の記述を結論付けるものである。以下は、本発明を実行する幾つかの代替的な実施形態を述べる。
ＭＯＣＶＤ以外にも多数の異なる結晶成長方法が、本発明には用いられ得る。
さらに、サファイアまたは炭化ケイ素以外の基板も用いられ得る。
また、異なるＬＥＤ構造も作成され得る。例えば、共振空洞ＬＥＤ（ＲＣＬＥＤ）または微小空洞ＬＥＤ（ＭＣＬＥＤ）も同様に作成され得る。
本発明の１つ以上の実施形態に関する以上の記述は、例示と説明の目的のために紹介してきた。網羅的に記載することも、本発明をここに開示した細かい形式に限定することも意図していない。上述の教示を考慮すると、多数の変更やバリエーションも可能である。本発明の範囲は、詳細な説明に限定されるものでなく、むしろ、添付の特許請求の範囲によって限定されることを意図している。
図１は、従来型ＬＥＤ構造の模式的な断面図である。 図２は、フリップチップ型ＬＥＤ構造の模式的な断面図である。 図３は、表面を粗くしたＬＥＤの模式図である。 図４は、本発明の好ましい実施形態で用いられる処理ステップを示す流れ図である。 図５（ａ）〜（ｆ）は、表面を粗くしたＬＥＤの製造ステップをさらに示す。 図６（ａ）は、電流ブロック層を有するＬＥＤを示し、図６（ｂ）は、電流閉じ込め枠を有するＬＥＤを示す。 図７（ａ）および図７（ｂ）は、十字型ｎ電極を有するＬＬＯ−ＬＥＤの平面顕微鏡写真である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、ＰＥＣエッチング後のＧａＮのＮ面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像で、エッチング時間が異なるものである。 図９（ａ）は、表面が平坦なＬＥＤからのエレクトロルミネセンス（ＥＬ）スペクトルを、図９（ｂ）は、表面を粗くしたＬＥＤからのＥＬスペクトルを示す。 図１０は、室温でのＬＥＤの上向きＥＬ出力 対 ＤＣ注入電流（Ｌ−Ｉ）特性で、エッチング時間が異なるものである。

Claims (18)

  1. 窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、光は該ＬＥＤの窒素面（Ｎ面）を介して取り出され、該Ｎ面の表面は粗くされる、ＬＥＤ。
  2. 前記Ｎ面の表面が１つ以上の円錐に粗くされる、請求項１に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  3. 前記粗くされた表面が、前記ＬＥＤ内部で繰り返し起こる光の反射を減らし、これによって、より多くの光を該ＬＥＤから取り出す、請求項１に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  4. 前記Ｎ面の前記表面が、異方性エッチングで粗くされる、請求項１に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  5. 前記異方性エッチングが、乾式エッチングである、請求項４に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  6. 前記異方性エッチングが、光強化化学（ＰＥＣ）エッチングである、請求項４に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  7. 前記Ｎ面が、前記ＧａＮ ＬＥＤのｎ型層である、請求項１に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  8. 前記Ｎ面が、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）技術によって準備される、請求項１に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  9. 前記ＬＥＤが、ｃ平面ＧａＮウェハー上に成長され、ガリウム面（Ｇａ面）がｐ型層である、請求項１に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  10. 前記ＬＥＤが、ｎ型電極、ｎ型層、活性領域、ｐ型層、および、ｐ型電極からなる、請求項１に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  11. 前記ｎ型層、前記活性領域、および、前記ｐ型層が、それぞれ（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ合金からなる、請求項１０に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  12. 前記ｐ型電極が、高反射率の特性を有し、光の吸収を減らし、前記ｎ型層の前記表面に向かう光の反射を増やす、請求項１０に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  13. 前記ＬＥＤが、前記ｎ型電極の下に位置合わせされた電流ブロック層を含み、該ｎ型電極の下への電流集中の抑制によって、該ｎ型電極の下での光放射の吸収防止と、光取り出し効率の増加とを可能とする、請求項１０に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  14. 前記ＬＥＤが、発光面積を著しく減らすことなく、該ＬＥＤの前記側壁を流れるリーク電流を抑制する、絶縁体から作成された電流閉じ込め枠を含む、請求項１０に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  15. 前記粗くした表面が、ＧａＮの場合、
    Figure 2007521641
     以下の角度を有する複数の六角形状の円錐からなり、ここで、ｎａｉｒは空気の屈折率で、ｎｓはＧａＮの屈折率である、請求項２に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  16. 前記粗くした表面が、エポキシの場合、
    ２ｓｉｎ−１（ｎｅｎｃ／ｎｓ）
    以下の角度を有する複数の六角形状の円錐からなり、ここで、ｎｅｎｃはエポキシの屈折率で、ｎｓはＧａＮの屈折率である、請求項２に記載のＧａＮ ＬＥＤ。
  17. 窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）を作成する方法であって、光が該ＬＥＤの窒素面（Ｎ面）を介して取り出され、該方法は、該Ｎ面の表面を１つ以上の円錐に粗くすることを包含する、方法。
  18. ｎ型電極、ｎ型層、活性領域、ｐ型層、および、ｐ型電極からなる発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、該ｎ型層の表面は異方性エッチングによって１つ以上の円錐に粗くされ、光は該ｎ型層の該粗くされた表面を介して取り出される、ＬＥＤ。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005317959A (ja) * 2004-03-19 2005-11-10 Lumileds Lighting Us Llc 光結晶発光装置
JP2007067290A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子製造装置
JP2007150259A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2011505700A (ja) * 2007-11-30 2011-02-24 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 表面ラフニングによる高い光抽出効率の窒化物ベースの発光ダイオード
JP2011082587A (ja) * 2011-01-26 2011-04-21 Regents Of The Univ Of California 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード
JP2011082432A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2011513954A (ja) * 2008-02-29 2011-04-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
JP2011139067A (ja) * 2009-12-30 2011-07-14 Imec 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2011520296A (ja) * 2008-05-12 2011-07-14 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ｐ側上方ＧａＮ系発光ダイオードの光電気化学粗面化
JP2013504868A (ja) * 2009-09-09 2013-02-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 直列に接続されたｌｅｄ用のサブマウントのツェナーダイオード保護ネットワーク
US8766296B2 (en) 2003-12-09 2014-07-01 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
US8822247B2 (en) 2011-03-07 2014-09-02 Stanley Electric Co., Ltd. Optical semiconductor element and manufacturing method of the same
JP2015501530A (ja) * 2011-10-06 2015-01-15 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 半導体発光デバイスの表面処理
JP2015503849A (ja) * 2012-01-10 2015-02-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 選択的な領域粗化による制御されたｌｅｄ光出力
KR101507129B1 (ko) * 2008-03-28 2015-03-31 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법

Families Citing this family (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060005763A1 (en) * 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US7638346B2 (en) * 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
JP2007521635A (ja) 2003-09-19 2007-08-02 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイスの製造
KR20070013273A (ko) 2004-03-15 2007-01-30 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 반도체 장치의 제조
KR100568297B1 (ko) * 2004-03-30 2006-04-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2005098974A1 (en) 2004-04-07 2005-10-20 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting diodes
CA2563418A1 (en) 2004-04-15 2005-11-03 Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
US8035113B2 (en) 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
US7825006B2 (en) * 2004-05-06 2010-11-02 Cree, Inc. Lift-off process for GaN films formed on SiC substrates and devices fabricated using the method
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7345298B2 (en) * 2005-02-28 2008-03-18 The Regents Of The University Of California Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate
US7842527B2 (en) 2006-12-11 2010-11-30 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7223998B2 (en) 2004-09-10 2007-05-29 The Regents Of The University Of California White, single or multi-color light emitting diodes by recycling guided modes
KR20080014727A (ko) 2004-12-27 2008-02-14 퀀덤 페이퍼, 인크. 어드레스 가능 및 프린트 가능 발광 디스플레이
US8871547B2 (en) * 2005-01-11 2014-10-28 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating vertical light emitting diode (VLED) structure using a laser pulse to remove a carrier substrate
US8685764B2 (en) * 2005-01-11 2014-04-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method to make low resistance contact
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
KR100638730B1 (ko) * 2005-04-14 2006-10-30 삼성전기주식회사 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법
KR20080030020A (ko) * 2005-06-17 2008-04-03 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 광전자 어플리캐이션을 위한 (Ａｌ,Ｇａ,Ｉｎ)Ｎ 및 ＺｎＯ직접 웨이퍼-접착 구조 및 그 제조방법
KR100599012B1 (ko) * 2005-06-29 2006-07-12 서울옵토디바이스주식회사 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
US8674375B2 (en) * 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
SG130975A1 (en) 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
SG131803A1 (en) 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
TW200733424A (en) 2005-11-04 2007-09-01 Univ California High light extraction efficiency light emitting diode (LED)
KR100640497B1 (ko) * 2005-11-24 2006-11-01 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
US7641735B2 (en) 2005-12-02 2010-01-05 Crystal Is, Inc. Doped aluminum nitride crystals and methods of making them
WO2007065005A2 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 The Regents Of University Of California Improved horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (dfb) lasers fabricated by growth over a patterned substrate with multiple overgrowth
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
KR100661602B1 (ko) * 2005-12-09 2006-12-26 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법
SG133432A1 (en) 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
JP2007207981A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100844722B1 (ko) * 2006-03-07 2008-07-07 엘지전자 주식회사 나노콘 성장방법 및 이를 이용한 발광 다이오드의제조방법
US9034103B2 (en) * 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
JP5479888B2 (ja) * 2006-03-30 2014-04-23 クリスタル アイエス インコーポレイテッド 窒化アルミニウムバルク結晶を制御可能にドーピングする方法
JP2007300069A (ja) * 2006-04-04 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
US7674639B2 (en) * 2006-08-14 2010-03-09 Bridgelux, Inc GaN based LED with etched exposed surface for improved light extraction efficiency and method for making the same
SG140473A1 (en) * 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
JP2008053685A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法
SG140512A1 (en) 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
US9111950B2 (en) * 2006-09-28 2015-08-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Process for preparing a semiconductor structure for mounting
KR100815225B1 (ko) * 2006-10-23 2008-03-19 삼성전기주식회사 수직구조 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP5372766B2 (ja) * 2006-11-15 2013-12-18 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光取り出し効率の高い球形ｌｅｄ
TW200830593A (en) * 2006-11-15 2008-07-16 Univ California Transparent mirrorless light emitting diode
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
WO2008060586A2 (en) 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
JP4980701B2 (ja) * 2006-12-01 2012-07-18 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010512660A (ja) * 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 無極性および半極性の発光デバイス
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US8323406B2 (en) 2007-01-17 2012-12-04 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
CN101652832B (zh) * 2007-01-26 2011-06-22 晶体公司 厚的赝晶氮化物外延层
US8080833B2 (en) * 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
JP5346443B2 (ja) * 2007-04-16 2013-11-20 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US20080283503A1 (en) * 2007-05-14 2008-11-20 Cheng-Yi Liu Method of Processing Nature Pattern on Expitaxial Substrate
US8088220B2 (en) 2007-05-24 2012-01-03 Crystal Is, Inc. Deep-eutectic melt growth of nitride crystals
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8133768B2 (en) 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US8384630B2 (en) 2007-05-31 2013-02-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8889216B2 (en) 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
WO2009015386A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 The Regents Of The University Of California Light emitting diodes with a p-type surface
JP2009076694A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Panasonic Corp 窒化物半導体装置およびその製造方法
WO2009070808A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 The Regents Of The University Of California Light output enhanced gallium nitride based thin light emitting diode
JP2011507272A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 簡易な光抽出方式の下方変換発光ダイオード
US8637883B2 (en) * 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8343824B2 (en) * 2008-04-29 2013-01-01 International Rectifier Corporation Gallium nitride material processing and related device structures
US8053264B2 (en) * 2008-05-12 2011-11-08 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical etching of P-type semiconductor heterostructures
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090320745A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Soraa, Inc. Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials
US20100003492A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
CN101625971B (zh) * 2008-07-09 2010-12-08 中国科学院半导体研究所 利用光辅助氧化湿法刻蚀ⅲ族氮化物的方法
US8021481B2 (en) 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US8979999B2 (en) * 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8633501B2 (en) * 2008-08-12 2014-01-21 Epistar Corporation Light-emitting device having a patterned surface
JP2010045156A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7976630B2 (en) 2008-09-11 2011-07-12 Soraa, Inc. Large-area seed for ammonothermal growth of bulk gallium nitride and method of manufacture
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
WO2010042871A1 (en) * 2008-10-09 2010-04-15 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical etching for chip shaping of light emitting diodes
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
US20100147210A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Soraa, Inc. high pressure apparatus and method for nitride crystal growth
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8461071B2 (en) * 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
CN101771115B (zh) * 2009-01-06 2011-11-09 北京大学 氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
TW201029218A (en) * 2009-01-16 2010-08-01 Univ Nat Central Optical diode structure and manufacturing method
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US8207547B2 (en) * 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
US20100314551A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Bettles Timothy J In-line Fluid Treatment by UV Radiation
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8502465B2 (en) 2009-09-18 2013-08-06 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with current density operation
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
CN101673792B (zh) * 2009-09-25 2011-09-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法
US8435347B2 (en) 2009-09-29 2013-05-07 Soraa, Inc. High pressure apparatus with stackable rings
US9175418B2 (en) 2009-10-09 2015-11-03 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
JP2013510431A (ja) * 2009-11-03 2013-03-21 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 結晶学的エッチングによるスーパールミネセントダイオード
TWI531088B (zh) * 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
KR100993094B1 (ko) * 2010-02-01 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
BR112012019877A2 (pt) * 2010-02-10 2016-04-26 Tenneco Automotive Operating injetor de fluxo em redemoinho por pressão com variabilidade de fluxo reduzido e fluxo de retorno
JP4886869B2 (ja) * 2010-03-03 2012-02-29 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
KR100969131B1 (ko) * 2010-03-05 2010-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 제조방법
US8642368B2 (en) * 2010-03-12 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Enhancement of LED light extraction with in-situ surface roughening
US8618565B2 (en) * 2010-03-22 2013-12-31 Seoul Opto Device Co., Ltd. High efficiency light emitting diode
US8772805B2 (en) 2010-03-31 2014-07-08 Seoul Viosys Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same
PL2569802T3 (pl) * 2010-05-11 2018-01-31 Ultra High Vacuum Solutions Ltd T/A Nines Eng Sposób kontroli modyfikacji tekstury powierzchni płytki krzemowej dla urządzeń w postaci ogniw fotowoltaicznych
CN101866996B (zh) * 2010-05-21 2011-11-23 山东大学 基于激光器的led大面积可控表面粗化及刻蚀方法
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US9142715B2 (en) 2010-06-24 2015-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
CN105951177B (zh) 2010-06-30 2018-11-02 晶体公司 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长
US9389408B2 (en) 2010-07-23 2016-07-12 Zeta Instruments, Inc. 3D microscope and methods of measuring patterned substrates
EP2599133A2 (en) 2010-07-28 2013-06-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having distributed bragg reflector
TW201208143A (en) * 2010-08-06 2012-02-16 Semileds Optoelectronics Co White LED device and manufacturing method thereof
CN102374466B (zh) * 2010-08-24 2016-03-09 斯坦雷电气株式会社 灯具
US8502244B2 (en) * 2010-08-31 2013-08-06 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with current routing and associated methods of manufacturing
EP2617781B1 (en) 2010-09-01 2020-11-25 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes and method of using the same
CN103594461B (zh) 2010-09-01 2016-10-05 无限科技全球公司 二极管、二极管或其他二端集成电路的液体或胶体悬浮液的可印组成物及其制备方法
CN102130254B (zh) * 2010-09-29 2015-03-11 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光装置及其制造方法
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US8796053B2 (en) 2010-12-21 2014-08-05 Ultratech, Inc. Photolithographic LED fabrication using phase-shift mask
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
CN102169930B (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 山东大学 一种金属纳米颗粒辅助实现发光二极管表面粗化的方法
US8409965B2 (en) * 2011-04-26 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for LED with nano-patterned substrate
JP2012231000A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Toshiba Corp 半導体発光装置
US9337387B2 (en) 2011-06-15 2016-05-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US9142741B2 (en) 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US10319881B2 (en) 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
US9741899B2 (en) 2011-06-15 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
KR20140047070A (ko) 2011-06-15 2014-04-21 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 역전된 대면적 광 추출 구조들을 갖는 디바이스
US10522714B2 (en) 2011-06-15 2019-12-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US10032956B2 (en) 2011-09-06 2018-07-24 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
US9324560B2 (en) 2011-09-06 2016-04-26 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
CA2883101A1 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Trilogy Environmental Systems Inc. Hybrid desalination system
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
TWI466323B (zh) 2011-11-07 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 發光二極體
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
WO2013105015A1 (en) 2012-01-12 2013-07-18 Koninklijke Philips N.V. Sidewall etching of led die to improve light extraction
KR101286211B1 (ko) * 2012-02-16 2013-07-15 고려대학교 산학협력단 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자
JP2015509669A (ja) 2012-03-06 2015-03-30 ソラア インコーポレーテッドＳｏｒａａ Ｉｎｃ． 導波光効果を低減させる低屈折率材料層を有する発光ダイオード
US8971368B1 (en) 2012-08-16 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation
US8814376B2 (en) 2012-09-26 2014-08-26 Apogee Translite, Inc. Lighting devices
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
JP5460831B1 (ja) * 2012-11-22 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光素子
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9299880B2 (en) 2013-03-15 2016-03-29 Crystal Is, Inc. Pseudomorphic electronic and optoelectronic devices having planar contacts
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes
KR101471608B1 (ko) * 2013-06-12 2014-12-11 광주과학기술원 나노로드를 포함하는 질화물계 발광다이오드 및 이의 제조방법
US11060705B1 (en) 2013-07-05 2021-07-13 DMF, Inc. Compact lighting apparatus with AC to DC converter and integrated electrical connector
US11255497B2 (en) 2013-07-05 2022-02-22 DMF, Inc. Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building
US10551044B2 (en) 2015-11-16 2020-02-04 DMF, Inc. Recessed lighting assembly
US10591120B2 (en) 2015-05-29 2020-03-17 DMF, Inc. Lighting module for recessed lighting systems
US10563850B2 (en) 2015-04-22 2020-02-18 DMF, Inc. Outer casing for a recessed lighting fixture
US11435064B1 (en) 2013-07-05 2022-09-06 DMF, Inc. Integrated lighting module
US9964266B2 (en) 2013-07-05 2018-05-08 DMF, Inc. Unified driver and light source assembly for recessed lighting
US10753558B2 (en) 2013-07-05 2020-08-25 DMF, Inc. Lighting apparatus and methods
US10139059B2 (en) 2014-02-18 2018-11-27 DMF, Inc. Adjustable compact recessed lighting assembly with hangar bars
US8994033B2 (en) * 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
CN103367577B (zh) * 2013-07-25 2016-02-03 圆融光电科技有限公司 一种高亮度GaN基发光二极管外延片及其制备方法
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
EP2881982B1 (en) * 2013-12-05 2019-09-04 IMEC vzw Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices
USD851046S1 (en) 2015-10-05 2019-06-11 DMF, Inc. Electrical Junction Box
US10461221B2 (en) 2016-01-18 2019-10-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
CN107464859A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构、组件及其制造方法
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
USD905327S1 (en) 2018-05-17 2020-12-15 DMF, Inc. Light fixture
WO2018237294A2 (en) 2017-06-22 2018-12-27 DMF, Inc. THIN-PROFILE SURFACE MOUNTING LIGHTING DEVICE
US10488000B2 (en) 2017-06-22 2019-11-26 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
US11067231B2 (en) 2017-08-28 2021-07-20 DMF, Inc. Alternate junction box and arrangement for lighting apparatus
CN111670322B (zh) 2017-11-28 2022-04-26 Dmf股份有限公司 可调整的吊架杆组合件
CA3087187A1 (en) 2017-12-27 2019-07-04 DMF, Inc. Methods and apparatus for adjusting a luminaire
CN110034216A (zh) * 2018-01-12 2019-07-19 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Iii-v族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法
USD877957S1 (en) 2018-05-24 2020-03-10 DMF Inc. Light fixture
CA3103255A1 (en) 2018-06-11 2019-12-19 DMF, Inc. A polymer housing for a recessed lighting system and methods for using same
USD903605S1 (en) 2018-06-12 2020-12-01 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
WO2020072592A1 (en) 2018-10-02 2020-04-09 Ver Lighting Llc A bar hanger assembly with mating telescoping bars
USD901398S1 (en) 2019-01-29 2020-11-10 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
USD864877S1 (en) 2019-01-29 2019-10-29 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box with a lighting module mounting yoke
USD1012864S1 (en) 2019-01-29 2024-01-30 DMF, Inc. Portion of a plastic deep electrical junction box
USD966877S1 (en) 2019-03-14 2022-10-18 Ver Lighting Llc Hanger bar for a hanger bar assembly
CN110690327B (zh) * 2019-09-11 2021-11-16 佛山市国星半导体技术有限公司 一种高亮度紫光led芯片的制备方法及led芯片
WO2021051101A1 (en) 2019-09-12 2021-03-18 DMF, Inc. Miniature lighting module and lighting fixtures using same
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
USD990030S1 (en) 2020-07-17 2023-06-20 DMF, Inc. Housing for a lighting system
CA3124976A1 (en) 2020-07-17 2022-01-17 DMF, Inc. Polymer housing for a lighting system and methods for using same
CA3125954A1 (en) 2020-07-23 2022-01-23 DMF, Inc. Lighting module having field-replaceable optics, improved cooling, and tool-less mounting features
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177432A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオードランプおよびその製造方法
JPH098403A (ja) 1995-06-15 1997-01-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
WO2001041219A1 (en) 1999-12-03 2001-06-07 Cree Lighting Company Micro-led arrays with enhanced light extraction
WO2001041225A2 (en) * 1999-12-03 2001-06-07 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP2002170993A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法、可視光発光装置
JP2003174191A (ja) * 2001-06-25 2003-06-20 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003183100A (ja) * 2001-10-09 2003-07-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法
JP2003218383A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003277195A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Nec Corp Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板およびその製造方法
JP2003532298A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
US20030222263A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Kopin Corporation High-efficiency light-emitting diodes

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1585451A (ja) * 1968-07-30 1970-01-23
US3739217A (en) * 1969-06-23 1973-06-12 Bell Telephone Labor Inc Surface roughening of electroluminescent diodes
FR2527934A1 (fr) * 1982-06-03 1983-12-09 Elf Aquitaine Procede de fractionnement de melanges par chromatographie d'elution avec fluide en etat supercritique et installation pour sa mise en oeuvre
FR2584618B1 (fr) * 1985-07-09 1989-11-24 Elf Aquitaine Dispositif pour la mise en oeuvre de procedes d'extraction-separation-fractionnement par fluides supercritiques
US5779824A (en) * 1994-08-05 1998-07-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Aluminum alloy support for planographic printing plate and method for producing the same
JPH08288544A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP3905935B2 (ja) * 1995-09-01 2007-04-18 株式会社東芝 半導体素子及び半導体素子の製造方法
US5779924A (en) 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
US5773369A (en) * 1996-04-30 1998-06-30 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical wet etching of group III nitrides
JP3764792B2 (ja) 1997-02-20 2006-04-12 シャープ株式会社 窒化物半導体のエッチング方法
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US5895223A (en) * 1997-12-10 1999-04-20 Industrial Technology Research Institute Method for etching nitride
US6091085A (en) * 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
WO1999067815A1 (en) * 1998-06-23 1999-12-29 Trustees Of Boston University Crystallographic wet chemical etching of iii-nitride material
US6169294B1 (en) * 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
FR2795087B1 (fr) * 1999-06-18 2002-08-02 Vittori Carlo De Procede de fractionnement d'une huile de cuisson
DE19947030A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode mit verbesserter Stromeinkopplung
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
JP2001246216A (ja) * 1999-12-28 2001-09-11 Denso Corp 気液分離装置
US6277665B1 (en) * 2000-01-10 2001-08-21 United Epitaxy Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor light-emitting device with enhanced external quantum efficiency
US6596079B1 (en) * 2000-03-13 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
TW472400B (en) 2000-06-23 2002-01-11 United Epitaxy Co Ltd Method for roughing semiconductor device surface to increase the external quantum efficiency
US6420732B1 (en) * 2000-06-26 2002-07-16 Luxnet Corporation Light emitting diode of improved current blocking and light extraction structure
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
TW564584B (en) 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US6884740B2 (en) * 2001-09-04 2005-04-26 The Regents Of The University Of California Photoelectrochemical undercut etching of semiconductor material
JP3864870B2 (ja) * 2001-09-19 2007-01-10 住友電気工業株式会社 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
WO2003034508A1 (en) 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
JP4207781B2 (ja) 2002-01-28 2009-01-14 日亜化学工業株式会社 支持基板を有する窒化物半導体素子及びその製造方法
US6791120B2 (en) * 2002-03-26 2004-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
JP3889662B2 (ja) 2002-05-10 2007-03-07 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
WO2004023486A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-18 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. A construction method and design for a magnetic head actuator mechanism
DE10245628A1 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10308866A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
US7012279B2 (en) * 2003-10-21 2006-03-14 Lumileds Lighting U.S., Llc Photonic crystal light emitting device
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
EP1697983B1 (en) * 2003-12-09 2012-06-13 The Regents of The University of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes having surface roughening
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7291864B2 (en) * 2005-02-28 2007-11-06 The Regents Of The University Of California Single or multi-color high efficiency light emitting diode (LED) by growth over a patterned substrate

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177432A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオードランプおよびその製造方法
JPH098403A (ja) 1995-06-15 1997-01-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
WO2001041219A1 (en) 1999-12-03 2001-06-07 Cree Lighting Company Micro-led arrays with enhanced light extraction
WO2001041225A2 (en) * 1999-12-03 2001-06-07 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP2003532298A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
JP2002170993A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法、可視光発光装置
JP2003174191A (ja) * 2001-06-25 2003-06-20 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003183100A (ja) * 2001-10-09 2003-07-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法
JP2003218383A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003277195A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Nec Corp Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板およびその製造方法
US20030222263A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Kopin Corporation High-efficiency light-emitting diodes

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6009053619; Ｓ．　Ｔｒｉｐａｔｈｙ　ｅｔ　ａｌ．: 'Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ　ｅｔｃｈｅｄ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ＧａＮ　ｕｓｉｎｇ　Ｃｌ２／ＢＣｌ３　ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ' Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ａ Ｖｏｌｕｍｅ　１９，　Ｉｓｓｕｅ　５, 200109, ｐｐ．　２５２２-２５３２, Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ *
JPN6010046189; Ｈｏｃｋ　Ｍ．　Ｎｇ　ｅｔ　ａｌ．: 'ＧａＮ　ｎａｎｏｔｉｐ　ｐｙｒａｍｉｄｓ　ｆｏｒｍｅｄ　ｂｙ　ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｅｔｃｈｉｎｇ' Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ ｖｏｌ．９４, 20030701, ｐｐ．６５０-６５３, Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ *
JPN6012066531; 田口常正: 白色ＬＥＤ照明システムの高輝度・高効率・長寿命化技術 , 20030327, 第１９頁, 技術情報協会
JPN7014001447; Ｗ．Ｓ．Ｗｏｎｇ，Ｔ．Ｓａｎｄｓ，Ｎ．Ｗ．Ｃｈｅｕｎｇ，Ｍ．Ｋｎｅｉｓｓｌ，Ｄ．Ｐ．Ｂｏｕｒ，Ｐ．Ｍｅｉ，Ｌ．Ｔ．Ｒｏｍａｎｏ ａｎｄ Ｎ．Ｍ． Ｊｏｈｎｓｏｎ: Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ７２、１９９９, 1998
JPN7014001448; Ｐ．Ｒ．Ｔａｖｅｒｎｉｅｒ，ａｎｄ　Ｄ．Ｒ．Ｃｌａｒｋｅ，Ｊ．: Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． ８９、１５２７, 2001
JPN7014001449; Ｃ．Ｆ．Ｃｈｕ，Ｃ．Ｃ．Ｙｕ，Ｈ．Ｃ．Ｃｈｅｎｇ，Ｃ．Ｆ．Ｌｉｎ，ａｎｄ，Ｓ．Ｃ．Ｗａｎｇ: Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． ４２、Ｌ１４７, 2003
JPN7014001450; Ｍ．　Ｓ．　Ｍｉｎｓｋｙ，　Ｍ．　Ｗｈｉｔｅ　ａｎｄ　Ｅ．　Ｌ．　Ｈｕ: Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ ６８，　１５３１, 1996
JPN7014001451; Ｃ．　Ｙｏｕｔｓｅｙ，　Ｌ．Ｔ．　Ｒｏｍａｎｏ，　ａｎｄ　Ｉ．　Ａｄｅｓｉｄａ: Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ． ７３，　７９７, 1998

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8766296B2 (en) 2003-12-09 2014-07-01 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
US11677044B2 (en) 2003-12-09 2023-06-13 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
US10985293B2 (en) 2003-12-09 2021-04-20 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
US10446714B2 (en) 2003-12-09 2019-10-15 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
JP2005317959A (ja) * 2004-03-19 2005-11-10 Lumileds Lighting Us Llc 光結晶発光装置
JP2007067290A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子製造装置
JP2007150259A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2011505700A (ja) * 2007-11-30 2011-02-24 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 表面ラフニングによる高い光抽出効率の窒化物ベースの発光ダイオード
US9040326B2 (en) 2007-11-30 2015-05-26 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening
US8835200B2 (en) 2007-11-30 2014-09-16 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency nitride based light emitting diode by surface roughening
JP2011513954A (ja) * 2008-02-29 2011-04-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
US8711893B2 (en) 2008-02-29 2014-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
KR101507129B1 (ko) * 2008-03-28 2015-03-31 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2011520296A (ja) * 2008-05-12 2011-07-14 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ｐ側上方ＧａＮ系発光ダイオードの光電気化学粗面化
JP2013504868A (ja) * 2009-09-09 2013-02-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 直列に接続されたｌｅｄ用のサブマウントのツェナーダイオード保護ネットワーク
JP2011082432A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2011139067A (ja) * 2009-12-30 2011-07-14 Imec 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2011082587A (ja) * 2011-01-26 2011-04-21 Regents Of The Univ Of California 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード
US8822247B2 (en) 2011-03-07 2014-09-02 Stanley Electric Co., Ltd. Optical semiconductor element and manufacturing method of the same
JP2015501530A (ja) * 2011-10-06 2015-01-15 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 半導体発光デバイスの表面処理
US10002988B2 (en) 2011-10-06 2018-06-19 Lumileds Llc Surface treatment of a semiconductor light emitting device
JP2015503849A (ja) * 2012-01-10 2015-02-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 選択的な領域粗化による制御されたｌｅｄ光出力
US10074772B2 (en) 2012-01-10 2018-09-11 Lumileds Llc Controlled LED light output by selective area roughening

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